双管正激

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第2章 并-串并联双管正激组合变换器

第2章 并-串并联双管正激组合变换器

第2章并-串/并型双管正激组合变换器2.1概述双管正激变换器具有开关管电压应力低、内在抗桥臂直通的能力、可靠性高、电路拓扑简单等优点,是目前国内外工业界在输出中等功率应用场合中首选的电路拓扑之一。

但双管正激变换器受变压器磁芯复位的限制,最大输出占空比只能达到0.5,要获得较高的输出电压,必须靠提高变压器的变比,增加了副边二极管电压应力,限制了在输出高压场合的应用。

为了保留双管正激变换器的优点,同时克服其缺点,提高等效占空比和输入输出电压增益,减小开关管电流应力和副边二极管电压应力,本章主要研究了三种双管正激组合变换器:一种采用耦合电感的并-串型双管正激组合变换器,一种采用耦合电感的并-并型双管正激组合变换器,和一种并-并/串型双管正激组合变换器。

2.2并-串型双管正激组合变换器(a)独立电感输出电容端串联(b)副边续流二极管串联(c)耦合电感输出电容端串联图2.1 三种并-串型双管正激组合变换器两组双管正激变换器的开关管导通相位互差180O,在输入端并联、输出端串联方第2章 并-串/并型双管正激组合变换器式构成的并-串型双管正激组合变换器有三种,如图 2.1(a )~2.1(c)所示:分别为采用独立电感在输出电容端串联、副边续流二极管串联和采用耦合电感在输出电容端串联。

其中图 2.1(a)所示并-串型组合变换器中的两组双管正激变换器,在工作上相当于两个独立的变换器,每个变换器输出一半的电压;图 2.1(b )所示续流管串联型组合变换器,文献【24】已做讨论。

本节主要研究采用耦合电感在输出电容端串联的并-串型双管正激组合变换器,并对三种并-串型组合变换器的特性作一比较。

2.2.1采用耦合电感的并-串型双管正激组合变换器为了便于分析图 2.1(c )所示的并-串型双管正激组合变换器,作如下假定:组合变换器已经达到稳态,耦合电感中两线圈电流工作在连续模式,开关管和二极管均为理想器件,忽略变压器漏感,两耦合线圈自感相等(12L L L ==),两输出滤波容电压相等、均为输出电压的一半。

双管正激电路工作原理

双管正激电路工作原理

双管正激电路工作原理
双管正激电路是一种具有很好的稳定性及输出功率大的线性供电电路,它能够比纯管得到更高效稳定的发射信号。

双管正激电路一般包含两个电子管:一个为普通管,另一个为正激管。

普通管的输出是失真的,而正激管的主要任务是把普通管的失真输出在消除。

首先介绍普通管,它的基本电路如下:普通管的放大场由一阶串联电容器C1,C2,C3以及一个负调压电阻R构成。

当电压U增加时,C1 将会存储电荷,然后电荷释放至C2,再从C2输出至C3,这时C3上聚集的电荷将会使普通管的截止电压大幅上升。

此时,在普通管正序输出极端,和负序输出极端上形成了双电容C1,C2,C3之间共阴共叠电容,其中两个阴极分别接在了普通管的正序极端。

正激管之间连接的电路如下:正激管与前面提到的普通管的输出极之间的电容C4一般是比较小的,其连接下游的正激管的基极。


表明,正激管可以从负序输出极(也就是普通管的正序极)向基极发射电荷,积累的电荷将有助于保持普通管的截止电压稳定在一定的水平上。

因此,普通管和正激管组合在一起,能够有效地抑制普通管的失真,提高双管正激电路的信号稳定性,从而得到更出色的发射信号。

总之,双管正激电路是一种具有优良稳定性的线性供电电路,由两个电子管:一个为普通管,另一个为正激管构成,它能够比纯管得到更高效稳定的发射信号,是电子产品设计中主要技术之一。

双管正激开关电源的效率和功率因数

双管正激开关电源的效率和功率因数

双管正激开关电源的效率和功率因数下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

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双管正激开关电源的设计理念

双管正激开关电源的设计理念

双管正激开关电源的设计理念
双管正激开关电源是一种高效节能的电源设计,其设计理念包括以下几个方面:
1. 高效能:双管正激开关电源采用了双管拓扑结构,通过两个开关管之间的协同工作,有效地减小了功率开关管的损耗,从而提高了整体的转换效率。

这种设计能够使电源在保持稳定工作的同时,大幅度降低功率损耗,提高了能源利用率。

2. 稳定性:双管正激开关电源通过合理的电路设计和控制算法,能够保持输出电压的稳定性和精准性,有效地避免了电压波动和脉动等问题,保证了供电的稳定性和可靠性。

这种设计理念在工业控制、通信设备等对电源稳定性要求高的领域具有很大的应用潜力。

3. 节能环保:双管正激开关电源在设计中注重了节能环保的理念,通过高效的转换结构和控制算法,可以降低功耗,减少能源浪费。

同时,该设计还采用了环保材料和生产工艺,尽可能减少对环境的污染,符合可持续发展的要求。

4. 可靠性:双管正激开关电源在设计中考虑了系统的可靠性和稳定性,采用了多重保护机制和自动故障诊断功能,能够及时发现并处理电路中的故障,确保电源运行的安全可靠。

这种设计理念在需要长时间连续工作和高稳定性要求的应用场景中具有很大的优势。

总的来说,是以高效能、稳定性、节能环保和可靠性为核心,通过合理的电路结构和控制算法,充分发挥开关电源的优势,为各种应用领域提供稳定可靠的电力支持。

这种设计思路不仅满足了现代电子产品对电源性能的要求,还有助于提高整体能源利用效率,促进清洁能源的发展和利用。

双管正激电路

双管正激电路

双管正激电路一、引言双管正激电路是一种常见的电子电路,主要用于驱动高频输出变压器。

本文将详细介绍双管正激电路的原理、特点、设计方法以及应用领域。

二、原理及结构双管正激电路由两个晶体管、变压器、输入电源和负载组成。

其中,晶体管分别作为开关管和工作管,变压器用于实现电压转换,输入电源提供电能,负载接收输出信号。

2.1 开关管开关管通常采用功率MOS管或者开关型晶体管,其主要功能是控制输出信号的开关。

开关管通过控制输入电压的高低来切换工作状态,实现输出信号的开关。

2.2 工作管工作管一般采用功率晶体管,其主要功能是放大输出信号,并将其传输给负载。

工作管在开关管切换状态时,接收开关管产生的信号,并进行相应的幅度放大。

2.3 变压器变压器是双管正激电路中的重要组成部分,其作用是实现电压转换。

变压器将输入电源提供的电能进行变压缩放,并输出给工作管放大。

变压器的设计应充分考虑电路的功率、频率等参数,以实现较高的转换效率。

三、特点及优势双管正激电路在实际应用中具有以下特点和优势:3.1 高效率双管正激电路通过合理匹配开关管和工作管,可以实现较高的转换效率。

其设计原理使得功率能够得到充分利用,从而达到较高的能量转换效率。

3.2 输出稳定双管正激电路通过开关管的控制,可以实现输出信号的开关,从而使得输出信号更加稳定。

输出稳定是电路工作的一项重要指标,对于许多应用场景非常关键。

3.3 适用范围广双管正激电路可以适用于多种应用领域,例如电源供应、驱动电路等。

其设计灵活性强,可以根据实际需求进行优化和调整,满足不同场景的要求。

3.4 成本低廉由于双管正激电路采用的器件和元器件成本较低,生产和应用成本相对较低。

这使得双管正激电路在实际应用中具有一定的竞争优势。

四、设计方法4.1 选择晶体管在设计双管正激电路时,需要根据实际需求选择合适的晶体管。

晶体管的参数包括最大电流、最大功率、开关速度等,这些参数对电路的性能有着重要的影响。

双管正激电路工作原理

双管正激电路工作原理

双管正激电路工作原理双管正激电路是一种常见的电子电路,它可以通过两个管子的工作来实现电路的正激控制。

在这种电路中,两个管子分别承担着导通和关断的任务,通过它们的协同工作,可以实现电路的正激控制。

接下来,我们将详细介绍双管正激电路的工作原理。

首先,我们需要了解双管正激电路的基本结构。

这种电路通常由两个功率管、一个变压器、一个电容和一个电阻组成。

其中,功率管承担着控制电路通断的任务,变压器用于提供电源,电容和电阻则用于稳定电压和电流。

通过这些基本元件的协同作用,双管正激电路可以实现对电路的正激控制。

其次,我们来看一下双管正激电路的工作原理。

在正常工作状态下,当输入电压施加到电路中时,功率管1导通,功率管2关断。

此时,电流通过功率管1流入变压器,然后经过电容和电阻稳定后供给负载。

在这个过程中,功率管1的导通状态可以实现电路的正激控制,从而实现对负载的正激控制。

当输入电压变化时,功率管1和功率管2的导通状态会相应地发生变化,以保持电路的正激控制。

通过不断地调整功率管1和功率管2的导通状态,双管正激电路可以实现对电路的稳定控制,从而实现对负载的稳定控制。

双管正激电路的工作原理非常简单易懂,但在实际应用中需要注意一些问题。

首先,需要合理选择功率管、变压器、电容和电阻的参数,以确保电路能够正常工作。

其次,需要注意功率管的导通和关断时间,以避免电路出现过载或短路情况。

最后,需要注意电路的绝缘和散热工作,以确保电路的安全可靠。

总之,双管正激电路是一种常见的电子电路,它通过两个功率管的协同工作实现对电路的正激控制。

在实际应用中,我们需要深入理解其工作原理,并注意一些关键问题,以确保电路能够稳定可靠地工作。

希望本文对您有所帮助,谢谢阅读!。

双管正激电路工作原理

双管正激电路工作原理

双管正激电路工作原理双管正激电路也被称为双开关正激电路,是一种常见的开关电源电路,用于将输入电压变换为稳定输出电压的电路。

它具有简单、高效、成本低廉等优点,在诸如计算机、通信设备、电器等领域广泛应用。

双管正激电路基本原理:双管正激电路由两个功率开关管(也称为开关管或肖特基二极管)组成,通常一对开关管由正激控制芯片负责驱动。

其中,一个开关管用于控制输入电压的正半周,另一个开关管则用于控制输入电压的负半周。

这样,通过不断地交替开关这两个开关管,可以将输入电压进行有效的变换和整流,从而得到稳定的输出电压。

双管正激电路主要包含以下几个关键部分:1. 输入滤波器(LC滤波器): 输入滤波器主要用于对输入电压进行滤波和去除高频噪声,确保电路内部工作时电压稳定恒定。

通常,输入滤波器由电感(L)和电容(C)组成,电感对高频信号具有阻断作用,而电容则用于对输入电压进行储能。

2. 变压器: 变压器是双管正激电路中必不可少的组成部分。

它用于将输入交流电压经过变换,得到合适的输入电压,通常是较高的交流电压。

变压器的设计需要满足功率传输和电压转换的要求。

3. 开关管: 开关管是双管正激电路的核心部件,其作用是将输入电压进行切割和调整,以实现输出电压的稳定。

开关管需要能够承受较高的电压和电流,并具有快速的开关速度,以确保电路的正常工作。

4. 输出滤波器(LC滤波器): 输出滤波器主要用于去除开关过程中产生的高频噪音和纹波,使输出电压更加稳定。

输出滤波器通常由电感和电容组成,类似于输入滤波器。

5. 反馈控制回路: 反馈控制回路用于控制输出电压的稳定性。

它通过监测输出电压并将信息反馈给正激控制芯片,对开关管的开关时间和频率进行调整,以保持输出电压在设定范围内。

双管正激电路的工作过程如下:1. 输入交流电压经过变压器变换后,得到较高的交流电压。

2. 经过输入滤波器的滤波和去噪后,交流电压被转换为稳定的直流电压。

3. 根据正激控制芯片的控制信号,两个开关管交替地进行开关操作。

双管正激原理

双管正激原理

双管正激原理双管正激原理是指在一定条件下,利用两个管道中的正激材料相互作用来产生能量释放的原理。

这一原理在物理学和化学领域具有重要的应用价值。

本文将介绍双管正激原理的基本概念、应用领域以及相关实验方法和技术。

双管正激原理的基本概念是指在两个管道中分别装填有正激材料,并使其相互作用来产生能量释放。

正激材料是指在一定条件下能够产生自身能量释放的物质,如化学反应中产生的爆炸物质或核反应中产生的裂变物质。

通过将两个正激材料放置在不同的管道中,可以实现能量的双向释放,从而实现更高效的能量转换。

双管正激原理在军事和能源领域具有广泛的应用。

在军事领域,双管正激装置可以用于制造火炮、导弹和炸弹等武器系统。

通过将两个正激材料装填在火炮或导弹的弹头和发动机中,可以实现更高的爆炸威力和推进力。

在能源领域,双管正激原理可以用于制造高效的能量转换装置,如核能反应堆和化学燃料电池等。

双管正激原理的实验方法和技术主要包括正激材料的选择和装填、管道的设计和制造、以及能量释放的控制和调节。

在选择和装填正激材料时,需要考虑其能量密度、反应速率和稳定性等因素,以确保能量释放的效果和安全性。

在管道的设计和制造中,需要考虑材料的耐压性能、导热性能和密封性能等因素,以确保能量的双向传输和保持。

在能量释放的控制和调节中,需要采用适当的触发装置和调节装置,以确保能量的释放和利用的可控性和稳定性。

双管正激原理的应用还存在一些挑战和亟待解决的问题。

首先,正激材料的选择和装填需要考虑其安全性和环境影响,以避免不必要的事故和污染。

其次,管道的设计和制造需要考虑其成本和可持续性,以实现更加经济和环保的能量转换。

此外,能量释放的控制和调节需要提高其精度和灵活性,以适应不同的应用需求和操作条件。

双管正激原理是一种利用两个管道中的正激材料相互作用来产生能量释放的原理。

它在军事和能源领域具有广泛的应用价值。

通过选择适当的正激材料、设计合理的管道和采用有效的控制和调节技术,可以实现更高效、安全和可持续的能量转换。

双管正激变化器的工作原理

双管正激变化器的工作原理

双管正激变化器的工作原理双管正激变化器(Push-Pull Converter)是一种常见的电力电子变换器,可以将直流电能转换为交流电能,通常用于电源供应、驱动电机等场合。

它采用两个互补的开关管对输入电压进行切换,通过周期性的切换来实现直流至交流的转换。

双管正激变化器的工作原理如下:首先,输入电压通过输入电感和滤波电容进行滤波,得到平滑的直流电压。

然后,这个直流电压被输入到双管正激变化器的控制电路中。

控制电路会根据输出负载的需求,控制两个开关管的导通和关断。

当控制电路将一个开关管导通时,另一个开关管则关断。

这样,交替地切换两个开关管,就可以实现正激变化器的工作。

在正激变化器的一个工作周期内,有两个状态:导通状态和关断状态。

在导通状态下,一个开关管导通,另一个开关管关断,此时输入电压通过导通的开关管流入负载。

在关断状态下,两个开关管都关断,此时负载的电流通过输出电感和输出电容维持。

这样,双管正激变化器通过周期性的切换,在输出端产生了一个类似交流电的电压。

双管正激变化器的工作原理可以用以下步骤详细描述:1. 导通状态:当一个开关管导通时,它的导通电阻很小,电流可以流经它。

同时,另一个开关管关断,其导通电阻很大,电流无法流经它。

因此,输入电压通过导通的开关管流入负载。

2. 关断状态:当两个开关管都关断时,它们的导通电阻都很大,电流无法流经它们。

此时,负载的电流会通过输出电感和输出电容维持。

输出电感会储存能量,而输出电容则起到滤波作用,使输出电压更加稳定。

3. 切换过渡:当一个开关管由导通状态切换到关断状态时,由于其导通电阻的变化,会产生一个反向电压。

为了保护开关管,通常会在开关管上串联一个反向二极管,用于接收这个反向电压。

这个二极管被称为“自由轮”二极管,它的作用是提供一个回路,使反向电压能够顺利流回输入电源。

双管正激变化器的工作原理可以简化为以下几个关键步骤:输入电压滤波、开关管导通、开关管关断、自由轮二极管工作。

双管正激电源,这些问题点不容忽视!

双管正激电源,这些问题点不容忽视!

双管正激电源,这些问题点不容忽视!希望可以帮到更多的电源工程师,少走弯路,由于工作很忙,回复会滞后,我会抽时间回复大家提出的问题,只要能帮到各位,就是对我最大的安慰。

Zhangyanhong:第一次做单管正激,请教下电源老化一段时间后DS波形怎么会变这样子呢?楼主:MOS关断后,电压上升,达到一定的电压值(最大限幅值被母线电压限制),然后应该是比较圆滑的波形,溜肩膀(溜肩膀根据负载的轻重波形会有差异,它自己会找一个合适的复位点下来)后,下来。

你这个波形基本是正确的,只是在MOS管关断后,在达到最高电压的时候有震荡,去查查复位这块。

qq10860616:当年我用双管正激做过一款500W的电源。

低压大电流的。

选这个结构是因为这种结构有个先天性优势就是,永远不会像半桥全桥那样出现上下管同态导通就炸机的风险。

本人认为,如果是一些需要可靠性很高的电源,我觉得双管正激非常不错。

选这个拓扑来做,也是想试试我没有做的拓扑。

另外就是,所有的电源结构的MOS波形,我最喜欢看的就是正激的那个带着馒头一样波形。

我来听听楼主对正激结构的一些宝贵经验。

学习学习!楼主:你说的很对,双管正激最大的特点就是不会“炸鸡”,我一般100W-500W都用双管正激拓扑,而不用推挽半桥这类的,当然他们也有他们的特殊场合以及用途(LLC拓扑暂且不再本帖子内涉及)。

先上双管正激拓扑示意图:今天抽点时间,讲一个正激电感和变压器的设计,这是正激拓扑电路里的“心脏”。

说明:此部分只是个例子,只为说明计算步骤等等,这个例子也不是双管正激的例子。

大家不要在纠结最大占空比为啥0.6了正激变压器的设计,需要注意一点,需要计算最低输入和最高输入两次。

Gongchangsheng:你好,楼主,有几个问题想请教一下:1.第一张图上,因为放电电流等于充电电流,所以可以得到,Vo=Vs * D,对于这里我根据你说的来推导得出的是Vo=Vs *【D/(1-D)】,请问楼主我错在哪里了?我想不明白。

双管正激电路

双管正激电路

双管正激电路
双管正激电路是一种常用的电子元件,在电路设计和实际应用中起着重要作用。

它由两个管子组成,一个管子叫做NPN型晶体管,另一个管子叫做PNP型晶体管。

这两个管子之间相互激励,可以实现放大信号的功能。

在双管正激电路中,NPN型晶体管和PNP型晶体管分别起到放大信号的作用。

当输入信号进入电路时,NPN型晶体管将信号放大,然后传递给PNP型晶体管进一步放大。

通过这种方式,可以实现对信号的放大和控制,使信号能够得到增强并输出到输出端。

双管正激电路可以在各种电子设备中得到广泛应用,比如音频放大器、射频放大器等。

在音频放大器中,双管正激电路可以将微弱的音频信号放大到足够大的幅度,以便输出到扬声器中发出声音。

而在射频放大器中,双管正激电路可以将微弱的射频信号放大,以便传输信号到更远的距离。

双管正激电路的设计和调试需要一定的经验和技术。

首先,需要选择合适的NPN型晶体管和PNP型晶体管,以确保它们能够很好地配合工作。

其次,需要合理设计电路的参数和连接方式,以确保信号能够得到有效放大。

最后,需要通过实验和调试来验证电路的性能,以确保其可以正常工作。

总的来说,双管正激电路是一种重要的电子元件,在电子领域中有
着广泛的应用。

通过合理设计和调试,可以实现对信号的放大和控制,从而满足各种电子设备对信号处理的需求。

希望通过对双管正激电路的理解和应用,能够为电子技术的发展和应用带来更多的可能性和机遇。

双管正激工作原理

双管正激工作原理

双管正激工作原理
双管正激工作原理指的是一种工作方式,通常用于电子设备中的功率放大器。

与单管正激工作原理相比,双管正激工作原理可以提供更高的功率放大效果。

该工作原理的基本思路是利用两个功率管进行放大,一个管用于放大正半周信号,另一个管则负责放大负半周信号。

这样做的目的是为了提高放大器的效率和线性度。

在双管正激工作原理中,输入信号首先经过一个分配器,将信号分为正半周和负半周。

接着,正半周信号进入一个功率管进行放大,而负半周信号则进入另一个功率管。

放大后的两个信号再通过一个合并器合并,形成一个完整的信号。

最后,输出信号经过一个滤波器进行滤波,去除不需要的谐波成分。

这种工作原理的优势在于,可以通过并联多个功率管来提高输出功率。

而且,由于两个管子分别放大正负半周信号,可以有效地减少非线性失真,提高放大器的线性度。

另外,双管正激工作原理还能够提供较高的效率,将电源的能量充分利用。

需要注意的是,双管正激工作原理在设计和调试时会面临一些挑战。

例如,两个功率管必须具有相同的参数,以确保放大效果的一致性。

此外,功率管之间的相位差也需要严格控制,以免引入干扰和失真。

综上所述,双管正激工作原理是一种常用于功率放大器的工作方式,通过利用两个功率管分别放大正负半周信号,可以提高
功率放大效果、线性度和效率。

这种工作原理在电子设备设计中具有广泛应用。

双管正激电路工作原理

双管正激电路工作原理

双管正激电路工作原理
双管正激电路是一种常见的电子电路,它在许多电子设备中都有广泛的应用。

它的工作原理主要是利用两个管子(晶体管或场效应管)来控制电路的开关,从而实现对电流的控制。

在本文中,我们将详细介绍双管正激电路的工作原理,以及它在实际应用中的一些特点和注意事项。

首先,让我们来了解一下双管正激电路的基本结构。

它由两个管子、电感、电
容和负载组成。

其中,两个管子分别被称为主管和副管,它们的工作状态是交替的。

当主管导通时,副管截止;当副管导通时,主管截止。

这样,通过控制两个管子的导通状态,就可以实现对电路的开关控制。

在双管正激电路中,电感和电容起着重要的作用。

电感的作用是存储能量,当
管子导通时,电感中的能量积累;当管子截止时,电感释放能量,从而实现对电路的能量转换。

而电容则可以平滑电压,保证电路工作的稳定性。

另外,双管正激电路还需要注意一些工作特点和注意事项。

首先,由于管子的
导通和截止是瞬时的,所以在实际应用中需要考虑到管子的开关速度和功率损耗。

其次,双管正激电路在工作时会产生一定的电磁干扰,因此需要采取一些措施来减小干扰,保证电路的稳定性和可靠性。

总的来说,双管正激电路是一种常见的电子电路,它通过控制两个管子的导通
状态来实现对电路的开关控制。

在实际应用中,需要注意管子的开关速度、功率损耗和电磁干扰等问题。

希望本文对您了解双管正激电路的工作原理有所帮助。

双管mos正激驱动电路

双管mos正激驱动电路

双管mos正激驱动电路双管MOS正激驱动电路是一种常用的驱动电路,用于驱动功率MOS管或IGBT管。

它通过合理的电路设计,能够有效地提高功率开关管的驱动能力和稳定性。

我们来了解一下什么是双管MOS正激驱动电路。

正激驱动电路是指驱动信号与被驱动器件的导通信号同向的驱动方式。

双管MOS 正激驱动电路是在正激驱动电路的基础上,加入了两个MOS管,以提高驱动能力和稳定性。

双管MOS正激驱动电路的基本结构如下:1. 输入端:输入信号经过适当的电路处理,使得信号具备足够的驱动能力。

2. 驱动端:通过电路设计,将输入信号转化为合适的驱动信号,以驱动功率MOS管或IGBT管。

3. 输出端:输出信号经过整形和电平转换,以适应被驱动器件的工作要求。

双管MOS正激驱动电路的工作原理如下:1. 当输入信号为低电平时,MOS管1导通,MOS管2截止。

这时,驱动信号经过MOS管1被传送到被驱动器件,使得被驱动器件导通。

2. 当输入信号为高电平时,MOS管1截止,MOS管2导通。

这时,驱动信号经过MOS管2被传送到被驱动器件,使得被驱动器件截止。

双管MOS正激驱动电路的优点如下:1. 驱动能力强:由于采用了两个MOS管进行驱动,所以能够提供更大的驱动电流,从而驱动功率MOS管或IGBT管更加可靠。

2. 稳定性高:双管MOS正激驱动电路能够有效地抑制驱动信号的波动,提高驱动电路的稳定性,减少误触发的可能性。

3. 可靠性高:由于采用了双管驱动,即使其中一个MOS管失效,另一个MOS管仍然可以正常工作,保证了整个驱动电路的可靠性。

双管MOS正激驱动电路的应用广泛,特别适用于需要高驱动能力和稳定性的场合,如电力电子领域、工业控制领域、电动汽车领域等。

它能够有效地提高功率开关管的性能,保证系统的稳定运行。

总结一下,双管MOS正激驱动电路是一种常用的驱动电路,具有驱动能力强、稳定性高、可靠性高等优点。

通过合理的电路设计,能够有效地提高功率开关管的驱动能力和稳定性。

双管正激拓扑的工作原理和设计举例

双管正激拓扑的工作原理和设计举例

双管正激拓扑一.概述双管正激拓扑电路是一种在单端正激拓扑上衍生出来的一种拓扑电路。

经过实践证明,这种拓扑的电路具有电路简单,可靠性高,元器件较单端电路容易选取等特点。

是一种非常优秀的拓扑电路。

二.简介双管正激变换器拓扑结构由两个功率开关管和两个二极管构成,当两个开关管和同时关断时,磁通复位电路的两个二极管和同时导通,输入的电流母线电压Vin反向加在变压器的初级的励磁电感上,初级的励磁电感在Vin的作用下励磁电流从最大值线性的减小到0,从而完成变压器磁通的复位,并将储存在电感中的能量返回到输入端,没有功率损耗,从而提高电源的效率;此外,每个功率开关管理论的电压应力为直流母线电压,这样就可以选取相对较低耐压的功率MOSFET管,成本低,而且较低耐压的功率MOSFET的导通电阻小,可以进一步提高效率。

三.应用范围双管正激变换器广泛的应用于台式计算机的主电源,中等功率的通信电源及大功率通信电源、变频器等三相电路的辅助电源中。

四.基本工作原理和关键点的波形双管正激变换器的拓扑结构如图1所示,其中Cin为输入直流滤波电解电容,Q1和Q2为主功率开关管,D1、D2和C1、C2分别为Q1和Q2的内部寄生的反并联二极管和电容,D3、C3和D4、C4分别为变压器磁通复位二极管及其寄生的并联电容,不考虑Q2的漏极与散热片间的寄生电容,T为主变压器,DR和DF为输出整流及续流二极管,Lf和Co输出滤波电感和电容。

图1 双管正激变换器的拓朴结构首先,下面分几个工作模式来讨论其磁通复位的工作过程:(1)模式1:t0~t1在t0 时刻Q1 和Q2 关断,此时D3 也是关断的。

初级的励磁电感电流和漏感的电流不能突变,必须维持原方向流动,因此C1,Ch (散热片寄生电容)和C2充电,其电压从0 逐渐上升, C3 和 C4 放电,其电压由Vin 逐渐下降。

4231C C Lp C C i i i i i -==-in c C V u u =+31in C C V u u =+4223C C Lpu u dt di Lp -=333C C i dtdu C = 111C C i dtdu C = 222C C i dtdu C = 444C C i dt du C = 初始值:()001=C u ,()002=C u ,()in C V u =03,()in C V u =04,()00M Lp I i =由上面公式可得:423132C C C C u u C C ++=∆∆ (1) 在理想的模型下,21C C =,43C C =,4231C C C C +=+所以在t1时刻C3和C4的电压下降到0,同时 C1 和C1 的电压上升到Vin ,D3和D4 将导通,系统进入下一个过程。

双管mos正激驱动电路

双管mos正激驱动电路

双管mos正激驱动电路双管MOS正激驱动电路是一种常用的电路设计,广泛应用于各种电子设备中。

本文将详细介绍双管MOS正激驱动电路的原理、特点和应用。

一、原理双管MOS正激驱动电路由两个MOS管组成,分别为N沟道MOS管和P沟道MOS管。

其中,N沟道MOS管用于正激驱动,P沟道MOS管用于负激驱动。

正激驱动和负激驱动的作用是为了提高电路的响应速度和稳定性。

在正激驱动过程中,当输入信号为高电平时,N沟道MOS管导通,将正电压加到负激驱动端,使得P沟道MOS管截止。

反之,当输入信号为低电平时,N沟道MOS管截止,P沟道MOS管导通,将负电压加到负激驱动端,使得N沟道MOS管截止。

通过交替地控制两个MOS管的导通与截止状态,可以实现对输出信号的控制。

二、特点1. 响应速度快:双管MOS正激驱动电路采用了双管结构,可以快速切换两个MOS管的导通与截止状态,从而实现快速响应。

2. 驱动能力强:由于采用了两个MOS管的驱动方式,双管MOS 正激驱动电路具有较强的驱动能力,可以驱动各种负载。

3. 低功耗:双管MOS正激驱动电路在工作时只有一个MOS管导通,另一个MOS管截止,因此功耗较低。

4. 电压稳定性好:双管MOS正激驱动电路采用了双管结构,可以实现电压的稳定输出。

三、应用双管MOS正激驱动电路在实际应用中具有广泛的用途,常见的应用场景包括:1. 电源开关:双管MOS正激驱动电路可以控制电源的开关,实现对电源的启动和关闭。

2. 电机驱动:双管MOS正激驱动电路可以用于电机的正反转控制,实现对电机的驱动。

3. LED驱动:双管MOS正激驱动电路可以用于LED的亮灭控制,实现对LED的驱动。

4. 高频信号放大:双管MOS正激驱动电路具有较高的响应速度和驱动能力,适用于高频信号的放大。

总结:本文详细介绍了双管MOS正激驱动电路的原理、特点和应用。

双管MOS正激驱动电路通过交替地控制两个MOS管的导通与截止状态,实现对输出信号的控制。

双管正激电路

双管正激电路

双管正激电路
双管正激电路是一种常见的电子电路设计,用于产生特定频率的振荡信号。

它由两个管子(晶体管或真空管)组成,通过正反馈的方式使其输出信号增强,达到放大的效果。

这种电路在无线电通信、音频放大器等领域被广泛应用。

双管正激电路的工作原理是基于正反馈的概念。

当输入信号加到电路中时,第一个管子放大信号并将其传递给第二个管子。

第二个管子再次放大信号,并将其反馈给第一个管子。

这样,信号将在两个管子之间不断增强,最终输出一个较大的振荡信号。

在设计双管正激电路时,需要考虑到管子的工作点、负载匹配以及反馈电路的设计等因素。

合理地选择管子的参数和工作点可以使电路达到最佳的放大效果。

同时,负载匹配也是非常重要的,它可以影响到电路的稳定性和输出功率。

反馈电路的设计需要注意防止产生过多的正反馈,否则会导致电路失稳。

双管正激电路在音频放大器中的应用非常广泛。

通过合理设计电路参数和反馈电路,可以实现较大的输出功率和较高的音质要求。

双管正激电路还可以用于无线电发射机中的振荡器部分,产生稳定的载波信号。

在这些领域,双管正激电路都发挥着重要的作用。

总的来说,双管正激电路是一种常见且实用的电子电路设计。

通过合理地设计参数和反馈电路,可以实现电路的放大和稳定工作。


实际应用中,需要根据具体的需求和环境来选择合适的管子和电路结构,以达到最佳的效果。

希望本文对双管正激电路有所帮助,谢谢阅读。

双管正激变压器原副边电压比不等于匝比的原因

双管正激变压器原副边电压比不等于匝比的原因

双管正激变压器原副边电压比不等于匝比的原因1. 前言大家好!今天咱们来聊聊双管正激变压器里的一个有趣现象:原副边的电压比为什么和匝比不一样。

你知道吗?这就像是你看着一个气球,觉得它跟一个苹果一样大,但一捏就发现,里面的空气可不一样多。

好啦,咱们就从这儿开始,看看这个变压器到底怎么回事。

2. 变压器的基本概念2.1 匝比的理解首先,得聊聊什么是匝比。

简单来说,匝比就是原边和副边的绕组匝数比。

比如,你的原边有100圈,而副边有50圈,那匝比就是2:1。

这是变压器的基础知识,简直是如同小学生背乘法口诀那么简单。

但是,为什么电压比和匝比不一定相等呢?这里面可有门道。

2.2 电压比的解释电压比,顾名思义,就是原边电压和副边电压的比例。

如果你用公式来算,理论上电压比应该跟匝比是成正比的。

然而,咱们实际使用中,会发现这两者有时候会大相径庭。

就像有人一见面就显得特别开朗,但实际上心里可能藏着小秘密,这种不对称感就是电压比和匝比的关系!3. 原因分析3.1 负载影响首先,得提到负载。

负载就像是你吃的东西,吃多了或者少了,肚子里自然感受不一样。

在双管正激变压器中,当你把负载接上去时,电流就开始流动,原边的电压会受到影响,进而导致副边的电压变化。

这就像你在吃饭时,如果突然有人给你端上了一大盘子菜,你的胃瞬间被填满,那感觉可不是一般的爽。

负载的变化让电压和匝比之间的关系变得微妙而复杂,简直像一场不见硝烟的战争。

3.2 磁通和损耗再来聊聊磁通和损耗的问题。

变压器的工作是靠磁场的,但磁场可不是万能的,尤其是在有损耗的情况下。

损耗就像是你口袋里的钱,一不小心就被花掉了。

每次能量转换,总是会有些损失,像是铜损、铁损等,这些都会影响最终的电压输出。

想象一下,你原本口袋里有100块,结果买了个汉堡,剩下的只有70块,这个变化就很明显了。

于是,你会发现电压比和匝比之间的差距越来越大。

4. 小结综上所述,双管正激变压器中原副边的电压比不等于匝比,这背后其实有很多因素在作祟。

双管正激mos应力

双管正激mos应力

双管正激mos应力是指在使用双管正激电路时,由于mos管的开关状态转换所产生的应力。

在开关状态下,mos管会经历电压和电流的变化,这种变化会导致mos管内部的应力增加,从而影响其可靠性和寿命。

在双管正激电路中,当mos管从导通状态切换到截止状态时,它会经历一个电压和电流的急剧变化,这种变化会导致mos管内部的应力增加。

如果这种应力过大,可能会对mos管造成损坏,从而影响整个电路的稳定性和可靠性。

为了减小双管正激mos应力,可以采取以下措施:
1. 选择适当的mos管:选择具有较高耐压和电流能力的mos管,可以减小开关状态转换时的应力。

2. 优化电路设计:通过优化电路设计,减小mos管的开关频率和开关状态转换时的电压和电流变化幅度,从而减小mos管的应力。

3. 增加缓冲电路:在mos管的输入端增加缓冲电路,可以减小电压和电流变化对mos管的影响,从而减小其应力。

4. 散热设计:合理设计散热器,将mos管的热量及时散发出去,避免因过热而导致的性能下降和寿命缩短。

综上所述,双管正激mos应力是影响电路稳定性和可靠性的重要因素之一,通过选择适当的mos管、优化电路设计、增加缓冲电路和合理设计散热器等措施,可以有效地减小双管正激mos应力,提高整个电路的可靠性和寿命。

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双管正激理想模型的理论缺陷及实际工作过程分析The defects in operation principle of dual switch forward converter based on ideal model and the analysis of practical operation principleadlsong摘要:本文阐述的双管正激拓朴结构基于理想模型的工作原理的缺陷,分析了基于基于实际模型的磁通复位工作原理。

还讨论了散热器寄生电容对磁通复位过程的影响。

文中给出的实际双管正激电源的工作波形,实验的结果证明了分析的正确。

此外,还讨论了磁通复位后开关管两端的电压大小与负载的变化关系,也给出相应的实验波形。

Abstract: The principle of dual switch forward converter based on ideal model and its defects are presented in this paper. The practical operation principle based on real model is also discussed in detail. The effect on transformer reset caused by parasitic capacitance between power devices and the heat sink is also discussed. It proves to be correct by the waveforms of a practical dual switch forward converter. It is discussed how the voltage value between the power device after the transformer demagnetized completely varies with the output load. The waveforms are presented in the end.关键词:双管正激,磁通复位,寄生电容,散热器Key Words: Dual Switch Forward, Magnetic Reset, Parasitic Capacitor, Heat Sink双管正激变换器拓朴结构由两个功率开关管和两个二极管构成,当二个开关管Q1和Q2同时关断时,磁通复位电路的二个二极管D3和D4同时导通,输入的电流母线电压Vin反向加在变压器的初级的励磁电感上,初级的励磁电感在Vin作用下励磁电流从最大值线性的减小到0,完成变压器磁通的复位,并将储存在电感中的能量返回到输入端,没有功率损耗,从而提高电源的效率;此外,每个功率开关管理论的电压应力为直流母线电压,这样就可以选取相对较低的额定电压的功率MOSFET 管,成本低,而且额定功率较低的功率MOSFET的导通电阻小,因此可以进一步的提高效率。

所以双管正激变换器广泛的应用于台式计算机的主电源及大功率通信电源、变频器等三相电路的辅助电源中。

本文将讨论在一些教材和资料中所阐述的这种拓朴结构基于理想模型的工作原理的缺陷,并分析其实际的工作原理,从而真正的理解这种电路结构的工作方式。

1双管正激变换器的实际工作原理双管正激变换器的拓朴结构如图1所示,其中Cin 为输入直流滤波电解电容,Q1和Q2为主功率开关管,D1、D2和C1、C2分别为Q1和Q2的内部寄生的反并联二极管和电容,D3、C3 和D4、C4分别为变压器磁通复位二极管及其寄生的并联电容,不考虑Q2的漏极与散热片间的寄生电容,T 为主变压器,DR 和DF 为输出整流及续流二极管,Lf 和Co 输出滤波电感和电容。

Figure 1:The structure of dual switch forward converter图1:双管正激变换器的拓朴结构下面分几个工作模式来讨论其磁通复位的工作过程:(1)模式1:t0~t1在t0时刻Q1和Q2关断,此时D3也是关断的。

初级的励磁电感电流和漏感的电流不能突变,必须维持原方向流动,因此C1、 Ch 和C2充电充电,其电压从0逐渐上升, C3和 C4放电,其电压由Vin 逐渐下降。

4231C C Lp C C i i i i i −==−in C C V u u =+31in C C V u u =+4223C C Lpu u dtdi Lp −= 333C C i dt du C =111C C i dtdu C = 222C C i dtdu C = 444C C i dtdu C = 初始值:0)0(1=C u ,0)0(2=C u ,in C V u =)0(3,in C V u =)0(4,0)0(2=C u ,0)0(M Lp I i =由上面公式可得:423132C C C C u u C C ++=∆∆ (1) 在理想的模型下,21C C =,43C C =,4231C C C C +=+所以在t1时刻C3 和C4的电压下降到0,同时 C1和C1的电压上升到Vin ,D3和D4将导通,系统进入下一个过程。

在实际的工作中,事实上散热器的寄生电容不能忽略,这个电容将参与变压器磁通复位的过程。

Q1 和Q2漏极与散热片间的寄生电容的大小与漏极的面积及漏极与散热片的距离相关。

注意电容的公式:C C i dtdu C = Q1的漏极接Vin ,散热器接地,因此此寄生电容接在直流母线电压端,其两端没有电压变化:0==in C dV du ,也就没有电流从此电容流过:0=C i 。

实际上,对于交流信号模型来说,此寄生电容相当于短路,因此在交流等效电路中可以不必考虑。

Q2的漏极电位在开关的过程中处于变化的状态,因此在开关的过程中,Q2漏极与散热片间的寄生电容将有电流通过。

此寄生电容为Ch ,其大小将影响到功率管的开关损耗。

电容值越大,功率管漏源极电压随时间的变化率dtdu ds 越小,从而减小了功率管的开关应力,并降低了功率管关断的功耗,并且低的dt du ds 对EMI 也有改善;但是在功率管开通时,电容上储存的能量将通过功率管放电,产生开通损耗,形成开通的电流尖峰和噪声。

注意到散热器的寄生电容Ch 和C2及 C4的总和大于C1 和C3的和:Ch C C C C ++<+42311423132<+++=∆∆ChC C C C u u C C所以此模式结束时,C3的电压由Vin 下降到0时,C2的电压并不到Vin ,此时由于C3的电压为0,D3将正向偏置导通,将C3的电压箝位于0。

事实上在此过程中,当初级电压大于0即32C C u u >时,初级变压器电感仍处于正向励磁,电流增加,而且次级电感电流将反射到初级,参与电路的谐振。

当其电压过0后,在很短的时间,次级整流和续注二极管换流使次级处于短路,次级电感电流将不能反射到初级,也就不参与电路的谐振。

换流结束后,初级电压小于0,只有初级励磁电感与电容谐振,本文不分析此具体细节过程。

(2)模式2:t1~t2在t1时刻D3导通,Q1和Q2仍然为关断,此时变压器在Ch 和C2 及C4的作用下去磁。

变压器的励磁电流逐渐减小到0,然后反向励磁,变压器的电流过0时D3自然关断,系统进入下一个过程。

42C Ch C Lp i i i i −+= (1)Ch C C h i i dt du C C +=+222)( 444C C i dtdu C = in C C V u u =+42 (3)2C Lp u dtdi Lp −= 初始值:)()0(222t u u C C =,)()0(244t u u C C =,1)0(M Lp I i =在模式2过程中,变压器的电流过0前如果C2的电压上升到Vin ,那么D4将导通,C2的电压将被箝位于Vin ,变压器的励磁电感在Vin 作用下去磁,直到其电流过0后D3和D4自然关断,然后再进入模式3。

(3)模式3:t2~t3在t3时刻D3自然关断,Q1和Q2仍然为关断,变压器在Ch 和C2 有C4的作用下反向励磁,相关的公式同于模式1,仅仅是电容的电压和变压器励磁电流的初始值不同。

当C2 和C3电压谐振到相等时,C2 和C3的电压将维持不变,直到Q1和Q2导通、系统进入下一个过程。

(a)(b)(c)Figure 2:The operation modes during demagnetizing图2:磁通复位过程工作模式3 工作波形及讨论一个双管正激电源系统在空载、中等负载和满载时的工作波形如下图3所示。

功率MOSFET为STP15NK50,初级电感量为5mH,前级有PFC,输入电压为400V。

图中,蓝色为下管的电流波形,棕色为下管的漏源极DS的电压波形,绿色为上管的电流波形,红色为上管的漏源极DS的电压波形。

(a)no load (b) medium load(c) full loadFigure 3:The operation waveforms图3:工作波形从图3(a)波形可以看出,空载时,由于没有负载的反射电流,在模式1中漏感的能量不足以在如此短的时间内抽光C1和C3的能量,上管的漏源极电压(红色)和下管的漏源极电压(棕色)都没有上升到母线电压,这表明D3和D4的电压都没有达到0V,所以D3和D4都没有导通,系统仍停留在模式1中并且系统在模式1中完成磁能复位,然后进入模式3反向励磁。

模式3结束时,C2和C3的电压160V,小于Vin/2。

图3(b)从波形可以知道,中等负载时,当开关管关断后,由于有有负载的反射电流,在模式1中反射电流和漏感的能量在如此短的时间内足以抽光C1和C3的能量,上管的漏源极电压迅速(红色)上升到母线电压,即C3的电压迅速下降到0,D3导通,而此时下管的漏源极电压(棕色)即C2电压则小于母线电压。

此后,C2与初级电感谐振对其复位,由波形可见:电容C3的电压谐振上升。

当变压器电感的电流谐振为0时,储存在变压器电感中的所有的能量转移到电容C2。

电容C2的电压达到最大值;此后电容C2的电压谐振下降,注意到C1电压谐振下降即C3的电压谐振上升,当电容C2和C3的电压相等时,谐振过程停止电容C2和C3维持电压不变。

模式3结束时,C2和C3的电压200V,等于Vin/2。

图3(c)从波形可以看出,全负载时,当开关管关断后,在模式1中足够大的负载的反射电流和和漏感的能量在如此短的时间内足以抽光C1和C3的能量,上管的漏源极电压迅速(红色)上升到母线电压,即C3的电压迅速下降到0,D3导通,而此时下管的漏源极电压(棕色)即C2电压则小于母线电压。

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