LED芯片介绍PPT课件
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本尺寸图。
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表<4> 部分AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs芯片主要尺寸和发光峰
值波长
型号 ED-011SRD ED-010SR ED-010SRK ED-011UR
基本尺寸 (长×宽×高)
260×260×275 （μm）
235×235×275 （μm）
185×185×225 （μm）
高亮绿
镓铟铝磷
(AlGaInP)
超高亮绿
氮化镓
( GaN )
蓝
氮化镓
( GaN )
紫
氮化镓
( GaN )
白 红外
氮化镓+荧光粉 砷化镓 (GaAlAs、 GaAs)
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Biblioteka Baidu
1、GaP/GaP芯片
GaP 和GaAsP芯片是最早出现的LED芯片，图<1>是 普通GaP/GaP芯片外形尺寸图（不同芯片，电极的形状 不一样）。这类芯片大多数正面为P面，连接到电源的正 极，背面为N面，连接到电源的负极。约在管芯2/3高处， 是P区和N区的交界处，称PN结。
110 （μm）
568 (nm)
ED-011YGHU 235×235×255 （μm）
110 （μm）
568 (nm)
ED-011YGN 210×210×255 （μm）
110 （μm）
568 (nm)
ED-108YG
185×185×200 （μm）
105 （μm）
568 (nm)
SR-008RDH
我公司当前使用较多的是台湾光磊以及南昌欣磊生产 的产品，包括台湾光磊的 ED-010PG、ED-011PG、 ED-011YGH、ED-011YGHU、ED-011YGN、ED108YG以及南昌欣磊的SR-008RDH、SR-008YGH、 SR-011RDH、SR-011RDN、SR-011YGH、表<2>是 以上芯片的外形尺寸和发光峰值波长。图<1>是台湾光 磊ED-011YGH芯片外形尺寸图。
LED芯片介绍
光电子工程技术研究开发中心 2007年3月
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LED芯片（pellet）是一个由化合物半导体组成的PN结。 当有电流通过PN结时产生发光，由不同材料制成的管芯可 以发出不同的颜色。即使同一种材料，通过改变掺入杂质的 种类或浓度，或者改变材料的组份，也可以得到不同的发光 颜色。发光强度除了和材料有关外，还和通过PN结电流的 大小以及封装形式有关。电流越大，发光强度越高，但当电 流达到一定程度时出现光的饱和，这时电流再增加，光强不
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2. GaAsP/GaP 芯片
GaAsP/GaP 芯片的基本结构和GaP/GaP相似，正面为 P面，反面为N面。我们当前使用的该类芯片主要是台 湾光磊生产的ED系列芯片，其基本尺寸和发光峰值波 长见表<3>。
表<3> 部分GaAsP/GaP 芯片基本尺寸和峰值波长
型号
基本尺寸 (长×宽×高)
电极直径 峰值波长
260×260×200 （μm）
电极直径 峰值波长
115 (μm) 655 (nm) 105 （μm） 655 (nm) 110 （μm） 655 (nm) 115 （μm） 650 (nm)
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图<4> ED-010SR AlGaAs芯片基本尺寸图
图<5>
图<5> ED-011UR AlGaAs芯片基本尺寸图
再增加。表<1>是不同颜色发光二极管所使用的发光材料。
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表<1> 不同颜色的发光二极管所使用的发光材料
发光颜色
使用材料
普通红、绿
磷化镓 （GaP/GaP）
普通红、黄、橙 磷砷镓 (GaAsP/GaP)
高亮红
镓铝砷 （AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs）
超高亮红、黄、橙 镓铟铝磷
(AlGaInP)
ED-011HOH 235×235×255 （μm） 110 (μm) 632 (nm)
ED-011HO ED-011SO
260×260×255 （μm） 260×260×255 （μm）
110（μm） 632 (nm) 110（μm） 610 (nm)
ED-011HY 260×260×255 （μm） ED-011HYH 235×235×255 （μm）
105（μm） 589 (nm) 105（μm） 589 (nm)
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图<3>是ED-011HYH 芯片的主要尺寸图。
图<3> GaAsP/ GaP芯片基本尺寸图
注意点： 注意点：（1）GaAsP/GaP芯片峰值波长最长655nm（型号中
有“HR”，如：ED-012HR）；（2）GaAsP/GaP 芯片最薄为180μm，型号中 带-T，如：ED-011HOH-T）
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3. 高亮红（AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs）芯片
和GaP、GaAsP芯片不同之处在于：大多数 AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs芯片正面为N面， 连接到电源的负极，背面为P面，连接到电源的 正极。AlGaAs芯片发光颜色为红色，峰值波长 在630～670 nm之间。表<4>是我公司当前常用 的AlGaAs芯片主要尺寸及其发光峰值波长。图 <4>和图<5>分别是ED-010SR和ED-011UR的基
8×8×10
（mil）
4.3 （mil）
700 (nm)
SR-008YGH
8×8×10
（mil）
4.3 （mil）
565～575 (nm)
SR-011RDH 10×10×10 （mil）
4.3 （mil）
700 (nm)
SR-011RDN
9×9×10
（mil）
4.3 （mil）
700 (nm)
SR-011YGH 10×10×9 （mil）
4.3 （mil）
567～574 (nm)
SR-011YGN 9×9×9
（mil）
4.3 （mil）
567～574 (nm)
说明：（1）1 mil=25.4μm； （2）台湾光磊ED-2××××芯片正面为N面，背面为P面，见图<2>。
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图<1> 台湾光磊ED-011YGH芯片基本尺寸图
图<2> 台湾光磊ED-213YG芯片基本尺寸图
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表<2> 台湾光磊、南昌欣磊部分GaP芯片基本尺寸和峰值波长
型号
基本尺寸 (长×宽×高)
电极直径 峰值波长
ED-010PG
235×235×255（μm）
105 (μm)
557 (nm)
ED-011PG
260×260×275 （μm）
110 （μm）
557 (nm)
ED-011YGH 235×235×255 （μm）
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表<4> 部分AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs芯片主要尺寸和发光峰
值波长
型号 ED-011SRD ED-010SR ED-010SRK ED-011UR
基本尺寸 (长×宽×高)
260×260×275 （μm）
235×235×275 （μm）
185×185×225 （μm）
高亮绿
镓铟铝磷
(AlGaInP)
超高亮绿
氮化镓
( GaN )
蓝
氮化镓
( GaN )
紫
氮化镓
( GaN )
白 红外
氮化镓+荧光粉 砷化镓 (GaAlAs、 GaAs)
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Biblioteka Baidu
1、GaP/GaP芯片
GaP 和GaAsP芯片是最早出现的LED芯片，图<1>是 普通GaP/GaP芯片外形尺寸图（不同芯片，电极的形状 不一样）。这类芯片大多数正面为P面，连接到电源的正 极，背面为N面，连接到电源的负极。约在管芯2/3高处， 是P区和N区的交界处，称PN结。
110 （μm）
568 (nm)
ED-011YGHU 235×235×255 （μm）
110 （μm）
568 (nm)
ED-011YGN 210×210×255 （μm）
110 （μm）
568 (nm)
ED-108YG
185×185×200 （μm）
105 （μm）
568 (nm)
SR-008RDH
我公司当前使用较多的是台湾光磊以及南昌欣磊生产 的产品，包括台湾光磊的 ED-010PG、ED-011PG、 ED-011YGH、ED-011YGHU、ED-011YGN、ED108YG以及南昌欣磊的SR-008RDH、SR-008YGH、 SR-011RDH、SR-011RDN、SR-011YGH、表<2>是 以上芯片的外形尺寸和发光峰值波长。图<1>是台湾光 磊ED-011YGH芯片外形尺寸图。
LED芯片介绍
光电子工程技术研究开发中心 2007年3月
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LED芯片（pellet）是一个由化合物半导体组成的PN结。 当有电流通过PN结时产生发光，由不同材料制成的管芯可 以发出不同的颜色。即使同一种材料，通过改变掺入杂质的 种类或浓度，或者改变材料的组份，也可以得到不同的发光 颜色。发光强度除了和材料有关外，还和通过PN结电流的 大小以及封装形式有关。电流越大，发光强度越高，但当电 流达到一定程度时出现光的饱和，这时电流再增加，光强不
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2. GaAsP/GaP 芯片
GaAsP/GaP 芯片的基本结构和GaP/GaP相似，正面为 P面，反面为N面。我们当前使用的该类芯片主要是台 湾光磊生产的ED系列芯片，其基本尺寸和发光峰值波 长见表<3>。
表<3> 部分GaAsP/GaP 芯片基本尺寸和峰值波长
型号
基本尺寸 (长×宽×高)
电极直径 峰值波长
260×260×200 （μm）
电极直径 峰值波长
115 (μm) 655 (nm) 105 （μm） 655 (nm) 110 （μm） 655 (nm) 115 （μm） 650 (nm)
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图<4> ED-010SR AlGaAs芯片基本尺寸图
图<5>
图<5> ED-011UR AlGaAs芯片基本尺寸图
再增加。表<1>是不同颜色发光二极管所使用的发光材料。
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表<1> 不同颜色的发光二极管所使用的发光材料
发光颜色
使用材料
普通红、绿
磷化镓 （GaP/GaP）
普通红、黄、橙 磷砷镓 (GaAsP/GaP)
高亮红
镓铝砷 （AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs）
超高亮红、黄、橙 镓铟铝磷
(AlGaInP)
ED-011HOH 235×235×255 （μm） 110 (μm) 632 (nm)
ED-011HO ED-011SO
260×260×255 （μm） 260×260×255 （μm）
110（μm） 632 (nm) 110（μm） 610 (nm)
ED-011HY 260×260×255 （μm） ED-011HYH 235×235×255 （μm）
105（μm） 589 (nm) 105（μm） 589 (nm)
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图<3>是ED-011HYH 芯片的主要尺寸图。
图<3> GaAsP/ GaP芯片基本尺寸图
注意点： 注意点：（1）GaAsP/GaP芯片峰值波长最长655nm（型号中
有“HR”，如：ED-012HR）；（2）GaAsP/GaP 芯片最薄为180μm，型号中 带-T，如：ED-011HOH-T）
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3. 高亮红（AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs）芯片
和GaP、GaAsP芯片不同之处在于：大多数 AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs芯片正面为N面， 连接到电源的负极，背面为P面，连接到电源的 正极。AlGaAs芯片发光颜色为红色，峰值波长 在630～670 nm之间。表<4>是我公司当前常用 的AlGaAs芯片主要尺寸及其发光峰值波长。图 <4>和图<5>分别是ED-010SR和ED-011UR的基
8×8×10
（mil）
4.3 （mil）
700 (nm)
SR-008YGH
8×8×10
（mil）
4.3 （mil）
565～575 (nm)
SR-011RDH 10×10×10 （mil）
4.3 （mil）
700 (nm)
SR-011RDN
9×9×10
（mil）
4.3 （mil）
700 (nm)
SR-011YGH 10×10×9 （mil）
4.3 （mil）
567～574 (nm)
SR-011YGN 9×9×9
（mil）
4.3 （mil）
567～574 (nm)
说明：（1）1 mil=25.4μm； （2）台湾光磊ED-2××××芯片正面为N面，背面为P面，见图<2>。
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图<1> 台湾光磊ED-011YGH芯片基本尺寸图
图<2> 台湾光磊ED-213YG芯片基本尺寸图
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表<2> 台湾光磊、南昌欣磊部分GaP芯片基本尺寸和峰值波长
型号
基本尺寸 (长×宽×高)
电极直径 峰值波长
ED-010PG
235×235×255（μm）
105 (μm)
557 (nm)
ED-011PG
260×260×275 （μm）
110 （μm）
557 (nm)
ED-011YGH 235×235×255 （μm）