模拟电子技术基础 第二章练习题
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术基础第二章例题习题
【例2-1】理想二极管电路如例2-1图所示，试判断二极管是导通还是截止？并求输出电压U A0。
解：为了判断二极管在电路中是导通的还是截止，首先假设将二极管断开，确定二极管两端的电位差；然后根据二极管两端加的是正向电压还是反向电压判定二极管是否导通，若二极管两端的电位差为正向电压且大于阈值电压，则二极管导通，若二极管两端的电位差为反向电压，则二极管截止；若电路中出现两个或两个以上二极管，则判断承受正向电压较大的二极管优先导通，再按照上述方法判断其余的二极管是否导通。
本例中，对于例2-1图(a)所示电路, 当二极管D 断开后，V 4)9()5(A B BA =−−−=−=U U U ，所以二极管D 导通，V 5A0−=U 。
对于例2-1图(b) 所示电路, 当二极管1D 、2D 都断开后，V 3)12()9(11B A AB =−−−=−=U U UV 6)15()9(22B A AB =−−−=−=U U U ，由于12AB AB U U >，所以二极管2D 先导通，2D 导通后V 15A0−=U ，这时V 3)12()15(11B A AB −=−−−=−=U U U ，所以二极管1D 最终处于截止状态。
对于例2-1图(c) 所示电路, 当二极管1D 、2D 都断开后，V 3912A B A B 11=−=−=U U U , V 1910A B A B 22=−=−=U U U ，由于A B A B 21U U >，因此，二极管1D 优先导通，1D 导通后，V 12A0=U ，此时，V -21210A B A B 22=−=−=U U U ，所以二极管2D 最终处于截止状态。
5V例2-1图【例2-2】例2-2(a)图所示电路中的二极管是硅管，①若二极管为理想二极管，则流过二极管中的电流是多少？②如果二极管正向导通压降为0.7V ，则流过二极管中的电流又是多少？③若U ＝20V ，且二极管正向导通压降为0.7V ，则流过二极管中的电流又是多少？ 解：由例2-2图(a)所示电路①若二极管为理想二极管，二极管D 因受正向电压而导通，U D ＝0V ，二极管中的电流为 mA 82.1107.461D =×==R U I ②如果二极管正向导通压降为0.7V 先判断二极管是导通还是截止。
模拟电子技术基础 王英主编教材 第2章作业参考答案
第2章作业参考答案一、选择题1. B2. B3. B4. B5. A6. C7. C8. D9. A 10. B 13.B 14.B 15.C 19.C 24.A 25.B 26.C 27.C 28.B 29.C二简答与计算题31.解：（1）偏置电流IB=(UCC-UBE)/RB=（12-0.7）/240=0.047 mA集电极电流IC=βIB =40×0.047=1.88 mA集-极电压UCE=UCC-ICRC=12-1.88×3=6.36 V（2）在静态时（ui=0）C1上的电压为0.7V（等于UBE），靠近晶体管基极端为正极；C2上的电压为6.36V（等于UCE），靠近晶体管集电极端为正极（3）若使UCE=3V，则RB =β(UCC-UBE)/(UCC - UCE)=40(12-0.7)/(12-3)=50.2 kΩ若使IC =1.5 mA，则RB=β(UCC-UBE)/ IC=40(12-0.7)/1.5=301.3 KΩ（4）若UCC =10V，UCE =5V，IC=2，β=40，则RC=(UCC - UCE)/ IC=(10-5)/2=2.5 KΩRB=β(UCC-UBE)/ IC=40(10-5)/2=100 KΩ32.解：偏置电流IB=(UCC-UBE)/RB=[-6-(-0.2)]/200=-0.029 mA集电极电流IC=βIB =50×(-0.029)=-1.45 mA集-极电压UCE=UCC-ICRC=-6-(-1.45)×2=-3.1 V33.解：（1）IB= IC/β=1.55/50=0.031 mA，IE =(1+β) IB=(1+50) ×0.031=1.581 mA 由IE =（VB-UBE）/RE 得VB =IE RE+ UBE=1.581×2+0.7=3.862 V由VB = I2 RB2 得RB2 = VB/ I2=3.862/0.31≈12 KΩ（令I2= 10IB）由I2≈UCC/( RB1+RB2) 得RB1≈ UCC/ I2-RB2≈15/0.31-12.45≈36 KΩ（2）因直流通路中电容相当于断路，故RE有或无旁路电容时，静态工作点无变化。
模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
模拟电子技术第二章习题解答
模拟电子技术第二章习题解答-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII习题题 2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。
图 P2-1题2-1解 (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）；(e) 有放大作用；(f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去；(g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。
题 2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。
三极管的输出特性如图(b)所示。
①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适；②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数如何改法③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数改成什么数值（a ）题2-2解：① 先由估算法算出I BQ CC BEQBQ b100.7mA 0.02mA 20μA 510V U I R --=≈≈= 然后，由式Cc C CC CE i R i V u 1010-=-=，在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q1即为静态工作点。
由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。
可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。
第2章模拟电子技术练习题
第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 VC ． —3 VD ． 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A ．提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。
2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A ．提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。
2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ， 则U 0 为多大？A ．+12VB ．+6VC ．U 1D ．U 1 － U 2O题2-3图2-3正确答案是C ．提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。
所以 u O = U 1 。
2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？2-4提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。
2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？A ．0.3VB ．－2.3VC ．1.0VD ．1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A ．提示：先将二极管摘开，求出A 点和B 点的电位：Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况：二极管承受正向电压而导通，2AP15是锗管，导通管压降为0.3V 。
模拟电子技术基础 第二章练习题
注意：答案仅供参考！ 一、填空题1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。
2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。
4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。
8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9.对于下图所示电路，已知VCC =12V，Rb1=27 kΩ，Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ =3mA，则Rb2= 12 kΩ。
10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE=0.7V，稳压管的稳定电压V Z=6V，则静态电流IBQ = 0.275mA ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。
11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。
模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案
习题2-1 如图2-51所示，判断三极管处于截止、放大还是饱和状态？ 解：a 放大状态。
b 饱和状态。
c 截止状态。
d 放大状态。
2-2 在电路中，三极管各管脚对地电位，试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极，该管是NPN 还是PNP ，硅管还是锗管？（1）U A =3.8V ，U B =3.1V ，U C =8V ； （2）U A =7.2V ，U B =7V ，U C =3V 。
解：（1）A 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.7V ，则B 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是NPN 型硅管。
（2）B 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.2V ，则A 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是PNP 型锗管。
2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ，P CM =100mW ，U （BR ）CEO =15V ，试分析下列条件下，三极管能否正常工作？（1）I C =15m A ，U CE =8V ； （2）I C =19mA ，U CE =3V ； （3）I C =30mA ，U CE =4V 。
解：（1）U CE =8V ＜U （BR ）CEO ，I C =15mA ＜I CM ，P C =U CE I C =120mW ＞P CM ，所以不能正常工作。
（2）U CE =3V ＜U （BR ）CEO ，I C =19m A ＜I CM ， P C =U CE I C =57mW ＜P CM ，所以能正常工作。
（3）U CE =4V ＜U （BR ）CEO ，但I C =30mA ＞I CM ，所以不能正常工作。
2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用，简单说明理由。
图2-51 习题2-1图abcd2V解：a 无放大作用。
电源极性与三极管不符。
b 无放大作用。
I B =0。
c 无放大作用。
交流通路输入短路。
d 无放大作用。
模拟电子技术基础复习题答案
第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
(a) (b)(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术第二章 习题与答案
第二章习题与答案2.1填空题：1.晶体管放大电路有三种基本形式：共基极放大电路，共发射极放大电路和共集电极放大电路。
2.多级放大电路的耦合方式主要有：直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。
3.场效应晶体管放大电路有三种基本形式：共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路。
4. 共射极放大电路中，输入与输出相位相反；共基极放大电路中，输入与输出相位相同；共集电极放大电路中，输入与输出相位相同。
5.放大电路的线性失真分为：相频失真和幅频失真。
2.2选择题：1. 晶体管处于放大状态时，发射结____，集电结____。
(B )A．正偏，正偏； B．正偏，反偏；C．反偏，正偏； D．反偏，反偏。
2.在共射基本放大电路中，适当增大R C，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。
(A) A．放大倍数变大，输出电阻变大； B．放大倍数变大，输出电阻不变；C．放大倍数变小，输出电阻变大； D．放大倍数变小，输出电阻变小。
3. 晶体管有三个工作区，下面哪一项不是。
(C)A．放大区； B．饱和区；C．失真区； D．截止区。
4.基本放大电路中，经过晶体管的信号有(C)。
A．直流成分； B．交流成分； C．交直流成分均有。
5. 共发射极放大电路的反馈元件是(B)。
A．电阻R B； B．电阻R E； C．电阻R C。
6. 在两级放大电路中，已知A=20，2u A=30则总电压放大倍数为(B)。
u1A．30 B．600 C．507．某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于(A)。
A．0.98 mA B．1.02 mA C．0.8 mA D．1.2 mA8.工作在放大区域的某晶体管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为(B)。
A、10B、50C、80D、1002.3判断题1.通频带越宽，表示放大电路工作的频率范围越宽，其组成的放大器质量越好。
(×) （放大器通频带的宽度并不是越宽越好，关键是应该看放大器对所处理的信号频率有无特别的要求！例如选频放大器要求通频带就应该很窄，而一般的音频放大器的通频带则比较宽。
模拟电子技术基础课后练习答案(国防科技大学出版社)第二章 半导体器件习题答案(大题)
习题：一．填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。
3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二．选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
模拟电子技术基础各章习题
《模拟电子技术基础》各章习题第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（8）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图T1.4五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
《模拟电子技术基础》习题答案
第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。
（1）当二极管正偏压为0.65V 时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为0.7伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
模拟电子技术教程第2章复习题答案
第2章习题答案1. 概念题：（1）常温下，N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗？（有） P型半导体在导电时有电子载流子参与吗？（有）（2）在不加外电压时，PN结内部有没有电子的运动？（有）将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗？（无）（3）PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗（不是）P+N结加反向电压哪边将变得更宽（N边）（4）作漂移运动的一定是少数载流子吗？（不一定）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的吗？（是）（5）拿2个二极管可否组成1个三极管？（不行）三极管可否当二极管用？（可以）（6）下列哪些元件为双极型器件？（A、B）哪些元件为单极型器件？（C、D）A. 二极管、稳压管B.三极管C. 结型场效应管D. MOS管（7）H参数等效模型适合（ A、C、D ）。
A. 中低频电路B. 高频电路C. 小信号输入D. 交流分析（8）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（ A、C ）。
A. 结型场效应管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（9）半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是电子和空穴都参与导电。
（10）二极管主要的特点是单向导电性，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是最大整流电流和最大反向电压。
（11）在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的门槛电压约为0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2 V。
（12）某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将上升。
（13）将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合，可得到5种有效的形式，等效稳压值分别为3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7。
（14）PN结具有结电容效应，凡用PN结组成的电子元件，在信号频率较高时必须考虑这种效应。
（15）变容二极管在工作时也要加偏置电路吗？（需要）发光二极管在工作时要串联一个电阻，否则会因电流过大而损坏。
模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
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注意：答案仅供参考！ 一、填空题1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。
2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。
4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μ A ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。
8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9.对于下图所示电路，已知VCC =12V，Rb1=27 kΩ，Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ =3mA，则Rb2= 12 kΩ。
10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE=0.7V，稳压管的稳定电压V Z=6V，则静态电流IBQ = 0.275mA ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。
11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。
12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的 ICBO 、 VBE和β三个参数的变化，引起工作点上移；输出波形幅度增大，则是因为β参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。
13.在下图所示的电路中，采用稳压管进行温度补偿，那么对稳压管的电压温度系数的要求是正温度系数。
14. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；电压增益小于1的是共集电路；带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。
15. 在三极管多级放大电路中，已知A V1＝20，A V2＝-10，A V3＝1，A V1是共基放大器，A V2是共射放大器，A V3是共集放大器。
16.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 、输入电阻比较大、输出电阻比较小。
17.共集电极电路又被称为电压跟随器；共基极电路又被称为电流跟随器。
18. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电路、称为电流跟随器的电路是共基极电路、称为电压跟随器的电路是共集电极电路。
19. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是共射极放大电路；仅具有电压放大作用的电路是共基极电路；仅具有电流放大作用的电路是共集电极电路。
20. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 ；输入电阻很大；输出电阻很小。
21.对于共射、共集和共基三种基本阻态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用共射、共基；若希望带负载能力强，应选用共集阻态；若希望从信号源索取的电流小，应选用共集阻态；若希望高频性能好，应选用共基阻态。
22. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的之积。
二、选择1. 有人选用最大允许集电极电流I CM＝20mA，最大允许电压U CEO＝20V，集电极最大允许耗散功率P CM＝100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点I C ＝15mA，U CE＝10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。
A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏2. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（ C ）。
A、10kΩB、2kΩC、1kΩD、0.5kΩ3. 放大电路如图所示，如UCC >>UBE，且ICEO≈0，则在静态时，该三极管工作的状态是（ B ）。
A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不定4.放大电路如图所示，三极管β＝50，电压增益为A1，如果用β＝100的管子替换β＝50的管子，这时电压增益为A2，则满足（ C ）。
A、A2= A1B、A2=2 A1C、|A1|<|A2|<|2A1|D、|A2|<|A1|5. 电路如图所示，若不慎将旁路电容C e断开，则将（ C ）。
A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。
B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。
C、不影响静态工作点，只影响电压增益。
D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。
6．两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为A1和A2，如果将它们串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（ D ）。
A、A1+ A2B、A1×A2C、>|A1×A2|D、<|A1×A2|7.电路如图所示，若更换晶体管，使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（ C ）。
A、约为原来的一半B、基本不变C、约为原来的2倍D、约为原来的4倍8. 当下图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时，输出电压波形的底部出现了被削平的失真，为了削除这种失真，应（ D ）。
A、增大集电极电阻R CB、改换β大的晶体管C、减小基极偏置电阻R BD、增大基极偏置电阻R B9.温度上升时，半导体三极管的（ A ）。
A、β和I CBO增大，u BE减小B、β和u BE增大，I CBO减小C、u BE和I CBO增大，β减小D、β、u BE和I CBO均增大10.在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo 与ui相位相反、|Au|>1的只可能是（ D ）。
A、共集电极放大电路B、共基极放大电路C、共漏极放大电路D、共射极放大电路11.在下图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别是（ C ）时，该电路的静态工作点处在放大区。
设三极管的β=100。
A．5.6kΩ、10 kΩ B. 5.6kΩ、510 ΩC．5.6kΩ、1MΩ D. 100kΩ、1MΩ11-19题的图12.已知下图所示放大电路中的Rb=100kΩ，Rc=1.5 kΩ，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于（ b ）。
A．放大状态 B. 饱和状态C．截止状态 D. 状态不定13.在下图所示放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（c）。
A．放大电流 B. 调节IBQC．防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D. 调节ICQ14.对于下图所示的放大电路，当用直流电压表测得UCE ≈VCC时，有可能是因为（a）；当测得UCE≈0时，有可能是因为（d）。
A．Rb 开路 B. RＬ短路C．Rc开路 D. Rb过小15．对于图示放大电路，若VCC ＝12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA,今用直流电压表测得U CE ＝8V ，这说明（d ）。
A ．工作正常 B. 三极管c-e 极间开路 C ．三极管b-e 极间短路 D. 电容C 2短路16.对于图示电路，若仅当R b 增加时，U CEQ 将（a ）；仅当Rc 减小时，U CEQ 将（a ）；仅当R L 增加时，U CEQ 将（c ）；仅当β减小（换三极管）时，U CEQ 将（a ）。
A ．增大 B. 减小 C ．不变 D. 不定17.在图示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（b ）；若该电路原来发生了非线性失真，但在减小R b 后，失真消失了，这失真必是（a ）。
A ．截止失真 B. 饱和失真 C ．双重失真 D. 交越失真18.对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管I BQ （a ），I CQ （a ），U CEQ （b ）。
A ．增大 B. 减小C ．不变（或基本不变） D. 不定19.对于图示放大电路，若仅当R b 增加时，U CEQ 将（a ）；仅当Rc 减小时，U CEQ 将（a ）；仅当R L 增加时，U CEQ 将（c ）；仅当β减小（换三极管）时，U CEQ 将（a ）。
A ．增大 B. 减小 C ．不变 D. 不定20.在图示射极偏置电路中，若上偏流电阻R b1短路，则该电路中的三极管处于（b ）。
A ．放大状态 B. 饱和状态 C ．截止状态 D. 状态不定21.在图示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce 后，该电路的最大不失真输出电压幅值om V （c ），放大倍数.v A （b ）。
输入电阻i R （a ），输出电阻o R （c ）；若仅是L R 增大，则.v A （a ），i R （c ），o R （c ）；若仅是 增大，则.v A （a ），i R （c ），o R （c ）。
A ．增大 B. 减小 C ．不变 D. 不定22．N 沟道JFET 的跨导g m 是（ C ）。
A 、一个固定值B 、随电源电压V DD 增加而加大C 、随静态栅源电压V GS 增加而加大D 、随静态栅源电压V GS 增加而减小23.为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（b ）；为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（c ）。
A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.任何一种组态的电路24.在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo 和vi 的波形，当放大电路为共射电路时，则vo 和vi 的相位（b ），当为共集电路时，则vo 和vi 的相位（a ），当为共基电路时，则vo 和vi 的相位（a ）。
A.相同 B.相反 C.相差90° D.不定25.既能放大电压，也能放大电流的是（a ）组态放大电路；可以放大电压，但不能放大电流的是（c ）组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是（b ）组态放大电路。