(完整word版)制备金属薄膜样品的步骤
薄膜样品的制备
5.聚焦离子束是一种新型的制备薄膜样品的方法，它可实现对 样品特定微区进行TEM制样，尽管仪器昂贵，但逐步被用户 认可。
2.1 表面复型技术
透射电子显微镜利用穿透样品的电 子束成像，这就要求被观察的样品对入射 电子束是“透明的”。电于束穿透固体样 品的能力，主要取决于加速电压和样品物 质原子序数。加速电压越高，样品原子序 数越低，电子束可以穿透样品厚度就越大， 如图2.1所示。对于透射电子显微镜常用 的加速电压100 kV，如果样品是金属，其 平均原子序数在Cr的原子序数附近，因此 适宜的样品厚度约200 nm。
2.1.1 一级复型
图2.5 碳一级复型制备及其图像衬度
2.1 表面复型技术
用于制备复型的材料本身必须是“无结构”的（或“非 晶体”的），也就是说，要求复型材料即使在高倍（如十 万倍）成像时，也不显示其本身的任何结构细节。常用的 复型材料是塑料和真空蒸发沉积碳膜，它们都是非晶体。
根据复型所用的材料和制备方法，常见的复型有以下四 种：塑料一级复型、碳一级复型、塑料-碳二级复型和抽取 复型（萃取复型），如图2.2所示。
表2.1 常用的塑料一级火棉胶） 醋酸戊酯
聚醋酸甲基乙烯酯
二氧陆圜（二恶烷）或氯仿
低氮硝酸纤维素
醋酸戊酯
浓度/％ 0.5～4 1～2 0.5～4
2.1.1 一级复型
塑料一级复型的具体制备方法如下：
• 用液滴管在金相试样表面放一滴塑料溶液，用清洁玻璃棒轻轻地将 其刮平，静置干燥后形成厚度约100 nm的塑料薄膜。其浮凸与金相试样 表面正好相反，故这种复型又称负复型； • 在透明胶纸上放几块略小于样品铜网（φ＝3 mm）的纸片，再在其上 放置样品铜网，这样仅使其边缘粘贴在胶纸上。 • 把贴有样品铜网的胶纸平整地压贴在已干燥的塑料表面，利用胶纸 的粘性把塑料一级复型从金相试样表面干剥下来，如图2.3所示； • 用针尖或小刀在铜网边缘划一圈，将塑料薄膜划开，再用镊子把样 品铜网连同贴附在它上面的塑料一级复型取下，即可放到透射电子显微 镜中去观察。
薄膜制备的详细操作程序
薄膜制备的详细操作程序一．准备工作1.实验前一天晚上最好拖一下地板，把实验台擦拭干净。
2.准备用品清点：✧Ｎ2，Ａr2罐（实验所需要气体检查）✧镀膜所用的基片、螺丝刀、镊子、小皮囊和储存镀膜后用的袋子准备在实验桌上。
✧手表或手机准备用来计时。
✧笔和记录本二．实验步骤1.打开主机柜和空调电源开关，开Ｎ2总开关，小开关保持关闭。
2.旋开放气阀，向溅射腔内充入空气至内外气压平衡。
注意小物品不要放在旁边以免堵住进气口。
3.开系统控制电源总开关，点“升”直到磁控室至上升停止。
4.放置椅子后戴上手套，站在该椅子上取小盘。
注意，挪位小盘至方便位置后，手托住向上逆旋取下。
5.安装衬底并合上磁控室。
A.将小盘反面，放于桌上塑料手套上。
螺丝刀松开其旋钮。
B.用镊子取基片，用Ｎ2吹干。
注意小开关旋开后，出气口不要对着有人的地方，方法是倾斜方向吹基片面。
小部分不彻底时用小皮囊吹干。
C.装基片即衬底。
先将三片衬底放于小盘中央，用镊子将其移动到合适的位置。
按住夹子，用螺丝刀上紧后倒过检查是否掉，记住另一手托住。
D.安上小盘到磁控室上。
摘掉手套，开Ｎ2吹洗衬底。
E.点红色“降”按钮不动合上磁控室。
注意当磁控室快合时，用手掌贴其壁使其吻合。
开空调调节室温20－25度，一般22度。
6.机械泵抽真空。
A关闭进气阀门B开机械泵1，开冷却水1、2、4，注意观察水是否流出或外流，第一次抽真空。
C开复合真空计，显示腔内气压，供监控和读数。
D观察真空计到20pa.6.分子泵抽真空。
当真空计为20帕时，开分子泵。
方法：开电源，点FUNG DA TA 按钮+start按钮当分子泵到400时，把旋门打开至最大（逆时针旋转，不要旋转太过）等待气压抽至10—3pa转为对保护气体导管抽空。
此间保证Ar和N2关闭态7.气体导管抽空。
开Ar进气阀等待真空计求数为1.5*10—3pa，进入“清洗”阶段。
8.清洗：将流量显示仪开关拨至清洗位，等抽真空至5.0*10—3pa,顺时针关闭Ar阀（磁控室左边）。
实验2金属薄膜样品的制备及典型组织的观察
为了延长刀具的寿命，通常采用运动的金属丝南（大钼丝）作为阴极，样品作为阳极。电火
花适用于一切导电的样品，在控制得当的情况下中，可以得到厚度小于 0.5mm 的均匀薄片，
电火花线切割的速度，切片表面的光洁度及热损伤层的深度，取决于每次放电的能量，不同
的样品，电火花线切割引起的损伤深度差别很大，在低能放电条件下硅铁损伤层小于 2μm，
学 大 工程 中南⑧将样品在酒精或丙酮液清洗后，用镊子夹住在电吹风下用凉风吹干或放在滤纸上并在 学与 60 瓦台灯下烘干。
科 ⑨将样品连同滤纸置于低倍光学显微镜下进行观察，好的样品穿孔很小，孔的周围光滑，
料
材 没有腐蚀产物沾污，400 倍下可观察到孔的周围由于轻微电解浸蚀而显示的晶粒边界。
大学 中南
4
图院4 薄晶体衍衬成像原理示意图
学
工程
(a)明场像；(b)中心暗场像
度为I0的入射电子学束与经B晶粒散射以后，将成为强度为Ihkl的衍射束和强度为(I0－Ihkl）的透射
束。A晶粒内料所科有晶面均与衍射条件存在较大偏差，所有衍射束强度均可视为零，其透射强
院 材
度仍近似学等于入射束强度。
学 大 工程 中南若在物镜的背焦面上伸进尺寸足够小的物镜光阑，把B晶粒的hkl衍射束挡掉，而只让透 学与 射束通过光阑成像，则相邻两颗晶粒的亮度不同，因为IA＝I0，IB≈I0-Ihkl，于是形成了衬度。
②片状马氏体
材料：Fe-32.8%Ni(Ms＝－90℃)
组织：马氏体内存在大量院精细的孪晶结构，见图 11(b)
学
a
工程
b
与
学
科
料
南大学材 中
院
100nm
程学
工
薄膜实验指导书
薄膜制备实验指导书实验一磁控溅射法制备金属薄膜一、实验目的1、了解磁控溅射实验原理2、学会操作磁控溅射仪3、了解影响薄膜质量的因素二、基本原理1、薄膜制备过程溅射沉积是一种物理气相沉积法，利用带有电荷的离子在电场中加速具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的靶材。
溅射过程是轰击粒子与靶原子之间能量传递的结果。
在轰击离子能量合适的情况下，在与靶材表面的原子碰撞过程中，靶材表面原子将获得足够的动能脱离固体表面，这些溅射出来的靶材原子带有一定的动能沿着一定的发向射向衬底，从而实现在衬底上薄膜的沉积（如图1）。
在上述过程中，离子的产生过程与等离子体的产生或气体的辉光放电过程密切相关。
图1气体辉光放电需要的击穿电压：log bd pL V L p b∝+ 其中，p ——腔体压力，L ——电极间距，b ——常数。
发生溅射需要超过一个阈值能量，当能量较小时发生反弹或表面吸附，而能量较大时，会发生离子注入。
溅射过程中激发产生的二次电子可进一步与气体原子碰撞，引发电离或辉光， 几种常用气体的电离能见表格1表格1对于以氩离子做为入射离子的情况，入射能量略大于阈值时，产额随能量的平方增加；超过100eV,随能量线性增加；超过750eV,产额将略有增加；1000eV时产额最大（如图2）。
选择不同的电离原子，产额有所差异，其中稀有气体有较大的溅射产额。
图2对不同材料溅射产额与垂直入射氩离子的离子能图345keV离子射向银，铜和钽靶时，溅射产额与轰击离子原子序数的函数关系所谓磁控溅射，就是通过在靶材的周围和后面设置磁场，限制二次电子于靶前面，增加轰击率和电离速率，提高溅射效率。
有很多因素影响沉积薄膜的质量，包括电压、真空背底气压、氩气溅射气压、氧分压、流量大小、衬底温度，溅射方式，若是射频溅射，偏压的大小也有一定的影响。
在制备薄膜时需要查阅资料获得各个参数，或者自行研究尝试，在表征测试后得到最好的实验条件。
2、薄膜表征（1）SEM：扫描电子显微镜扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscopic）的制造是依据电子与物质的相互作用。
(整理)金属薄膜的制备
金属薄膜的制备与工艺研究制备薄膜材料的物理方法很多，但大致可分为二大类，化学方法（包括电化学方法）和物理方法。
化学方法包括：化学气相沉积法（CVD）、液相生成法、氧化法、扩散法、电镀法等。
物理方法包括：真空热蒸发法、直流溅射、磁控溅射法、射频溅射、脉冲激光沉积、分子束外延生长法等薄膜的制备方法。
本实验采用直流溅射法、真空热蒸发和磁控溅射法制备金属薄膜。
【实验目的】1．学习溅射镀膜的方法，初步了解薄膜形成的机理；2．了解真空系统的结构和真空测量技术的基础知识，掌握机械泵、扩散泵的工作原理及操作规程；3．学习直流溅射制备金属薄膜的原理和方法；4．学习真空热蒸发和磁控溅射法制备金属薄膜的原理和方法；5．研究制备工艺对薄膜性能的影响。
【实验原理】一、真空的获得和测量“真空”是指低于一个大气压的气体状态。
在真空技术中，以“真空度”来表示气体的稀薄程度，真空度越高，气体压强越低。
通常气体的真空度直接用气体的压强来表示，常用单位为帕斯卡(Pa)或毫米汞柱(mmHg)——简称乇(Torr)，它们之间的关系为：1 毫米汞柱(mmHg)=1乇(Torr)=133帕斯卡(Pa)习惯上将真空度分为低真空（100 Pa～10-2 Pa），高真空（10-3 Pa～10-6 Pa）和超高真空（<10-6Pa）。
真空系统的种类繁多，可以说几乎没有两类不同的工作使用完全相同的真空系统，而得到满意的结果，也就是说大多数都具有较鲜明的“个性”。
但是，任何真空系统都存在“共性”，即都有一个基本的构架，需要由以下几个部分组成。
真空室（即待抽的空间或镀膜室或溅射室）、真空泵（视实验真空度的要求而定，确定使用那种真空泵或真空泵组）、各种阀门、真空规、连接管道和其它附属设备，这些部件综合在一起就组成了真空系统。
一个典型的真空系统框架如图8.1.1-1所示。
系统低真空由图8.1.1-1中的前级泵完成，从大气开始工作，进行预抽，使系统达到低真空，对于只要求低真空的实验装置如“SBC-12 小型直流溅射仪”、“低真空干燥箱”等，只需要前级泵或真空泵组。
电沉积法制备金属薄膜的实验步骤与操作
电沉积法制备金属薄膜的实验步骤与操作电沉积法是一种常用于制备金属薄膜的方法，它通过在电解液中施加电流，使金属离子在电极上沉积形成金属薄膜。
这种方法简单方便，操作灵活，可以用于制备不同金属薄膜，如铜薄膜、镍薄膜等。
下面将介绍电沉积法制备金属薄膜的实验步骤和操作。
首先，准备实验所需材料和器材。
需要准备的材料包括所需金属盐溶液、正极和负极电极片，电解液，以及实验所需的容器、电源等。
材料准备完毕后，进行实验台面的清洁和消毒，确保实验环境的干净和卫生。
接下来，准备电解液。
根据需要制备的金属薄膜类型选择相应的电解液。
一般情况下，电解液由金属盐和溶剂组成。
根据实验需求，可以选择不同的金属盐，如氯化铜、硫酸铜等。
将适量的金属盐溶解在溶剂中，搅拌均匀，使金属盐完全溶解。
然后，准备电极。
正极电极一般选择金属片或导电材料制成，负极电极可以选择不导电材料。
通过对电极进行清洗和消毒，确保表面干净无杂质，以便电解液中的金属离子能够在电极上充分沉积。
接下来，安排电解槽和电源。
将电解液倒入电解槽中，确保液面高度适中，以免过高或过低影响实验效果。
然后，将正负极电极片分别插入电解槽中，并调整电解槽内电极间的距离。
接着，将电解槽与电源连接，确保电极片与电源连接牢固。
然后，调整电流和电解时间。
根据实验的要求和电解液的特性，确定适宜的电流和电解时间。
调整电流的大小可以通过调节电源上的电流旋钮实现，而电解时间可以通过电源上的计时器设定。
最后，开始实验。
打开电源，让电流通过电极，使金属离子在电极上沉积形成金属薄膜。
在实验过程中，要密切观察电极表面的变化，控制电流的稳定性和均匀性。
一般情况下，电流稳定在合适的范围内，可使金属薄膜均匀沉积，且具有良好的质量和附着性。
实验结束后，关闭电源，取出电极。
将电极用溶剂清洗，以去除薄膜表面的杂质和溶液残留。
然后，将电极置于清洁干燥的容器中保存，以免薄膜受到污染或氧化。
综上所述，电沉积法制备金属薄膜的实验步骤包括准备材料和器材、准备电解液、准备电极、安排电解槽和电源、调整电流和电解时间，以及进行实验操作。
金属硬质薄膜的制备及应用
金属硬质薄膜的制备及应用金属硬质薄膜可用于各种领域，比如电子、计算机、医疗等。
这种薄膜具有优异的性能，如高硬度、抗磨损、抗腐蚀等，因此被广泛应用。
本文将详细介绍金属硬质薄膜的制备及应用。
一、金属硬质薄膜的制备方法1.磁控溅射法磁控溅射法是一种制备金属硬质薄膜的常见方法。
其原理是将金属靶材置于真空室内，以惰性气体氩为工作气体，通过高压电场将气氛中的离子轰击靶材，使靶材表面原子向它周围喷出，沉积在基底上形成薄膜。
这种方法制备的薄膜均匀性好，但靶材利用率低。
2.化学气相沉积法化学气相沉积法是指在一定的气氛中，通过化学反应将金属源气体分解并沉积在基底表面，形成金属薄膜。
其制备方法包括低压化学气相沉积、金属有机化合物气相沉积、原子层沉积等。
这种方法制备的薄膜具有良好的均匀性和较高的质量，但设备复杂、生产成本高。
3.物理气相沉积法物理气相沉积法是通过热蒸发、电子束蒸发等物理手段将靶材表面原子蒸发并沉积在基底表面，制备金属薄膜的方法。
这种方法制备的薄膜厚度均匀性较差，但设备简单、制备速度快、成本低。
二、金属硬质薄膜的应用范围1.电子领域金属硬质薄膜广泛应用于电子领域，例如制作晶体管金属掩膜、显示屏薄膜电极、印刷电路板等。
这些应用需要金属薄膜具有优异的导电性和机械性能，金属硬质薄膜正是满足这些要求的理想选择。
2.计算机领域在计算机领域，金属硬质薄膜用于制作磁盘读写头、硬盘磁头等。
此类应用需要金属薄膜具有良好的磁性能和抗磨损性能，而金属硬质薄膜正能满足这些要求。
3.医学领域在医学领域，金属硬质薄膜用于制造人工骨和人工关节等。
这些应用需要金属薄膜具有较高的生物相容性和硬度，以保证其能够承受体内的力量和耐久性。
三、金属硬质薄膜的未来发展随着人类对于材料科学的深入研究，金属硬质薄膜的性能将不断被优化和提升。
例如，目前正在研究制造钻石薄膜、氮化硅薄膜等材料的应用，这些材料的硬度和耐磨性能都比金属硬质薄膜更好。
此外，还将有更多的材料被应用于金属硬质薄膜的制备和应用中，以满足更广泛的工业和日常生活需求。
金属化薄膜的生产工艺流程
金属化薄膜的生产工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!金属化薄膜的生产工艺流程主要包括以下几个步骤：1. 原材料准备金属化薄膜的生产首先需要准备合适的原材料，包括金属粉末、树脂、溶剂等。
热蒸发法制备金属薄膜材料讲解学习
热蒸发法制备金属薄膜材料实验2 热蒸发法制备金属薄膜材料实验时间：2010.10.12 实验地点：福煤实验楼D405 指导老师：吕晶老师【摘要】热蒸发法制备金属薄膜材料是基本的薄膜制备技术，通过本实验可以进一步熟悉真空获得和测量，学会使用蒸发镀膜技术，了解蒸发镀膜的原理及方法和了解真空镀膜技术。
【关键字】热蒸发；薄膜材料；镀膜技术0 引言真空镀膜技术在国民经济各个领域有着广泛应用，特别是近几年来，我国国民经济的迅速发展、人民生活水平的不断提高和高科技薄膜产品的不断涌现。
尤其是在电子材料与元器件工业领域中占有极其重要的地位。
制膜方法可以分为气相生成法、氧化法、离子注人法、扩散法、电镀法、涂布法、液相生长法等。
气相生成法又可以分为物理气相沉积法化学气相沉积法和放电聚合法等。
本次实验是使用物理气相沉积法，由于这种方法基本上都是处于真空环境下进行的，因此称它们为真空镀膜技术。
真空蒸发、溅射镀膜和离子镀等通常称为物理气相沉积法，是基本的薄膜制备技术。
真空蒸发镀膜法是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。
1 实验目的①熟悉真空获得的操作过程和方法；② 了解蒸发镀膜的原理及方法；③ 学会使用蒸发镀膜技术。
2 实验设备JCP-350磁控溅射/真空镀膜机（ZDF-5227B 真空计；TDZM-II 气体质量流量计；TZON 电源）；基片；擦镜纸3 实验原理蒸发法镀膜是将固体材料置于真空室内，在真空条件下，将固体材料加热蒸发，蒸发出来的原子或分子能自由地弥布到容器的器壁上。
当把一些加工好的基板材料放在其中时，蒸发出来的原子或分子就会吸附在基板上逐渐形成一层薄膜。
根据蒸发源不同，真空蒸发镀膜法又可以分为四种：电阻蒸发源蒸镀法；电子束蒸发源蒸镀法；高频感应蒸发源蒸镀法；激光束蒸发源蒸镀法。
本实验采用电阻蒸发源蒸镀法制备金属薄膜材料。
12 复型及金属薄膜的制备技术 Microsoft Word 文档
14、复型及金属薄膜的制备技术一、实验目的1．了解复型样品的种类、制备方法和成像机理。
2．掌握金属薄膜的制备方法。
二、复型样品的种类、制备方法和成像机理我们把复制的膜称为复型，由于它具有许多优点，至今在金属显微组织分析以及断口分析中仍被广泛采用。
由于目前金属断口样品大部分直接在扫描电镜中观察和分析，因此下面以金相样品为例说明金属表面复型的制备技术。
复型样品成像以非晶体原子对入射电子的非相干散射和透射电镜小角度成像为基础，根据上课所学的知识可知，质量厚度衬度是复型样品成像的衬度。
它只适用于非晶形的样品。
通常复型按所用的复型材料和制备方法有以下五种类型：（l）塑料一级复型在浸蚀好的金相样品表面，用1％火棉胶醋酸戊脂溶液或AC纸等直接把样品表面浮雕特征复制下来，这种复型称为塑料一级复型。
多数用它作二级复型的一级复型。
（2）碳一级复型在高真空室中向已制备好的金相样品表面直接喷碳而得到的碳薄膜，称为碳一级复型。
碳一级复型分辨率高达2－5nm，性能稳定，假象少。
但一般通过化学或电解腐蚀的方法分离碳膜时，使金相样品表面遭到了破坏，操作也比较麻烦。
（3）塑料一碳二级复型将在金相样品表面上制备好的塑料一级复型再置于高真空室中，垂直方向喷碳。
然后溶去塑料复型而得到碳的间接复型，这种复型称为塑料一碳二级复型。
它的制作方法简单而且容易掌握，不损坏金相样品表面，必要时可以重复在原始金相样品表面制作复型。
稳定性高，分辨率可达20nm左右。
由于它综合了塑料一级复型和碳一级复型的一些优点，所以此种复型的应用较为普遍。
（4）碳萃取复型在真空镀膜机的高真空室中，向经过专门选择性深浸蚀的金相样品表面垂直方向喷上一层较厚（10～20nm）的碳膜，然后用化学或电解腐蚀基体的方法，得到的一种具有基体组织形貌和粘附第二相粒子的碳膜，称为碳萃取复型（也称碳抽取复型）。
这种复型不仅能观察到基体组织的形貌特征，而且还能直接观察到析出物的形状和分布，特别是通过选区电子衍射还可以确定析出相的结构和进行物相鉴定。
薄膜制备方法
薄膜制备方法1.物理气相沉积法（PVD)：真空蒸镀、离子镀、溅射镀膜2.化学气相沉积法（CVD):热CVD、等离子CVD、有机金属CVD、金属CVD。
一、真空蒸镀即真空蒸发镀膜，是制备薄膜最一般的方法。
这种方法是把装有基片的真空室抽成真空,使气体压强达到10¯²Pa以下，然后加热镀料,使其原子或者分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到温度较低的基片表面，凝结形成固态薄膜。
其设备主要由真空镀膜室和真空抽气系统两大部分组成。
保证真空环境的原因有①防止在高温下因空气分子和蒸发源发生反应，生成化合物而使蒸发源劣化.②防止因蒸发物质的分子在镀膜室内与空气分子碰撞而阻碍蒸发分子直接到达基片表面,以及在途中生成化合物或由于蒸发分子间的相互碰撞而在到达基片前就凝聚等③在基片上形成薄膜的过程中,防止空气分子作为杂质混入膜内或者在薄膜中形成化合物。
蒸发镀根据蒸发源的类别有几种：⑴、电阻加热蒸发源。
通常适用于熔点低于1500℃的镀料。
对于蒸发源的要求为a、熔点高b、饱和蒸气压低c、化学性质稳定,在高温下不与蒸发材料发生化学反应d、具有良好的耐热性,功率密度变化小.⑵、电子束蒸发源。
热电子由灯丝发射后，被电场加速，获得动能轰击处于阳极的蒸发材料上，使蒸发材料加热气化,而实现蒸发镀膜。
特别适合制作高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。
优点有a、电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度，可以使高熔点（可高达3000℃以上）的材料蒸发，并且有较高的蒸发速率。
b、镀料置于冷水铜坩埚内，避免容器材料的蒸发,以及容器材料与镀料之间的反应,这对于提高镀膜的纯度极为重要.c、热量可直接加到蒸发材料的表面，减少热量损失.⑶、高频感应蒸发源。
将装有蒸发材料的坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使蒸发材料在高频电磁场的感应下产生强大的涡流损失和磁滞损失(铁磁体），从而将镀料金属加热蒸发。
常用于大量蒸发高纯度金属.分子束外延技术（molecular beam epitaxy,MBE)。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
(完整word版)制备金属薄膜样品的步骤制备金属薄膜样品步骤：
1.从实物或大块试样上切取厚度为0。
3～0。
5mm厚的薄片.
方法：电火花线切割法。
2。
样品薄片的预先减薄
方法：（1）机械减薄法：通过手工研磨完成，把切割好的薄片一面用粘接剂粘在样品座表面，然后在水砂纸磨盘上进行研磨减薄。
应注意把样品放平，不要用力太大，并使它充分冷却.减薄到一定程度时，用溶剂把粘接剂溶化，使样品从样品座上脱落下来,然后翻一个面再研磨减薄,直至样品被减薄至规定的厚度。
还应留有最终减薄时应去除的硬化层余量。
（2）化学减薄法：把切割好的金属薄片放入配制好的化学试剂中，使它表面受腐蚀而继续减薄。
减薄溶液：95％H2O+5%HF或30％HNO3+15%HCL+10％HF+45%H20或40%HNO3+10%HF+50%H2O。
化学减薄时事先必须把薄片表面充分清洗,去除油污或其他不洁物，否则将得不到满意的结果.
3。
最终减薄
方法：双喷电解抛光法：将预先减薄的样品剪成直径为3mm的圆片,装入样品夹持器中.用这样的方法制成的薄膜样品，中心孔附近有一个相当大的薄区，可以被电子束穿透，因为透射电子显微镜样品座的直径也是3mm，因此可以直接装入电镜，进行分析观察。