存储器扩展实验
存储器扩展仿真实验报告
一、实验目的1. 理解存储器扩展的基本原理和方法。
2. 掌握位扩展和字扩展的技巧。
3. 利用仿真软件实现存储器扩展，并验证其功能。
二、实验环境1. 仿真软件：Logisim2. 硬件设备：电脑三、实验原理1. 存储器扩展的基本原理存储器扩展是指将多个存储器芯片组合在一起，以实现更大的存储容量或更高的数据位宽。
存储器扩展主要有两种方式：位扩展和字扩展。
（1）位扩展：当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时，可以通过位扩展方式解决。
位扩展时，将所有存储芯片的地址线、读写控制线并联后与CPU的地址线和读写控制线连接，各存储芯片的数据总线汇聚成更高位宽的数据总线与CPU的数据总线相连。
（2）字扩展：当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时，可以通过字扩展方式来扩展存储器。
字扩展时，将所有存储芯片的数据总线、读写控制线各自并联后与CPU数据总线、读写控制线相连，各存储芯片的片选信号由CPU高位多余的地址线译码产生。
2. 存储器扩展的方法（1）位扩展：选择合适的存储芯片，将多个存储芯片的数据总线并联，连接到CPU的数据总线上。
（2）字扩展：选择合适的存储芯片，将多个存储芯片的数据总线、读写控制线分别并联，连接到CPU的数据总线和读写控制线上。
同时，使用译码器产生片选信号，连接到各个存储芯片的片选端。
四、实验步骤1. 创建一个新的Logisim项目。
2. 在项目中添加以下模块：（1）存储芯片模块：选择合适的存储芯片，如RAM或ROM。
（2）译码器模块：根据存储芯片的数量和地址线的位数，选择合适的译码器。
（3）数据总线模块：根据位扩展或字扩展的要求，设置数据总线的位数。
（4）地址线模块：根据存储芯片的数量和地址线的位数，设置地址线的位数。
3. 连接各个模块：（1）将存储芯片的数据总线连接到数据总线模块。
（2）将存储芯片的地址线连接到地址线模块。
（3）将译码器的输出连接到各个存储芯片的片选端。
（4）将存储芯片的读写控制线连接到CPU的读写控制线上。
单片机外部数据存储器扩展仿真实验
图6 编译器设置界面
8 2013年3月 2006-2-10 传感器原理与应用
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51系列单片机外部数据存储器扩展实验Proteus仿真
（3）加载目标代码文件
(I) 在Proteus ISIS中，左键双击AT89C51元件打开 “Edit Component”对话框，设置单片机的频率为 12MHz； (II) 在该窗口的“Program File”栏中，选择先前编译产 生的“.HEX”文件； (III) 在Proteus ISIS菜单栏中选择【File】→【Save Design】选项，保存设计；
(IV) 在Proteus ISIS菜单栏中，打开“Debug”下拉菜单， 在菜单中选择“Use Remote Debug Monitor”选项，以 支持与Keil的联调。
9 2013年3月 2006-2-10 传感器原理与应用
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51系列单片机外部数据存储器扩展实验Proteus仿真
3 Proteus调试与仿真
进入调试环境，然后执行下述操作： (I) 在Proteus ISIS界面中，单击按钮启动仿真。 (II) 通过菜单【Debug】→【Memory Contents→U1】,打开6264存 储器窗口； (III) 通过菜单【Debug】→【Debug→Watch Window】，在弹出的 观察窗口右击，选择“以观察项的名称添加观察项”，在弹出的 对话框中添加累加器ACC和数据指针DPTR。 (IV)单击按钮暂停仿真，可观察程序运行的中间结果，如图7所示。
11 2013年3月
2006-2-10
传感器原理与应用
11
MPASM(PIC单片机编译器)；
存储器扩展实验
实验一存储器扩展实验
1 实验目的
1)、熟悉存储器扩展方法。
2)、掌握存储器的读/写
2 实验预习要求
1)、复习教材中存储器扩展的有关内容，熟悉存储器扩展时地址总线、控制总线及数据总线的连接方法，
了解静态RAM的工作原理。
2)、预先编写好实验程序。
3 实验内容
1)、连接电路
2)、编写程序，将字母‘A’~‘Z’循环存储在扩展的SRAM 62256存储器芯片D8000H开始的单元中，然
后再将其从62256中读出并在屏幕上显示。
4 实验提示
1）、62256芯片的容量为32K⨯8位，芯片上的地址引脚A0~A14（共15根）连接至系统的地址总线A1~A15，用来对片内32K个存储单元进行寻址。
片选信号CS接至实验台的MY0。
芯片上的8个数据引脚D0~D7直接与系统的数据引脚相连。
控制信号RD、WR分别连接到实验台的MRD#和MWR#。
写操作时，芯片上的控制信号CS=0，WR=0，RD=1；读操作时，CS=0，RD=0，WR=1。
2）、实验程序流程图如图所示。
5 实验报告要求
1)、根据流程图编写实验程序，并说明在实验过程中遇到了哪些问题，是如何处理的。
2)、总结存储器系统的基本扩展方法。
3)、写出实验小结，内容包括实验心得（收获）、不足之处或今后应注意的问题等。
单片机实验-扩展存储器读写实验
实验一：扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。
二.实验目的1．学习片外存储器扩展方法。
2．学习数据存储器不同的读写方法。
三.实验电路及连线将P1.0接至L1。
CS256连GND孔。
四.实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。
用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。
用户编程可以参考示例程序和流程框图。
本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。
不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。
读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。
一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。
用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。
2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。
3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE，屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。
注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。
4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。
五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下：六.实验源程序：ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX @DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,@DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERRORMOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX @DPTR,AMOVX A,@DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END实验二P1口输入、输出实验一.实验要求1.P1口做输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮。
计算机组成原理实验报告_存储系统设计实验
实验四存储系统设计实验一、实验目的本实训项目帮助大家理解计算机中重要部件—存储器，要求同学们掌握存储扩展的基本方法，能设计MIPS 寄存器堆、MIPS RAM 存储器。
能够利用所学习的cache 的基本原理设计直接相联、全相联，组相联映射的硬件cache。
二、实验原理、内容与步骤实验原理、实验内容参考：1、汉字字库存储芯片扩展设计实验1)设计原理该实验本质上是8个16K×32b 的ROM 存储系统。
现在需要把其中一个（1 号）16K×32b 的ROM 芯片用4个4K×32b 的芯片来替代，实际上就是存储器的字扩展问题。
a) 需要4 片4个4K×32b 芯片才可以扩展成16K×32b 的芯片。
b) 目标芯片16K个地址，地址线共14 条，备用芯片12 条地址线，高两位（分线器分开）用作片选，可以接到2-4 译码器的输入端。
c) 低12 位地址直接连4K×32b 的ROM 芯片的地址线。
4个芯片的32 位输出直接连到D1，因为同时只有一个芯片工作，因此不会冲突。
芯片内数据如何分配：a) 16K×32b 的ROM 的内部各自存储16K个地址，每个地址里存放4个字节数据。
地址范围都一样：0x0000～0x3FFF。
b) 4个4K×32b 的ROM，地址范围分别是也都一样：0x000～0xFFF，每个共有4K个地址，现在需要把16K×32b 的ROM 中的数据按照顺序每4个为一组分为三组，分别放到4个4K×32b 的ROM 中去。
HZK16_1 .txt 中的1～4096个数据放到0 号4K 的ROM 中，4097～8192 个数据放到 1 号4K 的ROM 中，8193～12288 个数据放到2 号4K 的ROM 中，12289～16384个数据放到3 号4K 的ROM 中。
c) 注意实际给的16K 数据，倒数第二个4K（8193～12288 个数据）中部分是0，最后4K（12289～16384 数据）全都是0。
实验十二 SRAM外部数据存储器扩展实验 (1)
实验十二SRAM外部数据存储器扩展实验一、实验目的1．掌握51单片机扩展外部RAM的方法。
2．掌握SRAM62256读写数据的方法。
二、实验说明MCS-51型单片机内有128B的RAM，只能存放少量数据，对一般小型系统和无需存放大量数据的系统已能满足要求。
对于大型应用系统和需要存放大量数据的系统，则需要进行片外扩展RAM。
MCS-51型单片机在片外扩展RAM的地址空间为0000H～FFFFH共64KB。
读写外RAM 时用MOVX指令，用RD选通RAM OE端，用WR选通RAM WE端。
本实验使用SRAM 62256芯片进行片外RAM扩展。
62256具有32KB（256Kbit）空间，因此它需要15位地址（A0～A14）。
62256的全部地址空间为0000H～7FFFH。
62256芯片引脚如图1.4及管脚功能介绍：D0～D7：数据线A0～A7：地址线图1.4 62256芯片引脚WE：写允许，低电平有效OE：读允许，低电平有效CS：片选端，低电平有效三、实验内容本实验示例程序向外部RAM指定地址写入数据，并读出数据验证。
四、实验电路本实验所需电路请参见系统原理图的第一部分和图14-1。
存储器扩展接口。
图1.4 62256芯片引脚五、实验程序参考框图图1.5程序流程框图六、实验步骤1）系统各跳线器处在初始设置状态（参见附录四），将MCU模块的JT12跳线器的C、D、E、F四只短路帽置位下边（2、3短接），G短路帽置位下边（2、3短接）。
J1打在左边，J3打在2，3处（CS7279处）,J2的 WE，RD接在左边。
2）在所建的Project文件中添加“62256.ASM”文件，分析、理解程序，编译、下载、运行程序。
观察数码管显示，读写正确则显示‘Good’！七、实验参考程序：见附件：实验指导参考程序。
存储器扩展实验报告
存储器扩展实验报告存储器扩展实验报告引言：存储器是计算机系统中至关重要的组成部分，对于数据的存储和读取起着至关重要的作用。
在计算机科学领域中，存储器扩展是一项重要的技术，可以提高计算机系统的性能和容量。
本实验旨在通过对存储器扩展的探索和实践，深入了解存储器的工作原理和扩展方法。
一、存储器的基本原理存储器是计算机中用于存储和检索数据的硬件设备。
它可以分为主存储器和辅助存储器两种类型。
主存储器是计算机系统中最重要的存储器，它用于存储正在运行的程序和数据。
辅助存储器则用于存储大量的数据和程序，常见的辅助存储器包括硬盘、光盘和闪存等。
二、存储器的扩展方法存储器的扩展方法有很多种，本实验主要探索两种常见的扩展方法：内存条扩展和虚拟内存扩展。
1. 内存条扩展内存条扩展是通过增加计算机内部的内存条数量来扩展存储器容量的方法。
在实验中，我们使用了两根相同规格的内存条，将其插入计算机主板上的内存插槽中，从而增加了系统的内存容量。
通过这种扩展方法，我们可以提高计算机的运行速度和处理能力。
2. 虚拟内存扩展虚拟内存是一种将计算机内存和硬盘空间结合起来使用的技术。
在实验中，我们通过调整计算机系统的虚拟内存设置，将部分数据和程序存储在硬盘上，从而扩展了存储器的容量。
虚拟内存的扩展方法可以有效地提高计算机的性能和运行效率。
三、实验过程与结果在实验中，我们首先进行了内存条扩展的实践。
通过将两根内存条插入计算机主板上的内存插槽中，我们成功地扩展了计算机的内存容量。
在进行实际操作时，我们注意到计算机的运行速度明显提高，程序的加载和执行时间也大大缩短。
接着，我们进行了虚拟内存扩展的实验。
通过调整计算机系统的虚拟内存设置，我们将部分数据和程序存储在硬盘上。
在实际操作中，我们发现虚拟内存的扩展使得计算机可以同时运行更多的程序，且不会出现内存不足的情况。
这大大提高了计算机的运行效率和多任务处理能力。
四、实验总结与心得通过本次实验，我们深入了解了存储器的工作原理和扩展方法。
存储器的扩展实验总结
存储器的扩展实验总结：
一、实验目的
本次实验旨在通过实际操作，深入了解存储器的扩展原理和方法，掌握存储器扩展的基本技能，提高对计算机存储系统的认识和理解。
二、实验原理
存储器扩展主要涉及地址线的扩展和数据线的扩展。
通过增加地址线和数据线的数量，可以增加存储器的容量。
此外，还可以采用位扩展、字扩展和字位同时扩展的方法来扩展存储器。
三、实验步骤
1.准备实验材料：包括存储器芯片、地址线、数据线等。
2.搭建实验电路：将存储器芯片与地址线和数据线连接，形成完整的存储器扩展电路。
3.初始化存储器：对存储器进行初始化操作，设置初始地址和数据。
4.读取和写入数据：通过地址线和数据线，对存储器进行读取和写入操作。
5.验证结果：比较写入的数据与读取的数据，确保数据的正确性。
四、实验结果
通过实验，我们成功实现了存储器的扩展，并验证了数据的正确性。
实验结果表明，通过增加地址线和数据线的数量，可以有效地扩展存储器的容量。
五、实验总结
通过本次实验，我们深入了解了存储器的扩展原理和方法，掌握了存储器扩展的基本技能。
同时，我们也认识到在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的扩展方法，以确保存储器的容量和性能满足要求。
此外，我们还应注意数据的正确性和稳定性，确保存储器的可靠性和稳定性。
存储器扩展实验报告
一、实验目的1. 了解存储器的结构及其与CPU的连接方式。
2. 掌握存储器的位扩展、字扩展和字位扩展方法。
3. 通过实际操作，加深对存储器扩展原理的理解，提高动手实践能力。
二、实验原理存储器扩展是计算机硬件设计中常见的技术，目的是为了满足系统对存储容量的需求。
存储器扩展主要分为位扩展、字扩展和字位扩展三种方式。
1. 位扩展：当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时，可以通过位扩展来解决。
位扩展是将多个存储芯片的数据总线并联，形成一个更高位宽的数据总线，与CPU的数据总线相连。
2. 字扩展：当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时，可以通过字扩展来解决。
字扩展是将多个存储芯片的数据总线、读写控制线并联，形成一个更大容量的存储器，与CPU的数据总线、读写控制线相连。
3. 字位扩展：字位扩展是位扩展和字扩展的结合，既能扩展存储容量，又能扩展数据位宽。
三、实验设备1. 实验箱2. 逻辑分析仪3. 逻辑门电路4. 实验指导书四、实验步骤1. 搭建存储器扩展电路（1）根据实验要求，选择合适的存储芯片，如SRAM、ROM等。
（2）根据存储芯片的规格，确定存储器的容量、数据位宽和地址线位数。
（3）根据存储器的容量和位宽，计算所需的存储芯片数量。
（4）搭建存储器扩展电路，包括存储芯片、地址译码器、数据线、读写控制线等。
2. 仿真实验（1）使用逻辑分析仪观察存储器扩展电路的信号波形。
（2）通过实验指导书提供的测试程序，对存储器进行读写操作。
（3）观察逻辑分析仪的信号波形，分析存储器扩展电路的工作情况。
3. 分析实验结果（1）根据实验结果，验证存储器扩展电路是否满足实验要求。
（2）分析存储器扩展电路的优缺点，提出改进措施。
五、实验结果与分析1. 实验结果通过实验，搭建了存储器扩展电路，实现了存储器的位扩展、字扩展和字位扩展。
逻辑分析仪的信号波形显示，存储器扩展电路工作正常，满足实验要求。
2. 实验分析（1）位扩展：通过位扩展，实现了存储器数据位宽的增加，满足了CPU对数据位宽的要求。
实验五 扩展存储器读写实验
实验五扩展存储器读写实验（开发板）一、实验要求1．编制简单程序，对开发板上提供的外部存贮器（6264）进行读写操作；2．将#0H～#0FFH的数据（若到0FFH后，再从0开始，并不断重复）逐个存到6264中的0000H开始的地址（若到1FFFH后，再从0000H开始），再将这个数从6264中读取出来，比较两者是否一致，若一致则并在P1口对应的LED上以二进制方式显示，若不一致则蜂鸣器报警，并停止操作；3．用P3.4控制蜂鸣器；4．画出STC89C51实现上述功能的完整电路图，包括单片机电源、复位电路、晶振电路和控制电路。
5．完成全部程序和电路调试工作。
二、实验目的1．掌握A T89C51单片机的片外存储器扩展电路设计；2．学习总线操作方法。
3．学习外部数据存储器的读写方法；三、设计提示1. 以P0口线作地址/数据总线，由于P0口线既作地址线，又作数据线，因此需要加一个8位锁存器SN74LS573用于锁存低8位地址。
2. 因6264存储芯片只能扩展到8K，这样只需P2口线的P2.0~P2.4。
与P0口组成13位地址总线，使单片机系统的寻址范围达到8K。
3. 除了地址线和数据线之外，在扩展系统中还需要一些控制信号线，以构成扩展系统的控制总线，6264的OE信号与单片机的RD信号连接，6264的WE信号与单片机的WR 信号连接。
此外，6264的CS2（即CS）直接通过1K电阻与VCC连接，6264的CS1（即CE）单片机的P2.5连接，因此6264的地址范围是0000H～1FFFH。
4．使用MOVX外部数据存储器操作指令5. 从存储器读回的数据取反后再送P1口即可。
四、程序设计1．6264芯片写程序设计根据时序图：图1 写6264时序图2．6264芯片读程序设计根据时序图：图2 读6264时序图3．参考流程框图如下图5 流程图五、主要元件。
实验RAM的扩展实验报告
实验RAM的扩展实验报告实验RAM的扩展实验报告一、引言随着计算机技术的不断发展，人们对于计算机存储器的需求也越来越高。
为了满足这一需求，研究人员不断努力开发新的存储器技术。
在本次实验中，我们将探究实验RAM的扩展实验，以探索如何提高计算机的存储器性能。
二、实验目的本次实验的主要目的是通过扩展实验RAM来提高计算机的存储器性能。
我们将通过增加RAM的容量，以及优化数据访问方式来实现这一目标。
三、实验步骤1. 扩展RAM容量：我们首先将原有的RAM容量扩大两倍，以增加计算机的存储空间。
通过增加RAM的容量，可以提高计算机处理大量数据的能力。
2. 优化数据访问方式：我们将尝试使用不同的数据访问方式，以提高计算机的存储器性能。
例如，我们可以使用缓存技术来减少数据访问的延迟时间。
此外，我们还可以尝试使用预取技术，提前将可能需要的数据加载到RAM中，以减少数据访问的等待时间。
3. 实验数据收集：在实验过程中，我们将记录不同数据访问方式下的存储器性能指标，如访问延迟时间、数据吞吐量等。
通过对比不同数据访问方式下的性能指标，我们可以评估扩展RAM对计算机性能的影响。
四、实验结果与分析根据我们的实验数据，我们发现扩展RAM的容量可以显著提高计算机的存储器性能。
当RAM容量增加时，计算机可以存储更多的数据，从而减少了数据的交换和加载时间，提高了计算机的运行速度。
此外，通过优化数据访问方式，我们也取得了一定的性能提升。
使用缓存技术可以减少数据访问的延迟时间，提高数据的读取速度。
使用预取技术可以提前将可能需要的数据加载到RAM中，减少了数据访问的等待时间。
这些优化措施都对计算机的存储器性能产生了积极的影响。
然而，我们也发现在实验过程中存在一些挑战。
扩展RAM的容量需要更高的成本投入，而且对于某些应用场景来说，并不一定能够带来明显的性能提升。
此外，优化数据访问方式也需要考虑到不同的应用需求，选择合适的优化策略。
五、结论通过本次实验，我们深入探究了实验RAM的扩展实验。
存储器实验报告实验结果
一、实验目的1. 了解存储器的概念、分类和工作原理；2. 掌握存储器扩展和配置方法；3. 熟悉存储器读写操作；4. 分析存储器性能，提高存储器使用效率。
二、实验环境1. 实验设备：计算机、存储器芯片、编程器、示波器等；2. 实验软件：Keil uVision、Proteus等。
三、实验内容1. 存储器芯片测试2. 存储器扩展实验3. 存储器读写操作实验4. 存储器性能分析四、实验结果与分析1. 存储器芯片测试（1）实验目的：测试存储器芯片的基本性能，包括存储容量、读写速度等。
（2）实验步骤：① 将存储器芯片插入编程器；② 编程器读取存储器芯片的容量、读写速度等信息；③ 利用示波器观察存储器芯片的读写波形。
（3）实验结果：存储器芯片的存储容量为64KB，读写速度为100ns。
2. 存储器扩展实验（1）实验目的：学习存储器扩展方法，提高存储器容量。
（2）实验步骤：① 将两块64KB的存储器芯片并联；② 利用译码器将存储器地址线扩展；③ 连接存储器芯片的读写控制线、数据线等。
（3）实验结果：存储器容量扩展至128KB，读写速度与原存储器芯片相同。
3. 存储器读写操作实验（1）实验目的：学习存储器读写操作，验证存储器功能。
（2）实验步骤：① 编写程序，实现存储器读写操作；② 将程序编译并烧录到存储器芯片；③ 利用示波器观察存储器读写波形。
（3）实验结果：存储器读写操作正常，读写波形符合预期。
4. 存储器性能分析（1）实验目的：分析存储器性能，优化存储器使用。
（2）实验步骤：① 分析存储器读写速度、容量、功耗等参数；② 比较不同存储器类型（如RAM、ROM、EEPROM）的性能；③ 提出优化存储器使用的方法。
（3）实验结果：① 存储器读写速度、容量、功耗等参数符合设计要求；② RAM、ROM、EEPROM等不同存储器类型具有各自的特点，可根据实际需求选择合适的存储器；③ 优化存储器使用方法：合理分配存储器空间，减少存储器读写次数，降低功耗。
静态存储器扩展实验报告
静态存储器扩展实验报告深圳大学实验报告课程名称：微机原理与接口技术实验项目名称：静态存储器扩展实验学院：信息工程学院专业：电子信息工程指导教师：周建华报告人：洪燕学号：2012130334 班级：电子3班实验时间：2014/5/21实验报告提交时间：2014/5/26教务部制一．实验目的与要求：1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。
2. 掌握CPU 对16位存储器的访问方法。
二．实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套，示波器一台。
三．实验原理存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
因此，静态RAM 工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K ×8位）， 图4.1 62256引脚图 6264（8K ×8位）和62256（32K ×8位）。
本实验平台上选A14A12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201918171615VCC WE A13A8A9A11OE A10CS D7D6D5D4D362256用的是62256，两片组成32K ×16位的形式，共64K 字节。
62256的外部引脚图如图4.1所示。
本系统采用准32位CPU ，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE ＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE ＃、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE ＃和BLE ＃选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE ＃和BLE ＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
实验四：存储器扩展实验
大连理工大学本科实验报告课程名称：计算机组成原理实验学院（系）：软件学院专业：软件工程班级：0907英学号：200892497学生姓名：刘云伟2011年4月7 日大连理工大学实验报告学院（系）：软件学院专业：软件工程班级：0907 英姓名：刘云伟学号：200892497 实验台：21实验时间：2011.4.7 实验室：C110 成绩：指导教师签字：实验三：存储器扩展实验1.实验目的：（1）深入理解计算机内存储器的功能、组成知识；（2）深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法（即字、位扩展技术），控制其运行的方式；思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的同异之处。
2. 实验平台硬件平台：清华大学TEC-XP实验箱的MACH部分部件：HN58c65p-25两片3. 实验要求：（任务）（1）完成HN58c65p-25两片EEPROM的物理扩展；（2）完成必要的跳线设置；（3）验证RAM和EEPROM在存储上的区别（使用A命令和E命令）；（4）基于以上所学完成：从键盘上输入一个0-9的数字，将从该数字开始到F的所有数据存储到扩展之后的5000开始的EEPROM存储器单元中。
IN 81 ;判键盘上是否按了一个键SHR R0 ;即串行口是否有了输入的字符SHR R0JRNC 2000 ;未输入完则循环测试IN 80 ;接收该字符MVRD R6,FF30 ;转换为数字SUB R0,R6MVRD R2,5000 ;从5000号内在单元开始存数MVRD R1,000F ;最大的加数STRR [R2],R0 ;先把当前第一个数存至5000号单元INC R0 ;得到下一个待存数INC R2 ;得到下一个应存的地址单元号STRR [R2],R0 ;把R0的值存起来；延迟MVRD R7,0000MVRD R8,00FFMVRD R9,0000INC R9ADD R7,R9CMP R9,R8JRNZ //INC R9处CMP R0,R1 ;判是否累加完JRNZ INC R0 ;未完, 开始下一轮得数存数RET4. 体会、意见、建议实验体会，除写个人实验课程理解之外，还应对实验课时数实验仪器设备、实验讲义、实验内容安排、时间分配及教师授课方式提出意见和建议。
存储器实验报告
1. 了解存储器的分类、组成和工作原理；2. 掌握静态随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）的基本操作；3. 熟悉存储器扩展技术，提高计算机系统的存储容量；4. 培养动手实践能力和分析问题、解决问题的能力。
二、实验原理1. 存储器分类：存储器分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种类型。
RAM用于存储程序和数据，具有读写速度快、易失性等特点；ROM用于存储程序和固定数据，具有非易失性、读速度快、写速度慢等特点。
2. RAM工作原理：RAM主要由存储单元、地址译码器、数据输入输出电路和控制电路组成。
存储单元由MOS晶体管构成，用于存储信息；地址译码器将地址信号转换为对应的存储单元地址；数据输入输出电路负责数据的读写；控制电路控制读写操作。
3. ROM工作原理：ROM主要由存储单元、地址译码器、数据输入输出电路和控制电路组成。
与RAM类似，ROM的存储单元由MOS晶体管构成，用于存储信息；地址译码器将地址信号转换为对应的存储单元地址；数据输入输出电路负责数据的读写；控制电路控制读写操作。
4. 存储器扩展技术：通过增加存储器芯片，提高计算机系统的存储容量。
常用的扩展技术有位扩展、字扩展和行列扩展。
三、实验仪器与设备1. 电脑一台；2. Proteus仿真软件；3. AT89C51单片机实验板；4. SRAM 6116芯片；5. 译码器74HC138；6. 排线、连接线等。
1. 将AT89C51单片机实验板与电脑连接，并启动Proteus仿真软件。
2. 在Proteus中搭建实验电路，包括AT89C51单片机、SRAM 6116芯片、译码器74HC138等。
3. 编写实验程序，实现以下功能：（1）初始化AT89C51单片机；（2）编写SRAM 6116芯片读写程序，实现数据的读写操作；（3）编写译码器74HC138控制程序，实现存储器地址译码。
4. 运行仿真程序，观察实验结果。
五、实验数据记录与分析1. 实验数据记录：（1）位扩展实验：使用SRAM 6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器（2KB），选择8个连续的存储单元的地址，分别存入不同内容，进行单个存储器单元的读/写操作。
实验二 存储器扩展实验
信息工程学院实验报告
1、熟悉掌握对RAM 的操作。
2、学习汇编程序的编写。
3、熟悉ZY15MicInt12BB 微机原理及接口试验箱使用方法。
实 验 环 境:
Windows 7 湖北众友
实 验 内 容 及 过 程: 1、首先在ZY15MicInt12BB 微机原理及接口实验箱中按实验要求连接好电路，再将试验箱与PC 机连接。
接线如图T2-1所示：
图T2-1
2、打开试验箱电源，带液晶模块稳定显示“NOW COM IS STANDBY ”后，再打开湖北众友软件，选择端口号。
如图T2-2所示：
图T2-2
3、打开实验文件，在湖北众友上，然后在“编译”菜单下选择“编译、连接、装载”，若一切无误，系统将提示装载成功。
如图4。
最后再点击连续运行，就能在实验箱上看
到结果了。
如图T2-3和图T2-4所示：
图T2-3
图T2-4
实验结果及分析：
装载、编译、链接文件，运行程序，在实验箱的液晶上会根据编写的程序内容显示字母A到字母Z，具体如图T2-5所示：
图T2-5。
存储器扩展及读写实验
华北电力大学实验报告||实验名称存储器扩展及读写实验课程名称微机原理||一、实验目的1、通过阅读并调试示例程序，完成程序设计题，熟悉静态RAM的扩展方法。
2、了解8088与存储器的连接，掌握扩展存储器的读写方法。
3、熟悉proteus的基本操作。
二、实验内容设计扩展存储器电路的硬件连接图并编制程序，将字母‘A~Z’循环存入6216扩展RAM中，然后再检查扩展存储器中的内容。
三、实验过程1、实验材料：8086、74HC04、74HC08、74HC32、74LS138、74LS373、6116。
2、源代码：CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART:MOV AX,8000HMOV DS,AXMOV BX,0MOV AL,41HMOV CX,100HL1:MOV [BX],ALINC ALINC BXCMP AL,5BHJNZ L2MOV AL,41HL2:LOOP L1JMP $CODE ENDSEND START3、硬件电路图二第一次搭载的硬件电路图如图二所示，图二与图一的区别之处如红框所示，在图一中，入口地址为8000h，则AL中内容可以成功写入扩展存储器内，在图二中，将入口地址改为0000h，则AL中内容不能成功写入扩展图三在图三中，AL中没有成功写入存储器中的原因有：1、我忘了将总线的引脚AD[0..15]和A[16..19]引出。
2、在设置引脚M/IO的label时，将两个需要连接的引脚分别设置成了‘M/IO’和‘M/I0’。
一时的疏忽害我查了好久的错。
图四正确结果如图四所示。
采用两片6216芯片，采用全译码法，扩展存储器地址空间范围为0000:8000H~0000:8FFFH，共4KB的内存空间。
六、实验心得三次实验完成下来，我的编程技术有较大的提升，对于微机有更深的理解。
微机原理和接口技术，涉及到了软件和硬件两个方面，这还是完成大学第一次软硬件的综合实验，以前的学习总是要么电路要么高级语言，二者分离，对硬件和软件的理解总是受限在一定层次。
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实验5 存储器扩展实验
一、实验目的
1．掌握PC存储器扩展的方法。
2．熟悉6264芯片的接口方法。
3．掌握8031内部RAM和外部RAM的数据操作
二、实验设备
PC机、星研Star16L仿真器系统+仿真头PODPH51(DIP)、EL-Ⅱ型通用接口板实验电路，PROTEUS仿真软件。
三、实验内容
1）向外部存储器的7000H到8000H区间循环输入00～0FFH数据段。
设置断点，打开外部数据存储器观察窗口，设置外部存储器的窗口地址为7000H—7FFFH。
全速运行程序,当程序运行到断点处时,观察7000H—7FFFH的内容是否正确。
四、实验原理
实验系统上的两片6264的地址范围分别为：4000H～5FFFH，6000H～7FFFH，既可作为实验程序区，也可作为实验数据区。
6264的所有信号均已连好。
（3000H~3FFFH也可用）
五、实验方法
1、运用PROTUES软件进行虚拟仿真实验。
按照实验要求用PROTUES软件绘制电路，编制程序，并通过调试。
2、运用星研仿真系统进行实际系统仿真实验。
将星研仿真器与微机和目标板相互连接构成完整的硬件仿真系统，按照实验要求在通用实验板上进行硬件系统连接，并用星研仿真器进行系统仿真运行调试。
3、实验说明
在采用星研仿真时，若CPU选型为8051则，应将P2、P3口修改为总线模式（默认为IO口模式）。
若为8031CPU则无此选项，因此不必修改。
4、星研仿真器设置时，注意，在项目工作环境设置选项中的存储器借出方式中，不能借用仿真器的外部数据空间（直接选择默认方式即可），否则无法正确测试实验箱上的存储器。
5、利用星研仿真器，在选择用户板外部RAM方式下，可以在存储器窗口中，通过直接对外部存储器单元的内容进行修改来确定该单元是否可用，可以修改的单元，表明用户可用，如果无法修改（无论键盘输入任何数字与字符，始终显示FF），则表明该存储单元不可用。
六、实验电路
1、PROTEUS 仿真电路
2、EL-Ⅱ型通用接口板连线
线路已经在内部连接好，可用地址范围为4000H～7FFFH
七、程序框图及参考程序
1）扩展RAM实验测试;NAME T7_1_RAM ORG 0000H
START: MOV DPTR,#7000H ;起始地址送DPTR LOOP1: MOV A,#00H ;置数据初值
LOOP: MOVX @DPTR,A
ADD A,#01H ;数据加一
INC DPTR ;地址加一
MOV R0,DPH
CJNE R0,#80H,LOOP ;数据是否写完,没写完则继续SS: SJMP SS
END
八、实验结果。