三极管MOS管复习题

三极管MOS管复习题习题3客观检测题一、填空题2. 三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。

5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是少数载流子漂移运动形成的。

6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。

8. 双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。

9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。

11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极组态的放大电路。

12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。

由此可以得出：（1）电源电压V= 6V ；CC（2）静态集电极电流I= 1mA ；集电极电压CQU= 3V ；CEQ（3）集电极电阻R= 3kΩ ；负载电阻L R=C点变化。

16. 共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。

17. 放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。

18. 共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；19. 共射极、共基极放大电路有电压放大作用；20. 共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；21. 射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。

22. 射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。

23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指“小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解，不适合大信号的工作情况分析。

24. 放大器的静态工作点由它的直流通路决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的交流通路决定。

25. 图解法适合于求静态工作Q点；小、大信号工作情况分析，而小信号模型电路分析法则适合于求交变小信号的工作情况分析。

26. 放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力；输入电阻反映放大器索取信号源信号大小的能力；而输出电阻则反映出放大器带负载能力。

27. 对放大器的分析存在静态和动态两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为Q点。

28. 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位关系为反相；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位关系为同相。

29. 在由NPN管组成的单管共射放大电路中，当Q点太高（太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉波谷；当Q点太低（太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉波峰。

32. PNP三极管输出电压的顶部部失真都是饱和失真。

33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC耦合，直接耦合，变压器耦合。

34. BJT三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种组态。

35. 不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。

因此，这种BJT 接入电路时，总要使它的发射结保持 正向 偏置，它的集电结保持 反向 偏置。

36. 某三极管处于放大状态，三个电极A 、B 、C 的电位分别为-9V 、-6V 和-6.2V ，则三极管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是B 。

该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成。

37. 电压跟随器指共 集电 极电路，其 电压的放大倍数为1； 电流跟随器指共 基 极电路，指 电流 的放大倍数为1。

38. 温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，CBO I 增加 ， 增加 ，正向发射结电压BE U 减小 ，CMP 减小 。

40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区 。

41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，CEQV 的变化情况（a. 增加，b ，减小，c. 不变，将答案填入相应的空格内）。

（1）b R 增加时，CEQV 将 增大 。

（2）c R 减小时，CEQV 将 增大 。

（3）C R 增加时，CEQV 将 减小 。

（4）s R 增加时，CEQV 将 不变 。

题图3.0.2（5）β减小时（换管子），V将增大。

CEQ（6）环境温度升高时，V将减CEQ小。

42. 在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。

（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。

）（1）若R阻值减小，则静态电流I B将增大，CE Vb将减小，电压放大倍数A将增大。

v（2）若换一个β值较小的晶体管，则静态的I将B不变，V将增大，电压放大倍数v A将减小。

CE（3）若R阻值增大，则静态电流B I将不变，CE VC将减小，电压放大倍数A将增大。

v题图3.0.343. 放大器的频率特性表明放大器对不同频率信号适应程度。

表征频率特性的主要指标是中频电压放大倍数，上限截止频率和下限截止频率。

44.放大器的频率特性包括幅频响应和相频响应两个方面，产生频率失真的原因是放大器对不同频率的信号放大倍数不同。

45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下，放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。

46. 放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。

二、判断题1. 下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。

（4）5V，1.2V，0.5V；解：硅NPN型BJT管；5V为集电极，1.2V 为基极，0.5V为发射极（8）13V，12.8V，17V；解：锗NPN型BJT管，17V为集电极，13V 为基极，12.8V为发射极，（9）6.7V，6V，9V；解：硅NPN型BJT管，9V为集电极，6.7V 为基极，6V为发射极，2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。

1管：;4,7.2,2V V V V V VC E B =-=-= 答：NPN 管，工作在放大状态。

2管：;5.5,3.5,6V V V V V VC E B === 答：NPN 管，工作在饱和状态。

3管：;V V ,V .V ,V V C E B 7301=-=-= 答：NPN 管，工作在截止状态。

3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？答：题图3.0.4所列三极管中，只有图（D ）所示的三极管处在放大区。

4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？答：题图3.0.5所示的三极管，B 、E 极之间短路，发射结可能烧穿。

题图3.0.5 题图3.0.4 63A 6 2.2. C 3V 9.5. D 5V 0V 1.B 1.5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA ，3.66mA 和3.6mA ，则该管的β 为①。

①为60。

②为61。

③0.98。

④无法确定。

6. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 ②b 极 。

①e 极 ②b 极 ③c 极9．题图3.0.6所示电路中，用直流电压表测出V CE ≈0V ，有可能是因为 C 或D 。

A R b 开路B R c 短路C R b 过小D β过大10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。

试判断各三极管的工作状态。

题图题图3.0.7 (b) (c) (d) (a)11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图3.0.8示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？主观检测题3.1.3硅三极管的CBO，I 50=β可以忽略，若接为题图3.1.3（a ），要求mAIC2=，问ER 应为多大？现改接为图(b)，仍要求BCR mA I问,2=应为多大？题图 3.0.8题图3.1.3(a)(b)3.3.1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3.3.1所示，试判断各晶体管的类型（PNP 管还是NPN 管，硅管还是锗管），并区分e 、b 、c 三个电极。

3.3.2在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如题图 3.3.2所示，已测出mA.I211-=，mA.I0302=，mA.I 2313=，试判断e 、b 、c 三个电极，该晶体管的类型（NPN 型还是PNP 型）以及该晶体管的电流放大系数β。

3.3.3共发射极电路如题图3.3.3所示，晶体管题图3.3.1(a)(b) (c)题图3.3.2AI CBO μβ4,50==，导通时V.VBE20-=，问当开关分别接在A 、B 、C 三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电流CI 为多少？设二极管D 具有理想特性。

3.3.4. 题图3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。

(b)(a)(c)(d)题图 3.3.4(e)(f)3.4.1 一个如题图3.4.1（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图3.4.1（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。

（1）确定CCV 、•bCR R 和的数值（设BEV 可以略去不计）。

（2）若接入Ω=k RL6，画出交流负载线。

（3）若输入电流)(sin 18A t ibμω=，在保证放大信号不失真的前提下，为尽可能减小直流损耗，应如何调整电路参数？调整后的元件数值可取为多大？3.4.3分压式偏置电路如题图3.4.3（a ）所示。

其晶体管输出特性曲线如图（b ）所示，电路中元(a)(b)题图3.4.1件参数b b c L CC e Rk ,R k ,R k ,R k ,V V ,R k ΩΩΩΩΩ======12156233241，晶体管的,200,50'Ω==bb rβ饱和压降Ω10070==s CESr ,V .V。

（1）估算静态工作点Q ； （2）求最大输出电压幅值omV ；（3）计算放大器的VA 、R i 、R o 和A vs ；（4）若电路其他参数不变，问上偏流电阻2b R 为多大时，?V VCE4=3.4.4 用示波器观察题图3.4.4（a ）电路中的集电极电压波形时，如果出现题图3.4.4（b ）所示的三种情况，试说明各是哪一种失真？应该调整哪些参数以及如何调整才能使这些失真分别得到改善？(a)(b)题图 3.4.3(a)(b)题图3.4.43.5.1 画出下列题图3.5.1中各电路的简化h 参数等效电路，并标出••b bI I β和的正方向。

（电路中各电容的容抗可不计）。

(a)b I )d (bR ber b I βi V c R LR V 1b I βbI )c (1e R 2b R 2be r 2b I βiV 2c R 1b R LR V 1be r 图3.5.1b I βbI )e (iV 4R 1R oV ber 1b I β2b I )f (b R 2be r 2b I βiV cR V 1be r 1b I3.5.2 在如图3.5.2电路中设Ω===k R R V V L c CC3,12，晶体管的Ω==300,50'bb rβ，在计算BQI 时可认为0≈BEV：（1）若Ω=k Rb600，问这时的?VCEQ=（2）在以上情况下， 逐渐加大输入正弦信 号的幅度，问放大器 易出现何种失真？ （3）若要求VV CEQ6=，问这时的?=bR（4）在VV CEQ6=，加入mVV i5=•的信号电压，问这时的?V o=•3.6.1 放大电路如题图 3.6.1所示，已知ΩΩk R ,k R ,V V b b CC 641021===，Ωk .Re33=，Ωk R R L c 2==，晶体管V.V ,r,BE 'bb 7010050==Ωβ为，各电容的容抗均很小。