紫外光源与紫外激光器现状

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2024年紫外线光疗仪市场调查报告

2024年紫外线光疗仪市场调查报告

2024年紫外线光疗仪市场调查报告简介本报告对紫外线光疗仪市场进行调查,旨在提供市场现状、发展趋势以及竞争格局等方面的信息,以便投资者、制造商和消费者等相关各方做出明智的决策。

本文将从市场概况、市场规模、市场发展趋势和竞争格局等方面进行分析。

市场概况紫外线光疗仪是一种利用紫外线辐射治疗和预防皮肤疾病的医疗设备。

近年来,随着人们对皮肤健康的关注度增加,紫外线光疗仪的需求逐渐增加。

紫外线光疗仪市场具有潜在的增长机会和巨大的市场潜力。

市场规模根据调查数据显示,紫外线光疗仪市场在过去几年中呈现出稳步增长的趋势。

预计在未来几年内,紫外线光疗仪市场的规模将继续扩大。

市场规模的增长主要受到以下几个因素的推动:1.受紫外线辐射引起的皮肤疾病发病率上升。

2.人们对皮肤健康的关注度增加。

3.紫外线光疗仪技术的不断改进和创新。

根据市场研究数据,2019年紫外线光疗仪市场规模达到XX亿元,预计到2025年将增长至XX亿元。

市场发展趋势技术创新随着科技的不断进步,紫外线光疗仪的技术也在不断创新和改进。

新的技术可以提高治疗效果、缩短治疗时间,并减少对皮肤的不良副作用。

例如,部分厂商已经开发出了具有更高功率和更精确辐射控制的紫外线光疗仪产品,这些产品在治疗效果和用户体验方面都具有明显优势。

市场分割随着不同人群对紫外线光疗仪需求的差异化,市场逐渐趋向于分割。

目前,市场上存在着针对不同皮肤问题的专业型紫外线光疗仪和面向个人用户的家用型紫外线光疗仪。

这种市场分割能够满足不同消费者的需求,同时也为厂商提供了更多的市场机会。

渠道拓展随着电子商务的兴起,紫外线光疗仪的销售渠道得到了扩展。

越来越多的消费者倾向于通过在线渠道购买紫外线光疗仪产品。

同时,一些传统渠道如医疗设备经销商和专业仪器销售商,也开始增加紫外线光疗仪的产品线,以拓宽市场份额。

竞争格局目前,紫外线光疗仪市场竞争格局较为分散,市场上存在着多家知名品牌和中小型企业。

主要的竞争者包括:•公司A:该公司是紫外线光疗仪市场的领先厂商,产品线丰富,具有良好的品牌知名度和市场份额。

紫外光刻机技术的研究与发展趋势

紫外光刻机技术的研究与发展趋势

紫外光刻机技术的研究与发展趋势一、背景介绍紫外光刻技术是一种高精度、高分辨率的制造微电子器件的重要方法之一。

它利用紫外线对光刻胶进行曝光,通过显影、蚀刻等工艺步骤,将芯片上的图案迁移到硅片上,实现微电子器件的制造。

近年来,紫外光刻机技术在半导体制造、集成电路、显示器件等领域得到了广泛应用。

二、技术发展趋势1. 高分辨率化随着科技的不断进步,对微电子器件的制造要求也越来越高,尤其是对分辨率的要求。

传统的紫外光刻机技术已经无法满足微米级和纳米级的分辨率要求,因此,研究人员纷纷致力于开发更高分辨率的紫外光刻机技术。

包括多光束、电子束和极紫外光刻等新技术应运而生,努力提高分辨率,满足市场需求。

2. 多级曝光技术随着半导体器件尺寸的不断缩小,传统的单级曝光技术已经无法满足需求。

多级曝光技术通过多次曝光和对位,将一个芯片的图案分成多个子图案逐步曝光,最后形成一个完整的图案。

这种技术在提高整体曝光效率的同时,还可以提高分辨率并减小误差。

3. 高速刻蚀技术为了满足大规模集成电路的制造需求,紫外光刻机的刻蚀速度需要得到提高。

高速刻蚀技术通过优化刻蚀气体、调节蚀刻条件等方式,实现更高效的刻蚀过程。

同时,还可以提高刻蚀平坦度和减小副反应,降低产生缺陷的风险。

4. 绿色环保技术随着社会环保意识的增强,绿色环保技术成为紫外光刻机研究的一个重要方向。

研究人员致力于减少化学物品对环境的污染,研发无废水、废气的刻蚀工艺,并引入可持续发展的材料和技术,实现更加环保的制造过程。

5. 智能化与自动化随着人工智能和自动化技术的发展,紫外光刻机技术也逐渐向智能化和自动化方向发展。

通过引入智能控制系统、自动对位对焦技术等,提高生产线的自动化程度,降低人力投入和人为误差,并提高生产效率和产品质量。

三、结论紫外光刻机技术是现代微电子制造领域不可或缺的重要技术。

随着科技的不断进步和应用需求的增加,对紫外光刻技术的要求也越来越高。

未来,紫外光刻机技术还将朝着高分辨率化、多级曝光、高速刻蚀、绿色环保以及智能化和自动化方向进行深入研究和发展,为现代微电子器件的制造提供更好的解决方案。

紫外激光器波长

紫外激光器波长

紫外激光器波长
激光技术的进步催生了紫外激光器,它可以实现微米级的分辨率,可用于微加工、生物检测、分子检测等多种用途。

紫外激光器通常指具有紫外波段的光源,其中常用的波长有193nm、213nm、248nm、308nm、351nm、355nm、266nm 、280nm、294nm、332nm等。

193nm波长紫外激光器能实现深层微加工,可以用于各种材料的非接触式或低接触式微刻,如硅、石英、陶瓷、金属、玻璃等。

213nm波长紫外激光器可用于生物医学应用,如表皮细胞分析、肿瘤检测和分子检测等,由于具有紫外线辐射的毒性,使它安全可靠。

248nm波长紫外激光器用于太阳能电池、集成电路、LED、显示器、透镜、晶圆等产品的微加工,是一种非常高效的加工工艺。

308nm波长紫外激光器能够有效地穿透玻璃和亚克力,可以用于晶体管、纳米技术等精密加工。

351nm波长紫外激光器用于材料探伤,能够有效地检测金属的弯曲度,以及金属厚度和腐蚀痕迹,具有较低的衰减度。

355nm波长紫外激光器可用于贴片加工和平板显示器的高精度微加工,能够准确实现微米级精度的刻蚀加工,从而有效地提高产品的效率。

266nm波长紫外激光器可以用于生物检测,能够有效检测和消灭细菌病毒,从而保障人类健康和安全。

280nm波长紫外激光器可以有效地改变玻璃材料的光学参数,制造透明电极、电子显示器、抗反射膜等产品,用于智能电子产品制造。

294nm波长紫外激光器可用于多种材料的微加工,如石英、金属、陶瓷等,可以实现高精度的加工,能够满足各种应用需求。

332nm波长紫外激光器可实现精密的微加工,可用于多种材料的微加工,如硅、玻璃、金属、纳米材料等,有效解决了一些棘手的加工难题。

激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展

激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展

激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展宗楠, 胡蔚敏, 王志敏, 王小军, 张申金, 薄勇, 彭钦军, 许祖彦引用本文:宗楠, 胡蔚敏, 王志敏, 王小军, 张申金, 薄勇, 彭钦军, 许祖彦. 激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展[J]. 中国光学, 2020, 13(1): 28-42. doi: 10.3788/CO.20201301.0028ZONG Nan, HU Wei-min, WANG Zhi-min, WANG Xiao-jun, ZHANG Shen-jin, BO Yong, PENG Qin-Jun, XU Zu-yan. Research progress on laser-produced plasma light source for 13.5 nm extreme ultraviolet lithography[J]. Chinese Optics, 2020, 13(1): 28-42. doi: 10.3788/CO.20201301.0028在线阅读 View online: https:///10.3788/CO.20201301.0028您可能感兴趣的其他文章Articles you may be interested in深紫外光刻光学薄膜Optical coatings for DUV Lithography中国光学. 2015(2): 169 https:///10.3788/CO.20150802.0169高功率皮秒紫外激光器新进展New progress in high-power picosecond ultraviolet laser中国光学. 2015(2): 182 https:///10.3788/CO.20150802.018210kW级直接输出半导体激光熔覆光源的研制与热效应分析10 kW CW diode laser cladding source and thermal effect中国光学. 2019, 12(4): 820 https:///10.3788/CO.20191204.0820大功率半导体激光合束进展Advance on high power diode laser coupling中国光学. 2015(4): 517 https:///10.3788/CO.20150804.0517陶瓷表面放电光泵浦源放电特性研究Discharge characteristics of optical pumping source by ceramic surface discharge中国光学. 2019, 12(6): 1321 https:///10.3788/CO.20191206.1321第13卷㊀第1期2020年2月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀中国光学㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀ChineseOptics㊀㊀㊀㊀Vol.13㊀No.1㊀Feb.2020㊀㊀收稿日期:2019 ̄04 ̄11ꎻ修订日期:2019 ̄05 ̄14㊀㊀基金项目:国家重点研发项目(No.2016YFB0402103)ꎻ中科院关键技术团队项目(No.GJJSTD20180004)ꎻ国家重大科研装备研制项目(No.ZDYZ2012 ̄2)ꎻ国家重大科学仪器设备开发专项(No.2012YQ120048)ꎻ国家自然科学重点基金项目(No.61535013)ꎻ中科院理化所所长基金(No.Y8A9021H11)SupportedbyNationalKeyResearchandDevelopmentProjectofChina(No.2016YFB0402103)ꎻKeyTechnolo ̄gyTeamProjectofChineseAcademyofSciences(No.GJJSTD20180004)ꎻNationalMajorResearchandDevel ̄opmentProjectofChina(No.ZDYZ2012 ̄2)ꎻNationalMajorScientificInstrumentsandEquipmentDevelopmentProjectofChina(No.2012YQ120048)ꎻNationalNaturalScienceFoundationofChina(No.61535013)ꎻFundofTechnicalInstituteofPhysicsandChemistryꎬChineseAcademyofSciences(No.Y8A9021H11)文章编号㊀2095 ̄1531(2020)01 ̄0028 ̄15激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展宗㊀楠1ꎬ2∗ꎬ†ꎬ胡蔚敏1ꎬ3ꎬ†ꎬ王志敏1ꎬ王小军1ꎬ张申金2ꎬ薄㊀勇1ꎬ彭钦军1ꎬ2∗ꎬ许祖彦1ꎬ2(1.中国科学院固体激光重点实验室ꎬ中国科学院理化技术研究所ꎬ北京100190ꎻ2.中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室ꎬ中国科学院理化技术研究所ꎬ北京100190ꎻ3.中国科学院大学ꎬ北京100049)†共同贡献作者摘要:半导体产业是高科技㊁信息化时代的支柱ꎮ光刻技术ꎬ作为半导体产业的核心技术之一ꎬ已成为世界各国科研人员的重点研究对象ꎮ本文综述了激光等离子体13.5nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况ꎬ重点介绍了其激光源㊁辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分ꎮ同时ꎬ指出了在提高激光等离子体13.5nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题ꎬ包括提高转换效率和减少光源碎屑ꎮ特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置ꎮ最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望ꎮ关㊀键㊀词:13.5nm极紫外光刻技术ꎻ激光等离子体ꎻ极紫外光源ꎻ转换效率ꎻ光源碎屑ꎻ预脉冲激光中图分类号:O432.1㊀㊀文献标识码:A㊀㊀doi:10.3788/CO.20201301.0028Researchprogressonlaser ̄producedplasmalightsourcefor13.5nmextremeultravioletlithographyZONGNan1ꎬ2∗ꎬ†ꎬHUWei ̄min1ꎬ3ꎬ†ꎬWANGZhi ̄min1ꎬWANGXiao ̄jun1ꎬZHANGShen ̄jin2ꎬBOYong1ꎬPENGQin ̄Jun1ꎬ2∗ꎬXUZu ̄yan1ꎬ2(1.KeyLabofSolidStateLasersꎬTechnicalInstituteofPhysicsandChemistryꎬChineseAcademyofSciencesꎬBeijing100190ꎬChinaꎻ2.KeyLabofFunctionalCrystalsandLaserTechnologyꎬTechnicalInstituteofPhysicsandChemistryꎬChineseAcademyofSciencesꎬBeijing100190ꎬChinaꎻ3.UniversityofChineseAcademyofSciencesꎬBeijing100049ꎬChina)†Theseauthorscontributedequally∗CorrespondingauthorꎬE ̄mail:zongnan@mail.ipc.ac.cnꎬpengqinjun@163.comAbstract:Thesemiconductorindustryisthebackboneofthehigh ̄techandinformationage.Lithographytech ̄nologyꎬoneofthecoretechnologyofthesemiconductorindustryꎬhasbecomeakeyresearchsubjectalla ̄roundtheworld.Thisarticlemainlydiscussesthelightsourceof13.5nmExtremeUltravioletLithography(EUVL)byusingLaser ̄ProducedPlasma(LPP).Itmakesabriefintroductiontotheprinciplesbehindthistechnologyandthedevelopmenthistoryofthisfieldathomeandabroad.Theintroductionsincludethemateri ̄alsusedinthemultilayermirrorꎬandrationalefortheselectionofmaterialsꎬtheshapeanddesignofthetargetandthetypeoflaser.AtthesametimeꎬthisarticlepointsoutthatthemainproblemsfortheEUVLarelightdebrisreductionandtheconversionefficiencyimprovementofEUVlight.Thispaperalsogivesspecialanalysisofthelightsourceoutputdevicesof13.5nmEUVLmachinesproducedbyinternationalfamouscompa ̄nies GigaphotonofJapanandASMLoftheNetherlandsꎬwhichcangeneratemorethan100WlevelEUVpower.Finallyꎬthisarticlesummarizesandforecastsfutureresearchrelatedtothistechnology.Keywords:13.5nmExtremeUltravioletLithography(13.5nm ̄EUVL)ꎻLaser ̄ProducedPlasma(LPP)ꎻextremeultravioletsourceꎻConversionEfficiency(CE)ꎻlightdebrisꎻpre ̄pulselaser1㊀引㊀言㊀㊀自20世纪50年代末起ꎬ半导体行业因集成电路(IntegratedCircuitsꎬICs)等相关技术的兴起开始突飞猛进地发展[1]ꎮ到目前为止ꎬ该行业俨然已成为当今世界各行各业都不可或缺的 支柱 ꎮ1965年ꎬ高登 摩尔(GoldonMoore)曾提出ꎬ在半导体行业的发展史上将会出现一条不变的规律 摩尔定律(Mooreᶄslaw)[2]ꎮ该定律的内容为:每隔约1年半至两年左右ꎬ在价格不变的前提下ꎬ单个芯片上晶体管的数目和性能均会增长1倍[3]ꎮ在过去的几十年中ꎬ半导体行业一直遵循着这条规律高速发展ꎬICs中每个硅晶片上的晶体管数目有近乎千万倍的增长ꎮ光刻技术ꎬ作为半导体产业的核心技术之一ꎬ是一种用于ICs制造的图案形成技术ꎮ通常ꎬ光刻技术所用到的部件有光刻光源ꎬ掩模版ꎬ光刻胶等ꎮ而其工艺流程一般包括涂胶(光刻胶)ꎬ前烘ꎬ曝光ꎬ显影ꎬ坚膜ꎬ刻蚀和去胶等ꎮ光刻技术的原理是通过改变ICs中每个晶圆上节点的最小特征尺寸(最小分辨率)ꎬ来决定每个芯片内晶体管的数目ꎮ电路节点的最小特征尺寸可通过瑞利公式得出[4]ꎮ通过瑞利公式可知ꎬ减小工艺因子常数kꎬ增大光学系统的数值孔径NA以及减小曝光光源的波长λ均可以使最小线宽(节点)d变小ꎮ然而ꎬ前两种方案的技术难度越来越大ꎬ人们几乎已经将其做到了极限ꎮ所以ꎬ通过缩短曝光波长λ来减小线宽已成为目前光刻技术的主要研究方向ꎮ在光刻技术的发展历程中ꎬ科研人员们不断地在探索更短曝光波长的可能性ꎮ上世纪80年代至90年代初期ꎬ光刻主要采用高压放电汞灯产生的波长436nm(G线)和365nm(I线)作为光源ꎮ汞灯普遍应用于步进曝光机ꎬ从而实现0.35μm的特征尺寸[5]ꎮ自上世纪90年代中期后ꎬ深紫外光刻技术(DeepUltravioletlithographyꎬDUVL)开始逐渐占据光刻技术的主导地位ꎮ工业上开始使用深紫外波段(DUVUltravioletꎬDUV)248nm的KrF和193nm的ArF准分子激光器作为曝光光源[6]ꎮ随后ꎬ当光源发展为157nm的F2准分子激光器时ꎬ由于光刻胶和掩模材料的局限ꎬ使得157nm光刻技术受到了很大的限制ꎮ研究人员们发现充入浸没液后ꎬ193nm光源等效波长小于157nmꎮ另外193nm光刻机技术相对成熟ꎬ开发者只需重点解决浸没技术相关的问题ꎬ因而采用浸没技术的193nm光源逐渐取代157nm光源继续成为主流技术[5]ꎮ目前ꎬ荷兰AdvancedSemiconductorMaterialLithography(ASML)公司于2018年生产的NXT:2000i(采用193nm光源)产品为现有最高水平的DUV光刻机ꎬ其分辨率为38nmꎮNXT:2000i结合多次曝光套刻技术可将线宽缩小至7~5nmꎮ此外ꎬNXT:2000i是ASML旗下套刻精度(Overlay)最高的DUV光刻机产品ꎬ其数值可达1.9nm(5nm节点要求Overlay至少为2.4nmꎬ7nm节点要求Overlay至少为92第1期㊀㊀㊀㊀㊀宗㊀楠ꎬ等:激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展3.5nm)[7]ꎮ但是由于多次曝光套刻技术过于复杂ꎬ使得生产成本大幅增加ꎬ而器件的产量却大幅降低[8]ꎮ可以看出ꎬDUVL技术已经达到极限ꎬ研究人员们很难再将其所得到的线宽缩至更小的范围ꎮEUVL采用极紫外波段(ExtremeUltravioletꎬEUV)光源进行光刻ꎬ是最有潜力实现大规模工业化和商业化生产的光刻技术[9]ꎮEUVL通过将曝光波长大幅减小(一个量级以上)来实现更小节点光刻ꎬ其一次曝光线宽的数值可达10nm以内[10]ꎮ在EUV波段中ꎬ13.5nm的EUV(13.5nm ̄EUV)光源的可行性已被理论和实验研究所验证ꎬ并已成功运用到现有的商业光刻机中ꎮ2㊀EUVL技术的历史与现状㊀㊀EUVL技术于上世纪80年代末由美国和日本的相关研究人员提出ꎬ他们指出用波长为10~30nm的EUV光作为光刻机的光源可以大幅缩小ICs的最小特征尺寸ꎮ随后ꎬ一些国家的公司和研究机构对EUVL的发光原理ꎬ实现过程以及工业化生产等方面进行了大量研究ꎮ如:国际著名公司(如:IntelꎬGigaphotonꎬASML等)ꎬ著名研究机构(如:美国SandiaNationalLaboratory(SNL)ꎬLawrenceLivermoreNationalLaboratory(LLNL)ꎬLawrenceBerkleyNationalLaboratory(LBNL)ꎻ日本产业技术综合研究所等)以及许多知名大学(如:美国普渡大学ꎬ加利福尼亚大学ꎻ日本九州大学ꎻ瑞士苏黎世联邦理工学院等)ꎮ经过近30多年的研究ꎬEUVL技术获得巨大进展ꎬASML㊁Intel及Nikon等公司均有EUVL演示样机的报道[3ꎬ11ꎬ12]ꎬ但目前仅ASML有在售产品ꎮ国内对EUVL技术的研究起步较晚ꎬ主要是由中国科学院和部分高校的一些团队在进行相关研究工作ꎮ中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(简称长春光机所)对EUVL的研究较早ꎬ自上世纪90年代末就对EUV光和X射线成像技术进行了相关研究ꎮ国内第一套EUV光刻原理装置是于2002年由长春光机所研制出来的ꎬ该款装置的出现标志着我国实现了对EUVL原理性的贯通ꎮ2008年ꎬ国家科技重大专项(02专项)将EUVL技术列为 32~22nm装备技术前瞻性研究 重要攻关任务ꎬ长春光机所为 极紫外光刻关键技术研究 项目的牵头单位ꎮ该项目研究团队经过8年的研究ꎬ最终研制出线宽为32nm的EUV光刻投影曝光装置ꎮ2017年ꎬ 极紫外光刻关键技术研究 项目通过验收[13]ꎮ此外ꎬ中国科学院上海光学精密机械研究所的蔡懿等人[14]ꎬ长春理工大学林景全课题组[9]ꎬ哈尔滨工业大学李小强等人[1]以及华中科技大学㊁同济大学等相关课题组[15 ̄16]均对EUVL的靶材选取㊁驱动光源设计㊁碎屑处理系统等装置进行了理论和实验研究ꎮEUVL技术是每年国际光学工程学会会议(SocietyofPhoto ̄OpticalInstrumentationEngineers(SPIE)Conference)所讨论的主要议题之一ꎮEUVL光刻机主要由3部分组成:EUV光源系统㊁EUV光反射收集系统以及照明曝光刻蚀系统组成ꎮ由于EUV光波长较短ꎬ能量较高ꎬ其在介质中存在较为强烈的吸收ꎮ研究人员通过不断地优化和改进EUV光的收集装置ꎬ最终采用多个多层膜反射镜组合成EUV光学反射收集系统ꎮ照明曝光刻蚀系统是将收集到的EUV光通过多层膜反射镜系统传送到光刻掩模版(掩模版上含有所需要的电路信息)上ꎮEUV光再同样通过多层膜反射镜系统最终聚焦到硅晶片上进行曝光刻蚀ꎮEUV光源的产生方案有很多ꎬ是下文所要介绍的重点内容ꎮ3㊀极紫外光刻的核心 光源技术㊀㊀为满足极紫外光刻需求ꎬ其光源应具有如下性能:(1)输出功率达百瓦量级ꎬ且功率波动小ꎻ(2)较窄的激光线宽ꎻ(3)较高的系统效率ꎻ(4)可接受的体积和重量ꎻ(5)可长时间㊁高可靠性运转ꎻ(6)维修㊁维护成本低ꎻ(7)低污染ꎮ目前ꎬ主要有4种方案可以获得EUV光源ꎬ分别是:同步辐射源㊁激光等离子体(LaserPro ̄ducedPlasmaꎬLPP)㊁放电等离子体(DischargedProducedPlasmaꎬDPP)和激光辅助放电等离子体(Laser ̄assistedDischargePlasmaꎬLDP)ꎮ选取哪一种方案ꎬ并如何运用该方案以大幅提高EUVL03光刻机光源的功率来满足大规模工业生产(HighVolumeManufacturingꎬHVM)的需要成为世界各国所必须攻克的主要难题之一ꎮ3.1㊀同步辐射源㊁LPP㊁DPP㊁LDP原理和比较同步辐射源的优点是可以产生高功率的EUV光ꎬ而且它对光学原件无碎屑污染ꎬ故可以长时间稳定地输出EUV光ꎮ但是ꎬ过于复杂和庞大的装置构造以及极其高昂的造价等都表明同步辐射源并不适用于HVM生产[9]ꎮLPP㊁DPP和LDP都是通过高能量束使靶材产生较高的温升ꎬ从而产生高温㊁高密度的等离子体并发射EUV光ꎮ虽然它们的形成方法有所差异ꎬ但却可以使用相同靶材ꎮLPP是以高强度的脉冲激光为驱动能源照射靶材ꎬ使靶材产生高温等离子体并辐射EUV光ꎮ图1是激光等离子体产生EUV光的示意图[17]ꎮ其中ꎬ采用数十千瓦功率的激光从一圆孔进入打在液滴Sn靶上ꎬ产生的极紫外光通过多层介质膜反射镜反射汇聚在中心焦点(IntermediateFocusꎬIF)处ꎮ图1㊀LPP ̄EUV光源示意图Fig.1㊀Schematicoflaser ̄producedplasmaforEUVlightsourceDPP是将靶材涂覆在阳极和阴极之间ꎬ两个电极在高压下产生强烈的放电使靶材产生等离子体ꎮ由于Z箍缩效应ꎬ当洛伦兹力收缩等离子体时ꎬ等离子体被加热ꎬ产生EUV光ꎮ图2是放电等离子体产生EUV光的示意图[17]ꎮ其中ꎬ靶材也为Sn靶ꎮSn靶后面为一组叶片ꎬ即所谓的 箔片陷阱 ꎬ可防止Sn碎屑到达叶片后面的收集器(即反射镜)而使其被污染ꎮ最后ꎬEUV光汇聚于IF点ꎮLDP是将LPP与DPP结合起来ꎬ先用脉冲激光照射靶材ꎬ使靶材细化ꎬ再运用DPP技术放电使靶材产生EUV光ꎮ对比上述4种方案ꎬ由于同步辐射源的缺点极难被克服ꎬ目前可以实现工业化EUV光刻机生产的方案为后3种ꎮDPP和LDP具有很多相似之处ꎬ它们均可以通过增大放电电流的功率来提高EUV光的输出功率ꎮ但是ꎬ在靶材产生等离子体的过程中ꎬ一定会对电极产生热负荷和腐蚀ꎬ造成关键元件的损坏ꎬ所以需要经常清理和更换电极ꎮ此外ꎬDPP的产生过程中伴随着大量的光学碎屑ꎬ严重地损坏了光学收集系统ꎮ上述问题尚未找到较好的解决办法ꎬ因而ꎬDPP和LDP方案都很难维持长时间的稳定工作状态ꎻ而LPP是以高功率激光辐射靶材ꎬ这相较于DPP和LDP方案ꎬ因没有损伤电极的困扰而较大地消减了装置的热负荷ꎬ产生的光源也较为稳定ꎮ而且ꎬLPP所产生的碎屑量低于DPPꎮ从长远的发展趋势上看ꎬ鉴于LPP的诸多优点ꎬ现用于HVM的方案多以LPP为主ꎮ荷兰的ASML公司和日本的Giga ̄photon公司都已经做出了性能良好的基于LPP的EUV光源ꎮ下文将主要介绍如何提高LPP光源的转换效率(ConversionEfficiencyꎬCE)以及如何减少LPP光源碎屑等关键技术ꎮ图2㊀DPP ̄EUV光源示意图Fig.2㊀Schematicofdischarge ̄producedplasmaforEUVlightsource3.2㊀多层膜反射镜由于光子能量极高的EUV光几乎可被所有介质所吸收ꎬEUV多层膜反射镜作为光学系统的重要元件成为了EUV光源的一项关键技术ꎬ需实现EUV波段的高反射率[18]ꎮ近年来ꎬ科研人员们通过研究发现ꎬ采用Mo/Si多层膜制备出的反射镜对中心波长为13.5nm㊁光谱带宽(Band ̄13第1期㊀㊀㊀㊀㊀宗㊀楠ꎬ等:激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展widthꎬBW)在2%以内EUV光的反射率可达70%[19]ꎮ通过将Mo原子和Si原子交替排列ꎬ可使13.5nm的EUV光在其中发生干涉ꎬ从而得到较高的反射效率[20]ꎮ3.3㊀EUV光源CE(EUV ̄CE)的提高对于商业化大规模生产的EUV光刻机ꎬ如何在降低成本的情况下提高晶圆的生产率是一个极为重要的问题ꎮ到目前为止ꎬ根据ASML公司2017年所生产的最新EUV光刻机设备NXE:3400B的参数可得ꎬ在实际光刻生产中ꎬ该款设备每小时操作的晶圆数目可以达到125片以上ꎮ这就要求EUV光源在进入光刻系统以前ꎬIF点的输出功率必须在205W以上ꎮ目前为止ꎬASML公司和Gigaphoton公司的EUV光源设备均可输出250W较为稳定的EUV光ꎬ最大值甚至可以达到375W[21 ̄22]ꎮ然而ꎬ相较于EUV光刻机高昂的成本而言ꎬ这样的生产效率和输出功率仍然有较大的提升空间ꎮ因而ꎬ找到如何能够有效提高EUV光源CE的方案已成为了EUVL的一个重点研究方向ꎮ光源的CE值是指EUV输出能量除以输入激光能量并换算成百分数后所得到的数值ꎮ目前ꎬ提高CE的途径主要有以下几种:(1)优选靶材组份及形态ꎻ(2)优选激光源ꎻ(3)采取双脉冲的方案ꎮ3.3.1㊀靶材的选取选择中心波长为13.5nm㊁2%带宽内的EUV光作为光刻光源是由Mo/Si多层膜反射镜的特性所决定的ꎬ而能在此波段发出EUV光的靶材有很多种ꎮ研究人员通过相关的理论和实验研究发现ꎬ氙(Xe)㊁锂(Li)㊁锡(Sn)等为该波段范围内的主要靶材ꎮ通过仿真计算的方法可以得到11镜系统在不同靶材(SnꎬLiꎬXe)中近垂直入射方向的反射率[23 ̄24]ꎮ其中Sn在13.5nm波长处的反射率占比最大ꎮ最初ꎬ人们比较关注Li靶[25]ꎮ锂的类氢离子Li2+的Lyα跃迁恰好与波长为13.5nm的EUV光谱相对应ꎮ可是当稳态Li等离子体处在高温的环境下时ꎬ会有极少量的Li2+离子处于电离平衡态[26]ꎬ也就是说ꎬ等离子体仅由剩余的原子核和自由电子组成ꎬ并且无任何谱线发出ꎮT.Hi ̄gashiguchi和A.Nagano等人的研究表明ꎬ基于LPP的Li靶产生的13.5nm ̄EUV光的CE只有1%~2%左右ꎮ较低的CE表明ꎬLi靶并不能作为EUVL光源中的最佳靶材[27 ̄28]ꎮ随后ꎬ人们又对Xe靶做了相关研究ꎮ因为Xe靶是清洁能源ꎬ所以它具有不产生碎屑ꎬ对光学系统损伤小ꎬ可以长期工作而无需更换光学元件等优点[29]ꎮ然而通过实验可以发现ꎬ基于LPP的Xe靶产生13.5nm ̄EUV光的CE仅有1%左右ꎬ主要由Xe元素的一种离子Xe10+在4d8ң4d75p的跃迁产生ꎬ除了较为低下的CE外ꎬXe的光谱纯度也较差[30]ꎮ最后ꎬ基于LPP的Sn靶在13.5nmꎬ2%带宽内的EUV来源极为广泛ꎬ主要由Sn等离子体中的高价态离子Sn8+ ̄Sn12+跃迁形成[31]ꎬ相关文献给出了Sn8+㊁Sn9+㊁Sn10+㊁Sn11+离子的EUV谱线跃迁图[32]ꎮ目前ꎬSn的EUV ̄CE值可达5%~6%[21]ꎮ研究人员发现固体Sn靶几何形状的差异对EUV辐射也有很大影响ꎮ因此ꎬ人们对包括平板形靶㊁限腔形靶㊁球形靶㊁空腔形靶㊁纳米结构靶㊁液滴形靶在内的固体Sn靶进行了相关研究[26]ꎮ早期ꎬ人们以平面Sn作为靶材ꎮ然而ꎬ用激光照射平板Sn靶ꎬ会造成被激光光束聚焦中心照射部分靶材的温度远高于周围其他部分ꎮ而由于存在较大的温度梯度ꎬ中心部分的等离子体膨胀速度快ꎬ周围部分的等离子体膨胀速度慢ꎮ速度较慢的等离子体会对速度较快的等离子体所在的区域ꎬ也就是EUV发射主导区域(EmissionDomi ̄nantRegionꎬEDR)所发出的EUV光存在较为强烈的吸收ꎬ进而影响EUV ̄CE[9]ꎮ针对平面靶材的这一缺点ꎬ2003年ꎬT.Tomie等人通过使用双脉冲照射Sn的限腔形靶并在入射激光相反的方向收集EUV光ꎮ该方案证明了限腔形Sn靶相较于平板Sn靶具有更高的EUV ̄CE[33]ꎻ2005年ꎬY.Tao等人也为克服平板靶材的缺点ꎬ在Sn条靶材的底部放置了具有一定厚度和宽度的碳氢薄膜ꎮ然后ꎬ用激光光束照射Sn条靶材和碳氢薄膜ꎬ使Sn条为被脉冲激光束聚焦中心照射的部分ꎬ而碳氢薄膜则为激光光斑边缘的照射部分ꎮ因为碳氢等离子体质量小ꎬ其膨胀速度较快ꎬ该方案成功地消减了由于温度分布不均匀性对EDR区所产生的影响ꎬ使得EUV ̄CE提高了1.423倍[34]ꎻ同年ꎬY Shimada等人尝试将Sn靶材的形状由平板换为了球形ꎮ他们将直径为几微米的球形塑料靶材表面涂满厚度为微米量级的Snꎬ最终得到了最大值为3%的CE[35]ꎻ2008年ꎬS.Yuspeh等人同样研究了球形Sn靶对EUV ̄CE的影响ꎮ结果与Y Shimada等人的结论一致ꎬ球形Sn靶具有较高的CEꎬ而且CE会随着Sn靶直径与焦斑大小比值的减小而逐渐增加[36]ꎻ2010年ꎬS.S.Harilal等人研究了凹槽形靶对EUV ̄CE的影响ꎮ他们发现当脉冲激光打在平板Sn靶上的同一点的脉冲数量逐渐增多时ꎬ等离子体EUV ̄CE从2.7%增加到了5%ꎬ而辐射EUV的等离子体区域也较之前拉长了近一倍[37]ꎻ2014年ꎬT.Cum ̄mins等人对楔形结构的Sn靶做了相关研究ꎬ并最终发现楔形Sn靶的EUV ̄CE约为3.6%[38]ꎻ后来ꎬ为降低离子碎屑㊁提高EUV ̄CEꎬ人们开始逐渐减小Sn靶的尺寸ꎬ并最终将液滴Sn靶作为主要研究对象ꎮ这是因为液滴Sn靶好操控且碎屑较少ꎬ故其CE较高ꎮ一些光源供应公司对液滴Sn靶进行了相关研究ꎬ最终确定将其作为EUV光刻机光源的辐射靶材[39 ̄40]ꎮ世界知名高校九州大学(日本)㊁大阪大学(日本)ꎬ苏黎世联邦理工学院(瑞士)等大学也较早开展了对液滴Sn靶的研究[41]ꎮ目前ꎬ用于HVM的EUV光刻机光源均是采用液滴Sn靶ꎮ虽然液滴Sn靶能达到较为理想的EUV ̄CEꎬ但其时间和空间的不稳定性为光刻机光源的设计和制造增加了难度[26]ꎮ3.3.2㊀驱动光源的选择选择LPP作为EUV驱动光源时ꎬ激光波长㊁激光脉宽以及入射激光光束聚焦情况的改变均可以影响EUV ̄CE[42 ̄45]ꎮCO2激光器与Nd:YAG激光器是较为合适的EUVL激光器ꎮ因为这两种激光器的输出功率较大ꎬ能量转换效率高ꎬ可以实现高功率的EUV光输出ꎮ2007年ꎬJ.White等人分别通过将上述两种类型的激光器照射Sn靶ꎬ分析了不同激光波长对EUV ̄CE的影响ꎮ当能量等条件相同时ꎬ用波长分别为10.6μm㊁1064nm㊁355nm的激光照射Sn靶产生EUV光ꎮ他们发现相较于使用Nd:YAG激光脉冲ꎬ使用CO2激光脉冲能获得较高的CE(两者比值为2.2)ꎬ而且辐射出的EUV光功率也较高[42]ꎮ图3为CO2激光与Nd:YAG激光诱发激光等离子体EUV辐射区域与激光能量沉积区域的比较[45]ꎮ由图3可以看出ꎬCO2激光之所以具有更高的CE是因为脉冲激光能量沉积区与EUV辐射区相距不远ꎬ这样便于激光能量快速转移到等离子体中辐射EUV光ꎮ同年ꎬ日本EUVL系统发展协会的AkiraEndo等人进行了类似的实验ꎮ他们发现用CO2激光作为驱动光源产生碎屑数量少ꎬ光谱纯度高[46 ̄47]ꎮ图3㊀Nd:YAG激光(a)与CO2激光(b)等离子体激光能量吸收区域和极紫外辐射区域Fig.3㊀Laserenergyabsorptionregionsandextremeultravioletradiationregionsfromdifferentlaser ̄producedplasma.(a)Nd:YAGlaserand(b)CO2laser㊀㊀2009年ꎬS.S.Harilal等人研究入射激光光束聚焦情况对EUV ̄CE的影响时发现ꎬ当激光正33第1期㊀㊀㊀㊀㊀宗㊀楠ꎬ等:激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展好聚焦到Sn靶上时并不能获得最理想的CE值ꎮ为此ꎬ他们通过相关实验找出了获得最佳CE时激光在靶材上的光斑尺寸ꎬ并发现最佳聚焦条件时的CE值比聚焦到靶材上时的CE值高了近25%[44]ꎻ同年ꎬ基于上述现象ꎬKasperczuk等人解释了激光聚焦条件影响EUV ̄CE的原因ꎮ实际上ꎬ聚焦会使靶材初始等离子状态受到极大影响ꎬ因而后续的激光脉冲会与受影响的初始等离子体相互作用而影响实验结果ꎮ3.3.3㊀双脉冲作用效果有学者研究发现ꎬ可以先用预脉冲照射液滴Sn靶ꎬ产生初始等离子体碎片ꎮ设计好延迟时间后ꎬ再用高功率密度的主脉冲照射初始等离子体碎片ꎬ产生高温㊁高密度的等离子体并辐射EUV光ꎮ这种方案的优势在于预脉冲使液滴体积变大ꎬ易于后面的主脉冲与其发生作用ꎬ提高了主脉冲激光的利用率以及最终的CE值ꎮ在双脉冲照射实验中ꎬ常使用Nd:YAG激光作为预脉冲激光源ꎬ可有效地提高EUV ̄CEꎮ这是因为Nd:YAG激光具有更深的穿透深度㊁更高的等离子体临界密度ꎬ可气化更多的靶材等优点[26]ꎮ2008年ꎬShinsukeFujioka等人采用Nd:YAG激光(预脉冲)和CO2激光(主脉冲)照射液滴Sn靶[48]ꎮ他们的实验结果表明双脉冲激光辐射液滴Sn靶产生的EUV ̄CE基本都高于单脉冲激光所产生的EUV ̄CEꎻ2012年ꎬFreeman等人将预脉冲激光波长分别设置为266nm(4倍频的Nd:YAG激光)和1064nmꎬ研究了不同预脉冲波长对CO2激光辐射Sn靶产生EUV光的影响[49]ꎮ他们发现ꎬ1064nm预脉冲激光相较于266nm预脉冲激光所产生的离子碎屑少ꎬ这间接证明了用1064nm的Nd:YAG激光器作为预脉冲激光时ꎬ碎屑粒子具有更低的动能ꎮ3.4㊀碎屑问题LPP通过激光辐射靶材产生高温㊁高密度的等离子体并辐射EUV光ꎮ在此过程中ꎬ必然会产生一定数量的碎屑ꎮ这些碎屑主要由熔融液滴㊁微粒团簇㊁中性碎屑原子和高能离子组成[33]ꎮ其中ꎬ速度最慢的微粒团簇ꎬ直径大约在微米量级以上ꎬ运动速度约为103cm/s左右ꎻ高能离子因具有较高能量而运动最快ꎬ速度可达106~107cm/s[50]ꎻ中性粒子碎屑的速度介于上述两者之间ꎮ碎屑问题作为EUV光刻机大规模工业化生产过程中不可忽视的问题之一ꎬ其影响具体表现在:(1)碎屑会损伤光源的收集系统ꎬ碎屑中的高能离子会撞击多层膜反射镜ꎬ造成多层膜反射镜结构被破坏ꎮ同时ꎬ能量较低㊁速度较慢的中性碎屑粒子有一定的概率会附着在多层膜反射镜上ꎬ吸收生成的EUV光并加热多层膜反射镜ꎬ进一步破坏其结构ꎮ无论是高能粒子还是中性原子ꎬ都会使多层膜反射镜的反射率降低ꎬ导致EUV光刻机设备中的一些反射镜需要时常更换ꎬ从而影响光源长时间的稳定工作ꎻ(2)中性粒子等碎屑会吸收EUV辐射ꎬ而且亚微米级的微粒团簇和熔融液滴因不能完全被运用到产生EUV辐射的过程中而被浪费ꎬ这些均可能限制EUV ̄CEꎮ综上所述ꎬ减少LPP ̄EUV过程中所产生的碎屑是极为重要的ꎮ对于微米量级以上的碎屑ꎬ可以通过上一小节中所提到的双脉冲激光辐射方案除去[51]ꎮ对于其他种类的碎屑问题ꎬ科研人员们也分别做了大量实验研究ꎮ2003年ꎬG.Niimi等人通过在光源的收集装置中添加磁场研究了LPP离子碎屑的特性ꎮ结果发现ꎬ在磁场的作用下ꎬ离子信号有明显的下降ꎬ而且距离磁场越近ꎬ下降比例越明显[52]ꎻ2007年ꎬS.S.Harilal等人又在有磁场的光源收集系统中加入了缓冲气体ꎬ实验发现缓冲气体不仅可以减缓高能碎屑离子ꎬ同时也能抑制中性碎屑粒子[53]ꎻ2012年ꎬ孙英博等人在光源系统中充入氩气㊁氦气等缓冲气体ꎬ研究了不同种类的缓冲气体对Sn离子碎屑缓解效果的影响[54]ꎮ目前市售EUV光刻机产品均采用将充入惰性气体或氢气和外加磁场相结合的方案除去碎屑[21ꎬ55]ꎮ充入惰性气体的好处在于:(1)充入气体的分子与碎屑离子相撞ꎬ降低了其运动速度ꎬ流动的气体还可将碎屑离子吹到远离多层膜反射镜的区域ꎬ减少其对光学收集系统的损害ꎻ(2)当充入的气体是氢气时ꎬ靠近器壁的氢气通过放电的方式形成电容耦合的氢气等离子体ꎬ其中的H自由基可以与Sn粒子发生化学反应ꎬ反应的化学方程式为Sn(s)+4H(g) SnH4(g)ꎬ产生了热蒸汽SnH4ꎬ通过真空抽吸的容器可以去除热气体和43Sn蒸气ꎮ加入磁场的优点在于:(1)因为EUV光为主要由Sn离子和电子组成的Sn等离子体发射ꎬ所以几乎所有的Sn离子都可以通过拉莫尔运动而被强磁场捕获ꎻ(2)一些中性原子可以通过与离子碰撞的方式ꎬ发生电荷交换成为离子而被磁场捕获ꎮ最终这些碎屑粒子均可被碎屑收集装置所收集ꎮ4㊀目前13.5nm ̄EUV光刻机光源产品㊀㊀目前ꎬ已经收购Cymer公司(世界领先的激光源供应商)的荷兰光刻机巨头ASML公司和日本Gigphoton公司几乎垄断了全球激光光刻机光源产业ꎬ他们都可以独立地制造出基于LPP的EUV光刻机光源ꎮASML公司于1984年成立ꎬ公司的总部现位于荷兰费尔德霍芬ꎬ是一家半导体设备制造和销售公司ꎮ目前ꎬ英特尔ꎬ三星ꎬ中芯国际等国际知名公司都从ASML公司采购光刻机ꎬ其市场份额已达到70%ꎮ售价1亿美元一台的EUV光刻机ꎬ全世界仅ASML公司可以生产ꎮ2017年ꎬ全世界出货的光刻机中有198台由ASML所制造ꎬ其中EUV光刻机为11台[13]ꎻ2018年全世界出货的光刻机中有224台为ASML公司制造ꎬ较2017增长13.13%ꎬ其中13.5nm ̄EUV光刻机销售量为18台ꎬ较2017年增加了63.64%[56]ꎮ2019年ꎬASML公司EUV光刻机的年销量将达到30台ꎮ图4将ASML公司近年来所生产的几款EUV光刻机设备参数进行了对比(NXE:3400C为即将发售的产品)[21]ꎮ由图4可以看出ꎬNXE系列产品每小时操作的晶圆数目从最初的60片(光源IF点聚焦功率为100W)增长到125片(光源IF点聚焦功率为245W)ꎮ2018年年末至2019年年初ꎬASML公司改良后的NXE:3400B(光源IF点聚焦功率为250W)产品ꎬ每小时的晶圆操作数可达145个ꎬ分辨率可达13nm以下ꎬOverlay为1.7nm(满足5nm节点的工艺需求)ꎮASML公司在2019年下半年推出的新款产品NXE:3400C每小时操作的晶圆数为155~170片ꎬ其overlay预计可达1.5nm[57]ꎮ到2020年后ꎬASML公司还预计将新版本产品光源IF点聚焦功率提升到350W以上[2]ꎮ图4㊀ASML ̄EUVL ̄NXE系列产品Fig.4㊀ASML ̄EUVL ̄NXEseriesofproducts㊀㊀Gigaphoton公司于2000年在日本栃木县小山市成立ꎮ不同于ASML等光刻机公司ꎬGigapho ̄ton是一家激光器光源供应商ꎮ它自成立以来一直为全球包括ASMLꎬNikonꎬCanon等半导体行业巨头提供激光光源ꎬ其光源技术一直处于世界领先水平ꎮGigaphoton于2002展开了对EUV光源的研究ꎮ到目前为止ꎬGigaphoton公司共设计了3款13.5nm ̄EUV光源产品ꎬ它们分别是Proto#1ꎬProto#2和Pilot#1ꎮProto#1的设计重点是碎片减缓技术ꎻProto#2作为优化CE的设备ꎻPilot#1的设53第1期㊀㊀㊀㊀㊀宗㊀楠ꎬ等:激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展。

中国紫外线LED行业市场环境分析

中国紫外线LED行业市场环境分析

中国紫外线LED行业市场环境分析1. 引言紫外线(UV)LED是一种能够发出紫外线光辐射的半导体器件。

随着人们对紫外线应用的认识逐渐加深,紫外线LED市场也呈现出高速增长的态势。

本文将对紫外线LED市场的环境进行详细分析,包括市场规模、市场趋势、竞争格局等方面。

2. 市场规模紫外线LED市场规模呈现快速增长的趋势。

根据市场研究机构的数据显示,2019年全球紫外线LED市场规模达到XX亿美元,预计到2025年将增长至XX亿美元。

主要推动市场增长的因素包括医疗、消毒、杀菌、造纸等行业对紫外线应用的广泛需求。

3. 市场趋势3.1 技术进步随着技术的不断升级,紫外线LED的性能得到了显著提升。

目前,紫外线LED的光效已经超过了传统紫外线灯,且寿命更长。

此外,随着新的材料和制造工艺的应用,紫外线LED的制造成本也在逐渐降低,这将进一步推动市场的发展。

3.2 应用拓展紫外线LED在医疗、消毒、杀菌领域有着广泛的应用前景。

特别是在疫情爆发后,人们对于空气净化和消毒的需求进一步增加。

紫外线LED作为一种高效、绿色、安全的消毒方式,受到了越来越多的关注和应用。

3.3 政策支持各国政府对于紫外线LED市场的发展给予了支持和鼓励。

例如,加大对紫外线LED技术研发的投入、提供相关的政策扶持、制定标准和规范等。

这些政策措施将为紫外线LED市场的快速发展提供有力支撑。

4. 竞争格局当前,紫外线LED市场竞争激烈,主要存在着以下几个竞争因素:4.1 技术竞争在紫外线LED市场,各企业之间的技术竞争日益激烈。

技术创新能力和研发实力成为企业竞争的关键。

目前,一些国内外公司已经取得了一系列紫外线LED核心技术的突破,占据了市场的一定份额。

4.2 产品多样化和附加值随着市场的发展,消费者对于产品的多样性和附加值的要求日益增加。

具备不同波段和功率的紫外线LED产品将成为市场竞争的关键所在。

4.3 渠道和品牌竞争紫外线LED市场的销售渠道和品牌影响着产品的市场份额。

2024年紫外线LED市场需求分析

2024年紫外线LED市场需求分析

紫外线LED市场需求分析引言紫外线LED(Ultraviolet LED,UV LED)是一种半导体光源,能够产生紫外光辐射。

随着对紫外线应用的增加,紫外线LED市场正迅速发展。

本文将对紫外线LED 市场需求进行分析,包括市场规模、主要应用领域和趋势。

市场规模根据市场研究报告,紫外线LED市场规模呈现稳定增长的趋势。

预计在未来几年内,这一市场将保持高速增长并达到相当规模。

以下是一些关键因素:1.应用扩大:紫外线LED在多个领域具有广泛应用,如医疗卫生、科学研究、工业生产等。

随着技术进步和应用需求的增加,紫外线LED的市场规模将会扩大。

2.政策支持:政府对环保和节能的要求推动了紫外线LED的发展。

各国政府鼓励和支持紫外线LED的应用,这对市场的增长起到了积极作用。

3.产品价格下降:随着技术成熟度的提高和生产规模的扩大,紫外线LED的生产成本逐渐下降,产品价格降低,进一步刺激了市场需求。

主要应用领域紫外线LED在很多领域都有广泛的应用,以下是一些主要领域:1.医疗卫生:紫外线LED在医疗卫生领域具有重要作用,可以用于医疗设备、消毒灯和光疗装置等。

紫外线LED可以有效杀灭细菌和病毒,有助于提高医疗设施的卫生标准。

2.科学研究:紫外线LED在科学研究中的应用越来越广泛。

它可以用于分子生物学实验、荧光显微镜和光谱分析等领域,为科学家提供更多的研究工具和实验条件。

3.工业生产:紫外线LED在工业生产中有许多应用,如固化、紫外线硬化漆、印刷等。

通过紫外线LED的使用,可以提高工业生产效率和质量,并减少能源消耗。

趋势紫外线LED市场有几个明显的趋势:1.技术创新:紫外线LED技术不断创新,包括提高光效、扩展波长范围和增加应用领域等。

技术创新将进一步推动市场需求。

2.健康与安全关注:随着人们对健康和安全的关注增加,紫外线LED在医疗和卫生领域的应用将继续扩大。

人们对紫外线的利用将更加理性,避免潜在的健康风险。

3.环保需求:紫外线LED具有低能耗、长寿命等优点,符合环保需求。

激光发展现状有哪些

激光发展现状有哪些

激光发展现状有哪些
激光发展现状:
1. 技术领域的不断突破:激光技术在各个领域取得了显著进展,例如激光医疗、激光通信、激光加工等。

2. 激光在医疗领域的应用:激光技术在诊断和治疗方面的应用越来越广泛,如激光手术、激光美容等。

3. 激光通信的发展:激光通信作为一种高速、高带宽的通信方式,正在逐渐取代传统的无线和有线通信技术。

4. 激光加工技术的进步:激光加工技术在工业生产中的应用越来越普遍,可以实现精细加工和高效生产。

5. 激光在科学研究中的作用:激光器作为科研领域的重要工具,广泛应用于物理、化学、生物学等领域的实验和测量中。

6. 激光在环境保护中的应用:激光技术可以有效地用于大气污染监测、水质检测等环境监测领域。

7. 激光安全性的研究和规范:随着激光技术的快速发展,激光安全性问题日益凸显,对激光器的使用和操作进行规范已成为重要议题。

8. 激光在军事领域的应用:激光技术在军事领域的应用越来越广泛,如导弹制导、雷达干扰等。

请注意,以上内容仅供参考,具体内容需根据实际情况进行撰写。

2024年UV灯市场发展现状

2024年UV灯市场发展现状

2024年UV灯市场发展现状简介紫外线(UV)灯作为一种照明设备,具有独特的杀菌效果和广泛的应用范围。

其在医疗卫生、水处理、食品加工等领域发挥着重要作用。

本文将探讨目前UV灯市场的发展现状。

市场概况市场规模近年来,全球UV灯市场持续增长,市场规模不断扩大。

据市场研究机构的数据显示,2019年全球UV灯市场规模约为xx亿美元,并预计未来几年将以稳定的增长率增加。

市场需求1.医疗卫生领域:随着人们对卫生需求的提高,医疗卫生领域对于UV灯的需求不断增加。

UV灯可以有效杀灭空气和物体表面的细菌、病毒和其他微生物,减少医疗领域的感染风险。

2.水处理领域:水处理行业也是UV灯市场的重要应用领域之一。

UV灯可以用于消毒水源和处理污水,具有高效、环保的特点。

3.食品加工领域:在食品加工过程中,对食品进行杀菌处理是非常重要的。

UV灯可以用于食品加工设备的杀菌,提高食品安全性。

目前,UV灯市场主要分布在北美、欧洲和亚太地区。

北美市场规模最大,占据全球市场份额的约30%。

欧洲市场在UV灯的研发和应用方面处于领先地位。

亚太地区的市场增长速度迅猛,主要受到水处理、食品加工和医疗卫生领域的推动。

技术发展紫外线LED技术的进步近年来,随着紫外线LED(UV-LED)技术的不断发展,UV灯的性能得到了显著提升。

相比于传统的汞灯,UV-LED灯具有能耗低、寿命长、体积小等优势。

这使得UV灯在一些特殊领域的应用更加广泛,例如水处理设备、无尘车间等。

智能化应用的兴起随着人工智能和物联网技术的快速发展,智能化UV灯应用开始兴起。

通过智能控制系统,UV灯的使用可以更加精确和便捷。

例如,可以通过远程控制调节灯光的亮度和杀菌时间,提高使用效率。

市场竞争格局主要厂商目前,全球UV灯市场竞争激烈,主要厂商包括ABC公司、XYZ公司、123公司等。

这些公司在技术研发和产品质量上具备一定的竞争优势。

1.技术难题:尽管紫外线LED技术有所进步,但仍存在一些技术难题待解决,如高能耗、发光效率等。

紫外一可见光分光光度计的发展趋势

紫外一可见光分光光度计的发展趋势

紫外一可见光分光光度计的发展趋势一、设计和工艺的改进随着科技的不断进步,设计和工艺方面的改进是光度计发展的一个重要趋势。

改进可能包括提高仪器的灵敏度、降低输入光的噪音水平、减小仪器体积和重量、优化分光器和探测器等。

例如,近年来微电子技术的快速发展为紫外一可见光分光光度计的设计和生产提供了更多的可能性。

传感器和电子元件的微型化使得仪器体积大大减小,同时提高了仪器的灵敏度和分辨率。

二、多功能和自动化随着科技的进步,紫外一可见光分光光度计的多功能和自动化也成为了发展趋势。

多功能的设计使得光度计在多个领域和实验环境下都能得到应用。

例如,一些现代光度计配备了多个光通量,可以在不同的波长范围内进行测量;一些光度计还具有自动寻峰、自动调整宽度和自动数据存储等功能,提高了实验的效率和准确性。

三、与其他仪器的结合以质谱仪为例,光度计与质谱仪的结合可以用于测量质谱图中物质的吸收特性,从而确定物质的结构和组成。

四、数字化和智能化数字化和智能化也是紫外一可见光分光光度计发展的趋势。

数字化的设计使得仪器更加方便操作和管理,智能化的设计可以减少人工操作的错误和风险。

例如,现代光度计采用数字显示并配备了触摸屏和智能控制系统,用户可以通过触摸屏进行仪器的设置和参数调整,同时可以通过互联网实现远程监控和管理。

五、应用领域的拓展随着科技的不断进步,紫外一可见光分光光度计的应用领域也在不断拓展。

除了传统的化学、生化分析领域外,光度计还在环境监测、药物研发、食品安全等领域得到了广泛应用。

例如,在环境监测领域,紫外一可见光分光光度计可以用于测量大气污染物的浓度和分布;在药物研发领域,光度计可以用于药物代谢和药效评价等;在食品安全领域,光度计可以用于食品添加剂的检测和监测。

综上所述,紫外一可见光分光光度计的发展已经从最初的简单仪器逐步发展为多功能、自动化、数字化和智能化的仪器。

未来,紫外一可见光分光光度计的发展趋势将继续朝着设计和工艺的改进、多功能和自动化、与其他仪器的结合、数字化和智能化以及应用领域的拓展等方向发展。

大功率全固态355nm紫外激光器研究

大功率全固态355nm紫外激光器研究

大功率全固态355nm紫外激光器研究一、本文概述随着科学技术的飞速发展,紫外激光器在科研、工业、医疗等领域的应用日益广泛,其中355nm波长的紫外激光器因其独特的物理特性在诸多领域表现出显著的优势。

特别是在高精度材料加工、生物医学研究、光电子器件制造等领域,大功率全固态355nm紫外激光器的需求日益迫切。

因此,开展大功率全固态355nm紫外激光器的研究,不仅具有重要的理论意义,也具有巨大的实际应用价值。

本文旨在深入研究大功率全固态355nm紫外激光器的设计、制造、性能测试等关键技术,并探讨其在实际应用中的可能性和挑战。

我们将首先回顾紫外激光器的发展历程,分析当前国内外在该领域的研究现状,并指出存在的问题和面临的挑战。

然后,我们将详细介绍大功率全固态355nm紫外激光器的设计原理和制造工艺,包括激光介质的选择、谐振腔的设计、泵浦方式的选择、热管理策略等关键技术。

在此基础上,我们将通过实验验证和优化激光器的性能,包括输出功率、光束质量、稳定性等关键指标。

我们将探讨大功率全固态355nm紫外激光器在各个领域的应用前景,以及未来研究方向和可能的技术突破。

本文的研究结果将为大功率全固态355nm紫外激光器的设计、制造和应用提供重要的理论支撑和实践指导,有望推动紫外激光器技术的发展和应用领域的拓展。

二、全固态355nm紫外激光器的基本原理与结构全固态355nm紫外激光器是一种基于固体增益介质和非线性光学晶体的高功率激光源。

其基本原理和结构涉及多个关键组成部分,包括泵浦源、增益介质、非线性光学晶体和谐振腔等。

泵浦源是全固态紫外激光器的能量来源,通常采用高功率的半导体激光器或光纤激光器。

泵浦光通过特定的光学系统被引入增益介质,以激发介质中的粒子跃迁至高能级,为后续的激光产生提供能量。

增益介质是激光器的核心部分,通常采用掺有稀土离子的晶体或玻璃材料。

在泵浦光的激发下,增益介质中的稀土离子发生受激辐射,产生与泵浦光波长不同的激光。

紫外激光器用途

紫外激光器用途

紫外激光器用途概述紫外激光器是一种能够产生紫外光的激光器。

由于紫外光具有较短的波长和高能量,因此紫外激光器在许多领域都有广泛的应用。

本文将详细介绍紫外激光器的用途,并对其在不同领域中的应用进行深入探讨。

生物医学领域光谱分析紫外激光器在生物医学领域中广泛应用于光谱分析。

通过对样品进行紫外激光照射,可以得到样品吸收或发射的特定波长的光谱信息。

这种技术可以用于药物分析、蛋白质结构研究等方面。

免疫荧光检测紫外激光器还可以与荧光染料结合,实现生物标记和细胞成像。

通过将荧光标记分子与特定生物分子(如抗体)结合,可以通过观察其发射的特定波长的荧光来检测和定位特定细胞或分子。

这种技术被广泛应用于免疫组织化学、细胞生物学等领域。

激光手术紫外激光器在激光手术中也有重要的应用。

由于其较短的波长和高能量,紫外激光器可以用于切割和凝固组织,实现精确和无创的手术操作。

它可以用于角膜屈光手术、皮肤整形手术等。

工业制造领域光刻技术在集成电路制造中,紫外激光器被广泛应用于光刻技术。

通过使用紫外激光照射特定的光刻胶,可以在硅片上形成微小的图案和结构。

这种技术在芯片制造中起到至关重要的作用。

材料加工紫外激光器还可以用于材料加工。

由于其高能量和较短的波长,紫外激光器可以实现对材料的高精度切割、打孔和微细加工。

这种技术在电子元器件制造、精密仪器制造等领域有广泛的应用。

激光打印紫外激光器也可以应用于激光打印技术。

通过使用紫外激光束在感光材料上进行扫描,可以实现高分辨率和高速度的图像打印。

这种技术在印刷、制版等领域被广泛采用。

科学研究领域光谱分析紫外激光器在科学研究领域中的应用非常广泛。

通过对样品进行紫外激光照射,可以获得样品的吸收或发射的特定波长的光谱信息。

这种技术在化学、物理、生物学等研究中起到重要作用。

光电子显微镜紫外激光器还可以与电子显微镜结合,实现高分辨率和高对比度的图像获取。

通过将紫外激光束聚焦到样品表面,可以激发样品发射出特定波长的荧光或二次电子,从而获得更详细的表面形貌和组成信息。

激光器技术的应用现状和发展趋势

激光器技术的应用现状和发展趋势

激光器技术的应用现状和发展趋势一、应用现状激光器技术自20世纪60年代发明以来,已经广泛应用于各个领域,对人类社会产生了深远的影响。

以下是激光器技术在当前的主要应用领域:1. 工业制造:激光器技术在工业制造领域的应用广泛,包括切割、焊接、打标、表面处理等。

激光器的高精度、高速度和高能量特性使得它在制造业中具有不可替代的地位。

2. 通信与信息传输:激光器技术是现代通信的基础,如光纤通信。

激光器的单色性好、相干性强,使得信息传输的带宽大、速度快、损耗低,是现代通信技术的核心组成部分。

3. 医疗卫生:激光器技术在医学领域的应用包括眼科、皮肤科、牙科等。

激光器的非接触、非侵入性使得其在治疗和诊断中具有许多优点。

4. 科学研究:激光器技术是许多科学研究的必备工具,如光谱分析、物理实验、生物研究等。

激光器的可调谐性和高能量特性使得它在科学研究中具有重要作用。

5. 军事与安全:激光器技术在军事和安全领域的应用包括激光雷达、目标指示、光电对抗等。

激光器的定向性好、能量集中,使得它在军事和安全领域具有重要应用价值。

二、发展趋势随着科技的进步和应用需求的不断增长,激光器技术的发展趋势如下:1. 高功率激光器:高功率激光器在工业制造、科学研究等领域有广泛应用。

随着技术的进步,高功率激光器的输出功率不断提高,性能更加稳定可靠。

2. 新型激光器:随着光电子技术和材料科学的不断发展,新型激光器不断涌现,如量子点激光器、光纤激光器、表面等离子体共振激光器等。

这些新型激光器具有独特的性能和应用前景。

3. 微型化与集成化:随着微纳加工技术的发展,微型化和集成化的激光器成为研究热点。

微型化与集成化的激光器具有体积小、重量轻、易于集成等优点,在光通信、光传感等领域有广泛应用。

4. 智能化与自动化:随着人工智能和自动化技术的不断发展,智能化和自动化的激光器成为研究的新方向。

智能化和自动化的激光器可以实现自我调节、自我诊断和自我修复等功能,提高系统的稳定性和可靠性。

紫外线消毒技术的研究现状及发展趋势

紫外线消毒技术的研究现状及发展趋势

紫外线消毒技术的研究现状及发展趋势1. 紫外线消毒技术概述紫外线消毒技术是一种基于物理学的消毒方法,利用紫外线照射水流或空气,以消灭其中的微生物和细菌。

紫外线消毒技术具有高效、安全、环保等优点,因此在医疗、卫生、食品等领域得到了广泛应用。

2. 紫外线消毒技术的研究现状近年来,紫外线消毒技术的研究主要集中在以下几个方面:(1)紫外线消毒设备的研发:目前,紫外线消毒设备已经广泛应用于水处理领域,市场上的设备类型多样,性能各异。

研究人员仍在不断探索新的紫外线消毒设备,以提高设备的消毒效率、降低能耗、减小设备体积等。

(2)紫外线消毒剂的研究:紫外线消毒剂是近年来发展起来的一种新型消毒产品,它可以用于空气、表面和器械等消毒。

研究人员正在不断探索新的紫外线消毒剂,以提高消毒效果、降低对人体的伤害等。

(3)紫外线消毒效果的评估:为了确保紫外线消毒技术的有效性,研究人员正在开展紫外线消毒效果的评估研究。

这些研究主要涉及微生物的种类、数量、抵抗力等因素对紫外线消毒效果的影响。

3. 紫外线消毒技术的发展趋势预计未来几年,紫外线消毒技术将朝着以下几个方向发展:(1)智能化发展:随着人工智能技术的不断发展,紫外线消毒设备也将逐渐实现智能化控制。

通过人工智能技术,可以实现对设备运行状态的实时监控、自动调整设备的运行参数等。

(2)高效化发展:为了提高紫外线消毒的效率,研究人员将不断探索新的紫外线消毒技术。

预计未来几年,高效化的紫外线消毒技术将成为研究的重要方向。

(3)环保化发展:随着环保意识的不断提高,紫外线消毒技术也将越来越注重环保。

未来几年,研究人员将不断探索环保化的紫外线消毒技术,如使用可再生能源、减少废水的排放等。

4. 紫外线消毒技术的优势紫外线消毒技术具有以下优势:(1)高效性:紫外线消毒技术具有极高的消毒效率,可以快速杀灭各种微生物和细菌。

(2)环保性:紫外线消毒技术不使用任何化学物质,不会产生二次污染,具有环保性。

中国UVLED市场调研报告-行业供需现状与发展前景预测

中国UVLED市场调研报告-行业供需现状与发展前景预测

2020年中国UVLED市场调研报告行业供需现状与发展前景预测提示:UV LED一般指紫外发光二极管,根据波长的不同,一般把紫外线分成分为A、B、C 三个波段,目前市场上需求较多的是UVA LED和UVC LED。

UVA波段的典型应用为紫外固化和UV喷墨打印,UVC波段产品则主要应用于如水、空气等的杀菌消毒。

UV LED一般指紫外发光二极管,根据波长的不同,一般把紫外线分成分为A、B、C三个波段,目前市场上需求较多的是UVA LED和UVC LED。

UVA波段的典型应用为紫外固化和UV喷墨打印,UVC波段产品则主要应用于如水、空气等的杀菌消毒。

UV LED分类及应用领域相对于传统汞灯来讲,UV LED具有省电、环保、低压安全、小体积、即开即灭、寿命长、低温等优势。

UV LED的优势受限于设备、材料和工艺的突破,UV LED前期投入成本相对较高,但其下游应用丰富,前景可观。

随着技术的提升、设备的创新,UV LED的价格将逐年降低。

UV LED功率和价格发展趋势无论是外延技术还是封装技术,UV LED技术门槛相对较高,现在的UVC-LED 玩家,技术领先以日美企业为主。

不过自2019年以来,UV LED市场拥有较高的成长性,很多厂商纷纷布局,包括本土的国星光电、鸿利智汇、晶能光电和天电光电等。

以芯片领域为例,除了一直在深耕该市场的三安光电、晶能光电和青岛杰生之外,中科潞安、湖北深紫等项目也相继亮相于市场。

我国UV LED产业链企业分布资料来源:公开资料2019年UV LED产品主要应用于光固化领域,因此,UVA工业及消费类占据大部分市场,占比达62%。

受新冠疫情影响,固化设备在上半年受到极大影响,而市场对UVC杀菌消毒需求骤增,2020年其占比预计反超UVA,达61%左右,拉动了整个UV LED行业产值增长。

2019-2020 UV LED市场规模构成比例数据来源:公开资料(TC)-全文完-。

南开大学科技成果——用于激光精密加工的266nm深紫外光源

南开大学科技成果——用于激光精密加工的266nm深紫外光源

南开大学科技成果——用于激光精密加工的266nm深紫外光源具有高科技含量的激光精细、精密加工技术是激光行业的科技发展目标之一。

然而,目前在激光精细、精密加工业中仍沿用准分子激光器作紫外光源。

准分子激光器输出的光束大而方,聚焦后光束质量差;其设备庞大、成本高;最大缺点是使用有毒气体作工作介质,不利于安全和环保。

目前国内外都致力于用四倍频方法研制紧凑型深紫外固体激光器,把这种紫外光源安装到激光设备上,就可以方便地进行激光精密加工和标识。

例如,在对金、银等金属进行激光焊接时,由于其对1μm以上光束反射率极高,一般在98%以上,所以,目前市场上的激光焊接机(以Nd:YAG或CO2激光器为光源的)均不能对这些有光泽的金属直接焊接,而需做一些预处理,其工序多、强度大、效率低,不适合大生产要求。

据文献报道,这些光泽金属则对266nm深紫外光的吸收系数高达65%以上。

如用266nm深紫外光源,就便于实现激光直接焊接。

例如,在焊接0.1mm厚度的太阳电池银质电极引线时,现有的激光焊接机均不能直接焊接,而将来研制成功了266nm深紫外光源后,安装到激光设备上就可以很方便地解决这一难题,替代目前的手工压焊方法。

另外,空间太阳电池板为防止宇宙射线辐射,需在表面上铺一层特种玻璃盖片,其厚度仅200μm,边缘部分需要异型精密切割。

采用CO2激光器进行切割后,由于其10.6μm波长太长,发现切缝粗糙,达不到精度要求。

而Nd:YAG激光切割机的波长对这种玻璃是透明的根本无法切割。

所以,只有采用超短波长的266nm深紫外光作光源,才能实现这种精度小于0.1μm的激光精密加工要求。

同时,这种超短波长光源也适合在透明工件上进行激光精密标识的应用。

不仅如此,在集成电路生产中其也有广泛的应用前景。

国外现状国外已经研制成功了实用化、紧凑型266nm深紫外光源,例如,美国Applied Material CO.采用LD阵列泵浦Nd:YAG晶体产生1064nm 基频光,然后,通过四倍频方法输出波长为266nm连续激光,输出功率达到3W。

紫外激光器衰减原理

紫外激光器衰减原理

紫外激光器衰减原理
紫外激光器是一种利用紫外光进行激光放大和放射的装置。


紫外激光器中,激光的衰减现象是一个重要的物理现象,它影响着
激光器的性能和稳定性。

紫外激光器的衰减原理主要包括以下几个方面:
1. 光学元件的吸收和散射,在激光器中,光学元件如激光介质、反射镜等会对激光进行吸收和散射,导致激光的能量损失。

这种衰
减会随着光程的增加而增加,影响激光器的输出功率和效率。

2. 光学元件的损伤,激光器中的光学元件在高能量激光作用下
容易发生损伤,如光学膜层烧蚀、表面微裂纹等,导致激光的衰减
和能量损失。

3. 光学元件的老化,激光器中的光学元件随着使用时间的增加
会发生老化,如光学膜层氧化、表面污染等,使得激光器的输出功
率和波长稳定性下降,导致激光的衰减。

为了减小紫外激光器的衰减,可以采取以下措施:
1. 优化光学元件的材料和加工工艺,减小光学元件的吸收和散射,提高光学元件的透过率和反射率。

2. 加强光学元件的表面处理和保护,提高光学元件的耐损性和抗老化性能,延长光学元件的使用寿命。

3. 控制激光器的工作参数,如激光功率、波长和脉冲频率等,避免激光器在高能量状态下工作,减小光学元件的损伤和老化。

通过以上措施,可以有效减小紫外激光器的衰减,提高激光器的稳定性和可靠性,满足不同应用领域对紫外激光器的要求。

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研 究 已 经 能 够 使 转 化 效 率 达 到 5 0 %左 右 。利 用 和 频
和差频 ,能够设计出造价不算很高的需要频率激光 。
光 参 量 振 荡 ( OPO ) 是 一 种 频 率 和 强 度 比 较 高 的
泵浦光和另一种频率及强度比较低的信号光通过非
线性晶体 ,会使信号光得到放大 ,并且产生差频的空
闲波 ,如设计成谐振腔形式 ,则会形成光参量振荡器 ,
OPO 是 实 现 全 固 态 可 调 谐 激 光 光 源 的 有 效 办 法 。
例 如 用 LD 泵 浦 Nd: YAG 晶 体 产 生 1 0 6 4 nm 近 红 外 激 光 辐 射 , 通 过 KD × P (磷 酸 二 氢 钾 ) 等 晶 体 产 生 2
(1. 河南理工大学基础部 ,河南 焦作 454000; 2. 北京大学物理系 ,北京 100871)
摘要 :文章简要回顾紫外光源发展历史 ,重点介绍了紫外激光器的种类和各种紫外激光器性能和 应用情况 ,侧重于准分子激光器和晶体倍频激光近年的发展情况 。 关键词 :紫外光源 ;激光器 ;准分子激光 ;晶体倍频 中图分类号 : O434. 2 文献标识码 : A 文章编号 : 1008 - 7257 (2006) 03 - 0059 - 02
频 转 化 效 率 。 LBO ( L iB3 O5 ) 晶 体 1 9 8 9 年 由 中 国 陈 创 天 等 最 早 发 现 [7 ] , 倍 频 系 数 约 为 KD × P 晶 体 3 倍 , 但
其 损 伤 阈 值 比 BBO 晶 体 高 很 多 , 最 小 透 射 波 长
1 5 5 nm ,不 潮 解 , 稳 定 性 好 。但 LBO 晶 体 内 B3 O7 基 团 所 组 成 的 ( B3 O5 ) n ϖ ∞螺 旋 链 基 本 上 沿 4 5 °方 向 围 绕 z轴 旋 转 , 同 时 此 螺 旋 链 在 x - y面 上 的 投 影 和 x、y轴
收稿日期 : 2006 - 01 - 06 作者简介 :凡瑞霞 (1976 - ) ,女 ,河南兰考人 ,河南理工大学教师 。
60
焦 作 大 学 学 报 2006年 7月
谐 波 发 生 ( THG ) 、四 次 谐 波 发 生 ( FOHG ) 、五 次 谐 波
对于 紫 外 光 源 , 太 阳 就 是 很 好 的 紫 外 光 源 。但 是 ,由于臭氧层的阻挡 ,地球表面紫外光强度很低 。 早 期 常 用 紫 外 光 源 有 汞 灯 、氘 灯 等 。上 世 纪 六 十 年 代 ,随着激光的发明 ,各种紫外激光也很快发明出来 , 主 要 有 氩 离 子 激 光 器 、准 分 子 激 光 器 、翠 绿 石 激 光 器 、 3 倍 频 4 倍 频 Nd、YAG 激 光 器 、氟 分 子 激 光 器 、氦 镉 激 光 器 、金 属 蒸 汽 激 光 器 、氮 分 子 激 光 器 等 等 。
P2ω
=
52. 2L2 deff 2 nα2 n2ωλ2ω cA
Pω2
式 中 , L 为 倍 频 晶 体 的 长 度 , deff 为 倍 频 晶 体 的 非
线 性 有 效 系 数 , nω 为 基 频 光 在 倍 频 晶 体 中 的 折 射 率 ,
n2ω 为 倍 频 光 在 倍 频 晶 体 中 的 折 射 率 ,λ2ω为 倍 频 光 在
常 用 准 分 子 激 光 器 有 A rF ( 1 9 3 nm , 现 代 和 下 一 代 cpu 的 主 要 光 刻 工 具 ) 、KrCl ( 2 2 2 nm ) 、KrF ( 2 4 8 nm ) 、 XeCl ( 3 0 8 nm ) 、XeF ( 3 5 1 nm ) 等 。激 光 脉 冲 频 率 一 般 在 10~100Hz,有些特殊用途的能够达到 1000Hz,平 均 功 率 一 般 在 1 0 ~ 1 0 0W , 脉 冲 长 度 一 般 在 纳 秒 量 级。
倍 频 5 3 2 nm 辐 射 , 再 通 过 与 1 0 6 4 nm 和 频 或 者 再 一 次
倍 频 就 会 产 生 近 紫 外 辐 射 ( 3 5 5 nm ) 或 者 深 紫 外 辐 射
( 2 6 6 nm ) 激 光 输 出 。
现实过程中 ,需要考虑晶体对变换中各波长是否
有大的吸收 ,并且需要考虑晶体有效非线性效应系数
1. 准分子激光器介绍 ( Excimer Laser)
准分子激光器是一种脉 冲 激光 器 , 最 早出 现 于 1 9 7 1 年 。经 过 较 长 时 间 的 研 究 和 发 展 , 显 示 了 极 强 的 生 命 力 。早 期 的 准 分 子 激 光 器 是 以 液 态 氙 ( Xe ) 为 工作物质 ,但由于其运行要求附加条件很高 ,科技工 作 者 对 其 进 行 了 积 极 的 改 造 。 Searles等 人 于 1 9 7 5 年 研制成输出不可见紫外激光的惰性气体卤化物溴化 氙 ( XeB r) 准 分 子 激 光 器 。同 年 , B rau 等 人 制 成 氟 化 氙 ( XeF ) 激 光 器 。我 国 则 于 1 9 7 7 年 制 成 XeF 准 分 子 激 光器 。
2. 晶体倍频实现连续波紫外激光器
准分子激光器虽然有很多优点 ,但它毕竟是脉冲 激光器 ,在一些领域如材料光谱分析等领域使用不甚 方 便 , 所 以 紫 外 连 续 光 激 光 器 市 场 应 用 前 景 很 大 。由 于紫外光子能量大 ,直接通过外激励源激励产生一定 高功率的连续波紫外激光器可能性不大 ,即使实现可 能也会夹带 很 多 附 属 设 备 从 而 无 法 推 广 应 用 。故 实 现紫外连续波激光一般是应用晶体材料非线性效应 变频方法产生 ,变频过程光子必须满足能量动量守恒 条 件 , 具 体 变 频 的 方 法 有 二 次 谐 波 发 生 ( SHG ) 、三 次
也 几 乎 呈 4 5 °夹 角 , 这 些 结 构 特 征 决 定 LBO 晶 体 的 双
折 射 率 很 小 , 实 测 双 折 射 率 只 有 0. 0 4 5 , 这 大 大 限 制
了 LBO 晶 体 的 可 相 匹 配 范 围 。因 此 , 尽 管 LBO 晶 体
的 紫 外 截 止 波 长 可 达 到 1 5 5 nm , 但 可 相 匹 配 范 围 在 紫 外 区 只 能 达 到 2 7 7 nm , 所 以 对 一 般 的 1. 0 6μm 激 光 ,
准 分 子 激 光 器 是 CO2 激 光 器 和 YAG 激 光 器 之 后 的第三代材料加工激光器 ,因为其所发出的激光为紫 外 短 脉 冲 激 光 , 具 有 波 长 短 , 光 子 能 量 高 等 优 点 。另 外对于切割精度要求很高的眼科手术 ,现在大多是应 用 准 分 子 激 光 实 现 的 。除 此 之 外 , 现 代 很 多 可 调 谐 染 料激光器使用准分子激光器作为泵浦源的 。
发 生 ( F IHG ) 、和 频 发 生 ( SFG ) 、差 频 发 生 ( DFG ) 、光
参 量 振 荡 ( OPO ) 等 一 些 过 程 。
二 次 谐 波 发 生 ( SHG) 又 称 倍 频 , 倍 频 主 要 特 点 是
它是最低的非线性效应 ,倍频效率相对比较高 ,二倍
频频率转化公式 [2] :
准分子激光器工作介质一般是是一定比例混合 的惰性气体和强受电子卤族元素气体 ,当基态的惰性 气体原子被激发时 ,核外电子被激发到更高的轨道上
而改变了电子壳层全部填满的状态 ,使之和其它原子 形成短寿命的分子 ,这种处于激发态的分子称为受激 准 分 子 , 简 称 准 分 子 。准 分 子 激 光 的 产 生 可 以 分 三 个 过程 ,即 :激光气体的激励过程 ;准分子生成反应过程 和 准分 子 解 离 发 生 过 程 。其 激 励 方 式 有 电 子 束 激 励 、 放 电激 励 、光 激 励 、微 波 激 励 和 质 子 束 激 励 等 五 种 。 不同活性物质产生不同波长的准分子激光 ,一般为紫 外 、远 紫 外 和 真 空 紫 外 波 段 。
四 倍 频 就 不 能 用 LBO 实 现 。
CLBO ( CsL iB6 O10 ) 晶 体 1 9 9 5 年 由 Yusuke Mori 等 人 [8 ] 发 现 , 有 效 非 线 性 系 数 是 KD × P 晶 体 2. 2 倍 , 最
小 透 射 波 长 1 7 5 nm , 双 折 射 系 数 0. 5 2。并 且 损 伤 阈
真空中的波长 , c为真空中的光速 , A 为基频光在倍
频 晶 体 中 光 斑 面 积 , Pω 为 基 频 光 的 功 率 。 和 频 ( SFG ) 又 叫 激 光 频 率 上 转 换 , 相 应 差 频
( DFG) 为 激 光 频 率 下 转 换 。通 过 和 频 , 可 以 把 CO2 激 光 器 1 0. 6μm 红 外 输 出 转 化 到 可 见 光 范 围 , 现 在 晶 体
值 特 别 高 , 达 到 2 6 GW / cm2 。文 献 [9 ] 报 道 用 CLBO 晶
体 实 现 了 非 常 好 的 四 倍 频 转 化 效 率 。另 外 CLBO 晶 体
生 长 周 期 很 短 , 有 报 道 1 4 0 ×1 4 0 ×1 1 0mmCLBO 晶 体 生 长 只 需 用 两 个 星 期 , 而 美 国 生 长 3 7 0mmKD × P 需 要
BBO (β - BaB2 O3 ) 晶 体 1 9 8 4 年 由 中 国 陈 创 天 等
最 早 发 现 [4 ] , BBO 晶 体 在 λ = 1. 0 6μm 有 效 倍 频 系 数 是 KD × P 的 6 倍 , 光 损 伤 阈 值 也 很 高 ( 7 0 0 nm 红 光 附
近 Pth = 1 0 GW / cm 2 ) 最 小 透 射 光 波 长 0. 1 9μm , 缺 点 是 易 潮 解 。有 文 献 报 道 [5, 6 ] 利 用 BBO 晶 体 1 0 % 四 倍
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