可控硅参数名词解释
可控硅参数说明
符号说明：VRRM--反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM――断态重复峰值电压；断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV)/ IF(AV)--通态/正向平均电流；在环境温度+40℃和额定结温下，导通角不小于170°阻性负载电路中，允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS), I F(RMS)――通态/正向方均根电流；是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流；指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流（半个正弦波t=10ms, 50Hz）I2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量，是电流的平方乘以时间，表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率；门极触发电压与最大触发电流的乘积；P G(AV) --门极平均功率；门极触发电压与正常触发电流的乘积；di/dt--通态电流临界上升率；指在额定结温下，可控硅能承受的最大通态电流上升率（如果电流上升太快，可能造成局部过热而使可控硅损坏）V ISO--绝缘电压；芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温；可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温；可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
可控硅参数名词解释
晶闸管参数名词解释1.反向重复峰值电压（V RRM）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压，包括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。
注：反向重复峰值电压（V RRM）是可重复的，值大于工作峰值电压的最大值电压，如每个周期开关引起的毛疵电压。
2.反向不重复峰值电压（V RSM）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。
2）测试条件：a）结温：25℃和125℃； b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS的正弦半波； d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：反向不重复峰值电压注：反向不重复峰值电压（V RSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重复峰值电压的最大值电压。
通常标准规定V RSM =1.11V RRM。
应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都不得超过不重复峰值电压。
3.通态方均根电流（IT(RMS)）：通态电流在一个周期内的方均根值。
4.通态平均电流(IT(AV))：通态电流在一个周期内的平均值。
5.浪涌电流（I TSM）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电流。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。
2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重复峰值电压；d)每次浪涌的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间6.通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。
1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。
2）测试条件：a)加通态电流前结温： 125℃；b)门极触发条件：I GM=3～5I GT；c)开通前断态电压V DM=2/3V DRM ；d)开通后通态电流峰值：2 I T（AV）～3I T（AV）； e)t1≥1us；f)重复频率：50HZ；g)通态电流持续时间：5s。
可控硅参数注释范文
可控硅参数注释范文可控硅（SCR）是一种具有控制能力的半导体器件，它主要用于功率电子应用中的开关和控制。
可控硅的特殊之处在于，一旦启动，它将一直处于导通状态，直到电流降至零或有外部信号来控制其关断。
以下是可控硅的一些重要参数的注释。
1. 负阻抗比例器（Negative Impedance Proportioner，NIP）：负阻抗比例器是此器件的一项重要参数。
它是可控硅的输入特性的度量标准，它表示了控制电压和控制电流之间的关系。
只有当控制电压的变化导致控制电流的相反变化时，负阻抗比例器才被视为合适的。
2. 正向阻抗（Forward Impedance）：正向阻抗是指从可控硅正向电压到正向电流之间的阻抗。
通常使用恒定的电流作为输入，并测量输出的电压。
正向阻抗的数值约低，可控硅的性能越好，因为这意味着它能更好地通过电流。
3. 反向阻抗（Reverse Impedance）：反向阻抗是指从可控硅反向电压到反向电流之间的阻抗。
类似于正向阻抗，较低的数值代表了更好的性能。
反向阻抗通常很高，以防止在正向电压下产生反向电流。
4. 触发电压（Trigger Voltage）：触发电压是指可控硅所需的最低电压，以便使其从关断状态转变为导通状态。
较低的触发电压意味着它更容易被启动，而较高的触发电压可能导致可控硅无法正常启动。
5. 保持电流（Holding Current）：保持电流是可控硅在导通状态下所需的最低电流。
一旦电流低于保持电流，可控硅将自动从导通状态切换到关断状态。
保持电流的数值取决于设备的特性和工作要求。
6. 最大正向电压（Maximum Forward Voltage）：最大正向电压是可控硅所能承受的最大正向电压。
超过这个值，可控硅可能被损坏或无法正常工作。
因此，在设计和使用可控硅时，必须确保正向电压不超过最大正向电压。
7. 极限温度（Junction Temperature Limits）：极限温度是可控硅能够承受的最高温度和最低温度。
可控硅的主要参数与可控硅的基本用途
可控硅的主要参数与可控硅的基本用途可控硅主要参数——电流：1、额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。
常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。
常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3、控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。
常用可控硅的IGT 一般为几微安到几十毫安。
4、在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
可控硅的封装：常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等。
可控硅的用途：普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。
以最简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。
画出它的波形（c）及（d），只有在触发脉冲Ug 到来时，负载RL上才有电压UL输出。
Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。
通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。
在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。
这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。
很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。
通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。
额定电流：IA小于2A。
2：大、中功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。
t0410可控硅参数
t0410可控硅参数摘要：1.介绍可控硅的基本概念和原理2.详述可控硅的参数及其作用3.分析可控硅参数对电路性能的影响4.总结可控硅参数的重要性正文：可控硅，全称为可控硅控流器件，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
可控硅在电气工程中有着广泛的应用，如整流、交直流转换、逆变等。
对于可控硅的使用，了解其参数特性至关重要。
本文将详细介绍可控硅的参数及其作用，并分析参数对电路性能的影响。
首先，我们来了解可控硅的基本概念和原理。
可控硅的结构包括四层，分别是：第一层N 型半导体、第二层P 型半导体、第三层N 型半导体和第四层P 型半导体。
其中，第一层和第三层称为发射极，第二层和第四层称为集电极。
可控硅的工作原理是，当控制极施加正向电压时，发射极与集电极之间的电流得以导通；当控制极施加负向电压时，发射极与集电极之间的电流截止。
接下来，我们来详述可控硅的参数及其作用。
可控硅的主要参数有：1.额定电压：指可控硅在正常工作状态下，可以承受的最大电压。
选用可控硅时，应确保其额定电压大于电路中的最大电压。
2.额定电流：指可控硅在正常工作状态下，可以承受的最大电流。
选用可控硅时，应确保其额定电流大于电路中的最大电流。
3.控制极触发电压：指控制极施加正向电压时，使可控硅导通的最小电压。
控制极触发电压越低，可控硅的灵敏度越高。
4.动态响应特性：指可控硅在开关状态下，电流从导通到截止或从截止到导通的时间。
动态响应特性越短，可控硅的开关速度越快。
5.温度特性：指可控硅在不同温度下，参数值的变化。
温度特性好的可控硅，在不同温度下参数变化较小，稳定性较高。
然后，我们来分析可控硅参数对电路性能的影响。
可控硅参数的选取应综合考虑电路的工作电压、工作电流、控制方式等因素。
选取不合适的可控硅参数，可能导致电路性能不佳，如工作不稳定、温升过高等问题。
因此，合理选择可控硅参数是提高电路性能的关键。
最后，我们总结可控硅参数的重要性。
可控硅参数说明(精)
符号说明:VRRM--反向重复峰值电压:在控制极断路和额定结温的条件下,可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压,规定为反向漏电流急速增加,反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压;在控制极断路和额定结温的条件下,不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM――断态重复峰值电压;断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV/ IF(AV--通态/正向平均电流;在环境温度+40℃和额定结温下,导通角不小于170°阻性负载电路中,允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS, I F(RMS――通态/正向方均根电流;是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值,用户在使用中须保证,在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流;指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50HzI2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量,是电流的平方乘以时间,表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率;门极触发电压与最大触发电流的乘积;P G(AV --门极平均功率;门极触发电压与正常触发电流的乘积;di/dt--通态电流临界上升率;指在额定结温下,可控硅能承受的最大通态电流上升率(如果电流上升太快,可能造成局部过热而使可控硅损坏V ISO--绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温;可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
y65kphot可控硅参数解读
y65kphot可控硅参数解读
（实用版）
目录
1.可控硅的基本概念与结构
2.可控硅的参数及其含义
3.y65kphot 型号可控硅的主要参数解读
4.y65kphot 型号可控硅的应用领域
5.结论
正文
一、可控硅的基本概念与结构
可控硅，全称为可控硅控整流器，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它主要由 p 型半导体、n 型半导体以及控制极组成，结构如图 1 所示。
可控硅广泛应用于交流调速、逆变器、斩波器、恒流源等领域。
二、可控硅的参数及其含义
可控硅的参数主要包括：额定电压、额定电流、控制极触发电流、动态响应特性等。
1.额定电压：可控硅在正向导通状态下，所能承受的最大电压。
2.额定电流：可控硅在正向导通状态下，所能承受的最大电流。
3.控制极触发电流：也称为门限电流，是指控制极电流达到一定值时，可控硅开始导通的最小电流。
4.动态响应特性：可控硅从关态到导态的切换速度。
三、y65kphot 型号可控硅的主要参数解读
y65kphot 型号可控硅是一款常见的可控硅型号，其主要参数如下：
1.额定电压：600V
2.额定电流：50A
3.控制极触发电流：50μA
4.动态响应特性：快速
四、y65kphot 型号可控硅的应用领域
y65kphot 型号可控硅广泛应用于工业控制、交流调速、逆变器、斩波器、恒流源等领域，具有较强的通用性和稳定性。
五、结论
可控硅作为一种重要的半导体器件，其参数对器件性能和应用范围具有重要影响。
可控硅的主要参数
可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（ SCR）即单向可控硅、双向可控硅（ TRIAC)和其它特殊可控硅。
可控硅的主要参数非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数1、额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极 --- 阴极间可以连续通过的50 赫兹正弦半波电流的平均值。
2 、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。
可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3 、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。
使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4 、控制极触发电流 Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--- 阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5 、维持电流 IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅的触发过零触发 - 一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
可控硅工作原理及参数详解
可控硅工作原理及参数详解可控硅（Silicon-Controlled Rectifier, SCR）是一种半导体器件，由四层P-N结构组成，具有三个电极：阳极（Anode）、阴极（Cathode）和门极（Gate）。
可控硅的工作原理如下：当阳极与阴极之间的电压达到一定的电压（称为激励电压），并且在门极上施加一个正脉冲电压时，P-N结上就会有电流通过，使得可控硅导通。
此时，可控硅的状态称为导通状态。
当阳极阴极之间的电压低于激励电压，或者在门极上施加的脉冲电压为零，或者阳极阴极之间的电流下降到可控硅的保持电流以下时，可控硅会进入截止状态。
可控硅具有以下几个重要的参数：1.阻断电压（VBO）：阻断电压是指可控硅在截止状态下能够承受的最高电压。
超过这个电压，可控硅就会击穿，产生电弧。
2.保持电流（IH）：保持电流是指可控硅在导通状态下必须保持的最小电流。
保持电流以下，可控硅会自动进入截止状态。
3.阻止电流（IDRM）：阻止电流是指可控硅在截止状态下流过的最大电流。
超过这个电流，可控硅可能会被损坏。
4.导通电压降（VF）：导通电压降是指当可控硅处于导通状态时，阳极与阴极之间的电压降低。
5.死区时间（tQ）：死区时间是指可控硅在接收到门极脉冲后，需要经过的一段时间才能将晶体管从截止状态切换到导通状态。
6.触发电流（IGT）：触发电流是指施加在门极上的脉冲电流，将可控硅从截止状态切换到导通状态的最小电流。
7.可控硅的响应时间：可控硅的响应时间是指从接收到触发信号到开始导通的时间。
可控硅的应用范围广泛，常见的应用包括交流电控制、瞬态电压抑制、开关电源和电机驱动等领域。
可控硅tyn0512参数
可控硅tyn0512参数
（实用版）
目录
1.可控硅的基本概念
2.TYN0512 型号的可控硅参数
3.参数的具体含义和应用
正文
可控硅是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它主要用于交流电路中的整流、交直流转换、逆变等。
其中，TYN0512 是我国常见的一种可控硅型号。
TYN0512 可控硅的主要参数包括：
1.额定电压（VRRM）：这是可控硅可以承受的最大反向电压。
TYN0512 的额定电压为 500V。
2.额定电流（ITRM）：这是可控硅的连续工作电流。
TYN0512 的额定电流为 5A。
3.控制极触发电流（IGT）：这是使可控硅导通的最小控制极电流。
TYN0512 的控制极触发电流为 10μA。
4.封装形式：TYN0512 可控硅有多种封装形式，如 TO-92、TO-126 等。
5.工作温度：TYN0512 可控硅的工作温度范围为 -55℃至 +150℃。
这些参数对于可控硅的使用和选择至关重要。
例如，根据电路的电压和电流需求，可以选择适当额定电压和电流的可控硅。
控制极触发电流则直接影响到可控硅的控制精度和功耗。
封装形式则关系到可控硅的安装和使用环境。
工作温度则直接关系到可控硅的稳定性和寿命。
总的来说，TYN0512 型号的可控硅以其优良的性能和参数，广泛应用
于我国的电子设备中。
mcr16可控硅中文参数
mcr16可控硅中文参数可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种常见的半导体器件，具有单向导电性能，可以控制电流的通断和导通时间。
MCR16是一种型号较为常见的可控硅，本文将详细介绍MCR16可控硅的中文参数。
MCR16可控硅的中文参数如下：1.最大额定电压（VDRM）：该参数表示可控硅能够承受的最大电压。
在MCR16中，最大额定电压为xxxV。
2.最大触发电压（VGT）：该参数表示可控硅需要达到的最小触发电压，才能将其从关断状态转变为导通状态。
在MCR16中，最大触发电压为xxxV。
3.最大锁定电流（IL）：该参数表示可控硅在锁定状态下的最大电流。
在MCR16中，最大锁定电流为xxxA。
4.最大导通电流（IT）：该参数表示可控硅能够承受的最大导通电流。
在MCR16中，最大导通电流为xxxA。
5.最大关断电流（IH）：该参数表示可控硅在关断状态下的最大电流。
在MCR16中，最大关断电流为xxxA。
6.最大反向耐压（VR）：该参数表示可控硅能够承受的最大反向电压。
在MCR16中，最大反向耐压为xxxV。
7.最大耗散功率（PD）：该参数表示可控硅在工作过程中的最大耗散功率。
在MCR16中，最大耗散功率为xxxW。
8.最大工作温度（Tj max）：该参数表示可控硅能够正常工作的最高温度。
在MCR16中，最大工作温度为xxx℃。
以上是MCR16可控硅的中文参数，这些参数对于使用者来说是非常重要的参考指标。
在实际的应用中，根据具体的电路要求和工作环境，选择合适的可控硅型号和参数，以确保设备的可靠性和安全性。
总结：本文对MCR16可控硅的中文参数进行了详细的介绍。
准确了解和理解可控硅的参数，有助于合理选择器件以满足电路需求。
在使用可控硅过程中，还需注意工作温度、额定电压等因素，以保证其正常工作和稳定性。
希望本文对读者在理解和选择MCR16可控硅上有所帮助。
100-6可控硅参数
100-6可控硅参数
可控硅的参数主要包括：
1. 最大可逆电压（Vdrm）：可控硅能承受的最大反向电压，
即在导通状态下达到最大电流时的最大电压。
2. 最大导通电流（It）：可控硅能承受的最大导通电流，即正
向电压下可控硅正常工作的最大电流。
3. 最大耐电压（Vrrm）：可控硅能够承受的最大封装之间的
电压，即在关断状态下存在的最大电压。
4. 触发电流（Igt）：触发可控硅进入导通状态所需的最小电流。
5. 灵敏度（Vgt）：触发可控硅进入导通状态所需的最小电压。
6. 关断能力（di/dt）：可控硅在关断状态下能够承受的最大电
流斜率，即由于关断过程中的电感效应引起的电流变化速率。
这些参数会根据不同的可控硅产品有所不同。
z3m可控硅参数
z3m可控硅参数【最新版】目录1.引言2.z3m 可控硅的基本概念3.z3m 可控硅的主要参数4.z3m 可控硅参数的测试方法5.结论正文1.引言可控硅，全称为可控硅控流器件，是一种半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它是由四层三端的结构组成，分别是三个控流端（A、B、C）和一个阴极端（K）。
z3m 可控硅是可控硅的一种型号，具有门极触发电压低、控制电流小、工作稳定性高等特点。
在工业生产和日常生活中，z3m 可控硅被广泛应用于交流调速、逆变器、整流器等电子设备中。
2.z3m 可控硅的基本概念z3m 可控硅的型号命名中，"z"代表整流器件，"3"代表该型号的可控硅为双向型，"m"则表示该型号的可控硅采用了模块化设计。
双向型可控硅意味着它可以在正负两个方向上导通，而模块化设计使得它具有较小的体积和较高的可靠性。
3.z3m 可控硅的主要参数z3m 可控硅的主要参数包括：(1) 额定电压：表示可控硅能承受的最高电压。
z3m 可控硅的额定电压范围为 600V 至 3200V。
(2) 额定电流：表示可控硅能承受的最大电流。
z3m 可控硅的额定电流范围为 5A 至 1000A。
(3) 控制电流：表示触发可控硅导通或截止所需的最小电流。
z3m 可控硅的控制电流范围为 0.5mA 至 2mA。
(4) 门极触发电压：表示可控硅门极电流为 1mA 时，可控硅开始导通的电压。
z3m 可控硅的门极触发电压范围为 0.2V 至 0.6V。
(5) 动态响应特性：表示可控硅从关态到开态，或从开态到关态所需的时间。
z3m 可控硅的动态响应特性较快，一般在几微秒至几十微秒之间。
4.z3m 可控硅参数的测试方法测试 z3m 可控硅参数时，需要使用专业的可控硅测试仪器，如数字万用表、示波器等。
具体测试步骤如下：(1) 将可控硅放入测试电路中，连接好电源和负载。
(2) 测量可控硅的静态工作点，即在正向电压下，调整电流，使可控硅处于导通状态。
可控硅的主要参数
四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT
在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。
五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV
在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。
0.8A
电压-VDRM:
≥600V
触发电流:
IGT:
5~15 uA
IGT:
30~60 uA元件.
型号MCR100-8
电流
0.8（A）
电压600（V）
触发电流10-60u（A）
结温110（℃IGT:
10~30 uA
在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。
二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT（AV）
在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数:
1额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
参数符号说明:
t0410可控硅参数
t0410可控硅参数
T0410是一种可控硅，也叫做铰接可控硅（Junction Controlled Thyristor），是一种功率半导体器件。
以下是T0410可控硅的
一些常见参数：
1. 阻断电压（Vdrm）：最大允许的反向电压，在该电压下，
可控硅能够阻断电流。
2. 最大正向电流（Itav）：可控硅能够承受的最大正向电流。
3. 最大导通电压降（Vtm）：在可控硅导通状态下的电压降。
4. 最大功耗（Ptot）：可控硅在工作状态下的最大功耗。
5. 静态工作电流（Igt）：可控硅进入导通状态所需的门极电流。
6. 额定控制电压（Vgt）：可控硅进入导通状态所需的控制电压。
7. 额定关断电压（Vgt-off）：可控硅进入关断状态所需的控制电压。
8. 动态工作电流（Ih）：可控硅保持导通状态所需的保持电流。
9. 动态关断电流（Id）：可控硅进入关断状态所需的关断电流。
10. 动态反向耐受电压（VDRM）：可控硅在关断状态下能够
承受的最大反向电压。
这些参数会根据具体的T0410可控硅型号或厂商而有所不同，以上仅为一些常见参数的示例。
在使用T0410可控硅时，需
要根据具体应用需求选择合适的参数值。
t0410可控硅参数
t0410可控硅参数【原创实用版】目录1.引言2.可控硅的基本概念3.可控硅的参数4.可控硅参数的应用5.结论正文1.引言可控硅是一种半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它广泛应用于交流电路和脉冲电路中，如家用电器、工业控制和通信设备等领域。
了解可控硅的参数对于选择和使用可控硅至关重要。
本文将介绍可控硅的参数及其应用。
2.可控硅的基本概念可控硅，全称为可控硅控整流器，英文简称 SCR（Silicon Controlled Rectifier）。
它是一种四层三端的半导体器件，具有阳极（Anode，A）、阴极（Cathode，K）和控制极（Gate，G）三个端子。
可控硅的工作状态取决于控制极的电压，当控制极电压达到一定值时，可控硅从关态变为导态，从而实现对电流的控制。
3.可控硅的参数可控硅的主要参数有以下几个：（1）额定电压：可控硅能承受的最大正向电压。
根据额定电压的不同，可控硅可分为不同类型，如 600V、1200V 等。
（2）额定电流：可控硅能承受的最大正向电流。
根据额定电流的不同，可控硅可分为不同类型，如 1A、5A 等。
（3）控制极触发电压：也称为门槛电压，是指控制极电压达到一定值时，可控硅开始导通的电压。
不同类型的可控硅触发电压略有差异。
（4）维持电压：是指可控硅已经导通后，控制极电压需要维持在一定值以上，以保持导通状态。
维持电压与触发电压之差称为可控硅的动态阻尼。
（5）开关速度：可控硅从关态到导态的切换速度。
开关速度越快，可控硅的工作效率越高。
4.可控硅参数的应用了解可控硅的参数对于正确选择和使用可控硅至关重要。
例如，在选择可控硅时，需要根据电路的电压和电流要求，选择具有合适额定电压和电流的可控硅。
同时，要确保控制极触发电压和维持电压满足电路的工作要求。
此外，根据电路的工作环境，还需要考虑可控硅的抗干扰能力和可靠性。
5.结论可控硅是一种重要的半导体器件，其参数对电路性能和稳定性具有重要影响。
单双向可控硅参数
单双向可控硅参数1.阈值电压（VGT）：阈值电压是指在SCR关断状态下，需要施加在控制端的最小电压。
只有当控制端的电压大于阈值电压时，SCR才能导通。
2.稳定电压（VBO）：稳定电压是指在控制电流为零时，SCR能够承受的最大反向电压。
当反向电压超过稳定电压时，SCR会断电。
3.平均输出电流（IAV）：平均输出电流是指在正常工作条件下，SCR所能够处理的平均电流大小。
这个参数决定了SCR在特定应用中的电流处理能力。
4.触发电流（IT）：触发电流是指施加在控制端的电流大小，使得SCR从关断状态转为导通状态。
触发电流的大小决定了SCR的敏感度和响应速度。
5.死区时间（DT）：死区时间是指当SCR从导通状态转为关断状态时，需要经过的一段时间。
在这段时间内，SCR无法再次导通。
死区时间的存在可以防止SCR发生干扰或意外触发。
6.额定电压（VDRM）：额定电压是指SCR在导通状态下所能承受的最大正向电压。
在正常工作条件下，正向电压不能超过额定电压。
7.阻断电流（IDRM）：阻断电流是指SCR在关断状态下所能够承受的最大正向电流。
超过阻断电流时，SCR可能会受损或严重故障。
8. 定向触发电流（Igt）：定向触发电流是指施加在SCR控制端的电流大小，使得SCR从关断状态转为导通状态，并在导通状态下继续工作。
定向触发电流的大小决定了SCR的可靠性和稳定性。
以上是一些常见的单双向可控硅参数。
了解和掌握这些参数对于正确选择SCR以及保证其正常工作非常重要。
此外，还有许多其他参数也需要考虑，如功率损耗、温度范围和封装形式等。
因此，在实际应用中，还需根据具体需求综合考虑各种参数，选择适合的SCR。
z0103可控硅参数
可控硅参数1. 引言可控硅是一种重要的半导体器件，具有可控的导通和截止特性。
在电力电子和工业自动化领域广泛应用。
本文将详细介绍可控硅的参数及其影响因素。
2. 可控硅的基本结构可控硅由P型和N型半导体材料交替组成，形成一个PN结。
其结构如下图所示：其中，A区为阳极，K区为阴极，G区为门极。
当施加正向电压时，由于P-N结的存在，只有当施加的电压超过一定阈值（触发电压）时，才能使得PN结正向偏置，并产生漏电流。
3. 可控硅的参数3.1 触发电压（Vgt）触发电压是指在给定条件下使得可控硅正向导通所需的最小门极电压。
触发电压取决于PN结材料、温度和其他工作条件。
一般情况下，触发电压范围在几伏到几十伏之间。
3.2 阻断电压（Vbo）阻断电压是指可控硅在正向阻断状态下可以承受的最大反向电压。
超过这个电压，PN结将会击穿，导致可控硅失效。
阻断电压一般为数百伏特到数千伏特。
3.3 正向导通压降（Vtm）正向导通压降是指可控硅在正常导通状态下的电压降。
它取决于PN结材料和工作条件。
一般情况下，正向导通压降在几百毫伏到几伏之间。
3.4 导通态电流（Itm）导通态电流是指可控硅在正常导通状态下所能承受的最大连续电流。
超过这个电流，可控硅可能会过热并损坏。
导通态电流一般为几十安培到数百安培。
3.5 阻断态漏电流（Ibo）阻断态漏电流是指可控硅在阻断状态下的漏电流。
它取决于PN结材料和工作条件。
一般情况下，阻断态漏电流较小，通常为几微安到几十微安。
3.6 触发电流（Igt）触发电流是指在给定条件下使得可控硅正向导通所需的最小门极电流。
触发电流取决于PN结材料、温度和其他工作条件。
一般情况下，触发电流范围在几毫安到数十毫安之间。
4. 可控硅参数的影响因素可控硅参数受多种因素的影响，主要包括以下几个方面：4.1 温度温度是一个重要的影响因素。
随着温度的升高，可控硅的导通特性和阻断特性会发生变化。
一般来说，温度升高会导致触发电压降低，正向导通压降增加，阻断电压降低。
t0410可控硅参数
t0410可控硅参数【最新版】目录1.引言2.可控硅的基本概念3.可控硅的参数4.应用领域5.结论正文1.引言可控硅，全称为可控硅控流器件，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
在现代电子技术中，可控硅被广泛应用于交直流电机调速、逆变器、整流器、有源滤波器等电力电子设备。
本文将对可控硅的主要参数进行介绍，并简要分析其在各个应用领域的优势。
2.可控硅的基本概念可控硅的结构包括 n 型半导体、p 型半导体以及连接两者的控制极。
当控制极施加正向电压时，可控硅导通；当控制极施加负向电压时，可控硅截止。
因此，可控硅具有可控的导通和截止特性，可以实现对电路中电流的控制。
3.可控硅的参数可控硅的主要参数包括：(1) 额定电压：可控硅能承受的最大电压。
选用可控硅时，应确保其额定电压高于电路中的最大电压。
(2) 额定电流：可控硅能承受的最大电流。
选用可控硅时，应确保其额定电流大于电路中的最大电流。
(3) 控制极电流：控制极施加的电流，用于控制可控硅的导通和截止。
控制极电流越大，可控硅的导通能力越强。
(4) 动态响应：可控硅从截止到导通或从导通到截止所需的时间。
动态响应越短，可控硅的开关速度越快。
(5) 温度特性：可控硅的参数随温度变化的特性。
通常情况下，可控硅的参数随温度升高而增大。
4.应用领域可控硅广泛应用于以下领域：(1) 交直流电机调速：可控硅可以实现对电机电流的精确控制，从而实现对电机转速的无级调速。
(2) 逆变器：可控硅在逆变器中可以实现对电压的调控，从而将直流电转换为交流电。
(3) 整流器：可控硅在整流器中可以实现对电流的控制，提高整流器的效率。
(4) 有源滤波器：可控硅在有源滤波器中可以实现对电压和电流的控制，从而抑制电磁干扰。
5.结论可控硅作为一种重要的电力电子器件，具有电压控制的开关特性和优越的性能参数。
在交直流电机调速、逆变器、整流器、有源滤波器等众多应用领域中，可控硅都发挥着重要作用。
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晶闸管参数名词解释
1. 反向重复峰值电压（VRRM）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压，包括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。
注：反向重复峰值电压（VRRM）是可重复的，值大于工作峰值电压的最大值电压，如每个周期开关引起的毛疵电压。
2. 反向不重复峰值电压（VRSM）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。
2）测试条件：a）结温：25℃和125℃；b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS 的正弦半波；d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：反向不重复峰值电压
注：反向不重复峰值电压（VRSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重复峰值电压的最大值电压。
通常标准规定VRSM =1.11VRRM。
应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都不得超过不重复峰值电压。
3. 通态方均根电流（IT(RMS)）：通态电流在一个周期内的方均根值。
4. 通态平均电流(IT(AV))：通态电流在一个周期内的平均值。
5. 浪涌电流（ITSM）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电流。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。
2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重复峰值电压；d)每次浪涌的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间
6. 通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。
1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。
2）测试条件：a)加通态电流前结温：125℃；b)门极触发条件：IGM =3～5IGT；c)开通前断态电压VDM=2/3VDRM ；d)开通后通态电流峰值：2 IT（AV）～3IT（AV）；e)t1≥1us；f)重复频率：50HZ；g)通态电流持续时间：5s。
7. I2t值：浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。
1）测试目的：在规定条件下，检验和测量反向阻断三级晶闸管的I2t值
2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)浪涌电流波形：正弦半波；
3) I2t测试实质是持续时间小于工频正弦波（1-10ms范围）的一种不重复浪涌电流测试。
通过浪涌电流it对其持续时间t积分∫it2dt，即可求得I2t值。
8. 门极平均值耗散功率（PG（AV））：在规定条件下，门极正向所允许的最大平均功率。
1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极平均功率额定值
2) 测试条件：a)结温：125℃；b)门极功率：额定门极平均功率；c)测试持续时间：3S；d)主电路条件：阳，阴极间断路。
3）测量程序：a)被测器件加热到规定结温；b)从零缓慢调整电源的输出，使电流表和电压表指示的数字的乘积达到额定门极平均功率PG（AV），并保持3S时间，然后将电源的输出调回零；c)测试后，进行门极触发电流和电压测量，如无异常，则PG（AV）额定值得到确认。
9. 反向重复峰值电流（IRRM）：晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰值电流。
10. 断态重复峰值电流（IDRM）：晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰值电流。
1）测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的断态重复峰值电压下的断态重复峰值电流和反向重复峰值电压下的反向重复峰值电流。
2）测试条件：a) 结温：25℃和125℃；b)断态电压和反向电压：断态重复峰值电压（VDRM）或反向重复峰值电压（VRRM）；c)门极断路。
3）测量程序：A)被测器件分别在25℃和125℃下，调节交流电压源，使断态电压达到断态重复峰值电压，由示波器显示的断态电流即为所测断态重复峰值电流（IDRM）。
B)被测器件主电极的极性交换，重复上述操作即可测得反向重复峰值电流（IRRM）。
11. 峰值通态电压（VTM）：晶闸管通以π倍或规定倍数额定通态平均电流值时的瞬态峰值电压。
1）测试目的：在规定条件下，用脉冲法测量晶闸管的通态峰值电压。
2）测试条件：a)结温：出厂试验为25℃，型式试验为25℃和125℃；b)通态峰值电流：通态平均电流的π倍；c)电流脉冲可以使单次的，也可以是发热效应能忽略的低重复频率脉冲；
d)电流脉冲宽度应足够宽，以使被测器件完全开通。
3）测量程序：a)电源电压和门极触发电压先调至零。
b)被测器件按规定压力和接线法接入电路中。
结温调至规定值，门极电路调至规定的偏置条件。
C)电源电压由零增加，通过L，C 振荡，使流过被测器件的脉冲电流整定到规定值，此时示波器上显示的数值即为所测通态峰值电压。
12. 门槛电压：由通态特性近似直线与电压轴的交点确定的通态电压值。
13. 斜率电阻：由通态特性近似直线的斜率电阻确定的电阻值。
14. 延迟时间：在用门极脉冲使晶闸管从断态转入通态的过程中，从门极脉冲前沿的规定点起，至主电压下降到接近初始值的某一规定值为止的时间间隔。
15. 关断时间（tq）：外部使主电路转换动作后，从主电流下降至零值瞬间起，到晶闸管能承受规定的断态电压而不致过零开通的时间间隔。
1）测试目的：在规定条件下测量晶反向阻断三极闸管的关断时间。
2）测试条件：a)通电前结温：125℃；b) 关断前通态电流：波形优选位矩形波，峰值优选为3 ITAV，上升率di/dt≤30A/us；c)通态电流持续时间：按被测器件完全导通而发热尽可能小确定，数百微秒至几毫秒；d)关断期间施加反向电压幅值为100V，最小值不小于20V；e)再加断态电压幅值VDM=2/3VDRM，其上升率dv/dt=30V/us;f)重复频率f≤50HZ。
3）测量程序：a)被测器件结温控制在125℃；b)调整通态电流电源使被测器件流过规定的电流ITM，切断门极电流，持续规定的时间；c)调整反向电压电源，对被测器件施加幅值和最小值的反向电压，使其阳极电流反向并可靠地关断；d)在双迹示波器上观察，调整规定值再加断态电压施加时间，当被测器件刚能承受此电压而又不转为通态的最小时间间隔，即为所测关断时间。
16. 恢复电荷（Qr）：从规定的通态电流条件向规定的反向条件转换期间，晶闸管内存在的恢复性总电荷。
它包括储存的载流子和耗尽层电容两部分电荷。
1）测试目的：在规定条件下，用测量晶闸管反向恢复电流和反向恢复时间的方法求出恢复电荷。
2）测试条件：a)结温：125℃；b)换向前的通态电流；额定通态平均电流值；c)通态电流下降率：规定；d)通态电流通电时间：按被测器件完全开通，又可忽视发热效应的原则选取；
e)反向电压：50%反向重复峰值电压。
17. 临界电压上升率（dv/dt）：紧跟着一个方向通态电流之后，在相反方向上导致断态到通态转换的最小主电压上升率。
1）测试目的：在规定条件下，用电压线形上升法或指数上升法，测量晶闸管的断态电压临界上升率。
2）测试条件：a)结温：125℃；b)断态峰值电压（VDM）：从零开始施加2/3倍断态重复峰值电压；c)门极断路或规定偏置电阻值；d)断态电压脉冲间隔时间：重复频率≤50HZ；3）测试程序：被测器件加热到125℃。
按示波器或峰值电压表显示，从零开始施加规定的断态电压，调整电压上升率，直至刚好开通，即电压波形突然下降，开通前瞬间的dV/dt即为所求断态电压临界上升率。
18. 门极触发电流（IGT）：使晶闸管由断态转入通态所必需的最小门极电流。
19. 门极触发电压（VGT）：产生门极触发电流所必须的最小门极电压。
1）测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的门极触发电流和门极触发电压。
2）测试条件：a)结温：25℃；b)断态电压：直流12V或6V；c)负载电阻（R）值：应予规定；
3）测量：被测器件在25℃下，由零开始逐渐增加门极至阴极间电压，当V1表指示的断态电压突然下降，A1表指示出通态电流的瞬间，此时毫安表A2和V2表的指示分别为所测门极触发电流和门极触发电压。
20. 门极峰值电流：包括所有门极正向瞬态电流的最大瞬时值门极正向电流。
21. 门极反向峰值电压：门极反向电压的最大瞬时值，包括所有的门极反向瞬态电压。
1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极正向额定值。
2) 测试条件：a)结温：125℃；b)重复频率：50HZ；c)门极脉冲波形：方波，脉冲幅值对应的平均功率不超过其额定值；d)试验持续时间：3S；e)主电路条件：阳，阴极间断路。
3) 测试程序：A）将被测器件温度加热到规定结温；B）在被测器件的门极和阴极间施加门极触发脉冲，在示波器上观察门极伏安特性曲线，调整电源E，缓慢增大触发信号，当该曲线与额定门极正向峰值电流，额定门极正向峰值电压和额定门极正向峰值功率三条极限线的任一条相交时，在此点保持触发信号的大小持续3S时间，然后将电源输出调至零；C）测试后，进行断态和反向峰值电流，门极触发电流和电压测量，如无异常，则被测门极反向峰值电压额定值得到确认。
22. 结壳热阻：结到管壳基准点的热阻。
23. 壳散热阻；管壳基准点到散热器基准点的热阻。