模电第二章三极管练习题

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模电第二章习题答案

模电第二章习题答案

习题2-5 设图中的三极管β =100,U BEQ =0.6V ,V CC =12 V ,R C =3 k Ω,R b =120 k Ω。

求静态工作点处的I BQ I CQ 和U CEQ 值。

习题2-15 设图中三极管的β =100,U BEQ =0.6V ,V CC =10V ,R C =3 k Ω,Rb b’=100 Ω。

V CC =10V ,,R C =3 k Ω,Re=1.8 k Ω,RF=200Ω,Rb1=33 k Ω,Rb2=100 k Ω,RL=3 k Ω C1,C2和Ce 足够大。

①求静态工作点②画微变等效电路如图(3)求Oiu U A U =;(4)设Rs =4 k Ω,求osus U A U =(5)求o i R R 和① 2.48,0.94, 5.3E U I I mA U =≈=≈BQCQ Q CEQ V V②微变等效电路如图③be 2.9r ≈ k Ω,Lbe = 6.5(1)u FR A r R ββ'-≈-++(4)12i r ≈ k Ω,= 4.9ius u i sr A A r R -≈-+(5) R i ≈12 k Ω,R o ≈3 k Ω习题2-17 画出如图放大电路的微变等效电路,写出计算电压放大倍O1O2i iU U U U 和数的表达式,并画出当c e RR =时的两个输出电压o1o1U U 和的波形(与正弦波i U 相对应)。

微变等效电路如下图解O1i be (1)ceU R U r R ββ=-++e c O1O2O1O2R u u R U U =≈当时,,和的波形如下图ebe e *02*)1(1R r R U U Au iββ+++==)(习题2-21在下图所示的放大电路已知V DD = 30V,R d = 15 kΩ,R d =1 kΩ,R g=20 MΩ,R1=30kΩ,R2=200kΩ,R L= 1 MΩ,A和输入和输出的电阻Ri,R o场效应试估算电压放大倍数u管g m=1.5mS。

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是:A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时,其特性是:A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应:A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是:A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中,基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时,______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时,电流会迅速增大。

()2. 三极管工作在饱和状态时,基极电压高于发射极电压。

()3. 二极管具有单向导电性,可以用来实现整流功能。

()4. 三极管放大电路中,集电极电流与基极电流成反比关系。

()四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V,正向电流为10mA,求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中,基极电流为1mA,集电极电流为10mA,求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中,输入信号电压为1V,输出信号电压为10V,求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用,并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系,并解释为什么三极管能够实现信号放大。

模电第二章习题参考答案

模电第二章习题参考答案

第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。

2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。

3.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。

4. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。

5.共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。

6.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点称为静态工作点;有输入信号时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。

7.在放大电路的下限截止频率处,幅度的放大倍数为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率失真引起的。

8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。

二、判断题1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。

(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。

2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立,(√)它只能放大交流信号。

(√)3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。

(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。

4.通常,JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。

(√)三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,则三极管三个电极为(B)。

A.①管脚为发射极,②管脚为基极,③管脚为集电极;B.①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极;C.①管脚为集电极,②管脚为基极,③管脚为发射极;D. ①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极。

2.在共射基本放大电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。

A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短,把放大了的电流转换成电压。

模拟电子技术三极管典型例题

模拟电子技术三极管典型例题

【例4-1】电路如图所示,晶体管的β=100,U BE =0.7 V ,饱和管压降U CES =0.4 V ;稳压管的稳定电压U Z =4V ,正向导通电压U D =0.7 V ,稳定电流I Z =5 mA ,最大稳定电流I ZM =25 mA 。

试问:(1)当u I 为0 V 、1.5 V 、25 V 时u O 各为多少?(2)若R c 短路,将产生什么现象?【相关知识】晶体管工作状态的判断,稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。

【解题思路】(1) 根据u I 的值判断晶体管的工作状态。

(2) 根据稳压管的工作状态判断u O 的值。

【解题过程】(1)当u I =0时,晶体管截止;稳压管的电流在I Z 和I Z M 之间,故u O =U Z =4 V 。

当u I =15V 时,晶体管导通,基极电流假设晶体管工作在放大状态,则集电极电流由于uO >UCES=0.4 V,说明假设成立,即晶体管工作在放大状态。

值得指出的是,虽然当uI 为0 V和1.5 V时uO均为4 V,但是原因不同;前者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区,且稳定电压为4 V,使uO =4 V;后者因晶体管工作在放大区使uO=4 V,此时稳压管因电流为零而截止。

当uI=2.5 V时,晶体管导通,基极电流假设晶体管工作在放大状态,则集电极电流在正电源供电的情况下,uO不可能小于零,故假设不成立,说明晶体管工作在饱和状态。

实际上,也可以假设晶体管工作在饱和状态,求出临界饱和时的基极电流为IB =0.18 mA>IBS,说明假设成立,即晶体管工作在饱和状态。

(2)若Rc 短路,电源电压将加在稳压管两端,使稳压管损坏。

若稳压管烧断,则uO=VCC=12 V。

若稳压管烧成短路,则将电源短路;如果电源没有短路保护措施,则也将因输出电流过大而损坏(1)晶体管工作状态的判断:对于NPN型管,若uBE >Uon(开启电压),则处于导通状态;若同时满足UC ≥UB>UE,则处于放大状态,IC=βIB;若此时基极电流则处于饱和状态,式中ICS 为集电极饱和电流,IB S是使管子临界饱和时的基极电流。

模拟电子技术第二章习题解答

模拟电子技术第二章习题解答

模拟电子技术第二章习题解答-标准化文件发布号:(9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII习题题 2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。

图 P2-1题2-1解 (a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求;(b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏);(c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏);(d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏);(e) 有放大作用;(f) 无放大作用,输入信号的负半轴不能加到放大电路中去;(g) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0;(h) 无放大作用,电容Cb使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。

题 2-2 已知图P2-2(a)中:R b=510kΩ,R c=10kΩ,R L=1.5kΩ,V CC=10V。

三极管的输出特性如图(b)所示。

①试用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选得是否合适;②在V CC和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右,可以改变哪些参数如何改法③在V CC和三极管不变的情况下,为了使I CQ=2mA,U CEQ=2V,应改变哪些参数改成什么数值(a )题2-2解:① 先由估算法算出I BQ CC BEQBQ b100.7mA 0.02mA 20μA 510V U I R --=≈≈= 然后,由式Cc C CC CE i R i V u 1010-=-=,在输出特性曲线上画出直流负载线,其与横、纵两个坐标轴的交点分别未(10V ,0)和(0,1mA ),直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q1即为静态工作点。

由Q1可得,U CEQ ≈0.5V ,I CQ =0.95mA 。

可见,Q1点靠近饱和区,位置不太合适,容易产生饱和失真。

模拟电路第二章课后习题答案

模拟电路第二章课后习题答案

第二章习题与思考题◆题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。

解:(a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求;(b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏);(c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏);(d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏);(e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);(f) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0;(g) 无放大作用,电容C b使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;(h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置;(i) 无放大作用,VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。

本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。

◆题2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。

设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。

解:本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。

◆题2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。

①增大Rb ;②增大VCC ;③增大β。

解:①CEQCQBQb UI I R ②不定)(CQc CCCEQ CQBQCCI R V U I I V ③CCCQBQ V I I 基本不变本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。

◆题2-4 在图 2.5.2所示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 、r be 和||u A 将增大、减小还是不变。

①增大R b1;②增大R b2;③增大Re ;④增大β。

解:bCC bCCbBEQCCBQR V R V R U V I 7.0BQBQ CQ I I I CCQ CC CEQR I V UCC b b b BQV R R R U211eBEQBQeEQEQCQ R U UR UI I )(e CCQ CCe EQ C CQ CC CEQR R I V R I R I V UCQBQI IbeLc io ur R R UU A //EQbb beI mV r r )(26)1('①||1u beCEQBQEQCQ EQBQb A r UI I I UUR ②||2u beCEQBQEQCQEQBQb A r U III UUR ③||u beCEQBQEQCQ e A r UI I I R ④基本不变或略增大基本不变基本不变||u beCEQBQEQCQA r UI II 本题的意图是理解分压式稳定Q 放大电路中各种参数变化时对Q 点和电压放大倍数的影响。

模电习题

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模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场,用导线将P 区端和N 区端短接起来,导线中是否有电流流过?若加光照或加热,导线中是否有电流?为什么?1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时,发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小,试用伏安特性曲线解释。

1-3 如图题1.3所示,试判断电路中哪个二极管导通,哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ,求U 0。

(a) (b )题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。

为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ,它们的正向导通电压为O .7V ,试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示,若电源电压的有效值为12V , A 、B 、C 为三只相同的灯泡,问哪只灯泡最亮,并求各灯泡两端电压的平均值。

题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时,为了使表棒和二极管引线接触好一些,用双手把两端捏紧,结果测得二极管的反向电阻比较小,认为不合格,但在设备上却正常工作,这是什么原因?这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好,稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结,可否用两个二极管相联以构成一只三极管?说明理由。

1-10 一只NPN型的三极管,具有e、b、c三个电极,能否将e、c两个电极交换使用?为什么?1-11一块正常工作的放大电路板上,测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V,试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型?是锗管还是硅管?并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。

1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下:1)V C=6V,V B=7V,V E=0V;2)V C=6V,V B=67V,V E=5.4V; V C=3.6V,V B=47V,V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好?如果管子已经确定,为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围?第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。

模电第二章习题参考答案

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第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。

2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。

3.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。

4. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。

5.共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。

6.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点称为静态工作点;有输入信号时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。

7.在放大电路的下限截止频率处,幅度的放大倍数为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率失真引起的。

8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。

二、判断题1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。

(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。

2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立,(√)它只能放大交流信号。

(√)3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。

(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。

4.通常,JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。

(√)三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,则三极管三个电极为(B)。

A.①管脚为发射极,②管脚为基极,③管脚为集电极;B.①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极;C.①管脚为集电极,②管脚为基极,③管脚为发射极;D. ①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极。

2.在共射基本放大电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。

A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短,把放大了的电流转换成电压。

模电第2章_作业答案

模电第2章_作业答案

模拟电子技术作业答案班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1.简答题:(1)放大电路中为何设立静态工作点?静态工作点的高、低对电路有何影响?答:设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。

Q点过高易使传输信号部分进入饱和区;Q点过低易使传输信号部分进入截止区,其结果都是信号发生失真。

(2)说明利用三极管组成放大电路的基本原则。

答:不论那种组态的放大电路,如果希望能够正常放大信号,必须遵守以下原则。

①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数,以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点,使三极管工作在放大区。

②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上,经过三极管放大后,又能传给放大电路的下一级或负载。

(3) 分析放大电路有哪几种方法?几种方法分别有什么特点?答:分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。

近似法简洁、精确,工程上常用来分析放大电路的静态工作点;微变等效法方便分析放大电路的动态;图解法直观,可同时用于分析放大电路的静态和动态。

(4)共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法,而反相电压放大器,电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系,如何从物理概念上来理解?答:共射电路有电压放大作用,且输出电压与输入电压相位相反。

为此,称这种放大电路为反相电压放大器。

共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。

因此,可将这种放大电路称为电压跟随器。

共基电路有输出电流与输入电流接近相等。

为此,可将它称为电流跟随器。

2.图1所示电路中,已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V, =100,临界放大饱和时三极管压降(集电极-发射极之间)为0.3V。

判断电路中各晶体管的工作状态。

(a) (b) (c)图1解:分析:判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。

方法一:1. 对于NPN 管,若U BE <0.7V ,则管子截止;对于PNP 管,若U BE >-0.7V ,或U EB <0.7V则管子截止;2. 若NPN 管,U BE >0.7V ,PNP 管U EB >0.7V ,则说明三极管处于放大状态或饱和状态。

模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案

模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案

习题2-1 如图2-51所示,判断三极管处于截止、放大还是饱和状态? 解:a 放大状态。

b 饱和状态。

c 截止状态。

d 放大状态。

2-2 在电路中,三极管各管脚对地电位,试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极,该管是NPN 还是PNP ,硅管还是锗管?(1)U A =3.8V ,U B =3.1V ,U C =8V ; (2)U A =7.2V ,U B =7V ,U C =3V 。

解:(1)A 是三极管基极;根据三极管发射结正偏,导通的特点,导通压降为0.7V ,则B 是三极管发射极,C 是三极管集电极;该管是NPN 型硅管。

(2)B 是三极管基极;根据三极管发射结正偏,导通的特点,导通压降为0.2V ,则A 是三极管发射极,C 是三极管集电极;该管是PNP 型锗管。

2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ,P CM =100mW ,U (BR )CEO =15V ,试分析下列条件下,三极管能否正常工作?(1)I C =15m A ,U CE =8V ; (2)I C =19mA ,U CE =3V ; (3)I C =30mA ,U CE =4V 。

解:(1)U CE =8V <U (BR )CEO ,I C =15mA <I CM ,P C =U CE I C =120mW >P CM ,所以不能正常工作。

(2)U CE =3V <U (BR )CEO ,I C =19m A <I CM , P C =U CE I C =57mW <P CM ,所以能正常工作。

(3)U CE =4V <U (BR )CEO ,但I C =30mA >I CM ,所以不能正常工作。

2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用,简单说明理由。

图2-51 习题2-1图abcd2V解:a 无放大作用。

电源极性与三极管不符。

b 无放大作用。

I B =0。

c 无放大作用。

交流通路输入短路。

d 无放大作用。

模拟电子技术基础第二章练习题

模拟电子技术基础第二章练习题

V C E =4V,则电路中的R= k Q ,民=4 k Q 。

注意:答案仅供参考! 一、填空题半导体三极管属于电流控制器件,而场效应管属于电压控制器件。

1. 2. 放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。

3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 若负载电阻R.变小时,其电压增益将变 小。

4.单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小;产生饱和失真 的原因是Ic 偏大;若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。

5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。

6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真:Q 点选得过高会导致 饱和 失真。

7.对于下图所示电路,设 VC CF 12V, RF510kQ,只=8 k Q, V BW ,V CE ®)=,当p =50, 静态电流I BQ = 22 3 A, I cQ = ___ ,管压降V C EQ = ____ ;若换上一个当p =80,静 态电流I B F 22卩A , IccF ,管压降V C E = ,三级管工作在 饱和状8.对于下图所示电路,设 VCR2V,三级管P =50, V BE =,若要求静态电流l cd F2mA9.对于下图所示电路,已知 V Cc =12V,嘉=27 k Q, R=2 k Q ,R e =1 k Q ,V BE =,现要 求静态电流I cQ F3mA 贝U 氐=12 k Q 。

10.已知图示的放大电路中的三级管P =40, V BE =,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流 I BCF __ , I cQ F 11mA ,管压降 V cE(= 3V o*20V11.当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数大,穿诱电流I CEO 增加 ,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE |减小12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作,当到了夏天后,发现输出波 形失真,且幅度增大,这时发生的失真是 饱和 失真,失真的主要原因是由于 夏天室温升高后,三级管的I CBO 、V BE 和 P三个参数的变化,引起工作点 上移;输出波形幅度增大,则是因为 P 参数随温度升高而增大所造 成,输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷

《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷

《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。

(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。

(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。

(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。

(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。

(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。

(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。

(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。

(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。

(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。

设U BEQ=0,I CQ为( )。

(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。

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第一部份二极管三极管一、选择正确答案填入空内。

(1) PN 结加正向电压时,空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(4)当 NPN 型三极管的 V CE > V BE且 V BE >0.5V 时,则三极管工作在()A 、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区(5)在本征半导体中加入元素可形成 N 型半导体,加入元素可形成 P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价(6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C.减小(7)工作在放大区的某三极管,如果当 I B从 12μ A 增大到 22μ A 时,I C从 1mA 变为 2mA ,那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 100(8)一个正常工作放大器中,测得某个三极管各管脚电位是3V ,12V ,3.7V ,则该管是()A 、PNP 管B 、NPN 管C、不知道D、都有可能V1(9)、上题中的三极管是什么材料做的()V2A 、硅管B、锗管C、金属D、不知道-(10)、二极管电路如右图所示,则V 1、 V 2的状态为()2V+++A、V 1、 V2均导通B、V1导通, V 2截止4V Rv o+3KC、V 1截止, V2导通 D 、V 1、 V2均截止---(11)、固定偏置放大器如右图,测试电路的静态时,测得V C=12V ,则()A 、电路在放大状态B 、电路在截至状态Rc RbC、电路在饱和状态 D 、 R B已经短路Vo (12)、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为 ()。

ViA、正、反向电阻相等B 、正向电阻大,反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大(13)测得某 PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于 ( ) A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态(14)当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量()A、增加B、减少C、不变二、写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管为理想二极管。

电子技术习题模电部分

电子技术习题模电部分

习题一二极管、三极管一、填空题1、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是。

2、PN结具有单向导电性,其导电的方向是从到。

3、二极管具有特性,其导通条件是。

4、二极管正向电阻越,反向电阻越,表明二极管的单向导电性越好。

若正反向电阻均趋于0,表明二极管。

若正反向电阻均趋于无穷大,表明二极管。

5、在常温下,硅二极管死区电压约为 V,导通压降约为 V。

锗二极管死区电压约为 V,导通压降约为 V。

6、晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。

7、工作在放大区的某三极管,如果电流I B从12μA增加到22μA时,I C从1mA 变为2mA,那么它的β值约为。

8、某NPN型晶体管的集电极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的发射极电流等于_____ mA。

9、对三极管的引脚进行判断时,把万用表置于R×100Ω(或R×1KΩ档,把黑表笔与基极相连,红表笔分别与另外两极相连,测得其电阻值均很小,说明该管的类型为。

二、选择题1、用万用表直流电压档分别测出VD1,VD2和VD3正极与负极对地的电位如图示,VD1,VD2, VD3的状态为(。

A、VD1,VD2,VD3均正偏B、VD1反偏,VD2,VD3正偏C、VD1,VD2反偏,VD3正偏2、用万用表R×1K档判别二极管的管脚,在测得指针偏转很大那次红表笔接(。

A、正极B、负极3、由Ge二极管V D,电压E和电阻R(R=3kΩ组成的电路如图示,该电路中电流比较准确的值是(。

A、0B、0.27mAC、0.4mAD、0.5mA4、以下图示电路中,二极管的工作状态分别为(。

A、VD1截止,VD2导通B、VD1,VD2都导通C、VD1,VD2都截止D、VD1导通,VD2截止5、电路如图示,VD1和VD2为理想二极管,R=6kΩ,E1=4V,E2=10V,VD1和VD2的状态分别为(。

VD1A、VD1,VD2均截止B、VD1,VD2均导通C、VD1截止,VD2导通D、VD1导通,VD2截止6、稳压二极管一般工作在(状态。

模拟电子技术三极管典型例题

模拟电子技术三极管典型例题

【例4-1】电路如图所示,晶体管的β=100,U BE=0.7 V,饱和管压降U CES=0.4 V;稳压管的稳定电压U Z =4V,正向导通电压U D=0.7 V,稳定电流I Z=5 mA,最大稳定电流I ZM=25 mA。

试问:(1)当u I为0 V、1.5 V、25 V时u O各为多少?(2)若R c短路,将产生什么现象?【相关知识】晶体管工作状态的判断,稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。

【解题思路】(1)根据u I的值判断晶体管的工作状态。

(2)根据稳压管的工作状态判断u O的值。

【解题过程】(1)当u I=0时,晶体管截止;稳压管的电流在I Z和I ZM之间,故u O=U Z=4 V。

当u I=15V时,晶体管导通,基极电流假设晶体管工作在放大状态,则集电极电流由于u O>U CES=0.4 V,说明假设成立,即晶体管工作在放大状态。

值得指出的是,虽然当u I为0 V和1.5 V时u O均为4 V,但是原因不同;前者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区,且稳定电压为4 V,使u O=4 V;后者因晶体管工作在放大区使u O=4 V,此时稳压管因电流为零而截止。

当u I=2.5 V时,晶体管导通,基极电流假设晶体管工作在放大状态,则集电极电流在正电源供电的情况下,u O不可能小于零,故假设不成立,说明晶体管工作在饱和状态。

实际上,也可以假设晶体管工作在饱和状态,求出临界饱和时的基极电流为I B=0.18 mA>I BS,说明假设成立,即晶体管工作在饱和状态。

(2)若R c短路,电源电压将加在稳压管两端,使稳压管损坏。

若稳压管烧断,则u O=V CC=12 V。

若稳压管烧成短路,则将电源短路;如果电源没有短路保护措施,则也将因输出电流过大而损坏(1)晶体管工作状态的判断:对于NPN型管,若u BE>U on(开启电压),则处于导通状态;若同时满足U C≥U B>U E,则处于放大状态,I C=βI B;若此时基极电流则处于饱和状态,式中I CS为集电极饱和电流,I BS是使管子临界饱和时的基极电流。

模电第二章三极管练习题

模电第二章三极管练习题

第二章三极管练习题一、填空题:1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。

2.三极管按结构分为_ 和两种类型,均具有两个PN结,即______和______。

3.三极管是___________控制器件,场效应管是控制器件。

4.晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。

5.放大电路中,测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V,则该管是______类型管子,其中_____极为集电极。

6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。

7.三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是__ __和______。

8.场效应管同三极管相比其输入电阻_________,热稳定性________。

9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时,输入信号必须是________的信号。

10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________,集电结______。

11.在正常工作范围内,场效应管极无电流12.三极管按结构分为______和______两种类型,均具有两个PN结,即___________和_________。

13.晶体三极管是一种___控制___器件,而场效应管是一种___控制___器件。

14.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于______状态。

15.作放大作用时,场效应管应工作在____(截止区,饱和区,可变电阻区)。

16.晶体三极管用于放大时,应使发射极处于__偏置,集电极处于__偏置。

二、选择题:1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=,V E=1V则晶体管工作在()状态。

A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、三级管开作在放大区,要求(??? )A、发射结正偏,集电结正偏????????B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏?????????D、发射结反偏,集电结反偏3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域()A 可变线性区B 截止区C 饱合区 D击穿区4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=,V E=3V,V B=,则该管工作在()A.饱和区 B.截止区C.放大区 D.击穿区5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)

模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)

第二章训练题一、判断题:1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

(×)2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

(×)3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(× )4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

5. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

(×)6. 当单级放大电路的静态工作点过高时,根据I b=I c/β,可选用β大的晶体三极管来减小I b 。

(×)7. 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

(×)8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型,输出电压的底部失真时为饱和失真。

(√)9. 在共射放大电路中,若晶体管为NPN,输出电压u o出现底部失真,则该失真为截止失真。

(×)10. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

(×)11.可以说任何放大电路都有功率放大作用;(√)12.若单管共射放大电路出现截止失真,可适当增大基极电阻R B消除失真。

( × )13.某二级电压放大电路中,已知A u1=-10、A u2=-50 ,则总的电压放大倍数为500。

(√)14. 某二级电压放大电路中,已知Au1=50、Au2=100 ,则总的电压放大倍数为150。

(√)15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

(×)16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA,因此推算出:be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。

(×)17.放大电路如图1所示,已知:U CC=12V,R B=240kΩ,R C=3kΩ,晶体管β=40,且忽略U BE。

第二章--半导体三极管练习题

第二章--半导体三极管练习题

第二章 半导体三极管一、单选题1. ( )具有不同的低频小信号电路模型。

A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示,已知三极管的05=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3.硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ,则此时三极管工作于( ) 状态。

A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定 4. 放大电路如图所示,已知硅三极管的50=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定5. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。

A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定6. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ,则下列状态下三极管能正常工作的是( )。

A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U 7. 关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的是( )。

A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>> 8. 在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。

A.C B E I I I +=B. B C I I β≈C. CEO CBOI I )1(β+= D. βααβ=+9. ( )情况下,可以用H 参数小信号模型分析放大电路。

模拟电路总复习题二(三极管)

模拟电路总复习题二(三极管)

电子电路调试与应用总复习题二班级 姓名 学号晶体三极管1.如图1所示,三极管的三个极E 、B 、C 分别叫 、 、 、其中NPN 型是 、PNP 型是 。

(a ) (b )图1 三极管电路符号2.三极管的输出特性曲线如图2所示,三极管具有三种主要的工作特性是 、 、 ;其中CBI I β∆=∆称为 ;图2 三极管输出特性曲线3.如图3所示三极管为硅管,试判断其工作状态。

图3 三极管的工作状态放大工作状态是,截止工作状态是,饱合工作状态是。

4.放大电路中某三极管三个管脚电位分别为3.5V、2.8V、5V,试判断此管的三个电极,并说明它是NPN管还是PNP管,是硅管还锗管?5.图4所示各三极管,试判断其三个电极,并说明它是NPN管还是PNP管,估算其β值。

图46.如图5所示电路中,三极管均为硅管,β=100,试判断各三极管的工作状态,并求各管的I B、I C、U CE。

图5三极管不同的直流偏置7.放大电路的主要性能指标参数是、、、;理想放大电路主要性能指标参数要求是、、、;8.R S=50Ω是信号源内电阻,放大器1输入电阻Ri1=100Ω,放大器2输入电阻Ri2=100KΩ,现用U S=10mV信号源给放大器提供输入信号,则放大器1从信号源得到的输入信号为mV,则放大器2从信号源得到的输入信号为mV,相比之下,输入电阻越大的放大器性能。

(填好或不好)放大器1 放大器2图6 放大器输入电阻特性9.放大电路如图所示,电流电压均为正弦波,已知R S =600Ω,U S =30mV U i =20mV ,R L =1K Ω,U O =1.2V 。

求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i 。

当R L 开路时,测得UO=1.8V ,求输出电阻。

图710.放大电路如图8所示,已知三极管100β=,'200rbb =Ω,0.7BEQ U V=。

试求(1)计算静态工作点I CQ 、U CEQ 、I BQ (2)画出H 参数小信号等效电路,求AU 、Ri 、Ro 。

模拟电子技术教程第2章复习题答案

模拟电子技术教程第2章复习题答案

第2章习题答案1. 概念题:(1)常温下,N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗?(有) P型半导体在导电时有电子载流子参与吗?(有)(2)在不加外电压时,PN结内部有没有电子的运动?(有)将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗?(无)(3)PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗(不是)P+N结加反向电压哪边将变得更宽(N边)(4)作漂移运动的一定是少数载流子吗?(不一定)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的吗?(是)(5)拿2个二极管可否组成1个三极管?(不行)三极管可否当二极管用?(可以)(6)下列哪些元件为双极型器件?(A、B)哪些元件为单极型器件?(C、D)A. 二极管、稳压管B.三极管C. 结型场效应管D. MOS管(7)H参数等效模型适合( A、C、D )。

A. 中低频电路B. 高频电路C. 小信号输入D. 交流分析(8)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( A、C )。

A. 结型场效应管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(9)半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是电子和空穴都参与导电。

(10)二极管主要的特点是单向导电性,确保二极管安全工作的两个主要参数分别是最大整流电流和最大反向电压。

(11)在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V;锗二极管的门槛电压约为0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2 V。

(12)某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将上升。

(13)将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合,可得到5种有效的形式,等效稳压值分别为3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7。

(14)PN结具有结电容效应,凡用PN结组成的电子元件,在信号频率较高时必须考虑这种效应。

(15)变容二极管在工作时也要加偏置电路吗?(需要)发光二极管在工作时要串联一个电阻,否则会因电流过大而损坏。

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第二章三极管练习题
一、填空题:
1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。

2.三极管按结构分为_ 和两种类型,均具有两个PN结,即______和______。

3.三极管是___________控制器件,场效应管是控制器件。

4.晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。

5.放大电路中,测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V,则该管是______类型管子,其中_____极为集电极。

6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。

7.三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是__ __和______。

8.场效应管同三极管相比其输入电阻_________,热稳定性________。

9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时,输入信号必须是________的信号。

10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________,集电结______。

11.在正常工作范围内,场效应管极无电流
12.三极管按结构分为______和______两种类型,均具有两个PN结,即___________和_________。

13.晶体三极管是一种___控制___器件,而场效应管是一种___控制___器件。

14.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于______状态。

15.作放大作用时,场效应管应工作在____(截止区,饱和区,可变电阻区)。

16.晶体三极管用于放大时,应使发射极处于__偏置,集电极处于__偏置。

二、选择题:
1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=,V E=1V则晶体管工作在()状态。

A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
2、三级管开作在放大区,要求()
A、发射结正偏,集电结正偏
B、发射结正偏,集电结反偏
C、发射结反偏,集电结正偏
D、发射结反偏,集电结反偏
3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域()
A 可变线性区
B 截止区
C 饱合区 D击穿区
4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=,V E=3V,V B=,则该管工作在()
A.饱和区 B.截止区
C.放大区 D.击穿区
5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。

A.U CE=15V,I C=150 mA B.U CE=20V,I C=80 mA
C.U CE=35V,I C=100 mA D.U CE=10V,I C=50mA
6.下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是()
A V C=,V E=0V, V B=
B V C=-4V, V E=,V B=
C V C =6V , V E =0V , V B =-3V
D V C =2V , V
E =2V , V B = 7.如果三极管工作在截止区,两个PN 结状态( )
A .均为正偏
B .均为反偏
C .发射结正偏,集电结反偏
D .发射结反偏,集电结正偏 8.场效应管工作在恒流区即放大状态时,漏极电流ID 主要取决于( ) A 、栅极电流 B 、栅源电压 C 、漏源电压 D 、栅漏电压。

9.场效应管是一种( )器件
A 、电压控制 双极型
B 、电压控制 单极型
C 、、电流控制 双极型
D 、电流控制 单极型、 10. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ,V B =,V
E =1V 则晶体管工作在( )状态。

A 、 放大
B 、截止
C 、饱和
D 、损坏
11、工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12μA 增大到22μA 时,IC 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为( ) 。

A. 83
B. 91
C. 100 12、工作于放大状态的PNP 管,各电极必须满足( )
A .UC > U
B > UE B 。

UC< UB < UE
C 。

UB >UC > UE
D 。

UC > U
E > UB 13.下列场效应管,哪一个是耗尽型NMOS 管 ( )
A .
B 。

C 。

D 。

14、UGS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有( ) 。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 三、判断题 1、
判断图示三极管的工作状态。

2、
判断图示电路对交流信号有无放大作用。

若无放大作用,请予改正。

3V
2V
6V
(c)
5V
0V
(a)
-5V
-1V
(b)
3V
(d)

V CC
u o u i R C
R B
C 1
C 2
V。

+V
CC
u o u i R C R B
C 1
C 2
V。

+
-8V
+
+5V
+
+ -3V
(b)
+
+4V (c)
+5V
0V (d)
3、如图示,试判断工作在饱和状态的管子( )。

4.工作在放大区的三极管,集电结正偏。

5.晶体三极管的C 、E 可以交换使用。

6.三极管是电压放大元件。

7.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成 8、若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。

9、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的 。

10、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。

11、如图示,试判断工作在放大状态的管子( )。

四、识别题
1、用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. (1)求另一个电极的电流大小,在图上标出实际方向 (2)判断是PNP 还是NPN 管 (3)图上标出管子的极 (4)估算管子的ß值.
+
-8V
+
+5V
+ +
-3V
(b)
+
+4V (c)
+5V
0V (d)
2、某晶体三极管的极限参数为:V(BR)CEO=25V,I CM=130mA,P CM=130mW,
问在以下工作条件中,哪些是允许的哪些是不允许的为什么
⑴I C=2mA,V CE=10V ⑵I C=20mA,V CE=10V
⑶I C=130mA,V CE=3V ⑷I C=40mA,V CE=50V
3、处在放大状态的某三极管各电极对地电位分别为V A= —6V, V B= ,V C= 5V,试分析:⑴A、B、C 三电极的名称是什么⑵该三极管为何种材料,属哪种类型
4、在晶体管放大电路中,当I B=10μA时,I C=;当I B=20μA时,I C=2mA,求:β、I CBO、I CEO
5、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示,试判断:
(1)该场效应管的类型(6分)
(2)它的夹断电压V
GS(off)或开户电压V
GS(th)
大约是多少(6分)
(3)若是耗尽型它的I
DSS
大约是多少(6分)。

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