Dry Etch工艺及设备介绍 PPT

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ETCH(PCB蚀刻培训教材)

蚀刻液温度：46~52oC 蚀刻液PH值：7.8~8.4(50oC) 蚀刻液比重：1.170~1.190 Cu2+：115~135g/l，Cl：150~190g/l 喷药水压力：18~30PSI 喷水压力：20~40PSI
生产线维护
设备的日常保养 A.不使蚀刻液有sludge产生(浅蓝色一价铜污泥),当结渣越多，会影响蚀刻液的化学平衡，蚀刻速率迅速下降。所以成份控制很重要－尤其是PH,太高或太低都有可能造成. B.随时保持喷嘴不被堵塞.(过滤系统要保持良好状态) 每周保养时检查喷嘴，若堵塞则立即清除堵塞物。 C.及时更换破损的喷嘴和配件 D.PH计，比重感应器要定期校验.
量，溶液温度及Cu2+浓度。
1.Cl-含量的影响
在氯化铜蚀刻液中Cl-浓度较多时， Cu2+和Cu+实际上是以络离子的形式存在（[Cu2+Cl4]2－， [Cu+Cl3]2- ），所以蚀刻液的配制和再生都需要Cl-参加反应，下表为氯离子溶度与蚀刻速率关系。Biblioteka 蚀刻时间（分）12
10
水溶液
8
6
2N HCl溶液
反应：2CuCl+2HCl+H2O2→2CuCl2+2H2O
自动控制添加系统：通过控制蚀刻速度，双氧水和盐酸的添加比例，比重和液位，温度等项目，达到自动连续生产。
我司采用此种再生方法。
二.碱性氨类蚀刻液
1.特性
－不与锡铅发生任何反应－易再生，成本低，易回收－蚀铜速度快，侧蚀小，溶铜能力高，蚀刻
为使之蚀铜反应进行更为迅速，蚀液中多加有助剂，例如：
a. 加速剂( Accelerator) 可促使上述氧化反应更为快速，并防止亚铜错离子的沉淀。

DryEtchProcessIntroduction

RF
Mixed mode GaSonics DL chamber
P.19
ECR and TCP Chamber design
Electronic Cyclotron Resonance
P.20
845 Gauss for 2.45GHz power source
Transformer Coupled Plasma
▪ 2. Probability of ionization is enhanced due to electron oscillations.
Higher plasma intensity
▪ 3. Operating at lower electrode voltages/ electric fields.
Capacitor
V VP
Self DC-bias
0
VDC
Mean plasma potential with
Capacitor
Mean plasma potential without
Capacitor
V1
4
V1 V2
A2 A1
VA
V2
P.13
Introduction for capacitor charging
Va V=5
t=0
Vb
V=7
Ib
V=5
Vb-Va=2
time
t=0
t=0
V=5
Va Vb
Ib
P.14
RF plasma ( capacitive-coupled)
+1
Va 0
-1
+1
Va 0
-1
+1

Lecture 8 Dry Etch

微/纳制造工艺技术Micro & Nano Fabrication TechnologyLecture 8 Dry Etching主讲：乔大勇OutlineOverview of dry etchingFundamentals of plasmaReactive Ion Etching (RIE)Deep RIEWhy dry etchingSmallLargeUse of chemicalsAcceptable High Batch production High Low Tool price Acceptable ，controllable High ，Uncontrollable Selectivity Acceptable ，controllable High ，controllable Etch rate ControllableIsotropic or anisotropic Side wall profile Very small >3 micronEtching tolerance Dry etching Wet etching Etching type Overview of dry etchingWetCl 2AlCHF 3Silicon OxideCF 4Silicon Nitride SF 6Silicon, PolysiliconDryH 3PO4AlHF Silicon OxideH 3PO 4Silicon Nirtide KOH, TMAH,EDPSiliconChemical used Etching target ModeComparison of Dry and Wet etchingWhy dry etchingOverview of dry etchingOverview of dry etchingPlasma is generated by RF and DC excitation of source gases in a vacuum system. Take SF6as an example, plasma composed of equal numbers of positive (SF5+) and negative charges (F-and e) and a different number of unionized molecules and radicals (F).Positive ions are accelerated and strike substrate with high kinetic energy, leading to material removal (Highly anisotropic and low selectivity). Neutral radicals interact with substrate surface to form volatile products (Isotropic and high selectivity)Fundamentals of plasma90％states of matter in Universe is plasma. Lightning and polar light are natural plasma. All stars are combination of matters in plasma state.IceWaterSteamPlasma (Ionized gas)Cold Warm Hot HotterMolecules fixed in lattices Molecules free to move Molecules free to move, large space Ions and electrons move, large spaceFundamentals of plasmaMan made PlasmaFundamentals of plasmaFundamentals of plasmaMan made PlasmagasAre-Ar+Ar+Ar+ArSheath-V+Fundamentals of plasmaMan made PlasmaExcitation(激发）跃迁eA A e +→+*For CF 4，4.0eV energy is needed for excitation. Symbol * stands for excited atoms, which will go back to general state in 1/billion second~several seconds by relaxation procedure.Fundamentals of plasmaMan made Plasma)(*Photos h A A ν+→Relaxation (驰豫)Light emitted during relaxation. Different gas plasma emitted different color. For Argon plasma, the color is pink.Fundamentals of plasmaMan made PlasmaDissociation (分裂)For CF4，12.5eV is neede for dissociation 。

Dry Etch 工艺基本原理及良率剖析(经典讲解)

【面板制程刻蚀篇】史上最全Dry Etch 分类、工艺Dry Etch工序的目的广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案真实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。

它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。

湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比（selectivity）。

然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。

当刻蚀溶液做纵向刻蚀时，侧向的刻蚀将同时发生，进而造成底切（Undercut）现象，导致图案线宽失真，如下图所示。

底切现象自1970年以来，元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术（也叫等离子体刻蚀技术），人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。

在现今的半导体集成电路或面板制造过程中，要求精确地控制各种材料尺寸至次微米大小，而且还必须具有极高的再现性，电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成的技术，因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及TFT LCD Array制造中的主要技术之一。

干式刻蚀通常指利用辉光放电（glow discharge）方式，产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行图案转印（pattern transfer）的刻蚀技术。

干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，广泛应用于半导体或面板前段制程。

Dry Etch 的分类及工艺的基本原理蚀刻技术中的术语1.各向同性与各向异性蚀刻( Isotropic and Anisotropic Etching)不同的蚀刻机制将对蚀刻后的轮廓(Profile)产生直接的影响。

如下图所示，纯粹的化学蚀刻通常没有方向选择性，上下左右刻蚀速度相同，蚀刻后将形成圆弧的轮廓，并在遮罩(Mask)下形成底切(Undercut)，这种刻蚀被称为各向同性蚀刻。

Dry Etch 细化资料

Uniformity
均匀度。计算Uniformity的方法有好几种，这里表示的是通常使用的计算方法。 Max – Min Uniformity (%) = ×100 2 Average
3.3.2 Dry Etch 概要及工艺
3.3.2.2.1 解离（Dissociation）
在物理状态下，如在压力或温度下的变化，或在溶剂作用下，使分子分离为更简单的一组原子、单原子或离子的过程。
3.3 干法刻蚀
3.3.1 3.3.2 3.3.3 3.3.4 Dry Dry Dry Dry Etch 安全教育 Etch 概要及工艺 Etch设备概要 Etch设备真空系统
3.3.1 Dry Etch 安全教育
3.3.1.1 LCD Etching装置存在的潜在危险：
电气危险：三相AC200V、AC100V、高频用（RF）Matching Box约 1万伏。机械危险：产业用Robot、Chamber cover的开闭、motor和timing belt等。 Gas危险： Process用Gas 真空危险：真空和大气突然接触，可能导致ceramics发生破裂
3.3.2.2.7 Sheath的形成等离子和电极或真空容器的墙面有相同的导体界面时, PLASMA内电子的热运动速度要比离子大，因此先达到体面。离电极近的地方由于等离子电子形成负电位, 离电极远的地方相对来说离子多，因此形成正电位。
Plasma Potential 电位，由等离子电位形成。
3.3.1 Dry Etch 安全教育
3.3.1.11 紧急时的处理
使用的Gas 和药液的性质，平时就该先从MSDS 等去了解。特别是名称一定要牢记。万一吸了那些或是飞散到眼睛和皮肤，如果Gas 和药液的名称不能及时告诉医生的话，有可能是一般紧急时的处理：－药液等飞散到眼睛的时候：用大量的水道水充分（15 分钟以上）地冲洗。然后应该马上看专科医生。－吸入Gas 的时候：首先转移到空气新鲜的地方、叫救护车。Gas 进入肺中马上会被血液吸收、在非常短的时间内就会对健康带来影响。要及时。不能进行正确的处理。下面叙述的

Dry ETCHING制成原理

Comparison of dry and wet etching Comparison of Process
捷胤工業有限公司 NEW JEIN Corp.
Comparison of dry and wet etching Comparison of Equipment
捷胤工業有限公司 NEW JEIN Corp.
捷胤工業有限公司 NEW JEIN Corp.
Application on 5 PEP (BCE)
(7) 各項參數的改變效應
¾Source Power 效應 1.功率增加時:電漿密度增加活性基增加蝕刻速率上升 ¾Bias R.F. Power 效應 1.功率增加時:離子轟擊能量增加蝕刻速率上升 ¾玻璃表面溫度效應 1.蝕刻過程中溫度上升導致蝕刻速率上升 2.造成蝕刻速率前後不一 3.晶片載台須有溫控設計
L/L :Load Lock
L/L
A/A :Atmospheric/Arm
A/A
S/R-1
S/R :Sender Receiver
5G
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Introduction of 5G dry etcher
Unit 概要
P/C :Process Chamber
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Application on 5 PEP (BCE)
(3)Overhang Issue
Overhang
捷胤工業有限公司 NEW JEIN Corp.
Thank You !!
捷胤工業有限公司 NEW JEIN INDUSTRIAL CO., LTD. 台南市興南街295號 TEL:(886)6‐2962008 FAX:(886)6‐2625200 E‐mail: acc4358@

干法刻蚀 ppt课件

干蚀刻简介
ppt课件
1
目录
一、干蚀刻的定义二、干蚀刻的原理三、干蚀刻的模式四、干蚀刻设备结构五、干蚀刻制程腔的构造
ppt课件
2
清洗镀膜(PVD、CVD)
一、干蚀刻的定义
镀下一层膜
去光阻
去光阻液 (Stripper)
酸气体
蚀刻 (Dry、Wet)
光罩
显影液
上光阻(Coater)
简单的说，干蚀刻：去掉不想要的薄膜，留下想要的。
干蚀刻一般用于非金属膜的蚀刻
ppt课件
4
二、干蚀刻的原理
什么是电浆？
加热
固体
加热
加电
液体
气体
电浆
正离子电子
自由基分子
电浆是除固、液、气外，物质存在的第四态。
它主要由电子、正离子、分子、自由基等组成，但其中正负电荷总数却处处
相等，对外显示电中性。这种状态的气体被称为电浆（Plasma）。
干蚀刻是以自由基为主，还是以正离子为主。是根据使用的不同分为2种：物理性蚀刻化学性蚀刻
ppt课件
10
二、干蚀刻的原理
干蚀刻的方式
物理性蚀刻
化学性蚀刻
Plasma
Plasma
物理性蚀刻：是电浆中的正离子在电场的作用下加速。垂直轰击薄膜表面，是非等向性的蚀刻（电场方向蚀刻速率较大）。
化学性蚀刻：是电浆中的自由基与薄膜发生化学反应，是等向性的蚀刻
ppt课件
5
二、干蚀刻的原理
电浆中的碰撞
电浆中有两类碰 1.弹性碰撞 2.非弹性碰撞弹性碰撞: 无能量交换，较常发生，但对蚀刻影响不大非弹性碰撞: 能量交换，对蚀刻影响很大主要反应方式有：

集成电路制造技术第五章(刻蚀)-干法dry etching

第五章：刻蚀 Chapter V: Etching
等离子体干法刻蚀技术 Plasma Dry Etching
Comparison of Dry etching vs. Wet etching
Dry Etching
A solid surface is etched in the gas or vapor phase, physically by ion bombardment, chemically by a chemical reaction through a reactive species at the surface, or by combined physical and chemical apor pressure
Boiling point at 1 Atmosphere pressure
SiF4 SiCl4 SiBr4
-144°C -63.4°C (>50°C)
-86°C 57°C 153°C
Si Etching
F contained gases (CF4, ,SF6, CHF3…) have been employed for Si etching. The mechanism are as following.
Etch Al using Cl2: AlCl3 was 200 ℃ no using F2: AlF3 was 1000 ℃
Volatility of Reaction Products
Table of Temperature for different vapor pressures.
Etch product
Si Selectivity
• To increase Si etching selectivity to SiO2, using BCl3, Cl2, SiCl4 or HBr.

WetEtch设备及工艺介绍 ppt课件

Out CV AK
Plate Flow
Plate Flow
Rinse
Rinse
Rinse
Anneal
Index
传送单元
剥离
水洗
Index
பைடு நூலகம்
Cooling Buffer
Anneal
干燥
26
3. Wet Etch设备介绍Initial Cleaner
Initial Cleaner结构
Feeder C/V
Next Layer
Etch(DE/WE)
WeSttrSiptrip 4
AT&AR
1. Wet Etch业务介绍-担当设备
Wet Etch
Wet Etcher EMS
Wet Stripper RMS
Initial Cleaner CST Cleaner
Robot Cassette AP Plasma
Wet Stripper示意图 – Type2
俯视图
侧视图
-. 设备为单层结构
25
3. Wet Etch设备介绍-Wet Stripper
Wet Stripper结构- Type 2
Conveyor
Strip
Rinse
Plate Flow
Index
Cooling Buffer
TRF
Plate Flow
Initial Clean使用Detergent(清洗剂)、Brush(毛刷)等组合方式，使用物理方法去除Bare Glass(素
玻璃)表面的Particle(微粒子)。
表征参数：
Glass表面Particle数量 <300ea，且无聚集性。

DRY蚀刻工艺简介

Process Chamber
Load Lack
TM 真空
Gate Door
Port
大氣
乾蝕刻製程設備介紹
設備相關設計:
Plasma
1.Gas 2.反應室Chamber 3.RF Power 4.真空裝置 5.Temperature 6.other
Gas cylinder
乾蝕刻製程設備介紹
Gas Control System :
Gas out : APC / Turbo Pump / Dry Pump / Scrubber
Turbo Pump
Process Chamber
APC Turbo Pump
廠務
Scrubber
DRY Pump
Scrubber
乾蝕刻製程設備介紹
Gas Control System :
Gas in : Gas Box / MFC system
总结
➢ 本课程重点为：a. 蚀刻在Array制程中所扮演的角色。
b. 电将蚀刻的基本原理
➢ 清楚的熟记： a. Etch 机台设备原理
b. ETCH 设备控制机制
✓ 上完本课程, 您必须要有能力回答下列问题 ❖ DRY蚀刻工程以Power设计主要机台分为那几种？ ❖ DRY蚀刻机台依不同的反应模式可分为哪几种？又有何不相同处？ ❖ 如何知道已经蚀刻完成?
ETCH 反应机制: 物理 / 化学
物理ETCH
化学ETCH
機制:
1.)Gas in 2.)解離 3.)碰撞 4.)離子轟擊(非等向性蝕刻) 5.)吸附作用 6.)化學反應(等向性蝕刻) 7.)去吸附作用 8.)反應去除
干蚀刻设备原理
Power 區分ETCH 設備 :

刻蚀（ETCH）工艺的基础知识

刻蚀（ETCH）工艺的基础知识刻蚀（ETCH）工艺的基础知识何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。

蚀刻种类:答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide, metal半导体中一般金属导线材质为何?答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)何谓dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxide etch and nitride etch半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子, 负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching(蚀刻不足)?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching(过蚀刻)答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etch rate(蚀刻速率)答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning(陈化处理)答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。

Asher的主要用途:答：光阻去除Wet bench dryer 功用为何?答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wet bench dry方法:答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry何谓Spin Dryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓Maragoni Dryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓IPA Vapor Dryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：TencorSurfscan测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值何谓AEI答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查AEI目检Wafer须检查哪些项目:答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤(2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台asher的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中"Hot Plate"机台是什幺用途?答：烘烤Hot Plate 烘烤温度为何?答：90~120 度C何种气体为Poly ETCH主要使用气体?答：Cl2, HBr, HCl用于Al 金属蚀刻的主要气体为答：Cl2, BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?答：C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2OUV curing 是什幺用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing"用于何种层次?答：金属层何谓EMO?答：机台紧急开关EMO作用为何?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2) 机械手臂危险. 严禁打开此门(3) 化学药剂危险. 严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.遇IPA 槽着火时应如何处置??答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).BOE为那三个英文字缩写?答：Buffered Oxide Etcher 。

刻蚀设备与工艺介绍ppt课件

Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O (慢反应)
• 链的扩展：二氧化氮、一氧化氮与水反应，生成亚硝酸，亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅
2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反应)
Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O (快反应)（第一步的主反应）
4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应)
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22
SCHMID专辑
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SCHMID机台刻蚀的原理与RENA相同，所以这里不再重复对化学反应的探讨，主要关注的是一些漂”的原理进行硅片背表面和四周的刻蚀；
SCHMID采用滚轮带液的原理进行刻蚀。
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25
SCHMID滚轮带液
➢ 当然这里首先说明安全是让大家引起足够的重视，不是危言耸听，
保护好自己才能够更好的生产。当然，也没有必要因为危险就害怕，在做好安全防护的前提下，我们的生产安全是有保障的，这个已在各大型电池生产企业得到验证。
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2
二、电池生产工艺流程
硅片检验丝网印刷
烧结
制绒 PECVD 分档测试
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45
一、下料台
下料机台图示
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46
一、下料台——碎片处理
1、碎片：普通碎片，设备识别后会自动将碎片放入下料台中的碎片盒。部
分碎片由于缺损较少，设备可能难以识别，如缺角等类型碎片，可以直接
从设备取出，操作中注意安全；
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二、工艺介绍
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二、工艺介绍-掩膜印刷

第九章干燥过程与设备ppt课件

废气
物
料
2
8
7
6
5
9 10
34
图 13-20 卧式多室沸腾干燥器
空气加热器 2-料斗 3-风道 4-风口 5-成品出口 6-视镜 7-干燥室 8-旋风分离器 9-细粉回收器 10-离心通风机
二、沸腾造粒干燥设备
糖液在蒸发器内预先浓缩到70%左右的浓度，为了避免糖液在管道中由于冷却后凝固而造成堵塞，在进入喷嘴前经过加热槽，糖液保持在60℃左右，与压缩空气一起经喷嘴喷入锥形沸腾床。喷嘴的位置一般多采用侧喷，直径较大的锥形沸腾床可用3-6个喷嘴，同时沿器壁周围喷入，喷嘴结构有二流式和三流式的。中心管走压缩空气，内环隙走糖液，外管走压缩空气，内管与外管间的环隙有螺旋线，即空气导向装置，压缩空气从此处喷出，此种喷嘴雾化较好。
f
图 13-4 气流干燥器型式
预热器 2-加料器 3-混合器 4-分散机 5-粉碎机 6-干燥管 7-分级器 8-旋风分离器 9-袋滤器 10-空气净化器 11-空气过滤 12、 13-风机
采用粉碎机加料的流程
➢ （1）图13-4（c）适用于滤饼等泥状物料，经粉碎机粉碎后进入干燥管。
物料
压缩空气
脉冲干燥管
物料压缩空气
干燥管：一般采用圆形，其次有方形和不同直径交替的所谓脉冲管
热空气图 13-2 脉冲干燥管
进料热风
排料图 13-5 粉碎机结构示意图
6
9
8
1
3
6
9
8
2
1
3
c
6
9
8

Dry Etch EE Introduction

பைடு நூலகம்
Dry Etch EE Introduction
Dry Etch EE: 主要负责设备的日常保养、设备的down 机处理、设备所使用parts 的管控与购买、每天设备状况的汇报与交接、设备nonlot 的管控，总之就是要保持所管辖的设备运行正常，能正常run lot。
8 吋 Dry Etch 主要设备类型
• LAM:主要型号有 rainbow4720、lam research 9600SE、9600PTX等。 • TEL：TV8500、unity-7、unity-6 • AMA：P5000、DPS、MXP • HITACTH：主要制程是M1 &GC 以上是Dry Etch的主要厂家，其他包含的设备类型有Mattson、Novellus、OPM、PSC 等。
Dry Etch 设备的几大系统
• 真空系统:由dry pump and Turbo pump建立起来的真空反应环境 • 传送系统:由robot负责wafer的传入传出反应chamber • 射频系统：由RF 或者macrowave 来解离反应gas，使反应能正常完成 • Gas 系统：主要是各种反应气体，靠MFC 控制流量的大小

Dry Etch工艺及设备介绍(共23张PPT)

化学气象沉积生成的含硅的产物---PECVD 工艺。
N+ Etch & Dry Strip
a) N+ Etch反应气体(Cl2 & SF6/NF3)：
Ashing Bias
B3 CPCFlo真w空使及用排He气进系入统基板与下电极板的间隙S，i +藉C以l冷* 却+基F板* → SiCl4 ↑ + SiF4 ↑
PVX Gate
SD Active GI
PVX Gate
SD
Active
GI
12
2.0 Dry Etch 设备介绍
Process
Cassette Cassette
Process Load Lock Transfer
Process USC
13
2.1 Dry Etcher设备构成
14
2.2 Dry Etcher设备构成
- Discharge Type(排出式)Pump
- 毎分钟2~3万次旋转，正常使用27000rpm - 运行压力范围: 10-7 -102 Pa
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2.4 RF System
RF (Radio Frequency)：提供激发电浆并维持蚀刻的能量来源
- BOEHF所采用的ECCP Mode使用两个RF电源，频率分别为和。 - Source RF：加快粒子碰撞频率、增加Plasma浓度； - Bias RF：RF周期较长，Ion可以获得更大的速度，使Ion到达下部电极(基板)时的能量增大，使Plasma到达稳定的时间缩短，提高 Plasma Uniformity。
3. 利用物理涂覆及曝光工艺形成的各种图案的PR---Photo 工艺。
等离子体
PR