五邑大学模电2010-2011(2)模拟电子技术基础B
五邑大学2014模电试卷B参考答案(周)(可打印修改)
1
A、输入电阻
B、输出电阻
C、大
D、小
2. 晶体管工作在放大区时，发射结为 A ，流过发射结的主要是 D ；集电结为
电结的主要是 C 。
A、正向偏置
B、反向偏置
C、漂移电流
D、扩散电流
B ，流过集
3. N 型半导体是在纯净半导体中掺入 D ；P 型半导体是在纯净半导体中掺入 C 。 A、带负电的粒子 B、带正电的离子 C、三价元素的杂质 D、五价元素的杂质
5. 共集放大电路电压放大倍数小于 1，所以不能实现功率放大。（ ）
6. 电压放大倍数可定义为输出电压瞬时值与输入电压瞬时值之比。（ ）
7. MOS 场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以 MOS 管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无
穷大。（ ）
8. 可以通过增大耦合电容的容量，一定程度改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。（ ）
D、光电耦合
Rb C1
VCC R差分放大电路利用恒流源代替 Re 是为了 C 。
A、提高差模电压放大倍数
B、提高共模电压放大倍数
C、提高共模抑制比
C、增大差模输入电阻
7. 正弦波振荡电路利用正反馈产生自激振荡的条件是 A 。
A、 A&F& 1
B、 A&F& 1 C、 A&F& D、 1 A&F& ? 1
解：1．
（4 分）
（3 分）
I1 R1
10k
UI
I2 R2
A
R/
Io
RL
2k
Uo
R3
5k
I3UR3
图9
（3 分） 2．当 U1=1V 时，代入上式得，问 Io=－0.5mA。（2 分）
五邑大学模拟电子技术基础卷A参考答案
命题人: 廖惜春试卷分类(A 卷或B 卷 A五邑大学试卷学期: 2006 至 2007 学年度第二学期课程: 低频电子线路专业: 班级:姓名: 学号:一、选择题 (共7分1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( CA.掺杂工艺B.杂质浓度C.温度D.晶体缺陷 2.如图A 所示电路由理想二极管组成,其输出电压o u 为( D A.+12V B.+6V C.+3V D. 0V3.若要求提高多级放大器的输入电阻并稳定输出电压,则应当选用( AA.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈4.在某放大电路中,测得三极管三个极的静态电位分别为0V 、-10V 、-9.3V ,则这只三极管为( AA. NPN 型硅管B. NPN 型锗管C. PNP 型硅管D. PNP 型锗管 5. FET 的电流由( A 组成,故称为( D 。
它是通过改变( G来改变漏极电流的。
A. 多子;B. 少子;C. 两种载流子;D. 单极型;E.双极型;F. 栅极电流; G . 栅源电压; H 漏源电压二、填空题 (共13分6. 在差分放大电路中,大小相等、相位相同的两个输入信号称为信号共模输入信号 ;大小相等、相位相反的两个输入信号称为差模输入信号信号。
7桥式整流电容滤波电路是一种将正弦交流电压转换为直流电压的变换电路。
8.若电源变压器副边电压的有效值为2U ,,则半波整流无滤波电容、有负载时的输出电压约为245.0U ;桥式整流有滤波电容、有负载时的输出电压约为22.1U 。
图 A⋅⋅⋅=±=+,2,1,0 π2F A n n ϕϕ ;振荡器起振的幅度条件是 1>AF ,相位条件是⋅⋅⋅=±=+,2,1,0 π2F A n n ϕϕ。
10. 乙类互补对称低频功率放大器存在交越失真,应调整电路结构使其工作在甲乙类。
11. 要使放大器的输入电阻和输出电阻均提高,应采用电流串联负反馈。
电子科大模电期末真题10~11.doc
电子科大模电期末真题10~11学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..………………..电子科技大学二零一零至二零一一学年第 1 学期期末考试模拟电路基础课程考试题A卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2011年1 月 5 日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名一、填空题（共30分，共 15个空格，每个空格2 分）1、共发射极放大器（NPN管），若静态工作点设置偏高，可能产生_饱和__失真，此时集电极电流会出现__上___（上、下）削峰失真。
2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW，I CM = 100 mA，U(BR)CEO = 30 V，若它的工作电压U CE为10 V，则工作电流不得超过20 mA；若工作电流I C = 1 mA，则工作电压不得超过30 V。
4、电路及直流测试结果如图1所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。
得图1(a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。
5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。
已知W7805的输出电压为5V ，I Q ＝10 mA ，晶体管的β＝50，|U BE |＝0.7 V ，电路的输入电压U I ＝16 V ，三极管处于放大 （放大，饱和，截止）状态， R 1上的电压为 5.7 V ，输出电压U o 为 9 V 。
图26、设图3中A 均为理想运放，请求出各电路的输出电压值。
U 01= 6 V; U 02= 6 V; U 03= 4 V; U 04= 10 V; U 05= 2 V; U 06= 2 V 。
模拟电子技术352276_1112A考题参考资料
四川农业大学网络教育专科考试模拟电子技术试卷（课程代码352276）本试题一共五道大题，共4页，满分100分。
考试时间90分钟。
注意：1、答案必须填写在答题纸上，题号不清或无题号的以零分计；2、答题前，请在答题纸上准确、清楚地填写各项目；3、学号、考点名称、考室号、姓名、身份证号、课程代码、课程名称、培养层次等，不写、乱写及模糊不清者，答题纸作废；4、开卷考试，若有雷同以零分计。
一、问答题（每题6分，共36分）1、PN结是如何形成的？答:在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质(离子)是固定不动的。
N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散空穴和电子相遇而复合，载流子消失因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。
PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大如果外电路不能限制电流，则电流会大到将P结烧毁反向流突然增大时的电压称击穿电压。
基本的击穿机构有两种，即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿，前者击穿电压小于0。
6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于0。
6V有正的温度系数PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件它的电容量随外加电压改变。
2、二极管正、负极性的判断方法？答:(1)观察法查看管壳上的符号标记，通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头一端为正极、另一端为负极。
对于点接触型玻璃外壳二极管，可透过玻璃看触针，金属触针的一头为正极。
另外，在点接触型二极管的外壳上，通常标有色点(白色或红色)，般标有色点的一端即为正极。
模拟电子技术B课程教学大纲
《模拟电子技术B》课程教学大纲课程名称：模拟电子技术B Analogy Electronics Technology课程编号：042073总学时数：64学时。
讲课学时: 54学时实验学时：10学时学分：4学分先修课程：高等数学、大学物理、电路教材：刘润华主编《模拟电子技术》石油大学出版社，2002年参考书目：杨素行主编《模拟电子技术基础简明教程》北京高等教育出版社2000年童诗白主编《模拟电子技术基础》北京高等教育出版社2001年康华光主编《电子技术基础》模拟部分（第四版）北京高等教育出版社，2001年《课程内容简介》本课程64学时, 其中实验10学时。
本课程主要介绍常用半导体器件、基本放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器及其应用、波形的产生与变换电路、功率放大电路、直流稳压电源及电子设计自动化(EDA)等内容的工作原理、特点及应用。
为反映科学技术的发展，在内容安排上侧重于基础理论和集成电路及其应用。
一、课程性质、目的和要求模拟电子技术基础课程是电气、通讯、计算机等电类专业本科生在电子技术方面入门性质的技术基础课，具有自身的体系和很强的实践性。
本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
二、教学内容、要点和课时安排《模拟电子技术基础A》授课课时分配表本课程的教学内容共分九章。
第一章：常用半导体器件主要内容是：半导体基本知识,PN结的形成及单向导电性, 半导体二极管、半导体三极管和场效应管。
要求：了解本征半导体、杂质半导体和PN结的形成。
掌握PN结的单向导电性，理解普通二极管、稳压二极管、晶体管和场效应管的工作原理，掌握它们的特性和主要参数重点：PN结的单向导电性与各种电子器件的主要特性及主要参数难点：各种电子器件的主要特性第二章：基本放大电路主要内容是：基本概念与性能指标、单管共发射极放大电路、放大电路的图解分析法、放大电路小信号模型分析法、共集电极和共基极放大电路、场效应管放大电路、多级放大电路、放大电路的频率响应要求：了解基本放大电路的组成；理解共射极单管放大电路的基本结构、工作原理、设置静态工作点的意义及简化小信号模型。
五邑大学试卷
五邑大学试卷命题人：李阳审核人：试卷分类（A 卷或B 卷） B五邑大学试卷学期： 2012 至 2013 学年度第 1 学期课程：光电子技术课程代号： 010A1860 使用班级： AP10221、AP10222 姓名：学号：一、单选题：（50分，每小题2分）请将正确的答案填入下表中：1、一切能产生光辐射的辐射源都称为光源，下列光源中属于热辐射光源的是：（D ）（A ）LED ；（B ）固体激光器；（C ）金属卤化物灯；（D ）卤钨灯。
2、国际照明委员会（CIE ）根据对许多人的大量观察结果，确定了人眼对各种光波长的相对灵敏度，称为光谱光视效率或视见函数，在明视觉下，人眼最敏感的波长是（C ）（A ）450nm ；（B ）550nm ；（C ）555nm ；（D ）650nm 。
3、一个光源发出频率为540?1012Hz 的单色辐射，若在一给定方向上的辐射强度为1/683 （W ?sr -1），则该光源在该方向上的发光强度为1个（ D ）。
（A ）尼特；（B ）勒克斯；（C ）熙提；（D ）坎德拉。
4、白炽灯与卤钨灯可以看作是灰体，是用钨丝做灯丝，其色温是在（B ）K 左右。
（A ）2300；（B ）2800；（C ）5500；（D ）7000。
5、钠灯的泡壳内充的是（ C ）与金属钠滴。
（A ）氧气；（B ）氢氧混合气体；（C ）氖氩混合气体；（D ）氮气。
6、激光器一般由（ D ）组成。
（A ）半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料（B ）固体激光器、液体激光器和气体激光器（C ）电子、载流子和光子（D ）激励能源、谐振腔和工作物质题号一二三四五六总分得分题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案试卷编号得分7、热释电器件是由TGS、LiTaO3等热电晶体材料组成的，但不论哪种材料，都有一个特定温度，称居里温度。
五邑大学2013模电B卷答案
命题人： 王玉青 审核人：试卷分类（A 卷或B 卷） B五邑大学 试 卷学期： 2012 至 2013 学年度 第 2 学期课程： 模拟电子技术基础 课程代号： 0700790 使用班级： 信息工程学院11级 姓名： 学号：一、选择题 （8分）（每题1分）1．当PN 结外加正向电压时，扩散电流_____，耗尽层_____。
C A 、变大 变宽， B 、变小 变窄， C 、变大 变窄， D 、变小 变宽 2．三种组态放大电路中输入电阻最大的是 A 。
A. 共集电极 B. 共基极 C. 共发射极 D. 共模3. 乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于___D__时管子的功耗最大。
A ．0 B. 电源电压 C. 0.2倍电源电压 D. 0.64倍电源电压4. 与甲类功放相比，乙类互补推挽功放的优点是__B___。
A ．无输出变压器B ．能量转换效率高C ．无交越失真 5. 集成运算放大电路采用直接耦合方式是因为D 。
A. 可获得很大的放大倍数 B. 可以减小温度漂移C. 可提高共模抑制比D. 集成工艺难于制造大容量电容 6. 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则 C 。
A. 输出电压约为2U DB. 变为半波直流C. 整流管将因电流过大而烧坏 7. 若需要一个阻抗变换电路，要求R i 小，R o 大，应选 D 负反馈放大电路。
A. 电压串联B. 电压并联C.电流串联D.电流并联 8. 图1所示电路中，若输入f =1kHz 的正弦电压信号，用示波器观察u i 和u o ，二者应该__D___。
A 、相同，B 、相差45o， C 、相差90o， D 、相差180o二、填空题（19分）（每空1分） 1. 二极管的单向导电性为：外加正向电压时 导通 ，外加反向电压时 截止 。
2. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3k Ω的负载电阻后输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o = 1 k Ω。
五邑大学电子信息工程专业通信原理期末考试试题 2
下笔如有神读书破万卷上的概念7页第1-1,1-4 波特是指单位时间（每秒钟）内传输码元的波特的概念：R:B。
*log数目。
R=RN一个符号一个波特。
2BNbN比特是计算机中最小的数据单位。
一比特是单比特的概念：或1。
个的二进制数值，0如果一条无线传播路径中的信号经历了深度衰分集的概念：落，而另外一条相对独立的路径中可能仍包含着较强的信号，从而可以在多径信号中选择两个或者两个以上的信号。
衰落：发送信号的功率不变（或基本不变），接收的信号呈大幅度的变化（10倍或以上）。
原因：多径传输+多普勒效应。
什么是数据通信的倒相？产生的原因是什么？证明差分编码可以抗倒相。
差分编码有何缺点？o倒相时，解调出的数字基当恢复的相干载波产生180倒相：带信号将与发送的数字基带信号正好是相反，解调器输出的”现象。
数字基带信号全部出错。
这种现象称为“倒π差分编码抗倒相的原因：是靠前后两个码元对应的载波的相位对变化来携因为2DPSK带信息的，而不是靠绝对的相位。
这样，即使接收端载波倒．读书破万卷下笔如有神π，但是前后两个码元的载波的相对变化关系却没有发生变化。
差分编码的缺点：抗加性白噪声性能比2PSK的要差。
量化的过程（不光是量化的概念），产生量化噪声。
然后再将无限个可能的抽对模拟信号按一定的时间间隔进行抽样，样值根据采取舍零取整的原则变成有限个可能取值，我们称之为量化；这种舍零取整造成的量化误差产生的噪声叫量化噪声。
比较PCM和DM的优缺点:PCM优点：采样频率低、占用带宽少、保真度高、解码速度快。
缺点:编码后的数据量大、设备较复杂。
DM优点：（1）设备简单（2）数据率低时话音质量比PCM好，信噪比比PCM高（3）抗信道误码性能好缺点：（1）占用带宽多（2）通带信号的频带宽度，特别是FSK二进制，升余弦，2ASK是调制信号的两倍B=2bFSK:B=2b抗干扰能力强、传输中出现的差数字通信的优缺点：优点：下笔如有神读书破万卷错（误码）可以设法控制，提高了传输质量、便于进行信号加工与处理、数字信息易于加密且保密性强缺点：成本高，占用带宽多造成误码，严重时会导数字通信的码间干扰的现象是什么：致信号无法接收。
五邑大学光电子技术试题和答案1
五邑大学试卷答案命题人：李阳审核人：试卷分类（A卷或B卷）B学期：2011至2012学年度第1学期课程：光电子技术课程代号：010A1860（30分，每小题3分）零1分。
2、常见的固体激光器有红宝石激光器、钕激光器或钛宝石激光器 1.5分（写出两种），常见的气体激光器有He-Ne激光器、CO激光器或Ar+激光器 1.5分（写出两2种）。
3、电致折射率变化是指晶体介质的介电系数与晶体中的电荷分布有关，当晶体被施加电场后，将引起束缚电荷的重新分布，并导致离子晶格的微小形变，从而引起介电系数的变化，并最终导致晶体折射率变化的现象。
3分4、光纤色散的主要危害是使脉冲信号展宽，限制了光纤的带宽或传输容量；1.5分多模光纤的色散主要有模色散、材料色散、波导色散。
1.5分5、光束扫描根据其应用的目的来可以分为模拟式扫描和数字式扫描2分两种；前者主要应用各种显示 1.5分后者主要应用于光存储 1.5分6、在电光调制器中，为了得到线性调制，在调制器中插入一个λ/4波片，波片的轴向取向为快慢轴与晶体的主轴x成45︒角3分时最好。
7、单片硅光电池的开路电压约为0.45～0.6V 1.5分，短路电流密度约为150～300A/m21.5分。
8、光子效应是指指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应1.5分，其主要特点有：对光波频率表现出选择性，响应速度一般比较快。
1.5分9、固体摄像器件主要有三大类，它们是电荷耦合器件、互补金属氧化物半导体图像传感器、电荷注入器件3分。
10、液晶是液态晶体的简称；1分，热致液晶可以分为近晶相、向列相和胆甾相三种2分二、问答题（50分，每小题10分）1、简述激光产生的条件、激光器的组成及各组成部分的作用。
（10分）得分必要条件：粒子数反转分布和减少振荡模式数。
2分充分条件：起振——阈值条件：激光在谐振腔内的增益要大于损耗。
1分稳定振荡条件——增益饱和效应（形成稳定激光）。
1分组成：工作物质、泵浦源、谐振腔。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u与u O的波形，并标出幅值。
i图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
2011-2012(2)模拟电子技术基础B(答案)五邑大学
选择题（答案可能不是唯一的，共20分，2分/小题）1.PN结的基本特性是：(2)、(3) 。
(1) P区的电位高于N区的电位；(2) 单向导电性；(3) 正偏时导通，反偏时截止；(4) 具有空穴和自由电子两种载流子。
2.用两个稳压值V Z=9V，正向导通电压V on=0.7V的硅稳压管串联，可以获得以下稳压值(1)、(3)、(4) 。
(1)18V；(2)9V；(3)1.4V；(4)9.7V3.关于场效应管，下列描述正确的是：(1)、(4) 。
(1) 只有多数载流子参与导电；(2) 是电流控制电流型器件；(3) 是双极性器件；(4) 是电压控制电流型器件。
4.对射极输出器而言(1)、(2)、(4) 。
(1) 输入电阻高；(2) 输出电阻小；(3) 电压放大倍数大；(4) 带载能力强。
5.三极管构成的放大电路中，为了保证三极管工作于放大区，则(1)、(2) 。
V V V；(1) 发射结正偏，集电结反偏；(2) 对于NPN管：>>C B EV V V。
(3) 集电结正偏，发射结反偏；(4) 对于PNP管：>>C B E6.OTL乙类互补对称功率放大电路的主要优点是(3)、(4) 。
(1) 无交越失真；(2) 无输出电容；(3) 无输出变压器；(4) 效率高。
7.在图1-1所示电路中，D1和D2的作用是消除(3) 。
+u o_图1-1(3) 交越失真； (4) 频率失真。
8. 有用信号的频率在3.4kHz 以下，应选用的滤波电路为 (1) 。
(1) 低通滤波； (2) 高通滤波；(3) 带通滤波；(4) 带阻滤波。
9. 在放大电路中，若希望降低输出电阻，增大输入电阻，应采用 (1) 。
(1) 电压串联负反馈； (2) 电压并联负反馈；(3) 电流串联负反馈；(4) 电流并联负反馈。
10. 产生正弦波振荡的条件包括 (1)、(2)、(4) 。
(1) 相位平衡条件； (2) 幅度平衡条件； (3) 谐振条件；(4) 起振条件。
模拟电子技术期末B(2009年)2答案定稿
2. (15 分) （1） RL Rc ∥ RL 6.67k
' ' VCC
RL VCC 5V (2 分) Rc RL
第 １ 页 共
页
I EQ
VEE U BEQ 2 Re
2( Rb rbe )
u O 37.6mV Ad
u O Ad u I 0.327V u O U CQ1 u O 2.9V（5分）
3．(10 分) （1）应引入电压串联负反馈。(4 分)
1 （2） 因A u
Rf (6分) 20，故 Rf 190k 。 R1
六
七
八
九
十
总分
二．单项选择题（每题 2 分，共 20 分）
1.C 2.A 3.C 4.A 5.D 6.A 7.C 8.B 9.A 10.C
三．计算题（共 60 分）
1. (15分) （1）静态及动态分析：
U BQ I BQ
Rb1 VCC 2V Βιβλιοθήκη b1 Rb2 I EQ 10μA
I EQ
U BQ U BEQ Rf Re
1mA
1
U CEQ VCC I EQ ( Rc Rf Re ) 5.7V（4分）
rbe rbb' (1 )
26mV 2.73k（ 1分） I EQ
( Rc ∥ RL ) 7.（ A 7 3分） u rbe (1 ) Rf Ri Rb1 ∥ Rb2 ∥ [rbe (1 ) Rf ] 3.7k Ro Rc 5k（2分）
模拟电子技术B卷2010-2011(1)答案
重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷2010 ~2011学年第 1 学期 开课学院：电气工程学院 课程号：15012335 考试日期：考试方式：考试时间： 120 分钟一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题， 每小题2分，共20分)1．A 2．A 3．D 4．A 5．C 6．C 7．C 8．A 9．A 10．D 二、（20分）解： 1.VI R R V V mAA I I AR R V V I C E C CC CE B C E B BE cc B 2.11885.0)152.6(30)(2885.085.810085.8151011007.015)1(11=⨯+-=+-==⨯===⨯+-=++-=μβμβ (6分)2. 略。
（5分）3. 16.62.68.32)//)1(//(35.6//)1(//27.326)1(2121'-=+=Ω=Ω=++=-=++-=Ω=++=u is ius o E E be B i E E be LC u Ebb be A R R R A k R k R R r R R R R r R R A k I m Vr r ββββ （6分）4. {}V R R R R R R R R I U U V CL E E CL C L CQ CES CEQomm 4.2////////),(min 21=+⋅-= (3分)三、(15分) 解：1． A 1组成反相比例电路，A 2组成单门限比较器，A 3组成电压跟随器；（3分） 2． A 1和A 3工作在线性区，A 2工作在非线性区； （3分） 3． v O1 = -10V ，v O2 = 12V ，v O3 = 6V 。
（9分）四、(10分) 解：V V R R R V V V R R R V VR R R V VV R R R VV OL th OH th Z OLZ OH 3)32(23)32(29)32(37.09)32(37.0-=+==+=-=++-==++=-+ （8分）（2分）五、(15分) 解：（1）最大不失真输出电压最大值V 235.12)(CES CC L4Lomm ≈-⋅+=V V R R R V最大不失真输出电压有效值V 65.82)(CES CC L4Lom ≈-⋅+=V V R R R V传输特性命题人：申利平组题人：审题人： 唐治德命题时间：教务处制学院 专业、班 年级 学号 姓名公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊封线密（2）负载电流最大值 A 53.1L4CESCC Lmax ≈+-=R R V V i（3）最大输出功率和效率分别为%644πW35.92CC4CES CC L2ommom ≈--⋅=≈=V V V V R V P R η六、(10分) 解：（1）根据起振条件22'W 'W f ＞，＞R R R R +k Ω。
模拟电子技术基础期末考试试题18套及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、结正偏时（），反偏时（，所以结具有（）导电性。
2、（反向饱和电流）漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管（）是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度（），其中（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、电路是（）电源互补功率放大电路；电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（反偏）状态，但其两端电压必须（大于）它的稳压值才有导通电流，否则处于（截止）状态。
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础
学习辅导与习题详解
廖惜春项华珍主编
廖惜春项华珍徐秀平杨芷华成志东编
前言
本书是为广东五邑大学信息学院廖惜春主编的《模拟电子技术基础》相配套而编著的。
本书可以作为普通高等院校电子电气类相关专业开设的《模拟电子技术基础》、《低频电子线路》、《电子技术基础》以及《模拟电子线路》等类似课程提供实用的教学辅导和自学指南。
本书由廖惜春、项华珍主编。
每章内容包括教学基本要求、重点和难点、知识要点、主要内容、典型例题分析、习题及其解答等几部分。
教学基本要求中对各章节所设计的知识点分为熟练掌握、正确理解和一般了解三个层次。
其中第2章～第5章学习辅导由廖惜春编写，第6章～第9章学习辅导由项华珍编写；第2章～第4章习题解答由成志东编写，第5章～第6章习题解答由杨芷华编写，第7章～第9章习题解答由徐秀平编写。
学习辅导部分综述了各章节的主要教学内容，指出了各章的重点和难点，尤其是要求熟练掌握和正确理解的知识要点进行了归纳和论述，并给出了相应的典型例题分析。
习题及其解答部分将廖惜春主编的《模拟电子技术基础》教材中各章所附的思考题与习题作了详细的解答，作为参考答案仅供读者在自学时参考。
如果您发现廖惜春主编的《模拟电子技术基础》及其《学习辅导与习题解》中的错误，或将您的宝贵意见告知：xchliao@，作者将向您致谢！
作者
2007年10月于五邑大学。
模拟电子电路B课程教学大纲
《模拟电子技术》课程教学大纲课程编码：B1072121英文名称：一、课程说明1．课程类别：学科基础课程2．适用专业及课程性质必修：农业电气化与自动化、电气工程及其自动化3．课程目的使学生掌握模拟电子电路的基本工作原理、基本分析方法和基本应用技能，使学生能够对各种由集成电路或/和分立元件构成的基本电路单元进行分析和设计，并初步具备根据实际要求应用这些单元电路构成简单模拟电子系统的能力，为后续专业课程的学习奠定坚实的基础。
4．学分与学时学分为3分。
学时为645．建议先修课程电路6．推荐教材或参考书目推荐教材《电子技术基础（模拟部分）》，康华光编著，高等教育出版社，2000．6参考资料（1）《模拟电子技术基础》（第三版），童诗白、华成英，高等教育出版社（2）《电子技术导论》（下册），沈尚贤，高等教育出版社（3）《电子技术基础试题汇编》（模拟部分），童诗白、何金茂，高等教育出版社（4）《模拟集成电路基础》（第二版），冯民昌，中国铁道出版社7．教学方法与手段教学方法：（1）启发法（2）对比法（3）辅导答疑法（4）阐述讨论法教学手段：教学手段与教学内容相适应，根据教学内容的不同特点，选择合理的教学手段，将传统教学和现代教学技术结合，提高教学质量和改善教学效果。
（1）传统教学手段(2)多媒体教学(3)辅助教学手段。
8．考核及成绩评定考核方式：考试成绩评定：考试课（1）平时成绩占30%-40%，形式有：上课出勤、作业、实验。
（2）考试成绩占70%-60%，闭卷考试。
9．课外自学要求（1）课外复习和预习。
（2）认真完成作业。
（3）积极查阅相关资料，扩展学习的广度和深度。
二．课程教学基本内容及要求第一章绪论基本内容：电子系统与信号、放大电路模型和放大电路的主要性能指标。
基本要求：（1）理解电子系统、模拟信号和数字信号的概念。
（2）掌握放大电路模型和主要性能指标。
（3）了解信号及其频谱。
教学重点与难点：放大电路模型和主要性能指标。
电子技术基础(模拟部分)温州大学物理与电子信息学院 韦文生 解析
电流放大模型 互导放大模型
1.2.3 放大电路的主要性能指标
输入电阻 输出电阻 增益 频率响应及带宽 非线性失真
温度测量 加热炉 控制测量
温度控制
转速控制
计 算 机
温度计
加热炉
放大
滤波
取样保持
电压电流转换
数模转换
微机
模数转换
1.1.2 信号及其频谱
1.
2.
信号： 信息的载体。 电信号：自然界的物理量由传感器把非电量转换 成电量。
T /℃ 2 200.5 2 200.0 2 199.5
0
10
20
30
40
50
60
3. 电信的时域与频域表示 频谱：将一个信号分解为多
个正弦信号的集合，得到其 B. 方波信号 正弦信号幅值随角频率变化 满足狄利克雷条件，展开成 的分布，称为该信号的频谱。 傅里叶级数
v( t )
T=
时域
0
Vs O t
VS 2VS 1 1 (sin 0 t sin 3 0 t sin5 0 t ) 2 3 5 其中 0 2 T
信号的类型
（1）时间连续，数值连续； （2）时间离散，数值连续；
（3）时间连续，数值离散； （1）时间离散，数值离散。
处理模拟信号的电子电路称为模拟电路 —— 本 课程内容。
1.2 放大电路的基本知识
1.2.1 模拟信号的放大
1.2.2 放大电路模型
电压放大模型 互阻放大模型
隔离放大电路模型
VS ——直流分量 2 2VS
Vs 2Vs
频域
——基波分量
Vs O
五邑大学 2010单片机期末考试A试卷
命题人：试卷分类（A卷或B卷） A五邑大学试卷学期：2009 至2010 学年度第二学期课程：单片机原理及应用专业：班级：姓名：学号：注：直接在试卷上完成答题。
（每小题1分，共10分）判断题：下列MCS-51系列单片机汇编指令正确的打“√”否则打“×”。
（1）ADDC A，@R1 （2）MOV @R3，20H （3）MOV C，PSW.1 （4）MOVX R2，@DPTR （5）POP ACC （6）JZ A，rel（7）RLC B （8）XCH R1，R2 （9）ANL R3，R2 （10）DA A读程序（每空1分，共5分）下面程序运行后，分析每步的运行结果，并写出画空格处的程序运行结果：ORG 0000HMOV DPTR，＃1234HMOV R0，＃32HINC DPTRDEC R0MOV A，＃56HMOVX @DPTR，A ；（1235H）=MOV @R0，AADD A，＃23HCPL A (A) = RL A (A) = SETB CRRC A (A) = ANL A ，40H ORL A ，＃0FFHMOV 50H ，A (50H) = END纠错题（15分）以下是以主程序的格式编写的对8031外部中断0，采用电平触发的方式，编写中断及服务程序，共五处错误，找出程序中的错误并改正。
ORG0000HSJMP START ORG 0013HAJMPINT0ORG0040H START ： MOVSP ，#7FHSETB EA STOP ： SJMP STOP INT0： NOPRET四、问答题（5分）若单片机复位前SP=60H 、(60H)=80H(表示RAM 区60H 单元的内容为80H)，当复位 键按下后SP 和(60H)的内容各为多少？定时器编程（15分）：（1） 要求利用MCS-51系列单片机定时器T0的方式2产生中断的方式，实现50us 的定时，请写出相关的参数初始化设置的计算过程；（2） 在（1）的条件下，由单片机P1.2管脚输出周期为100us ，占空比为1:1的方波，试编程实现之。
模拟电子技术基础-五邑大学
附件2《低频电子线路》教学大纲课程英文名称：Low Frequency Electronics Technique Fundamentals 课程编号：005A1630 学时：56＋16（实验）学分：4.0一、课程教学对象（宋体小三号字）低频电子线路（又称模拟电子技术基础、电子线路基础等）是电子信息与通信类、电气工程及自动化类、自动控制类、仪器仪表类以及计算机应用类等专业的重要技术基础课。
是信息学院教学平台的重要必修课程之一。
本课程教学对象为五邑大学信息学院：电子信息工程、通信工程、电气工程及其自动化、自动化、交通控制工程、计算机应用工程、软件工程等专业的本科学生。
二、课程性质、目的和任务（宋体小三号字）本课程是五邑大学信息学院各专业本科学生必修的重要专业技术基础课程之一。
该课程包括理论教学(56学时)和实践教学(16学时)两个环节。
本课程的作用与任务是：使学生获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。
通过理论课的教学，学生应了解半导体器件的结构与基本工作原理，掌握放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术。
熟悉半导体器件的外部特性与测试方法；掌握各种基本放大电路的组成、工作原理、分析方法和典型应用，注重培养学生的工程应用能力和创新精神；在学习分离元件放大电路的基础上，学习通用集成运算放大器的结构、工作原理和特点，掌握由集成运算放大器组成的各种典型基本运算电路的组成和分析方法；熟悉集成直流稳压器的应用电路。
培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。
本课程是一门实践性较强的课程。
学生应结合理论教学的进度，通过实践教学环节的训练，进一步加深对器件特性和各种单元电路工作原理的理解，培养分析问题和解决问题的能力和实际动手能力。
初步掌握模拟低频电子线路的工程设计与测试方法，学会正确使用常用电子仪器、工具，掌握常用元器件的测试方法和电路参数的测试方法。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
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命题人： 钟东洲 审核人： 试卷分类（A 卷或B 卷） B
五邑大学 试 卷
学期： 2010 至 2011 学年度 第 二 学期 课程： 模拟电子技术基础 课程代号： 005A1670
使用班级： 信息工程学院09级 姓名： 学号：
选
择 题 (共8
分)
1 稳压管是一种特殊二极管，稳压时工作在（ ）状态。
A ．正偏 B. 反偏 C ．导通 D. 截止
2. 电路如图1所示，若Ω=k 030b R ，R c =3k Ω,晶体管的β＝50，则晶体管
处于（ ）工作状态
A. 饱和
B. 截止
C. 线性放大
D. 击穿
3. 用直流电压表测得放大电路中NPN 管各电极对地电位分别是2V 、6V 和2.7V ，则三个电极分别为（
）
A. （b ，c ，e ）
B. （c ，b ，e ）
C.（e ，c ，b ）
D. （e ，c ，b ）
4．用恒流源取代典型差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的 ( )。
A.差模放大倍数数值增大
B.抑制共模信号能力增强
C.差模输入电阻增大 D 差模输出电阻小 5. 乙类互补对称推挽功率放大电路产生交越失真的原因是（ ）。
A. 零点漂移
B. 晶体管的死区电压
C.饱和失真
D. 截止失真
6. 为了使放大器具有稳定的输出电压，一般引入（ ）负反馈电路。
A. 电压
B. 电流
C. 串联
D. 并联
7.自激振荡电路起振的幅值条件是。
A. 0=F A
B. 1=F A
C. 1>F A
D. ∞=F A 8. 整流电路如图2所示, 设变压器副边电压有效值为U 2，则输出电压平均值为U o 为（ ）。
A. 0.9U 2 B.
2 C. 0.5U 2 D. 1.2U 2
二、填 空 题 (每空１分，共 18分)
R
设为______, 等效为断开。
2. 三极管是______控制元件；场效应管是______控制元件。
3.共射极放大电路中的集电极电阻的作用是_________________。
4. 差分放大电路的输入端加上大小相等，极性相同的信号，则称之为____________信号，而加上大小相等，极性相反的信号，称为____________信号。
5. 差分放大电路发射极上的电阻E R 的直流电流EQ I 是单管集电极电流CQ I 的______倍。
6. 分析理想运算放大器的两个依据是____________和____________。
７.自激振荡的幅值条件是____________，相位条件是____________。
８.自激振荡器一般由____________，____________， ____________和____________4个部分组成。
7. 桥式整流电容滤波电路无负载时，输出电压0U ＝_____ U 2（变压器副边电压有效值）；若该电路带负载时，0U ＝_____ U 2。
综 合 题 (共74分)
三、(5分)
设二极管为理想二极管，试判断图3所示电路中，A 、B 两点取下列各值时（如表1所示）二极管导通情况，并求输出电压U F 。
V
/A U V /B U 00
06
666
表1
四、(20分)
电路如图4（a ）和（b ）所示，晶体管的V 0.7BE =U ，β ＝50，Ω=300'bb r
(1) 求电路（a ）和（b ）的静态工作点Q 。
(2) 画出电路（a ）和（b ）的交流通路和H 参数等效电路图，并分别求电路（a ）和（b ）的输入电阻i R 、
输出电阻R o 和电压增益∙
u A 。
(a)
-o
o
R 4
图
五、(12分)
如图5所示的N 沟道结型场效应管放大电路的参数如下：g m =0.3mA/V ，I DSS =3mA ，
)(S U off G =–2V 。
画出微变等效电路并求输入电阻i R ，输出电阻0R 和电压放大倍数u
A
+L
v o -
u
o
六、(15分)
差分放大电路如图6所示，已知三极管的50=β，'bb 200r =Ω，BEQ 0.7V U = (1) 求静态值。
(2) 求R id 、R o 、A u d 。
图6
u i2
u o
u i1
七、(10分)
如图7所示的加减运算放大电路，求输出电压0V
八、(12分)
如图8所示反馈放大电路，设电路中各电容器容量足够大。
（1）要提高输入电阻，减小输出电阻，反馈回路两端C 和D 应如何与电路A 、B 、E 和F 节点中的两节点连接?并计算引入深度负反馈后的闭环电压放大倍数A uf
（2）要减小输入电阻，提高输出电阻，反馈回路两端C 和D 应如何与电路A 、B 、E 和F 节点中两节点连接?并计算引入深度负反馈后的闭环电压放大倍数A uf
o。