ttl电平和cmos电平标准
CMOS TTL电平标准
TTL电平和CMOS电平总结1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS 电路的电源。
6，COMS电路的使用注意事项1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。
TTL电路与CMOS电路
TTL电路与CMOS电路2009-10-28 22:28一、TTL和CMOS电路TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。
它采用双极型工艺制造，、具有高速度低功耗和品种多等特点。
CMOS是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。
由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（Complementary MOS Integrated Circuit）。
1、TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2、CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
二、TTL和CMOS电路的比较1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）CMOS电路的锁定效应：CMOS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，CMOS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
TTL电平和CMOS电平标准
I-输入范围|O-输出范围|H-高|L-低|TH-Threshold阀值（逻辑界限）。
范围是自线的位置往边界延伸“范围是自线的位置往边界延伸”这里能再说的明白些吗？最好指示出什么颜色代表什么区域，谢谢了！
举例，VIHX线往上方边界Vcc看，中间包含的蓝色和条纹带都能被认为是高电平。
是可靠电平。
左边2个是ttl逻辑电路不同供电电压时情况；右边2个是cmos逻辑电路不同供电电压时情况。
说一下左边第一个，其他雷同：
ttl逻辑电路在供电电压5V时，
Voh（最小高电平输出电压）=2.4V，Vih（最小高电平输入电压）=2V，高电平噪声容限=|Voh-Vih|=0.4V；
Vol（最大低电平输出电压）=0.5V，Vil（最大低电平输入电压）=0.8V，低电平噪声容限=|Vol-Vil|=0.3V；
Vth（阈值电压、门限电压）=1.5V，高低电平相对门限电压不对称。
另外说明几点：
（1）ttl的Vth在Vcc变化时基本不跟随改变，cmos的Vth=Vcc/2
（2）cmos噪声容限比ttl的高
不论（哪里来的）什么信号，只要>=Vih就是逻辑“1”，<=Vil就是逻辑“0”。
Vih是输入逻辑1电压，Vil是输入逻辑0电压；Voh是输出逻辑1电压，Vol是输出逻辑0电压
只要Vin>＝Vih就看做是输入逻辑1，Vin<=Vil就看做输入逻辑0，相应的，只要Vout>=Voh（即上面蓝色区域）就看做是输出逻辑1,Vout<=Vol（即下面蓝色区域）就看做是输出逻辑0。
TTL电平和CMOS电平区别和比较
一．TTLTTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门〔transistor-transistorlogicgate〕，TTL大局部都采用5V电源。
1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V，Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V，Uil≤0.8V二．CMOSCMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。
CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≈VCC，Uol≈GND2.输入高电平Uoh和输入低电平UolUih≥0.7*VCC，Uil≤0.2VCC〔VCC为电源电压，GND为地〕从上面可以看出:在同样5V电源电压情况下，COMS电路可以直接驱动TTL，因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V；而TTL电路那么不能直接驱动CMOS电路，TTL的输出高电平为大于2.4V，如果落在2.4V～3.5V之间，那么CMOS电路就不能检测到高电平，低电平小于0.4V 满足要求，所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。
如果出现不同电压电源的情况，也可以通过上面的方法进展判断。
如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5VCMOS电路的情况，如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74HC换成74HCT〔74系列的输入输出在下面有介绍〕的芯片，因为3.3VCMOS可以直接驱动5V的TTL电路；或者加电压转换芯片；还有就是把单片机的I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。
三．74系列简介74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片，74系列中分为很多种，而我们平时用得最多的应该是以下几种：74LS，74HC，74HCT这三种，这三种系列在电平方面的区别如下：TTL和CMOS电平1、TTL电平(什么是TTL电平)：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
TTL电平和CMOS电平的区别
TTL电平和CMOS电平的区别！（转贴）TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL 电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。
TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于可靠性和成本两面的原因。
因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
6 c4 p; z2 k' r3 D$ f& L什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V ' w6 n- P7 `( L6 ECMOS电平Vcc可达到12V PCB设计论坛，PCB layout设计，高速PCB设计，高速SI仿真设计4 K, M" v1 {! i- B% A9 F% y" lCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为EDA365高速PCB论坛$ K3Y* O# j3 |0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平PCB设计论坛，PCB layout设计，高速PCB设计，高速SI仿真设计& k, H; f' e0 e8 b1 a! l+ I$ J另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
TTL与COM
TTL与CMOS（超级详细！）2推荐TTL与CMOS1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
什么是TTL电平和CMOS电平-ttl电平和cmos电平区别和比较
什么是TTL电平和CMOS电平?ttl电平和cmos电平区别和比较1、TTL电平(什么是TTL电平)：TTL电平信号被利用的最多是由于通常数据表示采纳二进制规定，+5V等价于规律“1”，0V等价于规律“0”，这被称做TTL(晶体管-晶体管规律电平)信号系统，这是计算机处理器掌握的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器掌握的设备内部的数据传输是很抱负的，首先计算机处理器掌握的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者，计算机处理器掌握的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满意这个要求。
TTL型通信大多数状况下，是采纳并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于牢靠性和成本两面的缘由。
由于在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对牢靠性均有影响。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平。
输出高电平2.4V,输出低电平0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。
2、CMOS电平：1规律电平电压接近于电源电压，0规律电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成规律混乱。
另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
3、电平转换电路：由于TTL和COMS的凹凸电平的值不一样(ttl 5v==cmos 3.3v)，所以相互连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
哈哈4、OC门，又称集电极开路与非门门电路，Open Collector(Open Drain)。
TTL，CMOS，LVTTL，LVCMOS电平标准
TTL，CMOS，LVTTL，LVCMOS电平标准TTL电平VCC：5V数字电路中，由TTL电⼦元器件组成电路使⽤的电平。
电平是个电压范围。
标准输出⾼电平（VOH)：2.4V标准输出低电平(VOL)：0.4V（0.5V）通常输出⾼电平：3.5V(3.6V)通常输出低电平：0.2V最⼩输⼊⾼电平(VIH)：2.0V最⼤输⼊低电平(VIL) ：0.8V对TTL器件规定输出⾼电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，TTL器件⼀般输出⾼电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最⼩输⼊⾼电平和低电平：输⼊⾼电平>=2.0V，输⼊低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
（什么是噪声容限）3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS电平标准Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
3.3V LVCMOS：Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
思考题：（1）噪声容限是如何计算的?（2）电位，电压，电平有什么区别？。
TTL和CMOS门电路
TTL和CMOS门电路⽹页收藏TTL和CMOS门的区别：1. TTL和带缓冲的TTL信号输出⾼电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，⼀般输出⾼电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最⼩输⼊⾼电平和低电平：输⼊⾼电平>=2.0V，输⼊低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2. CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电压，0逻辑电平接近于0V。
⽽且具有很宽的噪声容限。
3. 电平转换电路：因为TTL和COMS的⾼低电平的值不⼀样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是⽤两个电阻对电平分压，没有什么⾼深的东西。
4. OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为⾼低电平⽤。
否则它⼀般只作为开关⼤电压和⼤电流负载，所以⼜叫做驱动门电路。
5. TTL和COMS电路⽐较：1）TTL电路是电流控制器件，⽽coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗⼤。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本⾝的功耗与输⼊信号的脉冲频率有关，频率越⾼，集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输⼊太⼤的电流，内部的电流急剧增⼤，除⾮切断电源，电流⼀直在增⼤。
这种效应就是锁定效应。
当产⽣锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯⽚。
防御措施： 1）在输⼊端和输出端加钳位电路，使输⼊和输出不超过不超过规定电压。
2）芯⽚的电源输⼊端加去耦电路，防⽌VDD端出现瞬间的⾼压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有⼤的电流也不让它进去。
4）当系统由⼏个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输⼊信号和负载的电源；关闭时，先关闭输⼊信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
TTL和CMOS CMOS电平和TTL电平区别
TTL和CMOS CMOS电平和TTL电平区别1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成S的逻辑电平范围比较大(5～15V)，TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大(1～5mA/门)5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS 速度与TTL差不多相当。
6.TTL门电路的输入端悬空相当于1，CMOS门电路的输入端不允许悬空。
其中RS232采用负逻辑-15v ~ -3v 代表1CMOS电平和TTL电平：CMOS逻辑电平范围比较大，范围在3～15V，比如4000系列(4011与非门)，当5V供电时，输出在4.6以上为高电平，输出在0.05V以下为低电平。
输入在3.5V以上为高电平，输入在1.5V 以下为低电平。
而对于TTL芯片，供电范围在0～5V，常见都是5V，如74系列5V供电，输出在2.7V以上为高电平，输出在0.5V以下为低电平，输入在2V以上为高电平，在0.8V 以下为低电平。
几个重要参数输入高电平(Vih)：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。
输入低电平(Vil)：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。
输出高电平(Voh)：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。
输出低电平(Vol)：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。
Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)。
(拉和灌是站在外围电路的角度上考虑的)Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流)。
Iih：逻辑门输入为高电平时的电流(为灌电流)。
Iil：逻辑门输入为低电平时的电流(为拉电流)。
TTL与cmos 系列的电平标准
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。
下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。
所以后来就把一部分“砍”掉了。
也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low V oltage TTL)。
3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。
多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。
要下拉的话应用1k以下电阻下拉。
TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。
对应 3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
RS232、RS485、TTL电平、CMOS电平
RS232、RS485、TTL电平、CMOS电平什么是TTL 电平、CMOS 电平、RS232 电平？它们有什么区别呢？一般说来，CMOS 电平比TTL 电平有着更高的噪声容限。
（一）、TTL 电平标准输出L： 2.4V。
输入L： 2.0VTTL 器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。
输入，低于1.2V 就认为是0，高于2.0 就认为是1。
于是TTL 电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V，高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V。
（二）、CMOS 电平标准输出L：0.9*Vcc。
输入L：0.7*Vcc.由于CMOS 电源采用12V，则输入低于3.6V 为低电平，噪声容限为1.8V，高于3.5V 为高电平，噪声容限高为1.8V。
比TTL 有更高的噪声容限。
（三）、RS232 标准负逻辑：逻辑1 的电平为-3～-15V，逻辑0 的电平为+3～+15V，注意电平的定义反相了一次。
不足之处：（1）接口的信号电平值较高，易损坏接口电路的芯片，又因为与TTL 电平不兼容故需使用电平转换电路方能与TTL 电路连接。
（2）RS232 可做到双向传输，全双工通讯最高传输速率20kbps。
（3）接口使用一根信号线和一根信号返回线而构成共地的传输形式，这种共地传输容易产生共模干扰，所以抗噪声干扰性弱。
（4）传输距离有限，最大传输距离15 米。
（四）、RS485 标准逻辑1 的电平为+2～+6V，逻辑0 的电平为-2～-6V，双向传输，半双工通讯, 最高传输速率10Mbps最大传输距离约为1200mRS-485 接口是采用平衡驱动器和差分接收器的组合，抗共模干能力增强，即抗噪声干扰性好。
TTL和CMOS电平总结
TTL和CMOS电平总结1.TTL电平：TTL是早期使用广泛的数字电平标准，其电平定义如下：- 高电平 (logic 1)：大约2.4V到5V之间。
- 低电平 (logic 0)：大约0V到0.4V之间。
-高电平噪声容限：1.3V。
-低电平噪声容限：0.8V。
-输出电流：约为-0.4mA至+16mA。
TTL电平的优点包括：速度较快、抗噪声能力较好、成本较低。
然而，TTL电平的缺点是功耗较高，因为它使用了较高的供电电压和较大的电流来驱动逻辑门。
此外，TTL信号电平的电压范围相对较窄，容易受到电源电压波动的影响。
2.CMOS电平：CMOS是现代数字电路中使用较多的电平标准，其电平定义如下：- 高电平 (logic 1)：大约0.7V到VDD（供电电压）之间。
- 低电平 (logic 0)：大约0V到0.3V之间。
-高电平噪声容限：VDDx0.7-低电平噪声容限：0.3V。
-输出电流：接近0mA。
CMOS电平的优点包括：功耗较低、较高的噪声容限、较宽的电压范围和较大的输入输出电阻。
CMOS因其低功耗特性而广泛应用于便携式设备和低功耗电子设备。
此外，它对电源电压波动的容忍度更高，因此在电源电压不稳定的环境下工作更可靠。
然而，CMOS电平的缺点是速度相对较慢，尤其在大容量的负载下。
此外，由于其输入输出电阻较大，CMOS信号对于电磁干扰更敏感。
总之，TTL和CMOS是两种常见的数字电平标准。
TTL电平使用高电流和较高的电压，速度较快但功耗较高；CMOS电平使用较低的电压和电流，功耗较低但速度相对较慢。
选择哪种电平标准取决于具体的应用要求和设计约束。
TTL和CMOS电平汇总
TTL和CMOS电平汇总1. TTL（Transistor-Transistor Logic）TTL电平是一种基于双极型晶体管的逻辑电平标准。
它使用晶体管的导通和截止来表示逻辑电平的高低。
TTL电平通常具有以下特点：-高电平（H）：在TTL中，高电平通常定义为2.6V到5V之间的电压范围，其中2.6V以下被认为是低电平。
高电平表示逻辑“1”。
TTL电平的高电平较高，可以有效地减小误差和干扰。
-低电平（L）：TTL的低电平通常在0V到0.4V之间，其中0.4V以上被认为是高电平。
低电平表示逻辑“0”。
-噪声容忍度差：由于TTL电平的高电平较高，因此对噪声和干扰的容忍度较低。
-低功耗：与CMOS相比，TTL电路的功耗较高。
这是由于TTL使用了较高的工作电压和功耗较大的双极型晶体管。
-输出电流较大：TTL电路的输出电流能达到较大数值，通常在20mA 左右。
这使得TTL电路可以驱动多个输入负载。
TTL电平由于其较高的工作电压和较大的输出电流，适用于需要较高工作稳定性和较强驱动能力的应用，比如数据传输、时序控制和数字信号处理等。
CMOS电平是一种基于互补金属氧化物半导体的逻辑电平标准。
它使用n型和p型金属氧化物半导体场效应管（NMOS和PMOS）来实现逻辑门电路。
CMOS电平通常具有以下特点：-高电平（H）：在CMOS中，高电平通常在3.5V以上，其中3.5V以下被认为是低电平。
高电平表示逻辑“1”。
CMOS电平的高电平较低，功耗较少，也有助于噪声和干扰的抑制。
-低电平（L）：CMOS的低电平通常在0V到1.5V之间，其中1.5V以上被认为是高电平。
低电平表示逻辑“0”。
-噪声容忍度好：由于CMOS电平的高电平较低，因此对噪声和干扰的容忍度较好。
-低功耗：与TTL相比，CMOS电路的功耗较低。
这是由于CMOS使用了较低的工作电压和功耗较小的场效应管。
-输出电流较小：CMOS电路的输出电流较小，一般在几毫安以下。
TTL和CMOS的区别(全面-自己整理)
TTL和CMOS的区别TTL和COMS电平比较：(一)TTL高电平~5V，低电平0V~CMOS电平Vcc可达到12VTTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出L：< ；H：>。
输入L：< ；H：>TTL器件输出低电平要小于，高电平要大于。
输入，低于就认为是0，高于就认为是1。
CMOS电平：输出L：<*Vcc ；H：>*Vcc。
输入L：<*Vcc ；H：>*Vcc.TTL和COMS电路比较：TTL CMOSTTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象总体特性比较：是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
3、COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：(1)、在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
(2)、芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
TTL电平与CMOS电平的区别
TTL电平与CMOS电平的区别
TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V 等价于逻辑1，0V等价于逻辑0，这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。
TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于可靠性和成本两面的原因。
因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响;另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
什幺是TTL电平，什幺是CMOS电平，他们的区别
(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V
CMOS电平Vcc可达到12V
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为。
TTL与CMOS比对
TTL与CMOS电平/ OC门一．TTLTTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL大部分都采用5V电源。
1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V，Uil≤0.8V二．CMOSCMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。
CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≈VCC，Uol≈GND2.输入高电平Uoh和输入低电平UolUih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC（VCC为电源电压，GND为地）从上面可以看出:在同样5V电源电压情况下，COMS电路可以直接驱动TTL，因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V；而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路，TTL的输出高电平为大于2.4V，如果落在2.4V～3.5V之间，则CMOS电路就不能检测到高电平，低电平小于0.4V满足要求，所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。
如果出现不同电压电源的情况，也可以通过上面的方法进行判断。
如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况，如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74HC换成74HCT（74系列的输入输出在下面有介绍）的芯片，因为3.3V CMOS 可以直接驱动5V的TTL电路；或者加电压转换芯片；还有就是把单片机的I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。
三．74系列简介74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片，74系列中分为很多种，而我们平时用得最多的应该是以下几种：74LS，74HC，74HCT这三种，这三种系列在电平方面的区别如下：输入电平输出电平74LS TTL电平TTL电平74HC COMS电平COMS电平74HCT TTL电平COMS电平++++++++++++++++++++++++++++++++++++TTL和CMOS电平1、TTL电平(什么是TTL电平)：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
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I-输入范围|O-输出范围|H-高|L-低|TH-Threshold阀值（逻辑界限）。
范围是自线的位置往边界延伸“范围是自线的位置往边界延伸”这里能再说的明白些吗？最好指示出什么颜色代表什么区域，谢谢了！
举例，VIHX线往上方边界Vcc看，中间包含的蓝色和条纹带都能被认为是高电平。
是可靠电平。
左边2个是ttl逻辑电路不同供电电压时情况；右边2个是cmos逻辑电路不同供电电压时情况。
说一下左边第一个，其他雷同：
ttl逻辑电路在供电电压5V时，
Voh（最小高电平输出电压）=2.4V，Vih（最小高电平输入电压）=2V，高电平噪声容限=|Voh-Vih|=0.4V；
Vol（最大低电平输出电压）=0.5V，Vil（最大低电平输入电压）=0.8V，低电平噪声容限=|Vol-Vil|=0.3V；
Vth（阈值电压、门限电压）=1.5V，高低电平相对门限电压不对称。
另外说明几点：
（1）ttl的Vth在Vcc变化时基本不跟随改变，cmos的Vth=Vcc/2
（2）cmos噪声容限比ttl的高
不论（哪里来的）什么信号，只要>=Vih就是逻辑“1”，<=Vil就是逻辑“0”。
Vih是输入逻辑1电压，Vil是输入逻辑0电压；Voh是输出逻辑1电压，Vol是输出逻辑0电压
只要Vin>＝Vih就看做是输入逻辑1，Vin<=Vil就看做输入逻辑0，相应的，只要Vout>=Voh（即上面蓝色区域）就看做是输出逻辑1,Vout<=Vol（即下面蓝色区域）就看做是输出逻辑0。