瞬变抑制二极管的主要参数
TVS二极管的主要参数
TVS二极管的主要参数TVS二极管(Transient Voltage Suppressor Diode)是一种具有特殊的结构和材料,用于抑制电路中的浪涌电压和过电压的二极管。
它通常用于电力电子设备的保护和稳压电路设计,以抵抗瞬态过电压的冲击。
1. 额定电压(Rated Voltage):TVS二极管的额定电压是指在正向工作状态下,能够连续承受的最大电压。
它是一个重要的参数,决定了TVS二极管的工作可靠性和保护能力。
2. 尖峰脉冲功率(Peak Pulse Power):TVS二极管在保护电路中的打开时间很短,因此需要能够吸收和耗散来自过电压的巨大能量。
尖峰脉冲功率是TVS二极管在定义时间内能够承受的最大脉冲功率。
3. 尖峰脉冲电流(Peak Pulse Current):TVS二极管在保护电路中承受过电压时会引起脉冲电流流过。
尖峰脉冲电流是TVS二极管在定义时间范围内能够承受的最大脉冲电流。
4. 极限工作温度(Maximum Operating Temperature):TVS二极管的极限工作温度是指它能够正常工作的最高环境温度。
超过这个温度可能会导致性能下降或者破坏。
5. 开启电压(Breakdown Voltage):TVS二极管的开启电压是指当它承受的电压超过额定电压时,它会开始导电的电压。
开启电压是用来确定TVS二极管工作区域的一个参数。
6. 容量(Capacitance):TVS二极管在正向偏置电压下,容量会引起一些损失。
容量是指反向偏置电压下,TVS二极管之间的电容。
容量较低的TVS二极管可以改善其响应速度,并减少在保护电路中弛豫振荡的可能性。
7. 响应时间(Response Time):TVS二极管的响应时间是指从电压超过设定值并开始导电,到TVS二极管完全导通的时间。
响应时间越短,则对于过电压的保护能力越强。
8. 可反复使用性能(Surge Life):TVS二极管承受过电压后的可靠性和恢复能力是一个重要参数。
瞬态抑制二极管参数
1.5KE-瞬态抑制二极管型号
瞬态电压抑制二极管参数(TVS)资料Microsemi公司资料封装:DO-201
瞬态抑制二极管的选型
1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。
若选用的VWM太低,器件可
能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
串行连接分电压,并行连接分电流。
3、TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
4、在规定的脉冲持续时间内,TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉
冲功率。
在确定最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。
6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。
交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵
列更为有利。
7、温度考虑。
瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。
如果需要TVS在一个变化的温度工作,
由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随TVS结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。
因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。
P6KE TVS瞬态抑制二极管型号
工作温度范围-55-175℃功率消耗- 最低600W
TVS瞬态电压抑制二极管原理
TVS瞬态抑制二极管封装。
瞬态抑制二极管
瞬态抑制二极管瞬态二极管瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。
当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。
目录瞬态抑制二极管由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。
目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
瞬态抑制二极管主要的型号瞬态抑制二极管主要的型号有;XESD12VT23-3,IC网络超市自主品牌。
性价比很强。
XESD12VT23-3是抑制瞬变电压双向阵列,旨在保护的组分,被连接到数据和传输线路,防静电放电(简称ESD)、电气快瞬变(EFT),和闪电。
所有销子分为能够承受20kv采用IEC 61000-4-2防静电脉冲接触排放的方法。
特点;1、 500瓦峰脉冲电源的60% 8/20μs),2、低夹紧电压3、保护一个双向或两个单向线4、工作电压伏,8V:3V,,12伏,15伏特5、 ESD保护> 40千伏下6、符合;61000-4-2(简称ESD):Air-15kV Contact-8kV,40A-5/50ns 61000-4-4(EFT):61000-4-5(浪涌):24A 8/20⎧s编辑本段三大特点1、将TVS 二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
瞬变抑制二极管(TVS)
¾ 近年来静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI) 及电磁兼容性(EMC)问题也日益严重,ESD防护 的重要性被提到前所未有的高度
Protection Components & Devices 4
TVS的应用
TVS广泛应用于: 1.各类电源系统 2.家用电器 3.工控回路及仪器仪表(电度表) 4.通讯设备 5.计算机及网络设备系统 6. I/O端口
Protection Components & Devices 25
பைடு நூலகம்
高精度TVS产品列表
(1)高精度微封TVS系列 (2)高精度600W TVS系列
深圳市威特科电子有限公司 VTVS
Room B98, 2nd Section, 4th Floor, 207 Building, NanYou 2nd industrial Estate, NanShan, Shenzhen, China
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双向TVS IV特性曲线图
Protection Components & Devices 23
TVS的优点
优点: 1.箝位系数小 2.体积小 3.响应速度快(10-12s) 4.可重复使用,可靠性高等。
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低压低电容TVS 的应用
1.高速数据线保护 B端口保护 3.便携式设备保护(如手机,PDA等) 4.局域网和宽带网设备保护 5.交换系统保护以及以太网
交换机保护
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tvs瞬态抑制二极管参数
TVS瞬态抑制二极管参数1. 介绍瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode,简称TVS二极管)是一种用于保护电子电路免受瞬态电压干扰的器件。
它可以有效地抑制过电压和过电流,保护电路中的其他元件不受损坏。
本文将重点介绍TVS瞬态抑制二极管的参数,包括其电气参数、封装参数和可靠性参数。
2. 电气参数2.1 额定电压(Vr)额定电压是指TVS二极管能够正常工作的最大电压。
当电压超过额定电压时,TVS二极管将开始导通,以保护电路免受过电压的影响。
2.2 尖峰脉冲功率(Ppp)尖峰脉冲功率是指TVS二极管能够吸收的瞬态脉冲能量。
它表示了TVS二极管在瞬态电压出现时能够承受的最大功率。
通常情况下,尖峰脉冲功率越大,TVS二极管的抑制能力越强。
2.3 最大反向峰值电流(Ipp)最大反向峰值电流是指TVS二极管能够承受的最大反向电流。
当电路中的电压超过额定电压时,TVS二极管将导通,使电流通过,以保护电路。
最大反向峰值电流越大,TVS二极管的抑制能力越强。
2.4 动态电阻(Rd)动态电阻是指TVS二极管在导通状态下的电阻。
动态电阻越小,TVS二极管的抑制能力越强。
因此,低动态电阻是衡量TVS二极管性能好坏的重要指标之一。
3. 封装参数3.1 封装类型TVS瞬态抑制二极管有多种封装类型可供选择,常见的封装类型有DO-214、SMA、SMB等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景。
选择合适的封装类型可以提高电路的可靠性和稳定性。
3.2 封装尺寸封装尺寸是指TVS二极管的外部尺寸。
在进行电路设计时,需要考虑TVS二极管的封装尺寸是否符合电路板的布局要求,以确保TVS二极管能够正确安装在电路板上。
3.3 焊接温度焊接温度是指TVS二极管在焊接过程中所能承受的最高温度。
在进行电路组装时,需要控制焊接温度,避免超过TVS二极管的最大焊接温度,以免影响其性能和可靠性。
4. 可靠性参数4.1 工作温度范围工作温度范围是指TVS二极管能够正常工作的温度范围。
瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数
瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数一、TVS器件的特点瞬态(瞬变)电压抑制二级管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。
TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间仅为1ps(10-12S)。
TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃,T=10ms条件下,可达50~200A 。
双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。
二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。
从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明,当有瞬时过压脉冲时,器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值,并保持在这一水平上。
2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正) /V(BR)(反) ≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。
三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR)下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。
2、最大反向脉冲峰值电流I PP在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。
I PP与最大箝位电压Vc(MAX)的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。
使用时应正确选取TVS,使额定瞬态脉冲功率P PR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。
瞬态抑制二极管的参数
瞬态抑制二极管的参数瞬态抑制二极管是一种常用的电子元件,用于抑制电路中的瞬态峰值,保护其他电子元件免受过电压的损害。
它在许多电子设备中被广泛应用,如通信设备、电源、汽车电子等。
本文将介绍瞬态抑制二极管的参数,以帮助读者更好地理解和应用该元件。
首先,瞬态抑制二极管有几个重要的参数需要关注。
第一个参数是峰值反向耐受电压(VBR),它表示二极管可以承受的最大反向电压。
当电路中出现瞬态峰值时,瞬态抑制二极管会开始导通,以确保电路中其他部分不受到过高的电压影响。
因此,VBR应大于电路中可能出现的最大瞬态峰值电压,以保证可靠的抑制效果。
第二个参数是峰值脉冲电流(IPP),它表示瞬态抑制二极管可以承受的最大脉冲电流。
在电路中发生瞬态峰值时,二极管会短时间内承受较高的电流。
因此,为了保护瞬态抑制二极管不被烧坏,IPP应大于电路中可能出现的最大瞬态峰值电流。
第三个参数是响应时间,它表示瞬态抑制二极管从正常工作状态到完全反应的时间。
对于某些应用领域,如通信设备,快速的响应时间至关重要。
因此,选择具有较短响应时间的瞬态抑制二极管可以更好地保护电路中的其他元件。
除了这些关键参数,还有一些其他参数也需要考虑。
其中一个是电流保持能力,它表示瞬态抑制二极管可以持续传导的最大电流。
在电路中发生瞬态峰值时,瞬态抑制二极管会导通,以保护其他元件,但它也需要能够持续传导电流,以确保电路正常运行。
此外,还有一些次要参数需要关注,如反向漏电流和漏电击穿电压。
反向漏电流表示在瞬态抑制二极管正常工作时的少量反向电流,它应尽可能小以减少功耗。
漏电击穿电压表示在极端情况下瞬态抑制二极管可以承受的最高反向电压,它应大于设备可能遇到的最高电压,以确保元件的可靠性。
综上所述,了解瞬态抑制二极管的参数对于正确选择和应用该元件非常重要。
通过考虑峰值反向耐受电压、峰值脉冲电流、响应时间、电流保持能力、反向漏电流和漏电击穿电压等参数,可以确保瞬态抑制二极管在电路中可靠地工作,提供有效的瞬态抑制保护。
TVS二极管参数简介及应用
TVS瞬变二极管(瞬态电压抑制器)主要特性参数和选用注意事项瞬变二极管是一种二极管形式的高效能保护器件,具有极快的响应时间和相当高的浪涌吸收能力。
当TVS二极管的两端受到反向瞬态过压脉冲时,能以极高的速度把两端间的高阻抗变为低阻抗,以吸收瞬间大电流,并将电压箝制在预定数值,从而有效保护电路中的元器件免受损坏。
本文讲述了TVS器件的主要特性参数和选用注意事项,同时给出了TVS在电路设计中的应用方法。
1 TVS二极管的特性及主要参数1.1 TVS二极管的器件特性在规定的反向应用条件下,TVS二极管对受保护的线路呈高阻抗状态。
当瞬间电压超过其击穿电压时,TVS二极管就会提供一个低阻抗的路径,并通过大电流方式使流向被保护元器件的瞬间电流分流到TVS二极管,同时将受保护元器件两端的电压限制在TVS 的箝制电压。
当过压条件消失后,TVS二极管又恢复到高阻抗状态。
与陶瓷电容相比,TV S可以承受15 kV的电压,但陶瓷贴片电容对高压的承受能力比较弱。
5 kV的冲击就会造成约10%陶瓷电容失效,而到10 kV时,其损坏率将高达到60%。
1.2 TVS二极管的主要参数(1)最小击穿电压VBR当TVS流过规定的电流时,TVS两端的电压称为最小击穿电压,在此区域,TV S呈低阻抗的通路。
在25℃时,低于这个电压,TVS是不会发生雪崩击穿的。
(2)额定反向关断电压VWMVWM是TVS在正常状态时可承受的电压,此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压。
但它又需要尽量与被保护电路的正常工作电压接近,这样才不会在TVS工作以前使整个电路面对过压威胁。
按TVS的VBR与标准值的离散度,可把VBR分为5%和10%两种,对于5%的VBR来说,VWM=0.85VBR腿;而对于10%的VBR来说,VW M=0.81VBR。
(3)最大峰值脉冲电流IPPIPP是TVS在反向状态工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。
tvs瞬态抑制二极管参数
tvs瞬态抑制二极管参数TVS瞬态抑制二极管的主要参数有:1.最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM:VWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS 的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
2.最小击穿电压VBR和击穿电流IR:VBR是TVS最小的雪崩电压。
25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。
当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其最小击穿电压VBR。
按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS 分为±5%VBR和平共处±10% VBR两种。
3.最大箝拉电压VC和最大峰值脉冲电流IPP:当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的最大峰值电压为VC。
它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。
VC 、IPP反映了TVS器件的浪涌抑制能力。
VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。
4.电容量C:电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。
C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。
因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。
5.最大峰值脉冲功耗PM:PM是TVS能承受的最大峰值脉冲耗散功率。
其规定的试验脉冲波形和各种TVS的PM值,请查阅有关产品手册。
在给定的最大箝位电压下,功耗PM越大,其浪涌电流的承受能力越大;在给定的功耗PM下,箝位电压VC越低,其浪涌电流的承受能力越大。
另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。
而且TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的,器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%,如果电路内出现重复性脉冲,应考虑脉冲功率的“累积”,有可能使TVS损坏。
6.箝位时间TC:TC是从零到最小击穿电压VBR的时间。
对单极性TVS小于1×10-12秒;对双极性TVS小于是1×10-11秒。
TVS原理与应用
瞬态电压抑制二极管应用
第一章 TVS器件的特点、电特性和主要电参数 三、TVS器件的主要电参数 1、 击穿电压V(BR) 器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR)下,测得器件两端的电压称为击穿 电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。 2、 最大反向脉冲峰值电流IPP 在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。IPP与最大 箝位电压VC(MAX)的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。 使用时应正确选取TVS,使额定瞬态 脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。 3、 最大反向工作电压VRWM(或变位电压) 器件反向工作时,在规定的IR下,器件两端的电压值称为最大反向工作电压VRWM。 通常VRWM=(0.8~0.9)V(BR)。在这个电压下,器件的功率消耗很小。使用时,应使VRWM 不低于被保护器件或线路的正常工作电压。 4、 最大箝位电压VC(max ) 在脉冲峰值电流Ipp 作用下器件两端的最大电压值称为最大 箝位电压。使用时,应使 VC(max )不高于被保护器件的最大允许安全电压。最大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数 。 即:箝位系数=VC(max )/V(BR) 一般箝位系数为1.3左右。 5、 漏电流IR 当最大反向工作电压施加到TVS上时,TVS管有一个漏电流IR,当TVS用于高阻抗电路 时,这个漏电流是一个重要的参数。
瞬态电压抑制二极管应用
第二章 TVS选用原则 交流电路应用举例: 直流线路采用单向瞬变电压抑制二极管,交流则必须采用双向瞬变电压抑制二极管。交流 是电网电压,这里产生的瞬变电压是随机的,有时还遇到雷击(雷电感应产生的瞬变电压)所 以很难定量估算出瞬时脉冲功率PPR。但是对最大反向工作电压必须有正确的选取。 一般原则是交流电压乘1.4倍来选取TVS管的最大反向工作电压。直流电压则按1.1—1.2倍 来选取TVS管的最在反向工作电压VRWM。 图2-8给出了一个微机电源采用TVS作线路保护的原理图,由图可见: 1、 在进线的220V~处加TVS管抑制220V~交流电网中尖峰干扰。 2、 在变压器进线加上干扰滤波器,滤除小尖峰干扰。 3、 在变压输出端V~=20V处又加上TVS管,再一次抑制干扰。 4、 到了直流10V输出时还加上TVS管抑制干扰。 其中:双向TVS管D1的VRWM=220V~×1.4=308V左右 双向TVS管D2的 VRWM=20V~×1.4=28V左右 单向TVS管D3的VRWM=10V~×1.2=12V左右
TVS(瞬变抑制)二极管参数与选型
TVS(瞬变抑制)二极管参数与选型TVS管的英文名是TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR,中文名叫瞬变抑制二极管。
它在承受瞬间高能量脉冲时,能在极短的内由原来的高阻抗状态变为低阻抗,并把电压箝制到特定的水平,从而有效的保护用户的设备和元器件不受损坏。
由于其具有箝位电压低、动作时间快等特点;因此比较适合于多级保护电路的末级保护。
此外也能和其它保护元件配合使用,组成专用的防雷装置。
目录TVS的参数特性TVS的应用TVS和其它浪涌保护元件的区别TVS的选用方法TVS管TVS的参数特性1.TVS特性TVS管是典型的PN结雪崩器件,和普通稳压管的击穿特性差不多。
但这条曲线只反映了TVS特性的一个部分,还必须补充下图所示的特性曲线,才能反映TVS的全部特性。
这是在双踪示波器上观察到的TVS管承受大电流冲击时的电流及电压波形。
图中曲线1是TVS管中的电流波形,它表示流过TVS管的电流由1mA突然上升到峰值,然后按指数规律下降,造成这种电流冲击的原因可能是雷击、过压等。
曲线2是TVS管两端电压的波形,它表示TVS中的电流突然上升时,TVS两端电压也随之上升,但最大只上升到VC值,这个值比击穿电压VBR略大,从而对后面的电路元件起到保护作用。
TVS在电路中和稳压管一样,是反向使用的。
2.参数说明A.击穿电压(VBR):TVS在此时阻抗骤然降低,处于雪崩击穿状态。
B.测试电流(IT):TVS的击穿电压VBR在此电流下测量而得。
一般情况下IT取1mA。
C.反向变位电压(VRWM):TVS的最大额定直流工作电压,当TVS两端电压继续上升,TVS将处于高阻状态。
此参数也可被认为是所保护电路的工作电压。
D.最大反向漏电流(IR):在工作电压下测得的流过TVS的最大电流。
E.最大峰值脉冲电流(IPP):TVS允许流过的最大浪涌电流,它反映了TVS的浪涌抑制能力。
F.最大箝位电压(VC):当TVS管承受瞬态高能量冲击时,管子中流过大电流,峰值为IPP,端电压由VRWM值上升到VC值就不再上升了,从而实现了保护作用。
瞬态电压抑制二极管参数
瞬态电压抑制二极管参数
瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppression Diode,简称TVS)的参数有以下几个:
1. 电流容量(Peak Pulse Current):表示在瞬态电压抑制模式下,二极管可以承受的最大电流。
通常以一个脉冲电流值来表示,例如10/1000μs。
2. 额定功率(Power Dissipation):表示二极管可以耗散的最大功率。
这个参数主要与二极管的封装结构和散热能力相关。
3. 额定电压(Voltage Stand-off):表示在正常工作状态下,二极管的工作电压。
当系统电压超过这个额定电压时,二极管将开始导通。
4. 瞬态响应时间(Response Time):表示从系统电压超过额定电压到二极管开始导通的时间。
一般以纳秒为单位。
5. 最大反向峰值电压(Peak Reverse Voltage):表示二极管可以承受的最大反向电压。
超过这个电压,二极管将会损坏。
6. 端子电容(Terminal Capacitance):表示二极管的输入和输出端之间的电容。
这个参数会影响二极管的响应时间。
这些参数可以根据实际应用需求选择合适的TVS二极管。
TVS 即瞬态抑制二极管
TVS 即瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)2007-12-01 14:411、概述:TVS管是瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor)的简称。
它的特点是:响应速度特别快(为ns级);耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差,其10/1000μs波脉冲功率从400W~30KW,脉冲峰值电流从0.52A~544A;击穿电压有从6.8V~550V的系列值,便于各种不同电压的电路使用。
2、特性:TVS管有单向与双向之分,单向TVS管的特性与稳压二极管相似,双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联,其主要特性参数有:①反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR:反向断态电压(截止电压)VRWM表示TVS管不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。
②击穿电压VBR:TVS管通过规定的测试电流IT时的电压,这是表示TVS管导通的标志电压。
③脉冲峰值电流IPP:TVS管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流(8/20μs 波的峰值电流约为其5倍左右),超过这个电流值就可能造成永久性损坏。
在同一个系列中,击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小。
④最大箝位电压VC:TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。
⑤脉冲峰值功率Pm:脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP 与最大箝位电压VC的乘积,即Pm=IPP*VC。
⑥稳态功率P0:TVS管也可以作稳压二极管用,这时要使用稳态功率。
⑦极间电容Cj:与压敏电阻一样,TVS管的极间电容Cj也较大,且单向的比双向的大,功率越大的电容也越大。
ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。
本文探讨了采用TVS二极管防止ESD时,最小击穿电压和击穿电流、最大反向漏电流和额定反向关断电压等参数对电路的影响及选择准则,并针对便携消费电子设备、机顶盒、以及个人电脑中的视频线路保护、USB保护和RJ-45接口等介绍了一些典型应用随着移动产品、打印机、PC,DVD、机顶盒(STB)等产品的迅速发展,消费者正要求越来越先进的性能。
1N6283A,TVS瞬变抑制二极管中文资料
1N6267 / A - 1N6303 / APOWER: 1500Wa t VOLTAGE RANGE: 6.8 - 440 VAXIAL LEADED TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESS DIODECase: JEDEC DO-201AD Molded Plastic FeaturesGlass Passivated Die ConstructionUni- and Bi-Directional Versions Available Excellent Clamping Capability Fast Response TimePlastic Case Material has UL FlammabilityMechanical DataTerminals: Axial Leads, Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Polarity: Cathode Band or Cathode Notch Marking:Unidirectional – Device Code and Cathode Band Bidirectional – Device Code OnlyMaximum Ratings and Electrical Characteristics@T A =25°C unless otherwise specifiedCharacteristicSymbol ValueUnit Peak Pulse Power Dissipation at T A = 25°C (Note 1, 2, 5) Figure 3P PPM 1500 MinimumW Peak Forward Surge Current (Note 3)I FSM 200A Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1) Figure 1I PPM See Table 1A Steady State Power Dissipation (Note 2, 4)P M(AV) 5.0W Operating and Storage Temperature RangeT j , T STG-65 to +175°CNote: 1. Non-repetitive current pulse, per Figure 1 and derated above T A = 25°C per Figure 4.2. Mounted on 40mm 2 copper pad.3. 8.3ms single half sine-wave duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.4. Lead temperature at 75°C = T L .5. Peak pulse power waveform is 10/1000µS.!!!!!!!Weight: 1.20 grams (approx.)!!ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at = 25 °C ambient temperature unless otherwise specifiedELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at = 25 °C ambient temperature unless otherwise specifiedNote:( 1 ) V BR measured after It applied for 300 µs., It = square wave pulse or equivalent.( 2 ) V F = 3.5 Vmax., I F = 100 Amps. ( 6.8 Volts thru 91 Volts )V F = 5.0 Vmax., I F = 100 Amps. ( 100 Volts thru 200 Volts ) per 1/2square or equivalent sine wave.PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 1N6267 - 1N6303A )FIG.1 - PULSE DERATING CURVEFIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENTTa, AMBIENT TEMPERATURE, ( °C)NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 - STEADY STATE POWER DERATINGFIG.4 - PULSE RATING CURVEFIG.5 - PULSE WAVEFORM1.02.03.04.0806040201205.00100101600240012080401.253.7500.12.501.0tp, PULSE WIDTHP E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T , A M P E R E SP E A K P U L S E D E R A T I N G I N % O F P E A K P O W E R O R C U R R E N TP p ,P E A K P O W E R (k W )1002001020601246401001001251752550751500.1s1.0s 10s 100s 10ms1.0ms 200T L , LEAD TEMPERATURE (°C)P D , S T E A D Y S T A T E P O W E R D I S S I P A T I O N (W A T T S )T, TIME(ms)P E A K P U L S E C U R R E N T - % IR M S。
瞬变电压抑制二极管原理
瞬变电压抑制二极管原理瞬变电压抑制二极管,也称为TVS二极管(Transient Voltage Suppressor Diode),是一种用于保护电子设备免受瞬变电压损害的重要元件。
在现代电子设备中,由于电网电压不稳定、雷击、电感耦合等原因,常常会产生瞬变电压,这些瞬变电压可能导致电子设备的故障甚至损坏。
瞬变电压抑制二极管的出现,正是为了解决这一问题,保护电子设备的正常运行。
瞬变电压抑制二极管的工作原理是基于其特殊的电压-电流特性。
当电路中的电压超过瞬变电压抑制二极管的工作电压时,它会迅速导通,使电路中的电流流过二极管,并将过电压释放到地。
在正常工作情况下,瞬变电压抑制二极管的电阻非常大,几乎不对电路产生影响。
但一旦电路中出现过电压,瞬变电压抑制二极管会立即变为一个低电阻通路,将过电压引导到地,从而保护电子设备免受损坏。
瞬变电压抑制二极管的工作电压(即最大反向工作电压)是一个重要的参数,它决定了二极管能够承受的最大过电压。
在选择瞬变电压抑制二极管时,需要根据实际应用中可能出现的最大过电压来确定工作电压。
通常情况下,瞬变电压抑制二极管的工作电压应比实际应用中可能出现的最大过电压稍高一些,以确保二极管能够正常工作并将过电压引导到地。
除了工作电压外,瞬变电压抑制二极管还有其他一些重要的参数,如最大峰值脉冲电流、响应时间等。
最大峰值脉冲电流指的是二极管能够承受的最大瞬时电流,响应时间则是指二极管从正常工作状态变为低电阻通路所需的时间。
这些参数的选择也需要根据实际应用的要求进行。
瞬变电压抑制二极管广泛应用于各种电子设备中,如电源、通信设备、计算机、汽车电子等。
它可以有效地保护这些设备免受过电压的侵害,提高设备的稳定性和可靠性。
在电源中,瞬变电压抑制二极管可以有效地抑制电网中的瞬变电压,避免电源输出的不稳定。
在通信设备中,瞬变电压抑制二极管可以保护通信线路免受雷击和电感耦合等因素的干扰。
在计算机和汽车电子中,瞬变电压抑制二极管可以保护电路不受静电放电和电磁干扰的影响。
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瞬变抑制二极管的主要参数
∙1、击穿电压V(BR) :器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR) 下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。
2、最大反向脉冲峰值电流IPP :在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器
件允许通过的最大脉冲峰值电流。
IPP 和最大箝位电压Vc(MAX) 的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。
使用时应正确选取瞬变抑制二极管,使额定瞬态脉冲功率PPR 大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。
3、最大反向工作电压VRWM(或变位电压):器件反向工作时,在规定的
IR 下,器件两端的电压值称为最大反向工作电压VRWM。
通常VRWM =(0.
8~0. 9)V (BR) 。
在这个电压下,器件的功率消耗很小。
4、最大箝位电压Vc(max ) :在脉冲峰值电流Ipp作用下器件两端的最
大电压值称为最大箝位电压。
使用时,应使Vc(max ) 不高于被保护器件的最大允许安全电压。
最大箝位电压和击穿电压之比称为箝为系数。
5、反向脉冲峰值功率PPR :瞬变抑制二极管的PPR 取决于脉冲峰值电
流IPP 和最大箝位电压Vc(max ) ,除此以外,还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。
6、电容CPP:瞬变抑制二极管的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电
容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。
电容的大小会影响瞬变抑制二极管器件的响应时间。
7、漏电流IR:当最大反向工作电压施加到瞬变抑制二极管上时,瞬变抑制
二极管管有一个漏电流IR,当瞬变抑制二极管用于高阻抗电路时,这个漏电流是一个重要的参数。
瞬变抑制二极管的使用技巧
∙1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、瞬变抑制二极管额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工
作电压。
若选用的VWM 太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
串行连接分电压,并行连接分电流。
3、瞬变抑制二极管的最大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。
4、在规定的脉冲持续时间内,瞬变抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM 必
须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。
在确定最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C 的瞬变抑制
二极管器件。
6、根据用途选用瞬变抑制二极管的极性及封装结构。
交流电路选用双极性
瞬变抑制二极管较为合理;多线保护选用瞬变抑制二极管阵列更为有利。
7、温度考虑。
瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。
如果需要
瞬变抑制二极管在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;
功耗随瞬变抑制二极管结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降
50%雨击穿电压VBR 随温度的增加按一定的系数增加。
因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。
瞬变抑制二极管的选用原则
∙一、大箝位电压VC(MAX)不大于电路的最大允许安全电压。
二、最大反向工作电压(变位电压)VRWM不低于电路的最大工作电压,
一般可以选VRWM等于或略高于电路最大工作电压。
三、额定的最大脉冲功率,必须大于电路中出现的最大瞬态浪涌功率。
瞬变抑制二极管的应用实例
∙一、瞬变抑制二极管在微机中的应用实例
一个典型的微机系统,通过电源线、输入线、输出线进入的各种干扰或瞬变电压,可能使微机误动作出故障,特别是来自开关电源,微机近旁的电动机的开和关、交流电源电压的浪涌和瞬变、静电放电等场合都可能使系统产生误动作,严重时还可能损坏器件。
将瞬变电压抑制二极管接到微机的电源线输入和输出线上,可防止瞬变电压进入“微机”总线,加强微机对外界干扰的抵抗能力,保证微机正常工作,提高其应用可靠性。
,使用瞬变抑制二极管管的量是很多的。
二、瞬变抑制二极管管保护开关电源实例
对开关电源设计师来讲,必须对影响开头电源的三种瞬变类型进行保护:
1、由负载变化引起的瞬变电压(电感负载);
2、由电源线引入的瞬变电压;
3、由开关电源内部发生的瞬变电压。
由于电源中需要保护的典型元器件有:
1、高反压开关晶体管(VMOS管)
2、高压整流器(高压流整流二极管)
3、输出整流器(输出大电流整流二极管)
4、内部控制电路(脉宽调制器等)
典型开关电源中应用瞬变抑制二极管的实例,由图可见共有八个瞬变抑制二极管管,各自保护自已的对象,当然八个瞬变抑制二极管管的特性也不同,从“击穿电压”、“最大脉冲峰值功率”、“脉冲峰值电流”到“箝位电压”等都有区别。
美国HP公司某仪器使用的开关电源,从图中可以看到该电源中所有瞬变电压抑制二极管的数量及情况。
国外应用瞬变抑制二极管是非常普遍的,而且数量也是很多的,可见瞬变抑制二极管对提高整机应用可靠性是至关重要的。
三、瞬变抑制二极管保护直流稳压电源实例
一个直流稳压电源,并有扩大电流输出的晶体管,在其稳压输出端加上瞬变电压抑制二极管,可以保护使用该电源的仪器设备,同时还可以吸收电路中晶体管的集电极到发射极间的峰值电压,保护晶体管。
建设在每个稳压源输出端增加一个瞬变抑制二极管管,可大幅度提高整机应用可靠性。
四、瞬变抑制二极管保护晶体管实例
各种瞬变电压能使晶体管EB结或CE结击穿而损坏,特别是晶体管集电极有电感性(线圈、变压器、电动机)负载时,会产生高压反电势,往往使晶体管损坏。
建设采用瞬变抑制二极管管作为保护器。
五、瞬变抑制二极管保护集成电路实例
由于集成电路集成度越来越高,其耐压越来越低,容易受到瞬变电压的冲击而损坏,必须采取保护措施。
例如CMOS电路在其输入端及输出端都有保护网路,为了更可靠起见,在各整机对外接口处还增加各种保护网络。
六、瞬变抑制二极管保护可控硅实例
可控硅可能误触发导致误动作,可控硅控制极电流不能太大,电压不能过高,必须采用各种保护措施。
七、瞬变抑制二极管保护继电器实例
继电器有驱动线圈,当用大功率晶体管驱动时,应采取保护措施,如图5
所示。
有时也采用图8所示方法来抑制线圈中的高压反电势保护晶体管,哪个方案更好应根据实际情况决定。
图中二极管允许的电源应比晶体管的工作电流大一倍左右,例如继电器线圈的最大电流IA,则二极管额定电流选2-3A左右,
耐压则应大于电源电压的2倍左右,例如电源电压27V,则二极管耐压应为60V 以上。