Silvaco器件仿真ppt课件
SilvacoTCAD器件仿真优秀课件
Tang shaohua, SCU
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1
Silvaco学习
这一讲主要内容
材料特性设置 物理模型设置 特性获取 结果分析 从例子hemtex01.in看整个流程
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2
Silvaco学习
材料参数
状态Material,设置材料参数 材料参数和物理模型的选取有关,常用的
Silvaco学习
特性获取Biblioteka CE击穿特性:impact selb
method trap climit=1e - 4 maxtrap=10
#
solve init
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
#
contact name=base current
tmun
p0
mup
Tl 300
tmup
*
状态 Mobility Mobility Mobility Mobility
低场迁移率模型中可用户定义的参数
参数
默认值
Mun
1000
Mup
500
Tmun
1.5
Tmup
1.5
11
单位 cm2/Vs cm2/Vs
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型:srh,cvt,bgn BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,bgn 击穿仿真:Impact,selb
Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
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工艺与器件仿真工具SILVACO
SILVACO-TCAD
浙大微电子
SILVACO简介
SILVACO-TCAD是由SILVACO公司研发的 计算机辅助设计仿真软件,用于半导体器件和集 成电路的研究和开发、测试和生产中。这套完整 的工具使得物理半导体工艺可以给所有阶段的IC 设计提供强大的动力:工艺仿真(ATHENA)和 器件仿真(ATLAS);SPICE 模型的生成和开发; 互连寄生参数的极其精确的描述;基于物理的可 靠性建模以及传统的CAD。所有这些功能整合在 统一的框架,为工程师在完整的设计中任何阶段 中所做更改而导致的性能、可靠性等效果,提供 直接的反馈。
2020/4/8
浙大微电子
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创建一个初始结构
• 定义初始直角网格
− 在UNIX或LINUX系统提示符下,输入命令:deckbuild-an&,以 便进入deckbuild交互模式并调用ATHENA程序。这时会出现如下 图所示deckbuild主窗口,点击File目录下的Empty Document, 清空Deckbuild文本窗口;
接下来,我们通过干氧氧化在硅表面生成栅极氧化 层,条件是1个大气压,950°C,3%HCL, 11分钟。为 了完成这个任务,可以在ATHENA的Commands菜单 中依次选择Process和Diffuse …,ATHENA Diffuse菜 单将会出现。
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浙大微电子
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栅极氧化
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浙大微电子
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⑨ 为了观察优化过程,我们可以将Targets模式改为Graphics 模式,如下左图所示; ⑩ 最后,点击Optimize键以演示最优化过程。仿真将会重新运 行,并且在一小段时间之后,重新开始栅极氧化这一步骤。最优 化的结果为,温度925.727°C,偏压0.982979,以及抽样氧化 厚度100.209 Å,如右图所示;
第三讲 Silvaco TCAD 器件仿真 PPT
大家应该也有点累了,稍作休息
大家有疑问的,可以询问和交流
材料特性
材料的参数有工艺参数和器件参数 材料参数是和物理模型相关联的 软件自带有默认的模型和参数 可通过实验或查找文献来自己定义参数
物理模型
物理量是按照相应的物理模型方程求得的 物理模型的选择要视实际情况而定 所以仿真不只是纯粹数学上的计算
工艺级别的网格,这些网格某些程度上不是计算器件参数所必需的。例如在计算如 阈值电压、源/漏电阻,沟渠的电场效应、或者载流子迁移率等等。Devedit可以帮 助在沟渠部分给出更多更密度网格而降低其他不重要的区域部分,例如栅极区域或 者半导体/氧化物界面等等。以此可以提高器件参数的精度。简单说就是重点区域重 点给出网格,不重要区域少给网格。
二、半导体器件仿真软件使用
本章介绍ATLAS器件仿真器中所用到的语句和参数。 具体包括:
1.语句的语法规则 2.语句名称 3.语句所用到的参数列表, 包括类型,默认值及参数的描述 4.正确使用语句的实例
学习重点(1) 语法规则 (2)用ATLAS程序语言编写器件结构
1. 语法规则
规则1: 语句和参数是不区分大小写的。 A=a 可以在大写字母下或小写字母下编写。abc=Abc=aBc
计算方法
在求解方程时所用的计算方法 计算方法包括计算步长、迭代方法、初始化
策略、迭代次数等
计算不收敛通常是网格引起的
特性获取和分析
不同器件所关注的特性不一样,需要对 相应器件有所了解
不同特性的获取方式跟实际测试对照来 理解
从结构或数据文件看仿真结果
了解一下ATLAS
ATLAS仿真框架及模块 仿真输入和输出 Mesh 物理模型 数值计算
例: 命令语句 DOP 等同于 doping, 可以作为其命令简写。 但建议不要过度简单,以免程序含糊不清,不利于将来调用时阅读。
SilvacoTCAD工艺仿真模块及工艺仿真流程PPT课件
init two.d diffuse time=30 temp=1200 dryo2 tonyplot quit
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2.2.1 初始化的命令及参数
• 命令initialize可定义衬底或初始化仿真
• 衬底参数: material, orientation, , resitivity …
• 初始化仿真: infile导入已有的结构 仿真维度,, two.d … 网格和结构,, scale, flip.y …
主要内容
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
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1 工艺仿真器介绍
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
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3
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1.1 工艺仿真模块 DeckBuild 集成环境
器真仿刷印电光 器真仿蚀刻和积淀英精 器真仿蚀刻积沉诺卡托蒙
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2.3.2 Diffuse做氧化的例子
氧化时间30分钟,1200度,干氧
diffuse time=30 temp=1200 dryo2
氧化时间30分钟,1000度,氧气流速10sccm
diffuse time=30 temp=1000 f.o2=10
干氧氧化的完整语法:
及能量和不定形材料引起的分离通道影响
Silvaco器件仿真ppt课件
e. 点击Load example f. 与这个例子相关的输入文件会载入到 g. deckbuild的文本窗口中
h. 此输入文件以及与之相关的其他文件会 i. 自动拷贝到你的工作目录中去
通过点击中间的程序控制窗口 中的run按钮,来运行输入文件。
一旦工艺模拟完成,MOS管的结构将会自动显示出来。如图所示,这是MOS管的 结构图。接下来会自动传递给器件仿真器 - ATLAS来进行器件仿真。
7. 可选择的工艺及器件仿真工具简介 Avanti: Tsuprem4/ Medici
Tsuprem4/Medici是Avanti公司 的二维工艺、器件仿真集成软 件包。Tsuprem4是对应的工艺 仿真软件,Medici是器件仿真 软件。
ISE-TCAD
工艺及器件仿真工具ISE-TCAD 是瑞士 ISE ( Integrated Systems Engineering ) 公司 开发的生产制造用设计(DFM: Design For Manufacturing) 软件,是一种建立在物理基础 上的数值仿真工具,它既可以 进行工艺流程的仿真、器件的 描述,也可以进行器件仿真、 电路性能仿真以及电缺陷仿 真等。基本上是成为行业标准, 功能强大,已被收购,升级版 为Sentaurus TCAD。
器件仿真
工艺描述
几何结构及掺杂
电学特性
(Device parameter extraction tools)
器件模拟参数提取
IC电路特性
(IC Circuit Simulation)
电路模拟用器件模型参数 IC电路仿真
3. 有什么用? 一方面,充分认识半导体物理学,半导体器件物理学等这些抽象 难懂的理论基础知识在半导体工业中的实际应用。加强理论教学 的效果。 仿真也可以部分取代了耗费成本的硅片实验,可以降低成本,缩 短了开发周期和提高成品率。也就是说,仿真可以虚拟生产并指 导实际生产。
SilvacoTCAD器件仿真
Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
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特性获取
I-V 特性:
solve vdrain=0.1 solve vdrain=0.2
… solve vdrain=2.0
转移特性:
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单位 cm2/Vs cm2/Vs
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型:srh,cvt,bgn
BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,
bgn
击穿仿真:Impact,selb
例句:
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
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特性获取
2020/3/3
电流控制性器件的输出特性:
solve init solve vbase=0.05 vstep=0.05 vfinal=0.8 name=base contact name=base current
#
solve ibase=2.e - 6 save outf=bjt_ib_1.str master solve ibase=4.e - 6 save outf=bjt_ib_2.str master
报错信息:
“trap times more than 4 times” 指计算不收敛。
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Silvaco学习
特性获取
加偏执是用solve状态 先需要设置数据保存在日志文件,之后才
Silvaco器件仿真
参数取
通过仿真结果提取器件参数,为进一步分析 提供数据支持。
可靠性分析
对器件的可靠性进行评估,预测器件在不同 环境下的性能表现。
软件应用领域
集成电路设计
用于集成电路设计中的器件级仿真,验证电路 设计的正确性和性能。
微电子工艺开发
用于微电子工艺开发中的过程控制和优化,提 高工艺水平。
光电器件仿真
用于光电器件仿真,研究光电器件的物理特性和性能表现。
案例二:晶体管仿真
总结词
晶体管是现代电子电路中的核心元件,其仿真分析对于电路设计和优化具有重要意义。
详细描述
在Silvaco仿真软件中,可以对晶体管进行建模和仿真分析,包括电流-电压特性、频率 响应、噪声性能等参数。通过仿真,可以预测晶体管在实际电路中的性能表现,为电路
设计提供优化依据。
案例三:集成电路仿真
需要加强与物理学、化学、生物学等其他学科的合作,以实现多物理 场耦合仿真的突破。
人才培养与交流
加强国内外学术交流与合作,培养具备创新能力和实践经验的器件仿 真人才是未来的重要机遇。
THANKS
感谢观看
另一款功能强大的器件仿真软件,适用于多 种应用领域。
Keysight
除了提供测试测量解决方案外,也提供器件 仿真工具。
ANSYS
一个多物理场仿真软件,可用于器件的热、 电磁、流体等多方面仿真。
02
Silvaco仿真软件介绍
软件特点
高效性
Silvaco仿真软件采用先进的算法和计算技术,能够 快速准确地模拟器件性能,大大缩短了设计周期。
仿真流程
建立模型
根据器件的物理结构和参数,建立数学模型。
设置仿真参数
根据实际需求,设置初始条件、边界条件、输入信号等仿真参数。
SilvacoTCAD器件仿真专题培训课件
物理模型
推荐的模型
MOSFETs类型:srh,cvt,bgn BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,
bgn
击穿仿真:Impact,selb
例句:
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
GP 特性:
solve vcollector=2 solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
contact name=base common=collector solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
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Material taun0=1.e-9 taup0=1.e-9 f.conmun=hemtex01_interp.lib material align=0.6
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Silvaco学习
光学参数
在光电特性仿真中材料的光学参数(折射 率实部和虚部)尤为重要。
两种方法可设置材料的光学参数
1、C解释器编写参数文件 2、添加、更改材料的折射率文件内的信息
impact selb material=InGaAs an2=5.15e7 ap2=9.69e7 bn2=1.95e6 \ bp2=2.27e6
impact selb material=InP an2=1e7 ap2=9.36e6 bn2=3.45e6 bp2=2.78e6
material region=1 taun0=5.0e-10 taup0=1.0e-9 vsatn=2.5e7 \ mun0=4000 mup0=200
最新Silvaco器件仿真
2. 在整个学科中所处的位置是什么? 从纵向来讲,和其他CAD类或仿真类课程一样,它是基础理论知 识和实际生产的链接点。 从横向来讲, 电路模拟、工艺模拟、器件模拟之间的关系可以用下 面的结构图来表示
最新Silvaco器件仿真
本门课程 重点学习部分
工艺描述
工艺仿真
(Process Simulation)
Sentaurus Device 整合了 (1)Avanti 的Medici和
Taurus Device (2)ISE 的DESSIS 器件 物理特性仿真工具, 充实并 修正了诸多器件物理模型, 推出新的器件物理特性分析 工具Sentaurus Device。
最新Silvaco器件仿真
Silvaco TCAD
可迅速和精确地模拟应用在CMOS、双极、SiGe / SiGeC 、 SiC、SOI 、III-V、光电子和功率器件技术的所有关键加工步骤
最新Silvaco器件仿真
如图所示为一个半导体工艺仿真的结果示意图。
掺杂浓度
几何结构
最新Silvaco器件仿真
deckbuild 的使用
(1)deckbuild的调用
和工艺仿真的区别 devedit - 考虑结果 他不考虑器件生成的实际物理过程,生成器件时不需要对时 间、温度等物理量进行考虑。
athena - 考虑过程 必需对器件生成的外在条件、物理过程进行描述。
最新Silvaco器件仿真
最新Silvaco器件仿真
最新Silvaco器件仿真
双击文件名来选择实例如 Mos1ex01.in
被选中的输入文件的描述将会出现在示例 窗口中,如图所示
这些描述包括
a. 运行本例所需要的软件模块 b. 提供本例演示概貌 c. 描述本例所使用的仿真命令 d. 描述本例运行结束后显示出来的结果
SilvacoTCAD工艺仿真135页PPT
2019/11/14
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Silvaco学习
工艺步骤
对具体的工艺进行仿真 这些工艺包括:
Bake,CMP,Deposition,Development,Diffusion, Epitaxy,Etch,Exposure,Imaging,Implantation, Oxidation,Silicidation
可用于模拟离子注入,扩散,刻蚀,淀积,以 及半导体材质的氧化。它通过模拟取代了耗费 成本的硅片实验,可缩短开发周期和提高成品 率。
2019/11/14
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Silvaco学习
工艺仿真模块
DeckBuild 集成环境
2019/11/14
ATHENA工艺仿真软件 SSuprem4二维硅工艺仿真器
MC蒙托卡诺注入仿真器 硅化物模块的功能
定义衬底:
material,orientation,c.impurities,resitivity …
初始化仿真:
导入已有的结构,infile…
仿真维度,one.d,two.d …
网格和结构,space.mult,scale,flip.y …
2019/11/14
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Silvaco学习
初始化的几个例子
有助于IDMs,芯片生产厂商以及设计公司优 化半导体工艺,达到速度、产量、击穿、泄漏 电流和可靠性的最佳结合
2019/11/14
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Silvaco学习
ATHENA工艺仿真软件
分析和优化标准的和最新的隔离流程,包 括LOCOS,SWAMI,以及深窄沟的隔离
在器件制造的不同阶段分析先进的离子注
适当保存结构
Silvaco工艺及器件仿真1
§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD本章将向读者介绍如何使用SILVACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及ATLAS来进行器件仿真。
假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET和BJT 的基本概念。
4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真4.1.1 概述本节介绍用ATHENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。
包括:a. 创建一个好的仿真网格b. 演示淀积操作c. 演示几何刻蚀操作d. 氧化、扩散、退火以及离子注入e. 结构操作f. 保存和加载结构信息4.1.2 创建一个初始结构1 定义初始直角网格a. 输入UNIX命令:deckbuild-an&,以便在deckbuild交互模式下调用ATHENA。
在短暂的延迟后,deckbuild主窗口将会出现。
如图4.1所示,点击File目录下的Empty Document,清空DECKBUILD文本窗口;图4.1 清空文本窗口b. 在如图4.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ;图4.2 以“go athena”开始接下来要明确网格。
网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。
仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。
c. 为了定义网格,选择Mesh Define菜单项,如图4.3所示。
下面将以在0.6μm×0.8μm 的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。
图4.3 调用ATHENA网格定义菜单2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格a. 在网格定义菜单中,Direction(方向)栏缺省为X;点击Location(位置)栏并输入值0;点击Spacing(间隔)栏并输入值0.1;b. 在Comment(注释)栏,键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示;c. 点击insert键,参数将会出现在滚动条菜单中;图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后d. 继续插入X方向的网格线,将第二和第三条X方向的网格线分别设为0.2和0.6,间距均为0.01。
SilvacoTCAD工艺仿真 ppt课件
Implant boron dose=1e14 energy=50 unit.damage dam.factor=0.1
2020/4/24
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Silvaco学习
离子注入的例子
go athena Line x loc=0.0 spac=0.02 Line x loc=1.0 spac=0.10 Line y loc=0.0 spac=0.02 Line y loc=2.0 spac=0.20 init silicon c.boron=1e16 two.d
淀积BPSG: Deposit material=BPSG thick=.1 c.boron=1e20 c.phos=1e20
淀积,网格控制:
Rate.depo machine=MOCVD cvd dep.rate=0.1 u.m \ step.cov=0.75 tungsten
Deposit machine=MOCVD time=1 minute
抽取得到结深 Xj=0.267678μm
把spac=0.02 换成0.1看有什么不同
2020/4/24
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Silvaco学习
扩散
命令diffuse,参数及说明如下:
2020/4/24
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Silvaco学习
2020/4/24
扩散的例句
磷的预沉积: Diffuse time=1 hour temp=1000 c.boron=1e20
Implant phosph dose=1e13 energy=50 \ tilt=7 unit.damage dam.factor=0.05
extract name="xj" xj material="Silicon” \ mat.occno=1 x.val=0.05 junc.occno=1
器件仿真软件模块-Silvaco
器件仿真软件模块ATLAS2D 硅器件仿真器S-Pisces/Device3DS-Pisces 是一个2D 器件仿真器,应用于合并了漂流扩散和能量平衡传输方程的硅化技术。
它拥有大量的可用物理模型集合,包括表面/体积迁移率、复合、碰撞电离和隧道模型等。
典型的应用包括MOS ,双极和BiCMOS 技术。
所有物理模型的性能已被扩展到深亚微米器件、SOI 器件和非易失性存贮器结构等。
它也可计算所有可测量的电学参数。
对于MOS 技术,这些参数包括门极和漏极特性,亚阈值漏电,衬底电流和穿通电压。
而双极技术则可预测Gummel 图和饱和曲线。
其他可计算的特性包括击穿行为、纽结和突返效应、CMOS 闩锁效应、低温和高温操作、AC参数和本征开关时间。
完全MOS 特性表征右图描述的是寄生双极造成的击穿曲线中的突返效应的仿真。
右图显示使用能量平衡和经典的漂移扩散计算的MOSFET 中的衬底电流。
使用能量平衡模型计算的行为更好地吻合测量的行为,因为它包括过冲电压到和非局部碰撞电离。
上面两图显示了分别针对不同的VGS 和VBS 的ID-VD 和ID-VGS 仿真的数据。
这些特性可直接加载到UTMOST ,并提取出等效的BSIM3或BSIM4 Spice 模型。
因此在任何可用的晶片制造之前即可表征新的工艺。
上图显示0.3µmMOSFET 中的电子温度分布。
碰撞电离率是基于载流子温度,而不是局部电场。
因此产生非局部效应。
左图显示的LDD MOSFET 结构是在ATHENA 工艺仿真器中仿真的,其最终结构可直接输入到ATLAS 中。
漏极电压14.5V 用于漏极接触,图上也添加了电场轮廓线。
完全双极特性表征S-Pisces仿真双极器件性能的各个方面。
如下图所示的复杂结构可从ATHENA中载入。
DC特性如Gummel图, b f vs. I c 和 I c vs. VCE均可被轻松仿真。
通过使用S-Pisces的时域模式可执行本征开关瞬态速度。
《SILVACO工艺仿真》PPT课件
精选PPT
27
电子设计自动化
第4章 工艺及器件仿真SILVACO TCAD
命令讲解: 8、淀积命令: #Conformal Polysilicon Deposition deposit polysilicon thick=0.2 division=10
line x loc=0.6 spac=0.01
#
line y loc=0.00 spac=0.008
line y loc=0.2 spac=0.001
line y loc=0.5 spac=0.05
精选PPT
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line y loc=0.8 spac=0.15
电子设计自动化
第4章 工艺及器件仿真SILVACO TCAD
电子设计自动化
第4章 工艺及器件仿真SILVACO TCAD
精选PPT
1
电子设计自动化
第4章 工艺及器件仿真SILVACO TCAD
TCAD:半导体工艺和器件的计算机辅助设计 软件。目前有三种: 1)、TSUPREM-4和MEDICI。 2)、ISE公司。 2)、SIVACO TCAD。
精选PPT
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11
电子设计自动化
第4章 工艺及器件仿真SILVACO TCAD
Blaze/Blaze3D高级材料制作的器件仿真
可仿真运用高级材料制作的器件。它有一个化合物
半导体库,包括了三元和四元材料。
Blaze/Blaze3D的内置模型可用于渐变和突变的异
质结,并且仿真如MESFETS、HEMT和HBT的结
Silvaco工艺及器件仿真3
4.1.10多晶硅栅的淀积淀积可以用来产生多层结构。
共形淀积是最简单的淀积方式,并且在各种淀积层形状要求不是非常严格的情况下使用。
NMOS工艺中,多晶硅层的厚度约为2000 Å,因此可以使用共形多晶硅淀积来完成。
为了完成共形淀积,从ATHENA Commands菜单中依次选择Process、Deposit和Deposit…菜单项。
ATHENA Deposit菜单如图4.30所示;a.在Deposit菜单中,淀积类型默认为Conformal;在Material菜单中选择Polysilicon,并将它的厚度值设为0.2;在Grid specification参数中,点击Total number of layers并将其值设为10。
(在一个淀积层中设定几个网格层通常是非常有用的。
在这里,我们需要10个网格层用来仿真杂质在多晶硅层中的传输。
)在Comment一栏中添加注释Conformal Polysilicon Deposition,并点击WRITE键;b.下面这几行将会出现在文本窗口中:#Conformal Polysilicon Deposition图4.30 ATHENA 淀积菜单deposit polysilicon thick=0.2 divisions=10c.点击DECKBUILD控制栏上的Cont键继续进行A THENA仿真;d.还是通过DECKBUILD Tools菜单的Plot和Plot structure…来绘制当前结构图。
创建后的三层结构如图4.31所示。
图4.31 多晶硅层的共形淀积4.1.11简单的几何图形刻蚀接下来就是多晶硅的栅极定义。
这里我们将多晶硅栅极的左边边缘定为x=0.35μm,中心定为x=0.6μm。
因此,多晶硅应从左边x=0.35μm开始进行刻蚀,如图4.32所示。
图4.32 ATHENA Etch菜单a.在DECKBUILD Commands菜单中依次选择Process、Etch和Etch…。
Silvaco TCAD 器件仿真演示幻灯片
低场迁移率模型中可用户定义的参数
参数
默认值
Mun
1000
Mup
500
Tmun
1.5
Tmup
1.5
单位 cm2/Vs cm2/Vs
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物理模型
• 推荐的模型 MOSFETs类型:srh,cvt,bgn
BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,
bgn
击穿仿真:Impact,selb
例句:
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
Impact selb
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界面特性
Interface定义界面态电荷(密度cm-2),s.n和s.p 分别为电子和空穴的表面复合速率
interface y.max=0.1 qf=−1e11 interface x.min=−4 x.max=4 y.min=−0.25 y.max=0.1 qf=1e11 \
Silvaco TCAD 器件仿真(三)
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Tang shaohua, SCU
E-Mail: shaohuachn@ shaohuachn@
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这一讲主要内容
• 材料特性设置 • 物理模型设置 • 特性获取 • 结果分析 • 从例子hemtex01.in看整个流程
要在结构文件中查看能带,需添加语句 Output con.band val.band band.para
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材料参数例子
material material=InGaAs align=0.36 eg300=0.75 nc300=2.1e17 \ nv300=7.7e18 copt=9.6e-11
11 Silvaco TCAD器件仿真材料参数和物理模型
1.3.2 C解释器定义少子寿命的例子
* Electron SRH lifetime as a function of position * Statement: MATERIAL * Parameter: F.TAUN * Arguments: *x location x (microns) *y location y (microns) * temp temperature (K) * nd net concentration of donors (per cc) * na net concentration of acceptors (per cc) * *taun electron SRH lifetime (s) */ int taun(double x,double y,double temp,double nd, double na,double *taun) { if (y>=75 & y<=85) { *taun=5e-8; } else { *taun=2e-6 ; } return(0); /* 0 - ok */
• 复合模型
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Shockley-Read-Hall复合模型(srh,consrh,klasrh,trap.tunnel) 俄歇复合模型(auger,klaaug) 光学复合模型(optr) 表面复合模型(s.n,s.p,surf.rec) 陷阱复合(trap,inttrap,defect)
Page 24
欢迎提问
谢谢!
Page 25
• 三元化合物半导体 AlGaAs,GaSbP,InAlAs,GaAsPInGaAs,GaSbAs,InAsP,HgCdTe, InGaP,InGaN,AlGaN,CdZnTe,InAlP,InGaSb,InAlSb,AlGaSb, InAsSb,GaAsSb,AlAsSb,InPSb,AlPSb,AlPAs,AlGaP • 四元化合物半导体 InGaAsP,AlGaAsP,AlGaAsSb,InAlGaN,InGaNAs,InGaNP,AlGaNAs, AlGaNP,AlInNAs,AlInNP,InAlGaAs,InAlGaP,InAlAsP
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- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
2. 在整个学科中所处的位置是什么? 从纵向来讲,和其他CAD类或仿真类课程一样,它是基础理论知 识和实际生产的链接点。 从横向来讲, 电路模拟、工艺模拟、器件模拟之间的关系可以用下 面的结构图来表示
本门课程 重点学习部分
(Process Simulation)
工艺仿真
(Device Simulation)
(3) 什么是半导体器件仿真器?
前面提及的理论基础不仅仅是同学们学习这门功课所需要的 前期基础知识,也同样是开发仿真软件中最需要的理论基础。为 什么呢? 因为仿真实质上是通过仿真器来完成的。 一般仿真器实质上等于(输入接口+模型库+算法+输出接口) 核心部分是模型库的建立,精度,处理速度需要通过算法来调节。 一个半导体仿真器弄能是否强劲,就是看模型库是否强大。所以 它是随着对半导体理论的探索和对实验数据的累计的发展而发展 的。
Sentaurus TCAD Sentaurus Process 整合了: ⑴Avanti 公司的Tsuprem系列工艺级仿真工具(Tsupremⅰ,Tsupremⅱ, Tsupremⅲ 只能进行一维仿真,到了第四代的商业版Tsuprem4能够完成二维模拟)以及Taurus Process 系列工艺级仿真工具; (2)ISE Integrated Systems Engineering公司的ISE TCAD 工艺级仿真工具Dios(二维) FLOOPS-ISE(三维)以及 Ligament(工艺流程编辑) 系列工具,将一维、二维和 三维仿真集成于同一平台。 Sentaurus Device 整合了 (1)Avanti 的Medici和 Taurus Device (2)ISE 的DESSIS 器件 物理特性仿真工具, 充实并 修正了诸多器件物理模型, 推出新的器件物理特性分析 工具Sentaurus Device。
器件仿真
工艺描述
几何结构及掺杂
电学特性
(Device parameter extraction tools)
器件模拟参数提取
IC电路特性
(IC Circuit Simulation)
电路模拟用器件模型参数 IC电路仿真
件物理学等这些抽象 难懂的理论基础知识在半导体工业中的实际应用。加强理论教学 的效果。 仿真也可以部分取代了耗费成本的硅片实验,可以降低成本,缩 短了开发周期和提高成品率。也就是说,仿真可以虚拟生产并指 导实际生产。
4.学习这门功课需要哪些准备?
半导体物理学 半导体器件物理学、MOS、BJT、Diode、功率器件等 集成电路工艺技术 简单的电路基础。
5. 学到什么程度?具体学什么? 掌握模拟仿真软件的使用,对半导体器件的特性进行模拟和分析。 具体为:
1. 复习现有以硅为主的超大规模集成电路工艺技术。学习工艺仿 真软件的使用方法 (氧化、扩散、离子注入、淀积、刻蚀、光刻等) 2. 熟悉并学会使用器件仿真软件 (1)学习如何用仿真语句编写器件的结构特征信息 (2)学习如何使用atlas器件仿真器进行电学特性仿真
3. 对半导体工艺仿真及器件仿真中所用到的模型加以了解 4*. 利用工艺器件仿真软件,培养和锻炼工艺流程设计和新器件开 发设计等方面的技能。
6. 半导体器件仿真的历史发展
1949年: 半导体器件模拟的概念起源于此年肖克莱(Shockley)发表的论文, 这篇文章奠定了结型二级管和晶体管的基础。但这是一种局部分 析方法,不能分析大注入情况以及集电结的扩展。 1964年: 古默尔(H.K.Gummel)首先用数值方法代替解析方法模拟了一维 双极晶体管,从而使半导体器件模拟向计算机化迈进。 1969年: D.P.Kennedy和R.R.O’Brien第一个用二维数值方法研究了JFET。 J.W.Slotboom用二维数值方法研究了晶体管的DC特性。 从此以后,大量文章报导了二维数值分析在不同情况和不同器件 中的应用。相应地也有各种成熟的模拟软件,如CADDET和 MINIMOS等。
一、概论:半导体仿真概述 Introduction of Semiconductor Simulation
1. 这门课是研究什么的?
(1)什么是仿真? 仿真和另外一个词汇建模(modeling)是密不可分的。 所谓建模就是用数学方式抽象地总结出客观事物发展的一般规律。 仿真是在这个一般规律的基础上,对某事物在特定条件下的行动 进行推演和预测。 因此可以说建模是仿真的基础,仿真是随着建模的发展而发展的。 建模和仿真的关系可以比作程序设计中算法和语言的关系。
Silvaco器件仿 真
平时:30% 上机+考试:70%
内容大纲
一、 半导体仿真概述 二、 半导体器件仿真软件使用 三、 Diode器件仿真 四、BJT器件仿真 五、半导体工艺仿真软件使用 六、MOS工艺及器件仿真 七、总结与复习 2学时 2学时+2学时上机 2学时+2学时上机 4学时+4学时上机 4学时+4学时上机 4学时+4学时上机 2学时+4学时上机
(2)什么是半导体器件仿真? 那么像电子IT行业里面的仿真软件按用途分是多种多样的。仅仅是 集成电路这个行业来讲,就分电路仿真、器件仿真、工艺仿真等。 再深入下去研究,研究固体物理学,半导体物理学也都有相关的仿 真软件可以进行原子、分子级别的仿真。 包括工艺仿真和器件电学特性仿真两个部分。 研究单个元器件从生产工艺到性能特性的。
如前图所表,这个器件仿真在逻辑上是基础于电路仿真的。 工艺仿真可以实现离子注入、氧化、刻蚀、光刻等工艺过程的 模拟。 可以用于设计新工艺,改良旧工艺。 器件仿真可以实现电学特性仿真,电学参数提取。 可以用于设计新型器件,旧器件改良,验证器件的电学特性。 如MOS晶体管,二极管,双极性晶体管等等。提取器件参数, 或建立简约模型以用于电路仿真。
7. 可选择的工艺及器件仿真工具简介 Avanti: Tsuprem4/ Medici
Tsuprem4/Medici是Avanti公司 的二维工艺、器件仿真集成软 件包。Tsuprem4是对应的工艺 仿真软件,Medici是器件仿真 软件。
ISE-TCAD
工艺及器件仿真工具ISE-TCAD 是瑞士 ISE ( Integrated Systems Engineering ) 公司 开发的生产制造用设计(DFM: Design For Manufacturing) 软件,是一种建立在物理基础 上的数值仿真工具,它既可以 进行工艺流程的仿真、器件的 描述,也可以进行器件仿真、 电路性能仿真以及电缺陷仿 真等。基本上是成为行业标准, 功能强大,已被收购,升级版 为Sentaurus TCAD。