深圳华星光电TFT-LCD液晶面板3D技术及FPD(G4.5代)研发线项目环境影响评价报告书

TFT-LCD液晶面板3D技术及FPD(G4.5代)研发线项目环境影响报告书（简本）建设单位：深圳市华星光电技术有限公司编制单位：深圳市环境科学研究院二〇一二年十二月目录第一章总论 (1)1.1 前言 (1)1.2 区域环境功能属性 (2)1.3 评价工作等级 (2)1.4 评价工作范围 (3)1.5 环境敏感点及环境保护目标 (3)第二章工程概况 (5)2.1 项目基本情况 (5)2.2项目地理位置和四至情况 (5)2.3 劳动定员及工作制度 (5)2.4 项目进度安排 (6)第三章工程分析 (7)3.1 工艺流程及产污环节分析 (7)3.2 水平衡 (7)3.3 污染源强及排放情况 (8)第四章环境质量现状调查与评价 (11)4.1 地表水环境质量现状 (11)4.2 地下水环境质量现状 (11)4.3 环境空气 (11)4.4 土壤环境质量现状 (11)4.5 声环境质量现状 (11)第五章环境影响预测与评价 (13)5.1 地表水环境影响评价 (13)5.2 地下水环境影响评价 (13)5.3 环境空气影响评价 (13)5.4 声环境影响评价 (14)5.5 固体废物环境影响评价 (15)5.6 环境风险评价 (15)第六章环境保护措施及可行性论证 (17)6.1 环境保护措施技术可行性分析 (17)6.2 环保投资估算 (19)第七章清洁生产和总量控制 (21)7.1 清洁生产评价 (21)7.2 总量控制 (21)第八章环境管理与环境监测 (23)8.1 环境管理 (23)8.2 环境监测 (23)第九章环境影响经济损益分析 (25)第十章产业政策、规划符合性及选址合理性分析 (27)10.1 产业政策及规划相符性分析 (27)10.2 项目选址与总图合理性 (27)第十一章公众参与 (29)第十二章综合结论 (31)第一章总论1.1 前言深圳市华星光电技术有限公司(以下简称“华星光电”)于2009年成立于深圳市光明新区高新技术产业园区，主要从事薄膜晶体管液晶显示器件(以下简称“TFT-LCD”)的开发、制造、销售以及售后服务。

为确立华星光电在平板显示领域的研发和技术领先地位，增强企业的核心竞争能力，华星光电拟建设TFT-LCD液晶面板3D技术及FPD(G4.5代)研发线项目。

该项目总投资约8.2亿元，由3D液晶面板关键技术研发及产业化项目和FPD研发线项目2个子项目组成，其中FPD研发线项目设有阵列工程、彩膜工程、成盒工程以及有机电发光显示(OLED)及TFT背板技术工程实验室、氧化物半导体(Oxide-TFT)技术工程实验室和低温多晶硅(LTPS)技术工程实验室。

本项目在华星光电现有厂房预留区域内进行建设，不新建生产厂房，储运工程、公用及辅助工程、环保工程以及员工生活、办公设施等主要依托现有工程。

根据《中国人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国环境影响评价法》、《建设项目环境保护管理条例》、《建设项目环境影响评价分类管理名录》等法律法规的要求，本项目需编制环境影响报告书，执行环境影响报告审批制度。

受华星光电的委托，深圳市环境科学研究院(以下简称“我院”)承担本项目的环境影响评价工作。

接受委托后，我院通过收集相关资料及现场踏勘和调查，并在相关资料分析的基础上，根据国家相关法律法规、污染防治技术政策以及环境影响评价技术导则的要求，编制完成了《TFT-LCD液晶面板3D技术及FPD(G4.5代)研发线项目环境影响报告书》。

根据环评报告书结论，本项目符合国家和地方相关产业政策的要求，符合相关规划及地方环保政策的要求；项目选址不在深圳市基本生态控制线范围内，不位于水源保护区，符合所在区域的土地利用规划；本项目为研发实验项目，规模较小，建成后产生的废水、废气、噪声和固体废物等污染物较少，经采取相应的环保措施治理后，不会对周边环境产生较大的污染。

本项目在严格执行国家和深圳市的环境保护要求，切实落实报告书中提出的各项环保措施后，所产生的污染物可做到达标排放，项目建设不会对周边环境产生较大影响，从环境保护角度分析，本项目的建设是可行的。

1.2 区域环境功能属性项目所在区域的环境功能属性见表1.2-1。

表1.2-1 项目所在区域环境功能属性一览表1.3 评价工作等级(1) 地表水环境按照《环境影响评价技术导则地面水环境》(HJ/T2.3-93)，确定本项目地表水环境评价等级为三级。

(2) 地下水环境根据《环境影响评价技术导则地下水环境》(HJ 610-2011)，确定本项目地下水环境评价等级为三级，以定性分析为主。

(3) 环境空气根据《环境影响评价技术导则大气环境》(HJ/T2.2-2008)估算模式，可计算得本项目主要污染物P max=1.44%＜10%，因此确定大气环境评价等级为三级。

(4) 声环境根据《环境影响评价技术导则声环境》(HJ 2.4-2009)，确定本项目声环境评价等级为三级。

(5) 环境风险评价根据《建设项目环境风险评价技术导则》(HJ/T169-2004)，确定本项目环境风险评价等级为二级。

1.4 评价工作范围(1) 地表水环境由于本项目的污废水排入光明污水处理厂处理，因此水环境评价主要针对接入污水处理厂的可行性进行分析。

现状质量现状评价范围以茅洲河为主。

(2) 地下水环境根据项目特点和评价工作等级，确定地下水环境评价范围主要为项目用地上游和下游各1km的区域。

(3) 大气环境根据估算模式，本项目废气排放各污染因子地面浓度占标10%落地点(D10%)的距离<2 km，根据《环境影响评价技术导则大气环境》(HJ2.2-2008)并结合区域环境特征，确定评价范围以项目所在地为中心，半径2.5km的圆形区域内。

(4) 声环境根据项目噪声源与周边环境特点，确定声环境影响评价范围为：项目厂界外200m范围内。

(5) 风险评价根据项目风险源特点、评价等级及项目所在环境特征，确定环境风险评价范围为：以特殊气体库为中心，半径3 km的圆形区域。

本项目评价范围示意图见图1.5-1。

1.5 环境敏感点及环境保护目标根据现场查勘和资料调研，本项目环境影响评价范围内无自然保护区、风景名胜区和文物保护单位，不涉及饮用水源保护区，也未发现国家或地方重点保护野生动植物。

本项目主要环境保护目标见图1.5-1。

-4-图1.5-1 本项目环境敏感点和评价范围图红坳村长圳村玉律村 龙湾村 田寮村塘尾村将围村石围村周家村将石村新围村南庄新村东坑村 木墩村 木墩新村 东周小学 东周村 光明中学 光明小学 碧眼新村 张屋村塘家村 甲子塘村甲子塘村规划居住地0 300 600m 茅 洲 河项目位置第二章工程概况2.1 项目基本情况(1) 项目名称：TFT-LCD液晶面板HV A技术及FPD(G4.5代)研发线项目(2) 建设单位：深圳市华星光电技术有限公司(3) 建设地点：深圳市光明新区高新技术产业园区(科裕路西侧，光明大道北侧)华星光电现有厂房预留区域(4) 项目性质：扩建(5) 项目投资：约8.2亿元，其中环保投资805万元(6) 建设内容与规模：本项目在华星光电现有厂房的预留区域内进行建设，由3D液晶面板关键技术研发及产业化项目和FPD(G4.5代)研发线项目2个子项目组成，其中FPD研发线项目设有阵列工程、彩膜工程、成盒工程、有机电发光显示(OLED)及TFT背板技术工程实验室、氧化物半导体(Oxide-TFT)技术工程实验室和低温多晶硅(LTPS)技术工程实验室。

3D子项目位于2#建筑物(成盒厂房)第1层内的预留区域，所需面积约25000m2；FPD子项目位于2#建筑物(成盒厂房)第3层内的预留区域，所需面积约3000m2。

本项目在华星光电现有厂房的预留区域内进行建设，无需新建厂房，储运工程、公用及辅助工程、环保工程以及员工生活、办公设施等主要依托现有工程。

2.2项目地理位置和四至情况华星光电位于深圳市光明新区塘明大道9-2号，光明大道与科裕路的交汇处西北侧。

厂址东侧为科裕路，隔科裕路为旭硝子显示玻璃(深圳)有限公司和深圳华映显示科技有限公司；南侧为光明大道，隔光明大道为甲子塘村，东南侧为甲子塘村规划居住地；北侧为东明大道，隔东明大道分布长丰工业区和东坑村；西侧为茅洲河支流滩地形成的湿地。

龙大高速公路在厂区东侧通过。

2.3 劳动定员及工作制度华星光电厂区研发人员及管理人员实行单班工作制，每班工作时间8小时，每周工作日5天，全年工作日250天；生产工人实行四班三运转，每班工作时间8小时，每周工作日5天，全年工作日250天，年时基数1850小时。

生产设备实行三班工作制，每周工作日7天，全年工作355天，年时基数7670小时。

材料库、成品库、化学品库等实行单班制，值班、动力及辅助部门按生产车间工作制度配套。

本项目建成后华星光电厂区员工总数约5566人，现有工程总人数5500人，本项目新增66人，具体为：FPD子项目所需人员为50人，其中生产人员15人，研发技术人员35人；3D子项目所需人员为16人，其中生产人员12人，研发技术人员4人。

2.4 项目进度安排本项目计划施工期为2012年6月至2013年4月，其中3D子项目于2013年2月完成，FPD子项目于2013年4月完成。

第三章工程分析3.1 工艺流程及产污环节分析本项目在已建生产厂房的预留区域内通过增加工作基台等方式实施，不存在土建、装修等施工活动，因此，本次评价仅对项目营运期生产工艺进行分析。

(1) FPD(G4.5代)研发线项目FPD项目建设的目的是为第8.5代生产线导入新材料、新制程从而节约成本，其生产工艺包括陈列工程(Array)、彩膜工程(CF)、成盒工程(Cell)、有机电发光显示(OLED)及TFT背板技术工程、氧化物半导体(Oxide-TFT)技术工程和低温多晶硅(LTPS)技术工程。

其中阵列工程、彩膜工程和成盒工程是FPD项目的公用工序，其生产工艺与第8.5代生产线基本相同，主要为有机电发光显示(OLED)及TFT背板技术工程实验室、氧化物半导体(Oxide-TFT)技术工程实验室和低温多晶硅(LTPS)技术工程实验室提供玻璃基板制作、成盒处理等服务；而氧化物半导体(Oxide-TFT)技术工程实验室仅用IGZO材料代替传统TFT玻璃中的有源层硅，其工艺流程与第8.5代生产线阵列工程也基本相同。

(2) 3D液晶面板关键技术研发及产业化项目3D技术是建立在第8.5代生产线液晶面板平台上的以研制大尺寸3D液晶电视面板并实现其产业化为主要任务的研发项目。

与第8.5代生产线相比，3D项目新增制程主要为3D光学膜贴附与加压脱泡，即在原偏光片贴附后，再贴附上一层3D光学膜(图形化相位延迟膜)。