磁控溅射沉积系统技术参数

磁控溅射沉积系统技术参数

一、功能及基本要求

设备能够用于沉积纳米级的单层及多层功能膜和复合膜。要求可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜等。要求设备工作的稳定性高、实验重复性好、多次实验结果误差小，从大气抽至工作真空度时间短，设备自动化程度高，操作简便，占地面积小，真空泵工作时噪音小。

二、技术指标

1 工作条件：

1.1 正常室温（10℃-40℃）下，室内操作

1.2 电源：220V，50Hz

1.3 相对湿度：10—75%

主要技术指标

2 磁控靶

2.1 至少有2套永磁共焦磁控溅射靶

2.2 溅射靶角度连续可调

2.3 各溅射靶可独立/顺次/共同工作

2.4 磁控靶能够通水冷却以维持在较低温度

2.5 磁控靶RF、DC、MF兼容以满足不同种类的溅射需求

2.6 至少有一个靶位可以溅射磁性材料

2.7 磁控靶与基片的距离可调，以满足不同种类的溅射需求

3 真空条件

3.1 极限真空度≤6*10-5Pa（经烘烤除气后）

3.2 有负载情况下从大气抽至工作真空度时间小于等于35分钟

3.3 系统停泵关机12小时后真空度≤5Pa

4 样品台

4.1 样品台可放置样品的尺寸≥4英寸

4.1 样品台具有旋转功能，转速0-30rpm（或以上）可调

4.2 样品台具有加热功能，加热温度室温-500℃（或以上）可控可调

5 气路

系统至少配备有两路进气系统，包含惰性气体和反应气体，且带有流量控制计

6 镀膜均匀性

对样品镀膜的不均匀度≤±4.5%

7 反溅清洗

要求设备能够施加负方向的偏压，在开始沉积之前能够对基片进行清洗

三、技术服务和培训

卖方须到买方提供的现场免费安装、调试设备，进行操作试验，直至运行正常，为仪器操作人员提供免费的操作及维护培训。

四、质量保证

测试验收合格后至少1年的整机质保。