溅射镀膜操作流程
手机玻璃镀膜工艺流程
手机玻璃镀膜工艺流程手机玻璃镀膜工艺流程是手机制造过程中的一个重要环节,它可以提高手机屏幕的硬度和耐磨性,同时也可以增加屏幕的光泽度和透明度,使得手机显示效果更加清晰和细腻。
下面是手机玻璃镀膜工艺流程的步骤。
首先,需要进行玻璃预处理。
在这一步骤中,需要将玻璃表面进行喷砂处理,以去除表面的污垢和油脂,同时也可以增加表面的粗糙度,提高涂层的附着力。
接下来,是镀膜设备的准备。
在这一步骤中,需要确保镀膜设备的正常运行和工作环境的干净整洁。
同时,也需要准备好需要使用的镀膜材料,如二氧化硅、氧化锌等。
然后,进行膜层沉积。
在这一步骤中,需要将预处理过的玻璃放置在镀膜设备中,并通过高温电离真空镀膜技术,将所需的镀膜材料蒸发或溅射到玻璃表面。
这一过程中,需要控制好镀膜材料的蒸发速率和沉积温度,以确保膜层的均匀性和质量。
接着,是膜层改性。
在这一步骤中,需要对已经沉积在玻璃表面的膜层进行处理,以提高其硬度和耐磨性。
常见的膜层改性方法包括热处理、化学处理和离子注入等。
最后,是膜层表面处理。
在这一步骤中,需要对已经改性的膜层进行表面处理,以提高其光泽度和透明度,同时也可以增加其抗指纹和抗污染性能。
这一步骤通常采用的方法包括表面初始削薄和表面增透膜涂层等。
整个手机玻璃镀膜工艺流程需要经过多个环节的处理和控制,以确保最终镀膜层的质量和性能。
在每个环节中,都需要严格控制各种参数,如温度、压力和时长等,以避免因操作不正确而导致膜层质量下降或失效。
值得一提的是,手机玻璃镀膜工艺流程也在不断发展和改进中。
随着科技的进步和材料的创新,新的镀膜技术也在不断涌现,如磁控溅射、电子束蒸发和离子束沉积等。
这些新技术和材料的应用,将进一步提高镀膜层的质量和性能,为手机用户带来更好的使用体验。
磁控溅射仪操作规范
JSD450-Ⅲ型磁控溅射镀膜机
操作步骤及规范
开机
1、打开冷水机。
设定温度:冬天10-15℃,夏天5℃
2、打开放气阀破真空,然后关闭放气阀(之后整个工作过程务必保证放气
阀均是关闭状态。
本机阀门均是逆时针打开,顺时针关闭)
3、打开总控电源
4、打开真空计(电阻单元真空范围10Pa,电离单元0.1-10-6Pa)
5、打开灯,检查镀膜腔是否关紧(观察腔四周是否有光线)
6、打开机械泵电磁阀,此时务必保证放气阀已经关闭!!!
7、打开预抽阀
8、当压强达到10Pa以下打开分子泵→运行→关闭预抽阀→完全打开插板阀工作
1、当腔内压强真空度达到要求后,打开气罐(指针调至刻度1-2之间),关
小插板阀,仪器的工作气压为1-10Pa。
2、关闭电离单元按下“自动”→电离→打开进气阀→流量计(mL/min)
3、在保持输入气体比例基本不变的条件下调节进气量或者调节插板阀使气
压处于1-10Pa,最好是5Pa,流量计开关一般在“阀控”。
4、打开射频开关“ON”观察有无起灰,若无起灰再调节功率或进气量
关机
气体流量计归零→关闭状态→关闭进气阀→关闭控气阀→关闭插板阀→关闭气瓶→射频/直流功率归零→“OFF”→温度电源归零关闭→流量计关闭→分子泵停止待转速归零→关闭开关→关闭电磁阀→关闭机械泵→放气阀打开→放完气以后关闭。
溅射镀膜机安全操作及保养规程
溅射镀膜机安全操作及保养规程操作前须知1.安全第一:在使用溅射镀膜机之前必须遵守相关安全规定,不得轻举妄动。
特别是需要志愿者要进行相关的安全培训并由专业人员指导。
2.清洁检查:在使用溅射镀膜机之前,需要对设备的外部和操作面进行清洁,确保加工环境的清洁度,避免影响工件的质量。
3.仪器检查:在使用过程中需要检查仪器各部件是否正常,如电源、油压、水流等,对于发现不正常情况时,需要及时向专业人员报告,禁止个人修改或拆除。
4.操作流程:在操作溅射镀膜机时需要按照规范操作流程进行。
5.操作规范:根据操作规范按要求进行加工处理,保证工件的生产质量。
安全操作规程1.穿戴防护装备:操作人员在对机器进行操作时,必须穿戴好安全帽、隔热手套等安全设备,确保操作时对人员的身体无危险。
2.注意加工顺序:在加工不同材质的工件时,需要采用不同的加工顺序,不能够把不同的工件一起进行加工,避免造成材质在加工中的交叉污染。
3.避免损伤残留:在加工的过程中需要保证没有废弃物残留在机器上,避免对下一轮的加工产生影响。
4.防止材料的混淆:加工相同材料的工件时,需要按照不同的材料放入对应的料筒中进行加工,以避免材料的混淆。
保养规程在使用溅射镀膜机之后,需要进行机器的保养和维护,以下是一些注意事项:1.清洁工具:在清洁机器时,需要使用专门清洁的工具进行,不能够使用硬质物品对机器进行清洁,以免造成机器的破损。
2.避免振动:对于加工过程中出现的振动问题,需要及时进行处理,避免机器因震动而导致的加工偏差等问题。
3.保证主机稳定性:在进行长时间稳定性加工时,需要保证机器的主机处于稳定状态,不能存在振荡情况,避免影响加工效率。
4.更换压制器:在使用溅射镀膜机的过程中,如果压制器受损需要及时进行更换处理,以免影响加工质量。
5.维护防爆装置:在使用时保持防爆装置的灵敏度,以保证在紧急情况下的人身安全。
结论总而言之,在使用溅射镀膜机的过程中,必须注意相关安全规定和操作要求,遵守规范操作流程,以保证机器稳定运行。
溅射镀膜操作过程
溅射镀膜操作过程镀膜操作过程磁控溅射开启1开总电源,开冷却水2开总控制柜电源开关,开机械泵开关,开V6阀初抽真空(初抽3分钟后可打开复合真空计测真空)3当真空度<10Pa时,可打开电磁阀DF4当真空度<5Pa时即关V6阀,开分子泵(先开电源,等到显示屏显示不断跳跃的450时按下Start)5打开闸板阀G开始抽真空,(30分钟后)当真空度<10-2Pa时可以打开程控真空计测真空6大约抽30分钟看一下真空计读数,真空达到10-4时就可以开始烘烤(切记:烘烤时不能开程控真空计)7烘烤30分钟后关闭烘烤按钮,继续抽真空到所需真空度气体通入1关闭程控真空计,检查气路正常,然后打开(流量计面板上气路控制)电源开关2打开所用气路的截止阀,抽出气路中的残余气体3关闸板阀G(实际上不完全关闭,调到很小)4打开气瓶(先逆时针开主旋钮),再顺时针轻开压力表的次级压力旋钮(气压表气压0.1MPa)5打开所用气路的计量计(对Ar气,对应MFC4)开关,拨至阀控,用调节旋钮调节气路流量大小(如20sscm)6调节闸板阀G使之到所需的工作气压(如一般3Pa)(气压基本稳定时可结合流量计微调,波动范围0.05Pa)溅射1开射频控制柜总电源2开射频电源预热5分钟3开始反溅射(起清洗真空室的作用)。
操作时(拨到反溅档),先把溅射电压调至50V。
量程按钮调到最大(2000,保护仪表不超过量程),调节功率到设定功率,反射读数调到最低。
按量程到200按钮,调节功率(电压)起辉反溅10分钟,关闭溅射电源4调节闸板阀到所需工作气压(如0.3Pa),开射频电源,电压调至50V,重复步骤3调节到所需功率,起辉预溅5~10分钟(转动挡板挡住样品)清洗靶材。
5移开挡板,打开偏压(设定好)开始溅射(注意把握好时间,到时间旋转挡板)溅射关闭1关射频功率源(旋钮至最低,OFF)2关偏压电源3关基片旋转控制电源(注意顺序)4关射频总控制电源5把旋钮打到反溅关闭气体1先将调节旋钮旋到最低,当流量显示<1.0时再把流量计开关档打到关闭2关闭气路的截止阀(对Ar气是V5)3打开闸板阀,关闭气瓶(先逆时针关次分压)真空系统关闭1关闭闸板阀G2继续抽真空到10-4数量级,关闭分子泵。
镀膜作业流程
镀膜作业流程一,镀膜作业步骤:准备工作1.镀膜前洗净2.抽检镜片外观确认(裂边,伤痕,不洁)情况,全检镜片锁板情况(镜片倾斜,3.确认好准备镀膜的镜片(数量,机种,面别)并做好相应记录4.上伞,将镜片从包装盒内装到镀膜机台伞架上(主意带手套拿取镀膜板四周,勿碰到镜片5.区分需要镀膜镜片种类面别6.清洁坩埚电子枪周围用铜刷刷,吸,并添加药材7.确认晶振片,监控片是否OK在新的位置8.确认机台内无杂物,后关门排气加热9.镀膜选取相应的制程10.人员镀膜过程中进行监控11.下伞将镀膜后的镜片从伞架取下,放入包装盒12.抽检主要为膜点,雾状,颜色异常,不洁13.光谱测量采用奥林巴斯反射测定仪和U4100分光光度计14.伞架每圈抽1PCS共5圈15.膜强度测试(采用3M胶带粘拉膜3次)16.光谱量测OK后可送出二,镀膜制造需要部分耗材1.SIO2颗粒或环状(∮300*∮230*T7.5mm,)需要根据机台配置选用2.TIO2颗粒3.晶振片Filtex 6MHZ或INFICON6MHZ4.监控片BK7 Φ142*80*1.8mm,需要根据机台配置选用5.铜坩埚,需要根据机台配置选用6.铝箔厚度0.05mm*宽610mm7.电子枪灯丝,需要根据机台配置选用8.离子源,需要根据机台配置选用耗材三,设备日常维修保养部件需要根据机台型号选用四,光学镀膜机台品牌分玻璃机和塑胶机配置不一样,尺寸可以选择,900mm,1100mm,1300mm,1350mm,日本光驰,OPTORUN台湾龙翩日本昭和德国莱宝新克隆四川南光五,镀膜机台附带东西很重要,需要和厂商洽谈具体需要什么?片锁板情况(镜片倾斜,镀膜板错位,装错板等)做好相应记录套拿取镀膜板四周,勿碰到镜片)根据机台配置选用00mm,1100mm,1300mm,1350mm,1500mm。
溅射工艺流程
溅射工艺流程
《溅射工艺流程》
溅射工艺是一种常用的薄膜沉积技术,用于在半导体、显示器、光学器件和其他电子器件中制造金属薄膜。
这种工艺可以通过将固态材料加热至高温,使其蒸发并沉积在基板上,来实现对金属薄膜的制备。
溅射工艺的流程一般包括几个关键步骤。
首先是准备目标材料,即将要被蒸发的金属材料,将其装入溅射靶材中。
然后是在真空室中建立真空环境,以确保在蒸发过程中没有氧气等杂质影响薄膜的质量。
接下来是加热溅射靶材,使材料蒸发并沉积在基板上。
最后是对沉积的薄膜进行表征和测试,以确保其满足要求的薄膜厚度和质量标准。
溅射工艺流程的成功实施需要精确控制多个参数,包括溅射靶材的温度、真空室的压力、沉积速率等。
此外,还需要对基板进行合适的预处理,以确保薄膜能够与基板牢固结合。
这种工艺通常需要设备精密且耗时较长,但可以制备出厚度均匀、结合紧密的金属薄膜,因此在电子工业中被广泛应用。
总的来说,《溅射工艺流程》是一种重要的薄膜制备技术,通过对金属材料的蒸发和沉积,可以实现对薄膜质量和厚度的精确控制,为电子器件的制造提供了关键的技术支持。
溅射镀膜技术
溅射镀膜技术嘿,朋友们!今天咱来聊聊溅射镀膜技术。
这玩意儿啊,就像是一个神奇的魔法,能在各种材料上变出一层薄薄的“外衣”。
你想想看,就好像给一个物品穿上了一件量身定制的超级外套。
这层外套可不得了,它能让物品变得更加耐用、好看,甚至拥有一些特别的性能。
比如说,让玻璃更加耐磨,让金属更加耐腐蚀。
那溅射镀膜技术到底是怎么做到的呢?简单来说,就是把材料“扔”到一个真空的环境里,然后用一些高速运动的粒子去撞击它,把材料的原子啊、分子啊给撞下来,这些撞下来的“小家伙们”就会乖乖地附着在我们想要镀膜的物品上啦。
是不是很神奇?这就好比是一场小小的“战斗”,那些高速运动的粒子就是勇敢的“战士”,它们冲向目标,把材料一点点地“攻克”下来,然后为我们所用。
而且哦,溅射镀膜技术的应用那可真是广泛得很呐!在电子行业,它能让那些小小的电子元件变得更加可靠;在光学领域,它能让镜片拥有更好的性能。
甚至在我们日常生活中的一些小物件上,也可能用到了这项技术呢!你再想想,如果没有溅射镀膜技术,我们的手机屏幕可能很容易就被刮花了,那多心疼啊!还有那些漂亮的装饰品,如果没有这层镀膜,可能很快就失去了光泽,那多可惜呀!当然啦,要做好溅射镀膜可不是一件容易的事。
就像做饭一样,得掌握好火候、调料,稍有不慎,可能就“砸锅”啦!得精确地控制各种参数,比如真空度啊、粒子的速度啊等等。
不过别怕,咱们的科学家和工程师们可都是高手,他们就像经验丰富的大厨,总能把这道“菜”做得色香味俱佳。
他们不断地研究、改进,让溅射镀膜技术越来越厉害。
总之呢,溅射镀膜技术就像是一个隐藏在幕后的英雄,默默地为我们的生活带来了很多便利和惊喜。
它让我们的物品变得更好、更耐用,让我们的科技不断进步。
所以啊,我们可不能小看了它哟!它真的是太了不起啦!难道不是吗?。
磁控溅射镀膜方案
钛镍金磁控溅射镀膜方案一、实验目的1、详细掌握磁控溅射制备钛镍金薄膜的实验程序。
2、掌握实验数据处理和分析方法,并对实验数据处理和分析。
3、通过调整实验数据以及数据分析来确定磁控溅射镀膜厚度。
4、通过实验得出镀1微米钛、1微米镍、0.5微米金的薄膜参数。
二、实验原理磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。
在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。
若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。
三、实验仪器、设备和材料磁控溅射镀膜机,手套,超声清洗机,氧化铝基片,玻璃基片,有机溶剂,钛镍金铝靶材等。
四、实验步骤1、检查设备完好,确认水路正常,确定真空室已经处在抽真空的准备状态。
2、基片的清洗:清洗过程需要带手套防止污染基片,用镊子对基片进行拿取操作。
(1)将基片放入装有洗涤液的超声清洗机中超声处理10min;(2)将基片放入装有丙酮溶液(AR)的超声清洗机中超声处理20min;(3)将基片放入装有去离子水的超声清洗机中超声处理10min;(4)用无水乙醇溶液(AR)对基片进行擦拭处理。
(5)最后,将处理完的基片及时安装。
3、打开放气阀,待没有气压时打开真空室门。
根据本次实验更换相应的靶材并安装基片。
4、关闭真空室门并关闭放气阀,开相关设备电源,并开冷却水和空压机。
5、启动机械泵预抽真空2-3min后,开启前级阀抽真空,打开复合真空计进行测量。
待真空度低于50Pa启动分子泵。
磁控溅射高温镀铝工艺流程
磁控溅射高温镀铝工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
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磁控溅射镀膜原理及工艺
磁控溅射镀膜原理及工艺摘要:真空镀膜技术作为一种产生特定膜层的技术,在现实生产生活中有着广泛的应用。
真空镀膜技术有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。
这里主要讲一下由溅射镀膜技术发展来的磁控溅射镀膜的原理及相应工艺的研究。
关键词:溅射;溅射变量;工作气压;沉积率。
绪论溅射现象于1870年开始用于镀膜技术,1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。
常用二极溅射设备如右图。
通常将欲沉积的材料制成板材-靶,固定在阴极上。
基片置于正对靶面的阳极上,距靶一定距离。
系统抽至高真空后充入(10~1)帕的气体(通常为氩气),在阴极和阳极间加几千伏电压,两极间即产生辉光放电。
放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极,与靶表面原子碰撞,受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围内。
溅射原子在基片表面沉积成膜。
其中磁控溅射可以被认为是镀膜技术中最突出的成就之一。
它以溅射率高、基片温升低、膜-基结合力好、装置性能稳定、操作控制方便等优点,成为镀膜工业应用领域(特别是建筑镀膜玻璃、透明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大面积的均匀性有特别苛刻要求的连续镀膜场合)的首选方案。
1磁控溅射原理溅射属于PDV(物理气相沉积)三种基本方法:真空蒸发、溅射、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀)中的一种。
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。
在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。
若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar正离子来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。
磁控溅射镀膜机使用说明
磁控溅射镀膜机使用说明磁控溅射镀膜机是一种广泛应用于材料科学、电子制造领域的设备,通过磁控溅射技术,可以在各种基底材料上沉积一层或多层金属、非金属或半导体薄膜。
该设备主要由真空室、磁控溅射源、进样室、控制系统等部分组成。
(1)确认电源连接正常,检查真空泵、冷却循环水等设备是否正常工作。
(2)打开真空室门,将基底材料放置在样品台上。
(3)关闭真空室门,启动真空系统,将室内抽至高真空状态。
(4)打开磁控溅射源,进行预溅射清洗靶材。
(5)调整工艺参数,如溅射功率、时间、气压等,开始进行溅射镀膜。
(6)镀膜过程中,监控各种参数,如气压、电流、功率等,确保设备正常运行。
定期检查和维护设备部件,如真空泵、冷却循环水系统等。
避免在镀膜过程中触摸设备内部部件,以免造成人身伤害。
如遇设备故障或异常情况,请立即停机检查,并专业人员进行维修。
保持设备清洁和整洁,定期进行清洁和维护。
磁控溅射镀膜技术的研究始于20世纪70年代,最初是为了满足空间电子器件对抗辐射损伤的需求。
随着科技的发展,磁控溅射镀膜技术的应用领域越来越广泛,然而也存在一些问题,如薄膜应力大、耐磨性差等,需要进一步研究和改进。
磁控溅射镀膜技术的基本原理是利用磁场控制下的电场放电,使靶材表面上的原子或分子被激发后沉积到基材表面,形成一层薄膜。
具体工艺过程包括:真空泵抽气、加热靶材、加磁场、加电场、溅射沉积等步骤。
该技术的特点在于沉积速度快、薄膜质量高、适用范围广等。
磁控溅射镀膜技术在光电领域的应用主要是在太阳能电池上制备减反射膜和抗反射膜。
在光学领域,磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种光学薄膜,如增透膜、反射膜、滤光片等。
在电子领域,磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种电子薄膜,如半导体薄膜、绝缘薄膜、导电薄膜等。
未来,磁控溅射镀膜技术的发展趋势主要体现在以下几个方面:一是进一步完善磁控溅射镀膜技术的工艺参数,提高薄膜的质量和性能;二是研究磁控溅射镀膜技术在新型材料制备中的应用,如纳米材料、石墨烯等;三是探索磁控溅射镀膜技术在生物医学、环境治理等领域的应用可能性。
溅射镀膜操作流程
溅射镀膜操作流程溅射镀膜是一种常用的高技术表面处理技术,主要用于给金属、陶瓷、玻璃等材料表面镀上一层薄膜,以增加其抗磨、耐腐蚀、导电或反射等性能。
下面将详细介绍溅射镀膜的操作流程。
1.原材料准备:首先需要准备需要进行溅射镀膜的基材和镀膜材料。
基材可以是金属、陶瓷或玻璃等,而镀膜材料可以是金属、合金或化合物等。
根据所需镀膜的性能和要求,选择合适的基材和镀膜材料。
2.设备和设施准备:-预处理设备:基材需要经过清洗、抛光和研磨等预处理工序,以确保表面平整、干净和没有杂质,有利于膜层的附着。
-溅射设备:溅射镀膜的核心就是溅射设备,一般由溅射针、溅射靶和真空腔室组成,溅射针通过高压电弧或射频电磁场使镀膜材料离子化并沉积在基材上。
-真空系统:镀膜过程需要在高真空环境下进行,需使用真空泵或者真空吸附装置排除空气,降低膜层产生缺陷的风险。
-温控和监测设备:通过温控系统保持腔室内温度恒定,并通过监测系统实时监测溅射工艺参数,调整并优化工艺条件。
3.腔室准备:在进行溅射镀膜之前,需要将基材放置在腔室内,并确保腔室内部清洁无尘。
4.真空抽气:打开真空泵将腔室内的气体抽取出来,建立所需真空度。
真空度的选择应根据镀膜材料和所需薄膜性能来确定。
5.溅射源供电和预热:将溅射靶连接至电源,使其通电预热。
镀膜材料加热至一定温度,使其达到溅射状态。
6.选择溅射工艺参数:溅射镀膜过程中的工艺参数包括:溅射功率、气体流量、溅射时间、沉积速率等。
根据所需镀膜材料和所需薄膜性能来选择适当的工艺参数。
7.溅射镀膜:打开溅射设备,让溅射针开始溅射镀膜材料。
离子化的镀膜材料会在高真空环境中沉积在基材上,形成均匀的薄膜。
8.膜层监测和控制:在溅射镀膜过程中,需要不断监测和控制沉积膜层的厚度和均匀性。
可以使用光学薄膜监测仪、霍尔传感器或者石英晶体微天平等设备进行实时监测。
9.膜层修整和后处理:镀膜完成后,可能会进行一些修整和后处理工序,以进一步提高膜层的性能。
薄膜制备技术-溅射法
溅射法的原理
当高能粒子(如惰性气体离子)轰击固体靶材表面时,会使得靶材表面的原子或分 子获得足够的能量,克服与基材之间的引力,从靶材表面溅射出来。
溅射出来的原子或分子在真空中飞行,并沉积在基材表面,形成薄膜。
薄膜制备技术-溅射法
目 录
• 溅射法简介 • 溅射法制备薄膜的工艺流程 • 溅射法制备薄膜的特点与优势 • 溅射法制备薄膜的挑战与解决方案 • 溅射法制备薄膜的发展趋势与展望
01
溅射法简介
溅射法的定义
溅射法是一种物理气相沉积技术,利 用高能粒子轰击固体靶材,使靶材表 面的原子或分子被溅射出来,并在基 材表面沉积形成薄膜。
技术创新与突破
为了进一步提高溅射法制备薄膜的性能和效率,未来将不断涌现技 术创新和突破,推动该领域的技术进步。
智能化与自动化
随着工业4.0和智能制造的兴起,溅射法制备薄膜技术将朝着智能 化与自动化方向发展,实现高效、精准和可靠的薄膜制备。
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溅射法可以用于制备各种金属、半导体、绝缘体 等材料,具有较广的适用范围。
工艺简单
溅射法制备薄膜工艺相对简单,操作方便,适合 于大规模生产。
环境友好
溅射法在制备过程中不需要使用有害气体或液体, 对环境友好。
溅射法制备薄膜的应用领域
电子器件
01
溅射法制备的金属薄膜、半导体薄膜等广泛应用于集成电路、
电子元件等领域。
溅射法中,基材的温度较低,一般在室温至数百摄氏度之间,因此特别适合于在塑 料、玻璃等不耐高温的基材上制备薄膜。
溅射的基本原理之溅射镀膜过程
溅射的基本原理——溅射镀膜过程
例题:Ar+离子溅射铜靶,已知
r1 0.96 108 cm
r2 1.82 108 cm n2 3.5 1016 / cm3(0℃,133Pa) 求溅射离子的平均自由程? 解:代入公式 1 1 n2 (r1 r2 )2 1 3.5 1016 (0.96 1.82)2 1016
溅射的基本原理——溅射镀膜过程
★ 溅射镀膜过程
靶材溅射过程、逸出粒子的形态 溅射粒子的迁移过程 溅射粒子的成膜过程
入射离子从靶表面反射
入射离子捕获电子形成 中性原子或分子 离子注入 次级电子发射 靶表面结构和组分变化 靶表面气体解吸
辐射射线
离子轰击固体表面所产生的各种现象与固体材料的种类、
(4)溅射条件的控制
溅射气体或工作气体 廉、高纯
溅射电压和基片电位 基片温度 预溅 综合考虑靶材、基片、气氛、温度、几何结构、真空度、 电场及磁场等参数。
溅射率高、对靶材呈惰性、价
11.7 103 cm
溅射镀膜的气体压力一般为 10 1 -10 -1 Pa,其平均自由 程为1-10cm,因此,靶和基片的距离与溅射粒子的平均自 由程大致相当。 溅射粒子到达基片时的能量相当与蒸发原子的几十至上百
倍。
溅射的基本原理——溅射镀膜过程
溅射粒子的成膜过程 成膜机理将在薄膜物理部分讲,这里介绍几个相关问题。 (1)淀积速率 定义:淀积速率 Q 是指从靶材上溅射出来的物质,在 单位时间内淀积到基片上的薄膜厚度。
中性粒子的平均自由程 1 可以用下式表示
1 c1 (11 12 )
式中, c1 是溅射粒子的平均速度, 11 是溅射粒子相互作用 的平均碰撞次数, 12 是溅射粒子与工作气体分子的平均碰 撞次数。
溅射镀膜操作流程
JGP-560C双室磁控溅射沉积系统操作规范系统的气路图如图:一、前期准备:打开循环水(循环水能及时降温,主要是抽水泵能正常工作),打开墙上电源,打开总电源,打开控制电源注:循环水的有效降温同样是维持实验条件稳定和实验参数进行的有力保障。
其主要影响设备是抽水泵。
所以在确定水箱充有足够水的前提下还要确保泵的正常工作。
二、抽真空:1.开机械泵开关;2.开旁抽阀V1(V7),开复合真空计,对溅射真空室(进样室)进行抽真空(粗抽真空);3.当气压低于20 Pa时,关旁抽阀V1(V7);4.开电磁阀DF1(DF2),开闸板阀G2(G3),启动分子泵T1(T2);5.开电离真空计(细抽真空)。
注:真空区域可划分为五类:粗真空区域 1.103×105Pa—1.3×103Pa低真空区域 1.3×103Pa—1.3×10-1Pa高真空区域 1.3×10-1Pa—1.3×10-6Pa超真空区域 1.3×10-6Pa—1.3×10-12Pa极高真空区域<1.3×10-12Pa这种气体的量的变化也会对各类生产过程产生很大影响。
对镀膜过程也不例外。
例如物质在真空中的沸点比在大气中的低,在真空条件下可以降低物质大量蒸发所需的温度,因而在真空镀膜室内镀膜材料可以在较低的温度下大量蒸发。
在低真空区域中氧气相应少了,物质被氧化的可能性大大的变小,因而真空镀膜时能够得到纯度较高的有实用价值的镀膜层。
所以稳定的真空度能有效保证各实验参数的进行,保证镀膜质量。
三、装样1.检查闸板阀G3是否关闭,确认G1,V7,V5确实关闭;2.缓慢打开放气阀V6,向进样室充气;3.充气完成后,打开带窗活开门,将放好样品的样品托一一放入样品库内(一次可放置6个样品托);4.关闭放气阀V6,对样品室抽真空。
四、处理样品(进样室中,退火炉在上,反溅靶在下)1.用磁力传递杆取下样品托,将样品托放置在反溅靶表面;2.将复合真空计由自动调为手动;3.稍关闭闸板阀G3,打开截止阀V5;4.开流量计,预热3min;5.开气瓶开关,调节流量阀MFC3,通过调节流量以及闸板阀开关控制真空到3~5Pa;6.打开RF电源,预热5min,调节功率对样品进行反溅清洗;7.关闭RF电源,关气瓶开关,关闭流量阀MFC3,关闭V5,打开G3;8.取下样品托,放入退火炉托座;9.调节退火温度对样品热处理。
镀膜机操作步骤
镀膜机操作步骤1、打开冷却水开关、空压机开关(空压机红色按钮向上拔为打开,向下按为关闭)和镀膜机总电源开关。
2、将玻璃基板至于样品托中,导电一面向下,刻蚀带一侧靠近样品托蓝色线条一侧。
3、预处理室放气,待放好气后拧紧放气阀,打开预处理室仓门,将样品托放在推拉杆上,关闭仓门。
4、打开机械A、机械B泵及四个真空计。
5、基片预处理:打开角阀,当预处理室真空度达到 2.0E1 ~5.0E1 (2.0×10~5.0×10)Pa时,关闭角阀、打开真空蒸镀室角阀。
打开直流溅射电源、再按下启动按钮,调节电流0.020-0.025A,轰击10分钟,将电流调节至0A,按下停止按钮,关闭电源。
6、打开A泵,角阀,待度达4.0E0以下时,即当两边真空气压基本相当的的时候(约十分钟),关闭角阀,A阀,打开蒸镀室与预处理室之间的闸板阀(顺时针方向开,逆时针方向关),检查旋转台下的挡板,一定要将挡板放在恰当位置。
样品传送至蒸镀室,用机械手抓取样品托,并保持在机械手上;然后将推拉杆拉回至预处理中,关闭闸板阀;降低蒸镀台与机械手平齐,将样品托轻轻推入蒸镀台下方的样品托导引槽(上方导引槽)。
7、当蒸镀室真空度达到1.2E1(1.2×10) Pa以下时,关闭角阀、机械A泵。
打开闸板阀,将蒸镀室抽高真空至7.0E-4Pa(约2个小时)。
8、插入掩模板:将样品升降电源调到手动,将蒸镀台旋转180度(用皮带精确定位),用升降盒使蒸镀台最下方的掩模板导引槽与掩膜版库轨道,至于同一水平线上,用机械手将掩膜版轻轻推至蒸镀台的掩模板导引槽。
(注意机械手用完一定要挂起)9、蒸镀过程:打开快门总开关,膜厚测试仪(F1是清零,F5是开始或停止)放样品托的架子升最高,且旋转。
打开PID(束源炉)开关,调节温度,依次蒸镀相关材料,制备OLED器件。
10、若继续实验,打开机械A泵、预处理室角阀,至预处理室真空度达到4.0E0(4.0×1) Pa以下,同时将掩膜版归位,用机械手将样品托取下。
车灯溅射镀膜工艺流程
车灯溅射镀膜工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
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广东多层磁控溅射步骤
广东多层磁控溅射步骤
磁控溅射是一种高效的薄膜制备技术,广泛应用于各个领域。
其中多层磁控溅射技术被广泛应用于电子、光电子、太阳能电池等领域。
以下是广东多层磁控溅射技术的步骤:
1. 基底清洗:将待制备的基底放入超声波清洗机中清洗,去除表面的杂质和污垢。
2. 磁控溅射:将金属靶材和氧化物靶材放入磁控溅射仪中,通过辅助电极和磁控电子束进行沉积,形成多层薄膜。
3. 调节工艺参数:根据不同靶材的物理性质和化学性质,调节磁控溅射工艺参数,如溅射功率、气压等,以控制薄膜的成分和质量。
4. 热处理:通过高温处理,可以改善薄膜的晶体结构和性能。
5. 薄膜测试:对制备好的多层薄膜进行测试,包括厚度、晶体结构、表面形貌等,以保证薄膜的质量和性能符合要求。
以上就是广东多层磁控溅射技术的主要步骤,通过这些步骤可以制备出高质量的多层薄膜,为各个领域的应用提供技术支持。
- 1 -。
吉林高温磁控溅射步骤
吉林高温磁控溅射步骤
吉林高温磁控溅射是一种表面涂覆的工艺,下面是具体步骤:
1.选择合适的基材和溅射材料,将基材加热至预定温度。
2.将溅射材料放置在磁控溅射器中,并施加高压电场,使气体在低压下形成等离子体。
3.通过磁场的作用,将等离子体加速并溅射到加热的基材表面上,形成均匀的薄膜。
4.根据需求,可以多次重复上述步骤,以增加薄膜的厚度和质量。
5.最后,进行表面处理,如抛光、清洗,以保证薄膜的质量和稳定性。
吉林高温磁控溅射是一种高精度、高效率的表面涂覆工艺,被广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、光学镜片等领域。
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JGP-560C双室磁控溅射沉积系统操作规范系统的气路图如图:
一、前期准备:
打开循环水(循环水能及时降温,主要是抽水泵能正常工作),打开墙上电源,打开总电源,打开控制电源
注:循环水的有效降温同样是维持实验条件稳定和实验参数进行的有力保障。
其主要影响设备是抽水泵。
所以在确定水箱充有足够水的前提下还要确保泵的正常工作。
二、抽真空:
1.开机械泵开关;
2.开旁抽阀V1(V7),开复合真空计,对溅射真空室(进样
室)进行抽真空(粗抽真空);
3.当气压低于20 Pa时,关旁抽阀V1(V7);
4.开电磁阀DF1(DF2),开闸板阀G2(G3),启动分子泵T1(T2);
5.开电离真空计(细抽真空)。
注:真空区域可划分为五类:
粗真空区域 1.103×105Pa—1.3×103Pa
低真空区域 1.3×103Pa—1.3×10-1Pa
高真空区域 1.3×10-1Pa—1.3×10-6Pa
超真空区域 1.3×10-6Pa—1.3×10-12Pa
极高真空区域<1.3×10-12Pa
这种气体的量的变化也会对各类生产过程产生很大影响。
对镀膜过程也不例外。
例如物质在真空中的沸点比在大气中的低,在真空条
件下可以降低物质大量蒸发所需的温度,因而在真空镀膜室内镀膜材料可以在较低的温度下大量蒸发。
在低真空区域中氧气相应少了,物质被氧化的可能性大大的变小,因而真空镀膜时能够得到纯度较高的有实用价值的镀膜层。
所以稳定的真空度能有效保证各实验参数的进行,保证镀膜质量。
三、装样
1.检查闸板阀G3是否关闭,确认G1,V7,V5确实关闭;
2.缓慢打开放气阀V6,向进样室充气;
3.充气完成后,打开带窗活开门,将放好样品的样品托一一放入
样品库内(一次可放置6个样品托);
4.关闭放气阀V6,对样品室抽真空。
四、处理样品(进样室中,退火炉在上,反溅靶在下)
1.用磁力传递杆取下样品托,将样品托放置在反溅靶表面;
2.将复合真空计由自动调为手动;
3.稍关闭闸板阀G3,打开截止阀V5;
4.开流量计,预热3min;
5.开气瓶开关,调节流量阀MFC3,通过调节流量以及闸板阀开关
控制真空到3~5Pa;
6.打开RF电源,预热5min,调节功率对样品进行反溅清洗;
7.关闭RF电源,关气瓶开关,关闭流量阀MFC3,关闭V5,打开
G3;
8.取下样品托,放入退火炉托座;
9.调节退火温度对样品热处理。
五、送样
1.当进样室真空度低于5*10-4Pa时,关闭G3,打开G1;
2.取下样品托并旋转180度,送入溅射室,并交接到转盘上(可
通过侧壁上的样品叉辅助交接);
3.抽出传递杆,关闭G1,对溅射室抽真空。
注:
(1)采用传递杆传送样品,可以保持真空卫生,首先是腔内气体卫生。
即腔内气体应该有足够的纯度和稳定的比例。
其次是腔体卫生。
腔体应该保持相应的洁净度。
采用传递杆可以避免灰尘、废金属屑等进入腔体。
只有保证了真空卫生才能保证镀膜的质量。
(2)基片应与靶材平行,因为在与靶材不同的距离上金属蒸气的密
度、温度情况、磁力强度等镀膜条件是不相同的。
如果不平行的话,不仅会使镀膜厚度不均匀,也会使膜所受的应力不一致,有可能导致开裂、翘曲或脱落等附着强度问题。
(3)基片表面应洁净,基片表面的洁净与否会直接影响镀膜的均匀性、附着强度。
严重时还会使镀膜开裂、翘曲或脱落。
以玻璃基片为例,如果基片清洗效果不达标,表面存有灰尘、油脂或油的薄层,那么就会严重影响镀层的光学透射率、反射率、色调均匀性等基本性质。
六、溅射镀膜
1.稍关闭G2,关闭电离真空计;
2.缓慢打开V4,过一段时间后按实验要求打开V8,V9,V10;
3.打开流量计,预热3 min;
4.开气瓶开关,将流量计打到阀控档;
5.调节流量计以及闸板阀G2,控制压强至实验要求(如气压低于
1*10-1Pa可打开电离真空计检测压强);
6.打开直流或射频电源(射频电源需预热5 min),调节功率开
始溅射,可通过程序控制转盘以及挡板位置;
7.镀膜完成后,关闭直流或射频电源;
8.关闭气瓶开关,关流量计,关V8,V9,V10,关V4,打开G2;取样与送样操作步骤一样。
实验注意事项:
①靶材质量应能足够保证镀膜质量。
②基片应与所镀产品的镀膜表面平行。
③产品表面在镀膜前应清洗干净。
④真空腔应时常清洁,保持真空环境的卫生。
⑤稳定的真空度。
⑥稳定的气体流量。
⑦循环水能及时降温(主要是抽水泵能正常工作)。
⑧腔内温度应自然冷却后才可以取出产品。
⑨操作人员应及时通过监视窗口观察真空腔内部工作状况,阳极光线应明亮,若昏暗(此时辉度指示灯一般会闪烁)应及时查找原因。
⑩升降机在上升到可以打开密封盖时应及时停止。
⑪各种开关、旋(按)钮使用完毕后应及时关闭或恢复到初始状态。
⑫整理实验室,关闭空调和室内灯光,并且把门锁好。