双向可控硅和触发电路
双向触发二极管与可控硅应用电路
双向触发二极管与可控硅应用电路
1、调光调压电路
双向触发二极管触发双向可控硅的调光调压电路是典型应用电路的一种。
工作过程：当电路接通沟通市电220V后，沟通市电便通过负载电阻R1、电位器RP1 向电容器C1不断充电，当电容器C1上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压时候，此时电容器 C 便通过双向触发二极管VD向双向可控硅T1的掌握极G放电，触发可控硅T1导通。
值得留意的是：转变电位器RP1的阻值便可转变向C1充电的速度，也就转变了双向可控硅的导通角，进而转变通过灯泡的平均电流值，实现连续调光调压的目的。
由于双向触发二极管在正、反电压下均能工作。
电容容量可以用小一点的，使触发电路的功耗小，这种电路可用作台灯、舞台灯光的调光及电风扇电机的调速之用。
2、过压爱护电路
如图所示，这是由双向触发二极管与双向可控硅组成的过压爱护电路。
工作过程：电压正常工作时候，加在双向触发二极管两端的电压小于转折电压，此时VD不导通，同时双向可控硅T1也处于截止状态，输出负载RL可得到正常的供电。
一旦供电电压超出限定值时，也就是说瞬态电压超过双向触发二极管转折电压，VD导通并触发双向可
控硅T1也导通，使后面的负载RL免受过压损害。
3、无触点沟通开关电路
如下图，这是无触点沟通开关电路，可以代替大功率的沟通继电器，特点是工作牢靠、无火花干扰等。
工作过程：开关管Q1掌握触发二极管导通，触发二极管产生触发脉冲,脉冲通过脉冲变压器耦合到双向可控硅T1掌握极，掌握可控硅导通，这样使得触发电路与主电路没有电气联系。
双向触发二极管与可控硅应用电路还有许多，例如脉冲信号发生器等。
双向可控硅及其触发电路
双向可控硅及其触发电路Document serial number【UU89WT-UU98YT-UU8CB-UUUT-UUT108】双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
大功率双向可控硅移相触发电路
大功率双向可控硅移相触发电路大功率双向可控硅移相触发电路是一种电子元件，常用于交流电控制电路中。
它通过控制双向可控硅的触发角，实现对交流电的移相控制，从而改变电路中电流的相位。
本文将对大功率双向可控硅移相触发电路的原理、工作方式以及应用进行详细介绍。
一、原理大功率双向可控硅移相触发电路是基于双向可控硅的特性设计而成的。
双向可控硅是一种能够在正、反两个方向上都能控制的硅控制器件。
它由四个PN结组成，具有双向导电特性。
在交流电控制电路中，通过对双向可控硅的触发角进行控制，可以实现对交流电的移相。
二、工作方式大功率双向可控硅移相触发电路一般由触发电路、移相电路和功率放大电路组成。
触发电路用于产生触发脉冲，移相电路用于对触发脉冲进行延时和移相，而功率放大电路则用于控制双向可控硅的导通和截止。
在工作时，触发电路会根据控制信号产生相应的触发脉冲。
这些触发脉冲经过移相电路的处理，通过延时和移相的方式，控制双向可控硅的触发角。
当双向可控硅的触发角满足一定条件时，它将开始导电，电流开始流过。
当触发角不满足条件时，双向可控硅将截止导电。
三、应用大功率双向可控硅移相触发电路在工业控制领域有着广泛的应用。
它常被用于交流电调光、交流电变频和交流电电压调节等场合。
通过控制双向可控硅的触发角，可以实现对交流电的控制，从而满足不同的需求。
举个例子来说，在交流电调光中，大功率双向可控硅移相触发电路可以根据光照强度的变化，通过控制触发角的移相，实现对灯光亮度的调节。
当光照强度较弱时，触发角可以被移相，使得灯光亮度增加；当光照强度较强时，触发角可以被移相，使得灯光亮度减小。
通过这种方式，可以实现对灯光亮度的精确控制。
大功率双向可控硅移相触发电路还可以用于交流电变频。
通过控制触发角的移相，可以改变交流电的频率，从而实现对电机转速的调节。
这在一些需要变频控制的场合，如工业生产中的电机控制，具有重要的应用价值。
大功率双向可控硅移相触发电路是一种常用的电子元件，通过控制双向可控硅的触发角，实现对交流电的移相控制。
双向可控硅及其触发电路精编版
双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
双向可控硅直流开关电路
双向可控硅直流开关电路双向可控硅直流开关电路是一种常用的电子开关电路，具有可控性强、反向导通能力好等特点，在工业自动化控制领域得到广泛应用。
双向可控硅，简称双向可控二极管（bidirectional controlled rectifier），是一种能够控制正向和反向导通的双向开关器件。
与传统的单向可控硅相比，双向可控硅具有双向导通能力，可以实现正向和反向的电流控制。
这使得双向可控硅广泛应用于直流电路中的开关控制。
双向可控硅直流开关电路由双向可控硅、触发电路和控制电路组成。
触发电路用于控制双向可控硅的导通和关断，控制电路则用于控制触发电路的工作。
通过控制电路中的信号触发，可以实现对双向可控硅的控制，从而实现电路的开关功能。
在双向可控硅直流开关电路中，当控制电路中的触发信号出现时，触发电路工作，将信号传递给双向可控硅，使其导通。
当触发信号消失时，触发电路停止工作，双向可控硅断开，实现电路的关断。
通过控制电路中的触发信号的频率和宽度，可以精确控制双向可控硅的导通和关断时间，从而实现对电路的精确控制。
双向可控硅直流开关电路具有很多优点。
首先，双向可控硅具有反向导通能力，能够实现正向和反向的电流控制，适用于双向电流的开关控制。
其次，双向可控硅具有可控性强的特点，可以通过控制电路中的触发信号来实现对电路的精确控制。
此外，双向可控硅的体积小、重量轻，可靠性好，寿命长，适用于各种工业环境。
双向可控硅直流开关电路在工业自动化控制领域得到广泛应用。
例如，在电力系统中，双向可控硅直流开关电路可以用于电力调度和电力传输控制。
在变频器控制系统中，双向可控硅直流开关电路可以用于电机的启动和停止控制。
在电动车充电系统中，双向可控硅直流开关电路可以用于电池的充电和放电控制。
在工业自动化生产线中，双向可控硅直流开关电路可以用于机器的开启和关闭控制。
双向可控硅直流开关电路是一种可控性强、反向导通能力好的电子开关电路。
它通过控制电路中的触发信号来实现对电路的精确控制，具有体积小、重量轻、寿命长等优点。
双向可控硅及其触发电路
双向可控硅及其触发电路之南宫帮珍创作双向可控硅是一种功率半导体器件, 也称双向晶闸管, 在单片机控制系统中, 可作为功率驱动器件, 由于双向可控硅没有反向耐压问题, 控制电路简单, 因此特别适合做交流无触点开关使用.双向可控硅接通的一般都是一些功率较年夜的用电器, 且连接在强电网络中, 其触发电路的抗干扰问题很重要, 通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极.为减小驱动功率和可控硅触发时发生的干扰, 交流电路双向可控硅的触发常采纳过零触发电路.（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通, 由于采纳过零触发, 因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅, 四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通, 这个电压可以是正、负, 和T1、T2之间的电流方向也没有关系.因为双向可控硅可以双向导通, 所以没有正极负极, 可是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的, 双向四象限可控硅, 最年夜电流4A）推荐电路：为了提高效率, 使触发脉冲与交流电压同步, 要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲, 且触发脉冲电压应年夜于4V , 脉冲宽度应年夜于20us.图中BT 为变压器, TPL521 - 2 为光电耦合器, 起隔离作用.当正弦交流电压接近零时, 光电耦合器的两个发光二极管截止, 三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通, 发生负脉冲信号, T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚, 以引起中断.在中断服务子法式中使用按时器累计移相时间, 然后发出双向可控硅的同步触发信号.过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示.过零触发电路电路如图3 所示, 图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器, 也属于光电耦合器的一种, 用来驱动双向可控硅BCR 而且起到隔离的作用, R6 为触发限流电阻, R7 为BCR 门极电阻, 防止误触发, 提高抗干扰能力.当单片机80C51 的P1. 0 引脚输出负脉冲信号时T2 导通, MOC3061 导通, 触发BCR 导通, 接通交流负载.另外, 若双向可控硅接感性交流负载时, 由于电源电压超前负载电流一个相位角, 因此, 当负载电流为零时, 电源电压为反向电压, 加上感性负载自感电动势el 作用, 使得双向可控硅接受的电压值远远超越电源电压.虽然双向可控硅反向导通, 但容易击穿, 故必需使双向可控硅能接受这种反向电压.一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路, 实现双向可控硅过电压呵护, 图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路.光耦合双向可控硅驱动器电路这种器件是一种单片机输出与双向可控硅之间较理想的接口器件.它由输入和输出两部份组成, 输入部份是一砷化镓发光二极管.该二极管在5~15mA正向电流作用下发出足够强度的红外线,触发输出部份.输出部份是一硅光敏双向可控硅, 在紫外线的作用下可双向导通.该器件为六引脚双列直插式封装, 其引脚配置和内部结构见下图：有的型号的光耦合双向开关可控硅驱动器还带有过零检测器.以保证电压为零(接近于零)时才可触发可控硅导通.如MOC3030/31/32 (用于115V交流), MOC3040/41(用于220V交流).下图是过零电压触发双向可控硅驱动器MOC3040系列的典范应用电路.MOC3061推荐电路图的误解：我最开始忽略了G极与T1之间的关系, 将MOC3061的4、6两脚接在了G极与T1之间, 电路示意图如下：（由于没有找到MOC3061, 用了一个开关暗示）此时无论是翻开开关、和关闭开关（驱动MOC306或者不驱动MOC3061）可控硅都是导通的, 即不能关闭可控硅, 各式纠结和检查资料后才发现G极和T1之间的关系, 安照这个电路接的话, 不论J3开路时, G极的电压即是T2的电压, 当交流电流过双向可控硅时, G极与T1之间总存在一个电压差, 即T1与T2之间的电压差, 这个电压差就导通了可控硅, 所以双向可控硅虽然没有正、负极的区别, 却有T1、T2的区别.。
20a双向可控硅 光耦触发电路
20a双向可控硅光耦触发电路
20A双向可控硅光耦触发电路是一种常见的电子电路，用于控制大电流负载的开关。
双向可控硅是一种功率半导体器件，能够控制交流电路的导通和截止。
光耦是一种光电耦合器件，用于隔离输入和输出电路，保护控制电路免受高电压或高电流的影响。
光耦触发电路通常由光耦、电阻、双向可控硅和其他辅助元件组成。
当光耦接收到输入信号时，它会产生相应的输出信号，通过电阻和触发电路控制双向可控硅的导通和截止，从而控制负载的通断。
在设计20A双向可控硅光耦触发电路时，需要考虑输入信号的稳定性、光耦的灵敏度、双向可控硅的额定电流和电压等参数。
此外，还需要注意电路的绝缘性能、抗干扰能力和热稳定性，以确保电路稳定可靠地工作。
总的来说，20A双向可控硅光耦触发电路是一种重要的电子控制电路，应用广泛，涉及到电气、电子、通信等多个领域。
设计和应用时需要充分考虑电路的性能和稳定性，以确保其安全可靠地工作。
双向可控硅及其触发电路
双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
双向可控硅的工作原理
双向可控硅的工作原理双向可控硅（SCR）是一种半导体器件，可以控制大功率电路的开关。
它具有双向导通特性，可以在正负半周的任意时刻导通，因此在交流电路中得到了广泛的应用。
双向可控硅的工作原理主要包括触发、导通和关断三个阶段。
首先，我们来看双向可控硅的触发阶段。
当施加一个正向触发脉冲时，双向可控硅会进入导通状态。
这是因为在正向触发脉冲的作用下，P-N结区域的电子和空穴被注入并扩散，形成导通通道。
这个过程类似于单向可控硅的触发过程，但双向可控硅需要在两个方向上都进行触发。
在双向可控硅中，P-N结区域被激活后，电流可以在两个方向上流通，因此它具有双向导通的特性。
接下来是双向可控硅的导通阶段。
一旦双向可控硅被触发并进入导通状态，它将继续导通直到电流降至零点。
在导通状态下，双向可控硅可以承受较大的电流和电压，因此适用于大功率电路的控制。
此时，双向可控硅的导通特性使得电流可以在正负半周的任意时刻流通，从而实现了双向导通的功能。
最后是双向可控硅的关断阶段。
在双向可控硅的关断过程中，电流被减小到零并且维持在零点以上的电压下。
在这个阶段，双向可控硅将停止导通并进入关断状态。
需要注意的是，双向可控硅的关断过程相对较慢，因此在实际应用中需要考虑到这一特性。
总的来说，双向可控硅的工作原理包括触发、导通和关断三个阶段。
通过控制触发脉冲的时机和持续时间，可以实现对双向可控硅的控制。
双向可控硅具有双向导通的特性，适用于交流电路中对电流进行控制和保护。
在实际应用中，需要充分理解双向可控硅的工作原理，并合理设计电路以实现所需的功能。
通过本文的介绍，相信读者对双向可控硅的工作原理有了更深入的了解。
双向可控硅作为一种重要的半导体器件，在电力电子领域发挥着重要作用。
希望本文能够帮助读者更好地理解双向可控硅，并在实际应用中发挥其作用。
双向可控硅调速电路原理
双向可控硅调速电路原理
双向可控硅调速电路由双向可控硅、触发电路、继电器、脉冲变压器和负载等组成。
当输入电压施加在双向可控硅的正向和反向间时，通过改变触发电路的控制信号来控制双向可控硅的导通和断路，实现对负载电压和电流的控制。
双向可控硅的输入端有一个触发电路，触发电路通过对双向可控硅施加固定频率和幅值的控制信号，使其工作于导通或断路状态。
触发电路由一个继电器和脉冲变压器组成。
继电器用于改变触发电路的控制信号，以控制双向可控硅的导通和断路。
脉冲变压器用于产生固定频率和幅值的控制信号，通过继电器和双向可控硅连接在一起。
当触发电路施加导通信号时，双向可控硅的正向与负向会同时导通，负载处于工作状态。
在这种情况下，负载的电流和电压被控制在一定的范围内，实现对电机速度和灯光亮度的调节。
当触发电路施加断路信号时，双向可控硅的正向与负向会同时断路，负载处于断路状态。
在这种情况下，负载的电流和电压为零，电机停止转动，灯光熄灭。
然而，双向可控硅调速电路也存在一些缺点。
首先，由于双向可控硅的导通和断路是通过触发电路控制的，所以在电路的转速调节和灯光亮度调节过程中会产生较大的功率损耗。
此外，由于双向可控硅的性质，电路中会产生较多的谐波干扰，需要采取一些滤波措施来减小干扰。
总之，双向可控硅调速电路是一种常见的电力调速系统，通过对双向可控硅的控制信号的调整，可以实现对电路的导通和断路，从而控制负载的电压和电流，实现对电机速度和灯光亮度等的调节。
然而，它也存在一
些缺点，如较大的功率损耗和谐波干扰等，需要采取一些措施来减小这些问题的影响。
双向可控硅四象限触发方式介绍
双向可控硅四象限触发方式介绍双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分双向可控硅触发电路的设计方案双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。
由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。
1 过零检测电路电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
双向可控硅及其触发电路
双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
双向可控硅工作原理
双向可控硅工作原理简介双向可控硅（Bilateral Controlled Silicon）是一种专门用于交流电控制的半导体器件。
它通常被用于电子设备中的功率控制和开关控制，广泛应用于各个领域，如电动机驱动、电源控制等。
双向可控硅具有双向导电性能，能够控制交流电的正半周期和负半周期的导通和截止。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及其应用。
工作原理双向可控硅主要由晶体管、触发电路、保护电路和继电器等组成。
它的工作原理可以分为触发、导通和截止三个阶段。
触发阶段在双向可控硅工作的触发阶段，需要通过外部的触发信号来触发晶体管的开关动作。
触发电路会将触发信号转化为适当的电压和电流波形，并将其传递给晶体管。
这样，晶体管的控制端就可以受到适当的电压和电流作用。
导通阶段当晶体管接收到触发信号后，在适当的时刻，其内部PN 结的偏置电压会达到硅控整流器的导通电平。
此时，晶体管的控制端达到启动电压，导通电流开始通过。
双向可控硅的导通电流会一直保持，直到交流电的电流达到零点，或者传感器检测到电流的异常，触发保护电路，停止导通。
截止阶段在截止阶段，当触发信号停止或者交流电流达到零点时，晶体管的控制端的电压会下降到截止电压，此时晶体管停止导通。
应用由于双向可控硅具有双向导电性能，因此可以在交流电源中实现有源功率控制和开关控制。
在工业控制系统中，双向可控硅广泛应用于以下领域：电动机驱动双向可控硅可以实现对电动机的调速控制。
通过控制双向可控硅的触发信号，可以调节电动机的电源电压和频率，从而改变电动机的转速和扭矩。
电源控制双向可控硅可以用于电源控制和UPS（不间断电源）系统中。
通过对交流电源进行控制，可以实现电源电压的稳定输出和对电源质量的改善。
灯控制双向可控硅还可以用于照明系统中的灯控制。
通过调节双向可控硅的导通角，可以实现灯光的调光控制。
温控设备双向可控硅还可以应用于温控设备中，如加热器的温度控制。
通过对双向可控硅的控制，可以实现温度的精确控制。
双向可控硅及其触发电路
双向可控硅及其触发电路双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
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双向可控硅及其触发电路
双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）
双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：
总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分
再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）
推荐电路：
为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路
电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
当单片机80C51 的P1. 0 引脚输出负脉冲信号时T2 导通，MOC3061 导通，触发BCR 导通，接通交流负载。
另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el 作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。
虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。
一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。
光耦合双向可控硅驱动器电路
这种器件是一种单片机输出与双向可控硅之间较理想的接口器件。
它由输入和输出两部分组成，输入部分是一砷化镓发光二极管。
该二极管在5~15mA正向电流作用下发出足够强度的红外线,触发输出部分。
输出部分是一硅光敏双向可控硅，在紫外线的作用下可双向导通。
该器件为六引脚双列直插式封装，其引脚配置和内部结构见下图：
有的型号的光耦合双向开关可控硅驱动器还带有过零检测器。
以保证电压为零(接近于零)时才可触发可控硅导通。
如MOC3030/31/32(用于115V交流)，MOC3040/41(用于220V交流)。
下图是过零电压触发双向可控硅驱动器MOC3040系列的典型应用电路。
MOC3061推荐电路图的误解：
我最开始忽略了G极与T1之间的关系，将MOC3061的4、6两脚接在了G极与T1之间，电路示意图如下：
（由于没有找到MOC3061，用了一个开关表示）
此时无论是打开开关、和关闭开关（驱动MOC306或者不驱动MOC3061）可控硅都是导通的，即不能关闭可控硅，百般纠结和查看资料后才发现G极和T1之间的关系，安照这个电路接的话，不管J3开路时，G极的电压等于T2的电压，当交流电流过双向可控硅时，G极与T1之间总存在一个电压差，即T1与T2之间的电压差，这个电压差就导通了可控硅，所以双向可控硅虽然没有正、负极的区别，却有T1、T2的区别。