半导体器件分析仪 (B1500A)

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使用是德科技 B1500A 半导体器件分析仪 MFCMU 和 SCUU 进行 IV 和 CV 测量

使用是德科技 B1500A 半导体器件分析仪 MFCMU 和 SCUU 进行 IV 和 CV 测量

图 1. 机械手连接的基本电缆配置
延长 电缆
剩余电感是一个 固定值
延长 电缆
3T 配置
不同的电缆布设 会产生不同的剩余 电感。
即使您把电 缆移到被 测器件处,剩余电感
也 不会改 变,仍能 提 供 稳定和 精确的测量
ir
结果。
面积
屏蔽 2T 配置的剩余电感是固定的,因为保 护屏蔽中流过的感应电流与中心导体中流过 的电流大小相同而方向相反。这一感应电流 有助于屏蔽测量电流产生的磁通量,使剩余 电 缆电 感 保 持 一 个 较小的固定值。反 之,3 T 配置中没有形成返回电流路径。这种配置中 的剩余电感取决于电缆的随机布设状态。由 于电缆的布设不受控制,因此难以保持剩余 电感为稳定的固定量值。测试环境的振动也 会改变测量电缆的剩余电感,造成其不稳定 的量值。人们很难补偿 3T 配置中测量电缆 的剩余电感。这有时也被称作“返回路径问 题”,如果 3T 配置中电缆末端的保护屏蔽 不能 短 路 在一起,就 会产 生 这一问题。您可 按照图 2 所示的方法连接保护屏蔽来解决 这一问题。
SMU 1 SMU 2 电路公共端
三轴电缆
机械手 施压 保护端
三轴 连接器
机械手 施压
保护端
三轴 外部屏蔽
图 5 是一个与精确 CV 测量略有不同的测量 装置。使用 4TP-屏蔽 2T 转换之后的电缆路 径看起来类似于 IV 测量装置,但有两个重要 区别。第一,IV 测量装置中使用的是三轴电 缆,而 CV 测量装置中则使用同轴电缆。第 二,测量电缆与 CV 测量装置中的机械手探 针之间有一条保护连接线,而在 IV 测量装置 中没有这条保护连接线。
使用 Keysight B1500A MFCMU
和 SCUU 进行 IV 和 CV 测量

半导体参数分析仪技术参数

半导体参数分析仪技术参数

半导体参数分析仪技术参数
一、设备名称:半导体参数分析仪
二、采购数量:1台
三、技术参数及配置要求:
1. 半导体参数分析仪主机具有可扩展能力,可用插槽数目:不小于8个;
2. 具有4路SMU模块,可测量IV特性;其中2路中功率SMU模块输出能力:10mA@100V, 10mA@50V, 10mA@30V, 100mA@10V,其中2路高功率SMU模块输出能力:50mA@200V, 100mA@100V, 100mA@40V, 1A@20V, 1A@2V,SMU模块最小测量分辨率为:电流 50fA,电压 0.5uV;
3. 具有1路电容测量模块,电容测试模块测试频率范围:1kHz至5MHz,电容测试精度(1pF,1MHz)±1.2%;电容测量扫描方式:C-V(直流偏置),C-f(测试频率);
4. 提供用于TO,DIP封装器件的测试夹具;
5. 仪表内置Window7操作系统,带触摸式显示屏
6. 提供专用的测试软件对仪表进行控制和提取测试数据,具有曲线追踪功能,便于观察器件击穿和饱和情况;
四、安装、售后及培训:
1、交货期:合同正式生效后45天内到货。

2、质保期:自验收之日起,仪器设备至少免费保修三年。

保修期内维修上门取货送货;
3、包含该设备运输,上楼搬运。

仪器安装、验收:专业工程师提供免费的安装调试,并按照出厂指标验收。

4、培训:免费提供该仪器设备培训;提供本设备全套操作教学视频。

五、注意事项:
招标现场提供相关证据,证明能达到的功能和参数。

1。

安捷伦仪器使用说明书中文

安捷伦仪器使用说明书中文

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基于MATLAB的TFT模型参数提取

基于MATLAB的TFT模型参数提取
The application of TFT model parameter extraction in MATLAB
Rui Wang (SHANGHAI AVIC OPTOELECTRONICS,Shang Hai,201100)
Abstract: This paper is to build a MATLAB GUI, based on the understanding of the working principle of TFT device. TFT model parameters can be extracted by comparison with the practical data. The model parameters can be used in SPICE. Key word: TFT model parameter MATLAB GUI
(7)
Vbb
q ⋅TOX
其中 Vgfbe与 Vgte 一样需要修正,将(5)式中的 Vgt
替换为 Vgfb 即可
Vgfb = VGS-VFB
(8)
γb 与 Vbb 在文献[4]中有详细描述。知道了载
流子浓度后我们可以推算出沟道的传导率 Gchi:
e ⋅ q ⋅ ns ⋅W ⋅ MUBAND Gchi =
本文介绍的公式基于两方面来考虑[3]:
Id = Ileakage + Iab
(2)
I leakage 表示 TFT 的漏电流而 Iab 为 TFT 的载流 子电流,在 VGS 为比较小的电压值的时候,I leakage 为主要导电作用,而在 VGS 比较大的时候,Iab 为
主要导电作用,计算 Iab 需要载流子浓度 ns,ns 主

第2单元-集成电路晶圆测试基础

第2单元-集成电路晶圆测试基础
极限参数与集成电路工作环境变化密切相关,包括电源 电压的拉偏情况下的电参数、许可的极限环境温度下的电参 数、最坏情况下的静态功耗和动态功耗等。
交流(AC)参数
包括上升时间和下降时间、传输过程的延迟时间、建立 和保持时间、刷新和暂停时间、访问时间和功能速度时间, 易受寄生参数的影响。
3. 晶圆测试项目
3. 晶圆测试项目
性能参数测试项目 直流(DC)参数
器件/电路端口的稳态电气特性测试。 例如:输入特性II = f(VI) 输出特性IO = f(VO) 转移特性VO = f(VI) 直流参数测试包括开路测试、短路测试、输入电流测试 、漏电流测试、电源电流测试、阈值电压测试等。
3. 晶圆测试项目
第2单元-集成电路晶圆测试基础
第二单元 集成电路晶圆测试基础
1. 硅片 2. 晶圆 3. 晶圆测试项目 4. 晶圆测试设备 5. 晶圆测试操作
1. 硅片
制备集成电路芯片的晶圆片,其衬底材料主要为硅片, 其纯度为99.9999999%,简称“九个9” 。 硅片制备与检测
1. 硅片
硅片几何尺寸 圆形薄片,边缘有定位边或定位槽。
1. 硅片 2. 晶圆 3. 晶圆测试项目 4. 晶圆测试设备 5. 晶圆测试操作
2. 晶圆
晶圆基础 “硅片”:未加工的原始硅圆片;
“晶圆”:通过芯片制造工艺,在圆硅片上已形成芯片 (晶片)阵列的硅圆片。
2. 晶圆
芯片
2. 晶圆
辅助测试结构
为了提取集成电路的各种参数而专门设计,包括芯片制 造过程的工艺监控参数、过程质量控制参数、电路设计模型 参数和可靠性模型参数的提取。
4. 晶圆测试设备
信号控制仪器 + 机械设备

Keysight B1500A半导体器件简化配置流程说明书

Keysight B1500A半导体器件简化配置流程说明书

¨ B1500A-015 for 1.5m ¨ B1500A-030 for 3.0m
¨ B1500A-A01 Standard
package (4 MPSMUs + cables)
¨ B1500A-A02 High
resolution package (4 HRSMUs + cables)
¨ B1500A-A03 High power
– B1500A, B1500A-015 – B1500A-A00 – B1500A-A17 2ea. – B1500A-A5F
This information is subject to change without notice. © Keysight Technologies, 2010 – 2014, 2016 Published in USA, February 25, 2016 5990-5837EN
Table 2. Other accessories
Resource B1542A N1301A N1301A-100 N1301A-102 N1301A-110 B1542A
Description Ultra short pulsed IV package CMU accessories for B1500A SCUU (SMU CMU Unify Unit) SCUU cable (3m) SCUU magnetic stand Ultra short pulsed IV package
3 Please contact your local Keysight office to find out which WGFMU add-on package fits to your requirements. The complete contact list is available at /find/contactus

使用半导体器件分析仪 (B1500A) WGFMU 模块测量先进 MOSFET 的随机电报噪声 (RTN)

使用半导体器件分析仪 (B1500A) WGFMU 模块测量先进 MOSFET 的随机电报噪声 (RTN)

应用指南使用 B1500A WGFMU 模块测量先进 MOSFET 的随机电报噪声(RTN)引言随机电报噪声(RTN)是高级 MOSFET 中出现的一种电子噪声。

它是因捕获和发射陷入栅氧化层的载流子而产生的,通常表现为叠加在大信号上的小信号。

精确测量和评测整个晶圆上的 RTN 非常重要,因为 RTN 会严重影响器件的可靠性。

RTN 不仅对晶体管的可靠性有重要影响,还会影响到包含 CMOS 图像传感器、闪存等元器件的电路的可靠性。

为了得到可靠的电路设计,您需要考虑留下适当的裕量来抵消 RTN 的影响。

如果裕量设置得太低,RTN 可能会导致器件失效。

如果裕量设置得太高,那么多余的裕量又会限制器件的性能。

最近业界在低功耗技术方面取得了新的突破,使得电子设备的驱动电压得以降低,工作裕量也随之下降。

但这也要求我们更精确、更详细地测量和评测 RTN,以便实现可靠的电路设计。

当前的 RTN 测量解决方案由用户配置的仪器装置组成,通常包括低噪声电源、电流电压转换器和示波器(或电压采样器)等器件。

不过,这样的测量解决方案很难得到稳定和一致的结果。

其中最主要的原因是元器件没有经过很好的校准,甚至整个系统都没有经过校准。

此外,由多种仪器构成的 RTN 测量解决方案很容易产生测量误差。

因为它们的电缆连接非常复杂,单个仪器元器件的误差累积起来形成了总体误差。

因此,为了获取一致的 RTN 数据,工程师们迫切需要一款现成的独立 RTN 解决方案,而且这个解决方案应具有可保证的技术指标。

处于研发阶段的先进器件目前还无法在晶圆上稳定地制造出来。

您必须详细地测量和分析晶圆上的各种器件,为此迫切需要实现自动 RTN 测量。

B1530A 波形发生器/快速测量单元(WGFMU)是 B1500A 半导体器件分析仪的一个高级模块。

有了这个模块,您无需使用任何其他测量设备即可进行 RTN 测量。

WGFMU 模块的本底噪声还不到 0.1 mV(rms),电流测量采样率在 1 S/s 到 200 MS/s 之间,带宽从直流一直达到 16 MHz。

半导体参数分析仪-苏州大学纳米材料与技术试验教学中心

半导体参数分析仪-苏州大学纳米材料与技术试验教学中心
型号
厂商
参考单价
(万元)
数量
总价
(万元)
4200-SCS
Keithley
24
1
24
主要技术指标(含仪器设备的详细配置)
一、系统配置清单:
1、半导体参数分析仪(4200-SCS/F)主机(1台)
(1)含两个高分辨率中功率SMU(源测量单元)
(2)内置12英寸液晶显示器
(3)主机含以太网(LAN),GPIB, 3个USB接口,RS-232接口,并行接口,250G大容量硬盘,可刻录DVD光驱
10、提供纳米技术工具包;
11、软件终身免费升级。
经费来源
专项经费
用途
教学□科研■其它□
安装(放)地点
功能纳米与软物质(材料)实验室
管理人
唐建新
注:“经费来源”指教学设备经费、示范中心建设经费、中央与地方共建经费、重点学科建设经费、科研项目经费、211工程建设费、专项经费等。
二、安装使用的环境及设施条件
功能纳米与软物质(材料)实验室已被省科技厅批准为“江苏省碳基功能材料与器件重点实验室”。按照重点实验室建设规划,实验室将重点研发高效率、长寿命有机光电器件,特别是致力于有机发光显示(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT)的前沿性基础和应用研发,近期主要面向单色显示、小尺寸的全彩PM-OLED显示原型机,白光固体照明及软屏点阵技术的攻关。
苏州大学申购大型精密仪器设备
可行性论证报告
(10万元~40万元)
仪器名称吉时利4200-SCS型半导体特性分析系统ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
申请单位功能纳米与软物质(材料)实验室
负责人李述汤
填表时间2009年11月23日
一、申购仪器设备概况

使用 CX3300 精确测量非易失性存储器件的电流波形

使用 CX3300 精确测量非易失性存储器件的电流波形

是德科技使用 CX3300 精确测量非易失性存储器件的电流波形应用指南引言近期对智能手机技术的需求不断增长,导致非易失性存储器(NVM)的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着 NVM 的应用领域。

闪存是当前存储设备的主流,但业界正在对 ReRAM、PRAM 等新一代 NVM 展开广泛研究,以期通过改善速度、性能、功耗、可靠性和成本等因素,扩大低功率存储器、存储器级内存的应用,以及替代传统的易失性存储器。

Keysight CX3300 器件电流波形分析仪,凭借其独特的超宽带小电流传感技术,可使您以互动方式快速观察持续时间小于μs、幅度低于μA 的电流波形。

这些正是研究器件特性和阻抗变化机理所需要的功能。

CX3300 支持的电流传感器覆盖从 100 pA 到 10 A 的广泛量程,同时在 2 通道或 4 通道主机型号上拥有 1 GSa/s 采样率、200 MHz 带宽、14/16 位动态范围和 256 Mpts 存储器深度。

功能强大的动态电流测量功能使您可以分析和调试 NVM 器件特征。

本应用指南讲解了如何对 NVM 器件执行测量。

当前解决方案面临的测量挑战和问题很多新型 NVM 存储器为双端子器件,开关状态可通过设置/重置脉冲实施控制,开/关状态可通过读脉冲来读取。

以下图 1 显示的是施加到 NVM 器件的典型电压脉冲波形,设置/重置脉冲通常小于 1 μs。

器件的阻抗在设置/重置脉冲期间会发生巨大变化,其变化程度除了取决于材料和制造工艺外,还取决于脉冲参数,例如电平、瞬态时间和脉宽。

因此很重要的一点是,测量阻抗在设置/重置脉冲期间如何变化,并研究器件的机理,改进其性能、可靠性和制造工艺,或找到合适的替代材料。

图 1. 设置-读取-重置-读取的典型脉冲周期这种高速测量的速度太快,很难使用传统的 SMU 来记录,通常改用示波器来测量。

不过,当使用示波器时,仍然面临着以下诸多挑战:–示波器不能直接测量电流。

B1505A 功率器件分析仪 - 精确和高效地表征 (是德科技))

B1505A 功率器件分析仪 - 精确和高效地表征 (是德科技))

应用指南精确和高效地表征3000 V/20 A 功率器件B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪引言提高能效和降低碳排放量是半导体行业目前面临的两大要求,因此对功率器件进行精确表征变得越来越重要。

工程师们在不断改进半导体器件结构和制造工艺的同时,为了支持更高的电压并实现更低的导通电阻,还围绕碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和氧化镓(Ga2O3)等新型宽带隙(WBG)半导体材料展开了大量研究。

为此,他们需要一种能够同时处理高电压和大电流的测量仪器。

过去,工程师们通常使用曲线追踪仪来表征功率器件,但是这种仪器的电压和电流测量精度比较低,在进行小电流测量时分辨率也无法令人满意。

像 Keysight B1500A 这样的参数分析仪虽然具有非常好的电压和电流测量精度,但其电压和电流量程却不适合用于评测功率器件。

为了解决这些问题,是德科技推出了 B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪。

它具有出色的电压和电流测量精度以及小电流测量分辨率,支持高电压和大电流测量,是一款简单易用的综合解决方案。

B1505A 配有新型 HVSMU(高电压源表模块)和 HCSMU(大电流源表模块),两者可分别输出最高 3000 V 电压和最高 20 A 电流。

B1505A 还支持 MFCMU(多频率电容测量单元),可以在 1 kHz 至 5 MHz 频率范围内进行电容测量。

此外,B1505A 还支持偏置 T 型接头,该接头与 HVSMU 配合使用,可以在最高 3000 V 的直流偏置下进行电容测量。

B1500A 和 B1505A 均自带 Keysight EasyEXPERT 软件,使您能够通过图形用户界面(GUI)便捷地控制所有这些测量资源。

EasyEXPERT 具有十分出色的自动分析、图形显示和数据处理能力,是这个功率器件表征和分析综合解决方案的重要组成部分。

使用 EasyEXPERT,您再也无需自行开发控制软件,也无需在定制的机架和堆叠系统中配备多台仪器。

B1500A 半导体器件分析仪主机

B1500A 半导体器件分析仪主机

B1500A 半导体器件分析仪主机/EasyEXPERT 软件主要特性与技术指标测量功能•在fA - 1 A / µV - 200 V 范围内执行精确的电流-电压(IV)测量,支持点测量、扫描测量、采样和脉冲测量•在1 kHz 至5 MHz 频率范围内执行交流电容测量,支持准静态电容-电压(QS-CV)测量•先进的脉冲IV 测量和超快IV 测量,最低采样间隔为5 ns(200 MSa/s)•高达40 V 的高压脉势,适用于非易失存储器测试•测量模块可升级至10 插槽配置工作环境(包含EasyEXPERT)•EasyEXPERT 软件(链接至EasyEXPERT)在嵌入式Windows 7 中运行•数百种测量程序库在需要时即可使用(应用测试)•15 英寸触摸屏支持您在器件表征时采取直观的操作、分析与探测•自动数据记录功能支持测试数据和测试条件的恢复,可使您轻松地进行探测•利用曲线追踪(旋钮操作)和自动记录特性来实现实时交互表征•利用便捷的在线/离线测试环境完成测试开发与分析(台式EasyEXPERT),从而最大限度地发挥仪器效用•描述Agilent B1500A 半导体器件分析仪是一款用于器件表征的综合解决方案。

它支持IV、CV、脉冲IV 及快速IV 测量,可对器件、材料、半导体、有源/无源元件以及任意电气器件进行各种电气表征和评测。

模块化结构可使您根据测试需求随时把仪器升级到10 插槽配置。

嵌入式Windows 7 和功能强大的EasyEXPERT 软件借助先进的图形用户界面(GUI),可让您执行高效、数据可恢复的器件表征。

Agilent B1500A 是唯一一款能够适应多种测量需要的参数分析仪,具备极高的测量可靠性和易于使用的测试环境,可实现高效、数据可恢复的器件表征。

Agilent EasyEXPERT 是一款基于图形用户界面的必备软件,在B1500A 嵌入式Windows®7 中运行。

用带纳米探针的 B1500A 半导体器进行失效分析

用带纳米探针的 B1500A 半导体器进行失效分析

是德科技用带纳米探针的 Keysight B1500A 进行失效分析应用指南引言目前,能探测极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展,从而能表征集成电路内单个器件的电气特性。

这篇应用指南介绍如何用 B1500A 半导体器件分析仪进行这类测量,我们通过 SRAM 失效分析说明这项技术。

常规存储器失效分析是用逻辑测试仪探测有失效的比特位,然后用扫描电子显微镜 (SEM) 和透射电子显微镜 (TEM) 进行实际观察和判断造成失效的成因。

但 SEM 和 TEM 都属破坏性的测试,您只能在若干可能失效位置中观看其中一个点。

这就大大限制了用户定位失效具体成因的能力。

此外,对于非常小的残留物或异常掺杂密度造成的电性失效,也难以采用传统的物理观察技术来发现,因此需要增加一些其它类型的电气测试。

常规器件电气测试方案需要把器件放在带探针测试点的 TEG (测试元件组) 中,而这一 TEG 则通常放在晶圆片上芯片间的切割道中。

显然,这种方法不能在实际芯片内的失效位置上进行电气表征。

图 1. 是德科技 B1500A 半导体器件分析仪目前,利用扫描探针显微镜(SPM) 技术的纳米探测已能使用压电致动器达到纳米级 (9-10 nm) 的探测水平。

这篇应用指南将为您介绍一种新的失效分析技术,这项技术使用一种流行纳米探针,来自日立高科技公司制作的 N-6000 精细结构器件表征系统,以及 B1500A 半导体器件分析仪。

N-6000 可以直接接触集成电路内的器件,从而有助于弥补物理和电气失效分析技术之间的差异。

纳米探针解决了许多问题,但也带来一些新的挑战通过选择适当的预处理技术,就可以用纳米探针测量失效器件中的单个晶体管和连线,它们就如同是标准 TEG 中的被测器件(见图 2)。

这是一个革命性的飞跃;但纳米探针也带来与其自身相关的挑战,由于存在热膨胀和压电致动器的“滑动”,因此难以在长时间内保持良好的电气接触。

B1500A 半导体器件分析仪有能力应对这些挑战,在建立了良好的电气接触后,B1500A 的 EasyEXPERT 软件能在短时间内快速运行一项或多项应用测试。

全面的 CMOS 可靠性测试解决方案-是德科技 B1500A

全面的 CMOS 可靠性测试解决方案-是德科技 B1500A

应用指南CMOS可靠性测试全面解决方案Keysight B1500A 半导体器件分析仪引言随着CMOS 器件的尺寸不断缩小,电场强度和电流密度也相应增加,导致器件的使用寿命受到很大影响。

因此,为了保证集成电路(IC)的使用寿命,测试CMOS 器件的可靠性问题变得至关重要,这些问题包括栅极和层间电介质性能的下降、热载流子效应、偏压温度不稳定以及互连开路和短路等。

Keysight B1500A 半导体器件分析仪是新一代半导体参数分析仪,具有评测先进CMOS LSI (大规模集成)电路可靠性所需要的测量能力。

此外,B1500A 中的EasyEXPERT 控制软件标配了即用型测量程序库,涵盖了所有常见的CMOS 可靠性测试。

本应用指南概括介绍了B1500A 的关键测量功能,并解释了B1500A 何以成为验证CMOS工艺可靠性的全面解决方案。

全面的先进测量功能B1500A 配备10个模块插槽,可选用多种源表模块(SMU)以及其他先进的模块,因此能够满足CMOS 工艺可靠性测试的绝大多数测量要求。

下图汇总了可用的B1500A 模块。

图 1.测量模块的灵活配置10 插槽主机多频电容测量单元(MFCMU)中等功率SMU (MPSMU)高分辨率 SMU (HRSMU)大功率SMU (HPSMU)波形发生器 快速测量单元 (WGFMU)高电压半导体脉冲发生器单元(HV-SPGU)接地单元(GNDU)中等功率 SMU (MPSMU)MPSMU是一款通用型SMU,拥有中等的电压和电流输出能力以及适中的测量分辨率。

MPSMU的最大输出电压为±100 V,最大输出电流为±100 mA。

MPSMU的最小电流测量分辨率为10 fA,最小电压测量分辨率为0.5 μV。

高分辨率 SMU (HRSMU)HRSMU是为需要极其精密的测量而设计的,例如栅极泄漏、断态泄漏和亚阈值电流测量。

HRSMU的最小电流测量分辨率为1 fA(MPSMU 为 10 fA)。

高增益ZnO_肖特基紫外光电探测器光响应特性

高增益ZnO_肖特基紫外光电探测器光响应特性

第 44 卷第 10 期2023年 10 月Vol.44 No.10Oct., 2023发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE高增益ZnO肖特基紫外光电探测器光响应特性段雨晗1,2*,蒋大勇1,2,赵曼1,2(1. 长春理工大学材料科学与工程学院,吉林长春 130022; 2. 光电功能材料教育部工程研究中心,吉林长春 130022)摘要:ZnO宽禁带半导体紫外光电探测器具有稳定性高、成本低等诸多优势,在国防、医疗、环境监测等领域具有重要的应用前景。

本文采用射频磁控技术在SiO2衬底上制备了ZnO薄膜,在此基础上获得了具有高增益的金属⁃半导体⁃金属(MSM)结构的ZnO紫外光电探测器。

10 V偏压下,探测器的响应度和外量子效率分别为4.90 A/W和1668%。

这是由于光照情况下,半导体与金属界面处的空穴俘获产生高增益所导致的。

此外,进一步研究了增益效应、外加偏压和耗尽层宽度对ZnO紫外光电探测器响应度的调控规律与影响机制,为高性能紫外光电探测器的研制与性能调控提供了重要的参考依据。

关键词:ZnO;紫外光电探测器;响应度;增益效应;耗尽层中图分类号:O472 文献标识码:A DOI: 10.37188/CJL.20230169Responsivity Characteristics of ZnO SchottkyUltraviolet Photodetectors with High GainDUAN Yuhan1,2*, JIANG Dayong1,2, ZHAO Man1,2(1. School of Materials Science and Engineering, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China;2. Engineering Research Center of Optoelectronic Functional Materials, Ministry of Education, Changchun 130022, China)* Corresponding Author, E-mail: duanyuhan@Abstract:The wide bandgap semiconductor ZnO ultraviolet (UV)photodetector has many advantages,such as high stability,low cost,and has important application prospects in fields such as national defense,medical care,and environmental monitoring. In this work, ZnO thin films were fabricated on SiO2 substrate using radio frequency magnetron sputtering.Subsequently,a ZnO UV photodetector with a high-gain metal-semiconductor-metal (MSM)structure was achieved. At a bias voltage of 10 V, the detector exhibited a responsivity of 4.90 A/W and an external quantum efficiency of 1668%. This high gain was attributed to the hole trapping at the semiconductor-metal interface under illumination.Furthermore,the modulation rules and influence mechanisms of gain effect,applied bias volt⁃age,and depletion layer width on the responsivity of ZnO UV photodetector were thoroughly investigated.This re⁃search provides an important reference for the development and performance control of high-performance UV photode⁃tectors.Key words:ZnO; ultraviolet photodetector; responsivity; gain effect; depletion layer1 引 言紫外探测技术在导弹制导、紫外预警、保密通讯、电网安全监测、人类医疗健康以及全球环境监测等领域具有重要的应用前景[1-6]。

汽车功率电子测试解决方案 (是德科技)

汽车功率电子测试解决方案 (是德科技)

汽车功率器件测试解决方案汽车功率器件测试解决方案预测和分析汽车应用的功耗汽车电子器件的工作环境极其严酷,它们需要经受持续不断的机械振动、嘈杂 的噪声以及从零度以下到1,600 ºF (或800 ºC )以上的宽广温度范围。

电气环境甚至更加复杂。

为了支持先进的驾驶辅助系统、信息娱乐系统、 车联网(V2X)应用连通性,以及更长续航里程的电动汽车,汽车制造商越来越多地使用高速、大功率电子器件。

这一趋势给汽车电子设计人员带来了巨大压力,他们在进行设计时必须考虑到各种要求,包括抛负载、冷启动、电池反接、电池双跳、尖峰以及LV 124、ISO 7637-2、ISO 16750-2和TL 82066等规范中定义的其他瞬态情形:•输入瞬态•电磁干扰•小静态电流•输入电压范围•输出电压/电流03验证器件级功耗解决ECU 中的 瞬态问题供给和吸收直流–直流转换测试电动汽车和电动交通生态系统091521验证器件级功耗汽车功率器件指的是二极管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、MOSFET以及近年来出现的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件。

这些器件可以控制 并转换各种汽车应用所使用的电力,这些应用包括车身电子器件、信息娱乐和远程信息处理系统、安全保障、底盘,以及与日俱增的电动 汽车(EV)动力总成。

使用低传导损耗、低开关损耗的器件是打造节油、节能系统的一大关键。

GaN和SiC器件的转换器/逆变器工作频率较高,因此其周围的电容器和电感器可以缩小尺寸。

使用小巧的零部件有助于减轻车重,提高车辆的能效。

问题在于如何验证这些器件电路的能效。

是德科技针对各种应用中的 汽车元器件提供了全面的功率器件测试解决方案。

电动汽车上的关键功能使用了很多微控制器单元(MCU)和现场可编程门阵列(FPGA)单元。

它们出现任何故障都可能危及生命,并且给业务造成不良影响,例如大规模产品召回。

Keysight CX3300A 器件电流波形分析仪和异常波形分析软件(图1)可以快速检测并分析MCU 和FPGA 中的异常信号,从而迅速纠正硬件、固化软件和软件中的缺陷。

Aglient 1500

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3
在支持多用户的环境中快速启用
EasyEXPERT 使参数测试就 像数 1-2-3 那样容易。
选择一个或 多个测量类型
从数据库中 选择所需的
应用测试
点击或按下 Measure 按钮
自动生成实时的图表和数据列表
创新的面向任务的参数测试 方法
EasyEXPERT 实现从原有和同 类参数测试仪的转型。使您能把精力 集中于进行高效率的参数测量,而不 必成为一名仪器硬件专家。
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省力的测试序列化和自动测试
快速测试使您无需编程就可实现测试序列化。快速测试还能联合内 置的半自动晶圆探针台驱动程序,实现整片晶圆的自动测试,以及 通过数据输出特性自动将测试数据保存到任何可用的存储装置中。
快速测试实现简便快捷的 测试序列化
EasyEXPERT 有基于 GUI 的快 速测试模式,无需编程就可实现测试 的序列化。您要做的仅只是选择现有 的“My Favorite Setup”。然后只需 单击几下鼠标,即可选择、复制、重 新排列、剪切和粘贴任何应用测试或 经典模式测试。在选择和排序测试 后,只要点击测量按钮,即可开始运 行自动测试序列。
(WGFMU) 单元双通道模块把 ALWG 电压脉冲能力与超快速 IV 测量集于 一体。该模块覆盖的应用包括脉冲 IV 测量,先进 NBTI/PBTI 测量,RTS 噪 声测量,MEMS 电容器特性表征,新 型非易失性存储器特性表征,以及其 它各种类型的瞬态或时域测量。为满 足 SOI 和高 k 栅极介电体晶体管表征 的更快脉冲要求,B1542A 脉冲 IV 选 件提供 10 ns 的脉冲 IV 能力。
测量, 添加和 重复功能
内置半自动晶圆探针台 驱动程序
对 B2200A, B2201A 和 E5250A 的集成开关 矩阵控制

基于MoS2Graphene复合材料的摩擦纳米发电机

基于MoS2Graphene复合材料的摩擦纳米发电机

基于MoS2/Graphene复合材料的摩擦纳米发电机摘要:制备了一种基于MoS2/Graphene复合纳米材料嵌入式电子接收层的摩擦纳米发电机(TENG),研究了不同电子接收层对TENG输出电压响应、频率响应及负载响应等参数的影响,并探讨了相关增强机制。

在5 Hz的工作频率下,相比没有电子接收层的TENG,嵌入电子接收层的TENG的输出电压提升了3~8倍。

在最佳外部负载阻抗的情况下,电子接收层为MoS2/Graphene的TENG(TENG-M/G)的最大输出功率是电子接收层为聚酰亚胺膜的TENG(TENG-PI)的23倍。

通过分析转移电荷量的差异,探讨了不同电子接收层的TENG输出差异性的原因。

为了进一步验证实验结果,制作了掺杂不同PI膜作栅绝缘层的金属-绝缘体-半导体(MIS)器件,通过分析其在1 kHz下的C-V特性曲线,探讨了造成TENG输出差异性的内部机制及MoS2/Graphene复合材料在TENG中的电荷捕获作用。

关键词:摩擦纳米发电机;二硫化钼;石墨烯;复合材料;金属-绝缘体-半导体随着人类对能源需求的日益增加,开发可利用的再生能源愈发紧迫。

近年来发展的摩擦纳米发电机(TENG)适用于收集日常生活中被浪费的各种微小机械能,如人体运动[1- 3]、振动[4]、旋转[5]、风[6]、流水[7]等,使可供利用的能源范围扩大到更加微观的尺度,提升了能源利用率[8]。

TENG是利用摩擦起电与静电感应耦合作业的能量转换技术,由佐治亚理工学院王中林教授团队于2012年首次提出[9]。

他们利用聚酰亚胺(PI)膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜做电介质摩擦层,在外力驱动下,获得了10.4 mW/cm3的输出峰值功率密度。

西安电子科技大学的Cui等[10]研究了TENG摩擦层中摩擦电荷的存储机制,讨论了电荷存储过程中载流子的变化过程,基于摩擦电荷在存储过程中的衰减机制,提出了一种类三明治的复合结构。

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技术概述B1500A 半导体器件分析仪加快基本的电流-电压(IV )和电容-电压(CV )测量 以及业界领先的超快速 IV 器件表征脉冲 IV 测量(IV )和电容-电压(CV )表征到快速、精准的脉冲 IV 测试的全方位测量。

此外,B1500A 的 10 槽模块化体系结构使您可以添加或升级测量模块,适应不断变化的测量需求。

综合解决方案满足您的 所有器件表征需求B1500A 半导体器件分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中,可精确快速地进行器件表征。

它是目前唯一能够提供广泛的器件表征功能以及出色测量可靠性和可重复性的多功能参数分析仪。

它能够执行从基本的电流 - 电压Keysight EasyEXPERT group+ 软件是 B1500A 自带的 GUI 界面软件,可在 B1500A 的嵌入式 Windows 10 平台上运行,支持高效和可重复的器件表征。

B1500A 拥有几百种即时可用的测量(应用测试),为测试执行和分析提供了直观和功能强大的操作环境。

它可以帮助工程师对器件、材料、半导体、有源/无源元器件或几乎任何其他类型的电子器件进行精确和快速的电子表征和 测试。

关键特性优势精密电压和电流测量(0.5 µV 和 0.1 fA 分辨率)–低电压和小电流的精确表征。

用于多频率(1 kHz 至 5 MHz )电容测量(CV 、C-f 和 C-t )与电流/电压(IV )测量 切换的高精度和低成本解决方案。

–无需重新连接电缆即可在 CV 和 IV 测量之间进行切换– 保持出色的小电流测量分辨率(使用 SCUU 时最小为 1 fA ,使用 ASU 时最小为 0.1 fA )– 为被测器件提供完整的 CV 补偿输出超快速 IV 测量,100 ns 脉冲和 5 ns 采样率–捕获传统测试仪器无法精确测量的超快速瞬态现象超过 300 种应用测试即时可用–缩短从学习仪器使用、进行测量到熟练操作仪器所需的时间包含示波器视图的曲线追踪仪模式–交互式地开发测试,并即时查看器件特征–无需使用任何其他设备便可对电流和电压脉冲进行验证(MCSMU 提供示波器视图)功能强大的数据分析和稳定可靠的数据管理–自动分析测量数据,无需使用外部 PC– 自动存储测量数据和测试条件,日后快速调用此信息让所有人都变成器件表征专家EasyEXPERT group+ 使器件 表征变得像 1、2、3 计算一样简单B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件包括 300 多种可以即时使用的应用测试,您只需简单的 3 步便可进行测量。

B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件配有应用测试库,能够帮助您加速对半导体器件、电子材料、有源/无源元器件以及许多其他类型电子器件进行表征。

右表中列出了部分可用应用测试的实例。

类型应用测试CMOS 晶体管Id-Vg 、Id-Vd 、Vth 、击穿、电容、QSCV 等双极晶体管(BJT )Ic-Vc 、二极管、Gummel 曲线图、击穿、三极管、电容等分立器件Id-Vg 、Id-Vd 、Ic-Vc 、二极管等存储器Vth 、电容、耐久性测试等功率器件脉冲 Id-Vg 、脉冲 Id-Vd 、击穿等纳米器件电阻、Id-Vg 、Id-Vd 、Ic-Vc 等可靠性测试NBTI/PBTI 、电荷泵、电迁移、热载子注入、 恒增电压(V-Ramp )、恒增电流(J-Ramp )、TDDB 等第 1 步从配备的应用测试库之一选择测量。

第 2 步根据需要修改测量参数。

(注:可将定制的测试保存到“My favorite ”设置中)第 3 步按下测量按钮,启动测量。

屏幕上将会自动显示图形和数值测量结果、数据分析和参数提取结果。

应用测试模式应用测试模式提供了应用式的、通过点击操作的测试设置和执行。

您可以从应用测试库中按照器件类型和指定测量选择应用测试。

EasyEXPERT group+ 软件的 GUI 界面直观易用,方便用户进行器件表征B1500A 平台包括宽大的 15 英寸触摸屏、嵌入式 Windows 10 操作系统、 内置 SSD 和 DVD 驱动器以及 GPIB 、USB 和 LAN 接口传统测试模式传统测试模式提供功能式的测试设置和执行方式,外观和风格与4155/4156 类似。

宽大的 15 英寸触摸屏快速测试模式快速测试模式使您无需编程即可执行测试排序。

您只需点击几下鼠标,便可选择、复制、重排和剪切复制应用测试,生成自动测试序列。

追踪仪测试模式追踪仪测试模式提供直观和交互式的扫描控制能力,使用类似于曲线追踪仪的旋钮进行控制。

在追踪仪测试模式中创建的测试设置可在瞬间平稳地切换到传统测试模式。

控制追踪仪测试的旋钮连接键盘、 鼠标或闪存 I/O 的USB 端口可定制和扩展的 IV 、CV 和超快速 IV测量能力可满足几乎所有测试需求B1525A HV-SPGUB1514A MCSMU B1520A MFCMU B1511B MPSMUB1517A HRSMUB1510A HPSMU B1530A WGFMU LAN 、USB 、外部触发输入/输出以及数字 I/O 端口内置接地单元(GNDU )GPIB 端口测试范围支持的模块主要技术指标主要特性直流和脉冲 IV 测量B1510A 大功率源表模块(HPSMU )–高达 200 V/1 A–最小分辨率 10 fA/2 μV –最小 100 μs 采样(时域)测量 –最小脉宽 500 μs ,100 μs 分辨率 –准静态电容电压(QSCV )测量, 具有泄漏电流补偿–4 象限工作 –Kelvin (4 线)连接–点测量、扫描测量和其他功能B1511B 中等功率源表模块(MPSMU )–高达 100 V/0.1 A–最小分辨率 10 fA/0.5 μV–ASU 选件用于 0.1 fA 和 IV/CV 切换B1517A 高分辨率源表模块(HRSMU )–高达 100 V/0.1 A–最小分辨率 1 fA/0.5 μV–ASU 选件用于 0.1 fA 和 IV/CV 切换B1514A 50 µs 脉冲中等 电流源表模块(MCSMU ) –高达 30 V/1 A (0.1 A 直流)–最小脉宽 50 μs ,2 μs 分辨率–示波器视图支持精确的脉冲测量电容测量B1520A 多频率电容测量 单元(MFCMU ) –频率范围为 1 kHz 至 5 MHz–S MU 和 SCUU 提供 25 V 内置直流偏置和 100 V 直流偏置 –交流阻抗测量(C-V 、C-f 、C-t )–使用自动切换通过 SCUU 轻松、快速、精确地进行 IV 和 CV 测量超快速脉冲和瞬态 IV 测量B1530A 波形发生器/快速 测量单元(WGFMU ) – 用于波形生成的 10 ns 可编程分辨率–200 MSa/s 同时高速测量 –10 V 峰峰值输出–无负载线效应;使用 SMU 技术进行精确的脉冲 IV 测量–支持 NBTI/PBTI 、RTN 等先进应用脉冲生成B1525A 高电压 半导体脉冲发生器单元(HV-SPGU ) –高达 ±40 V 高电压输出 –能够在每个通道上生成二电平和三电平 脉冲和任意波形–适用于非易失性存储器测试超快速脉冲高 k/SOI 测试B1542A 10 ns 脉冲 IV 参数测试解决方案– 最小选通脉宽 10 ns ,上升和下降时间为 2 ns –1 µs 电流测量分辨率–精确的 Id-Vd 和 Id-Vg 测量 –在直流测量和脉冲测量之间轻松切换VGA 视频 输出端口绝对电流/电压测量增强您的测量信心B1500A SMU 支持轻松和精确的 IV 测量多种功能增强 SMU 能力B1500A SMU 具有多种通用测量功能。

它们既可进行基础的单点测量,又能执行高达 10,001 点的扫描测量。

它们还能生成最窄 50 μs 的电压和电流脉冲,并每隔 100 μs 测量数量随时间的变化。

此外,B1500A SMU 可输出和测量高达 200 V 和 1 A 的电压和电流,并能够以 0.5 μV 和 0.1 fA 的分辨率测量电压和电流。

其他先进特性(例如快速自动调整量程和大电容负载稳定化)可进一步帮助改善性能。

B1500A 支持多种 SMU ,可以非常容易地混合和匹配不同类型的 SMU ,满足广泛的测试需求。

B1500A 的 SMU 可满足几乎所有的器件和材料测试要求。

卓越的 0.1 fA 测量与 IV-CV 无缝切换能力完美结合B1500A 的 MPSMU 和 HRSMU 本身分别提供 10 fA 和 1 fA 的测量分辨率。

然而,如果您需要更出色的小电流测量性能,可以将两者之一与自动传感和开关单元(ASU )结合使用,这样测量分辨率可以达到 0.1 fA 。

ASU 提供了额外的优势,使用户能够在 SMU 测量与通过可用 BNC 输入进行的测量之间切换。

ASU 的 BNC 输入可与 B1500A 的 MF-CMU 模块一起使用,进行低成本 CV-IV 切换(需要 2 个 SMU 与 ASU 一起使用),也可与其他外部仪器配合使用。

源表模块时间采样测量SMU Force反馈共模源表模块(SMU )将用于 IV 测量的所有必要资源都整合到紧凑型模块中。

这些包括电流源、电压源、电流表和电压表,以及在这些功能之间轻松切换的能力。

这些功能的紧密整合使 B1500A SMU 具有极高的性能水平,电流测量分辨率可达到亚 pA 级。

此外,SMU 拥有内部反馈机制,因此可保持精确、稳定的输出;还拥有一致性(极限线)特性,可保护器件不会因为电压过高或电流过大而受损。

所有 B1500A SMU 都支持通过三轴连接与有源接地相连,进行小电流测量;并支持 4 线(Kelvin )力和传感连接,进行低电阻测量和全部 4 象限操作。

MPSMUHRSMU配有 ASU 的 MPSMU/HRSMUASU 选件全方位的电容测量解决方案测量 1 kHz 至 5 MHz 的 C-V、C-f 和 C-tB1500A 可支持多频率电容测量单元(MFCMU)。

MFCMU 能够执行半导体器件测试所必需的全部电容测量,包括电容与电压(C-V)、电容与频率(C-f)以及电容与时间(C-t)测量。

MFCMU 具有极宽的频率测量范围(1 kHz 至 5 MHz)和最高 1 MHz 分辨率。

MFCMU 还可提供高达 25 V 的直流测量偏置。

具有泄漏补偿能力的精确准静态 CV(QSCV)测量表征 MOSFET 准静态 CV(QSCV)响应的能力对于了解它在重要反转区域中的特性至关重要,因为高频 CV(HFCV)测量无法提供这方面的信息。

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