DRAM与内存基础概念 (1)
dram存储器简介演示
06
dram存储器应用案例 与分析
应用案例一：高性能计算机系统中的应用
总结词
高性能计算机系统是DRAM的重要应用领域，DRAM作 为高速缓存和主存储器，为高性能计算提供可靠的数据 支持。
详细描述
在高性能计算机系统中，DRAM被用作CPU和硬盘之间 的缓存，以提供高速的数据读写。由于DRAM的读写速 度远高于硬盘，因此它可以有效地提高整个系统的性能 。此外，DRAM还可以作为主存储器，存储操作系统、 应用程序以及其他重要数据。这些数据需要在CPU进行 运算时被快速访问，因此DRAM的高速读写性能在此得 到了充分应用。
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应用案例二：移动设备中的应用
总结词
DRAM在移动设备中也有广泛应用，它不仅用于提高 设备的性能，还用于增加设备的续航时间。
详细描述
在移动设备中，DRAM被用于提高设备的处理速度和 响应能力。由于移动设备的电池续航时间是一个重要 的考虑因素，因此使用低功耗的DRAM可以帮助增加 设备的续航时间。此外，由于DRAM的读写速度远高 于Flash存储器，因此使用DRAM作为缓存可以帮助设 备更快地启动应用程序和读取数据。
应用案例三：数据中心中的应用
总结词
数据中心是DRAM的重要应用领域之一，它被用于提 高数据存储和处理的效率。
详细描述
在数据中心中，DRAM被用于缓存数据库的热点数据 ，以便快速地被服务器读取和写入。这可以减少磁盘 I/O操作，提高数据存储和处理的效率。此外，数据中 心通常使用分布式内存架构，将多个服务器连接到一个 共享的DRAM池中。这种架构可以提高数据中心的并 行处理能力，并最大限度地减少数据访问延迟。
移动设备：移动设备 （如手机、平板电脑 等）中通常也使用 DRAM作为内存，用 于运行操作系统和各 种应用程序。
DRAM内存原理
DRAM内存原理DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是现代计算机系统中常用的主存储器。
它具有访问速度快、容量大、成本低廉等优点，广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备等各种计算机系统中。
DRAM内存原理涉及到电荷存储、刷新、读取和写入等多个方面的内容。
DRAM内存的工作原理可以简单地解释为电荷存储和移动。
每个DRAM存储单元由一个电容和一个存储节点组成。
电容有两个状态：有电荷和无电荷。
电容中的电荷表示存储的数据位（0或1）。
在访问数据之前，DRAM必须将每个存储单元的电荷刷新，因为电容中的电荷会逐渐减少。
刷新操作是通过访问所有存储单元并重新写入它们的数据来完成。
读取操作是DRAM内存中最常用的操作之一、读取过程分为两个步骤：首先，选择所需的存储行；然后，读取该行的数据。
DRAM通过一个行地址引线和一个列地址引线来选择存储行和列。
行地址选通后，DRAM会将选中行的所有存储单元的数据传送到一组位线上，然后通过列地址引线选择需要的列。
写入操作是将数据写入DRAM中的存储单元。
写入过程与读取过程类似，首先选择所需的存储行和列，然后将数据写入到选中的存储单元。
写入操作需要消耗能量，因为电容中的电荷需要改变。
另一个优点是DRAM内存的容量大。
DRAM芯片可以在小封装中集成大量的存储单元，从几百兆字节到几十亿字节的容量都是常见的。
这使得DRAM成为存储大量数据的理想选择。
与容量相关的一个问题是，DRAM存储单元的电荷会逐渐丢失。
这是由于电容中的电荷逐渐泄漏。
为了解决这个问题，DRAM需要定期进行刷新操作，将存储单元的电荷重新存储。
刷新操作会导致存储器性能的一些下降，因为在刷新期间无法进行读取或写入操作。
此外，DRAM内存的成本相对较低。
与其他存储器技术相比，如SRAM （Static Random-Access Memory），DRAM的生产成本更低，这使得它在大容量存储需求下更具竞争力。
内存条的基础知识
内存条的基础知识接口类型，是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的。
金手指上的导电触片，也习惯称为针脚数(Pin)。
因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。
下面就让小编带你去看看关于内存条的基础知识吧，希望能帮助到大家!内存知识详解：接口类型1、金手指金手指(connecting finger)是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。
金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。
金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。
不过，因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替。
从上个世纪 90 年代开始，锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”，几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点，才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存的金手指内存处理单元的所有数据流、电子流，正是通过金手指与内存插槽的接触与 PC 系统进行交换，是内存的输出输入端口。
因此，其制作工艺，对于内存连接显得相当重要。
2、内存插槽最初的计算机系统，通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用 DIP(Dual ln-line Package，双列直插式封装)封装，DIP 芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。
DIP 芯片有个最大的问题，就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。
随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。
最终导致接触不好，产生内存错误。
内存插槽早期还有另外一种方法，是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP 芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板。
DRAM存储器概述和应用
DRAM存储器概述和应用随着计算机和电子设备的发展，存储器在信息处理中起着至关重要的作用。
而动态随机存取存储器(DRAM)作为一种常见的存储器类型，具有较高的容量和较低的成本，广泛应用于各个领域。
本文将对DRAM存储器的基本原理、特点以及应用进行介绍，以便更好地了解DRAM存储器在现代科技中的地位和作用。
一、DRAM存储器的基本原理DRAM存储器是一种按位存取的半导体存储器，其基本原理是利用电容器来存储和读取数据。
每个存储单元由一个电容器和一个访问线组成，而访问线用于读取和写入数据。
DRAM存储器需要定期刷新以保持数据的稳定性，这是由于电容器的特性决定的。
尽管需要刷新，DRAM仍然具有较高的存储密度和较低的制造成本，因此被广泛应用于计算机系统和其他电子设备中。
二、DRAM存储器的特点1. 高存储密度：DRAM存储单元的结构简单，存储密度较高，可以在较小的芯片面积上存储大量的数据。
2. 快速访问速度：相对于其他存储器类型，DRAM存储器的访问速度较快，适用于对存储器响应速度要求较高的任务。
3. 低功耗：DRAM存储器的功耗较低，适用于移动设备等对电池寿命要求较高的场景。
4. 需要刷新：由于电容器的特性，DRAM存储器需要定期刷新以保持数据的稳定性。
5. 不易集成：DRAM存储器的制造过程复杂，相比于闪存等其他存储器类型，较难被集成在大规模集成电路中。
三、DRAM存储器的应用1. 个人电脑：DRAM存储器是个人电脑中最常见的存储器类型，用于存储操作系统、应用程序和数据等。
2. 数据中心：在云计算和大数据时代，数据中心经常需要使用大容量的存储器进行数据存储和处理，DRAM存储器在其中发挥着重要作用。
3. 移动设备：随着智能手机和平板电脑的普及，对存储器容量和访问速度的需求不断增加，DRAM存储器得到了广泛的应用。
4. 汽车电子：现代汽车中的电子设备越来越多，包括车载娱乐系统、导航系统等，这些设备需要使用存储器进行数据存储和处理，DRAM存储器在其中扮演着重要角色。
DRAM与内存基础概念
SDRAM与内存基础概念一、SDRAM内存模组与基本结构我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。
PC133时代的168pin SDRAM DIMM1、物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。
当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。
所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。
资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM只能提供32bit的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。
直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。
下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释P-Bank的概念。
不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，在RDRAM中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank概念也不适用。
2、芯片位宽上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。
理论上，完全可以做出一个位宽为64bit 的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。
所以芯片的位宽一般都较小。
台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。
DRAM与内存基础概念
SDRAM与内存基础概念一、SDRAM内存模组与基本结构我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。
PC133时代的168pin SDRAM DIMM1、物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit （位）。
当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。
所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。
资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM 只能提供32bit的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。
直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。
下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释P-Bank 的概念。
不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，在RDRAM中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank 概念也不适用。
2、芯片位宽上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。
理论上，完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。
所以芯片的位宽一般都较小。
台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。
计算机存储基础知识研究计算机内存与外存的存储原理
计算机存储基础知识研究计算机内存与外存的存储原理计算机存储基础知识研究：计算机内存与外存的存储原理计算机存储是指计算机用于存储并处理数据的技术和设备。
它分为内存和外存两个层次，每个层次具有不同的存储原理和特点。
本文将详细介绍计算机内存和外存的存储原理，帮助读者全面了解计算机存储基础知识。
一、计算机内存的存储原理计算机内存是指计算机用于临时存储数据和指令的部件，其存储原理主要包括随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
1. 随机存取存储器（RAM）随机存取存储器是计算机内存中最常用的一种存储器，其特点是可以随机读写数据。
RAM根据存储介质的不同，分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。
SRAM采用触发器作为存储单元，每个存储单元由若干个触发器构成。
SRAM读写速度快，但存储密度低，成本高。
DRAM采用电容作为存储单元，每个存储单元由电容和开关构成。
DRAM存储密度高，成本低，但读写速度较慢。
2. 只读存储器（ROM）只读存储器用于存储不能被改写的数据，其中最常见的是只读存储器（ROM）。
ROM的数据是在制造过程中被写入，并且无法被修改。
ROM的特点是数据的永久性存储和较快的读取速度。
二、计算机外存的存储原理计算机外存是指计算机用于长期存储数据和程序的设备，其存储原理主要包括磁盘存储和固态存储。
1. 磁盘存储磁盘存储是计算机外存中最常用的一种存储方式，其中包括硬盘和软盘。
硬盘是一种采用磁记录原理存储数据的设备，由多个磁性盘片构成。
数据通过磁头读写，可以实现快速的随机读写操作。
硬盘的优点是存储容量大、读写速度快，但价格相对较高。
软盘是一种采用软磁记录原理存储数据的设备，由塑料盘片和软磁性涂层构成。
软盘的存储容量相对较小，读写速度较慢，但价格低廉，便于携带和传输。
2. 固态存储固态存储是一种使用闪存芯片作为存储介质的设备，其中包括固态硬盘（SSD）和闪存驱动器（USB闪存盘）。
内存（RAM或ROM）和FLASH存储的真正区别总结
内存（RAM或ROM）和FLASH存储的真正区别总结1.什么是内存什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。
存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。
存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。
外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。
内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。
2.内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的'动态'，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。
dram的名词解释
dram的名词解释Dram，这个单词在英文中有着多种不同的含义和用法。
它既可以指代一个单位，也可以用来描述戏剧的一种形式。
在本文中，我们将深入探讨这个词的不同含义，并从历史、文学和科学等多个角度来剖析它的含义。
首先，我们来探讨dram这个词的最常见用法，即作为一个单位的表示。
Dram 是英制中的一个容量单位，通常用于测量液体药物或酒精的剂量。
它等于1/8盎司或3.6967毫升。
这个单位由来已久，最早可以追溯到古罗马时代的衡量系统。
然而，随着时间的推移，dram这个单位在不同地区和国家的使用方式逐渐发生了变化。
在一些国家，如美国，它已经基本上被废弃，而在其他地方，如英国，它仍然被广泛使用。
这种变化反映了不同地区和文化对度量单位的不同理解和需求。
除了作为容量单位之外，dram这个词还有着戏剧方面的含义。
它指的是一种舞台表演形式，通常以对白和演员表演为主要元素。
戏剧在人类历史上有着悠久而丰富的传统，它不仅是一种娱乐形式，也是一种表达思想、传递情感和探索人性的艺术形式。
而dram这个词更多地被用来描述那些具有紧张剧情、强烈冲突和复杂角色关系的戏剧作品。
它可以是悲剧、喜剧、历史剧或者其他各种类型的戏剧。
随着时间的推移，戏剧的形式和内容也在不断演变，但是dram一直是戏剧的核心要素之一。
除了上述常见用法之外，dram这个词还具有一些在特定领域内使用的含义。
例如，在科学领域，dram是重量或质量的单位，特别是在药物和化学试剂的计量中常被使用。
此外，在文学评论中，dram也可以用来形容一种激动人心的、戏剧性的线索或情节，用于增加作品的吸引力和引人入胜度。
总的来说，dram这个词在英文中有着多种不同的含义和用法。
它既可以用于测量液体药物的单位，也可以用来描述舞台戏剧的一种形式。
此外，它还有一些在特定领域内使用的含义，例如科学和文学评论。
无论在哪个领域，dram都承载着一种戏剧性和引人入胜的意味，其历史和文化意义经久不衰。
SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别
SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别SRAMSRAM的全称是Static Rnadom Access Memory，翻译过来即静态随机存储器。
这⾥的静态是指这种存储器只需要保持通电，⾥⾯的数据就可以永远保持。
但是当断点之后，⾥⾯的数据仍然会丢失。
由于SRAM的成本很⾼，所以像诸如CPU的⾼速缓存，才会采⽤SRAM。
DRAMDRAM全称是Dynamic Random Access Memory，翻译过来即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。
DRAM 只能将数据保持很短的时间。
为了保持数据，DRAM使⽤电容存储，所以必须隔⼀段时间刷新(refresh)⼀次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
FlashFlash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，⼜名闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位⽽是以固定的区块为单位，区块⼤⼩⼀般为256KB到20MB。
闪存是电⼦可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，EEPROM能在字节⽔平上进⾏删除和重写⽽闪存是按区块擦写，这样闪存就⽐EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。
由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输⼊输出程序)、PDA(个⼈数字助理)、数码相机中保存资料等。
另⼀⽅⾯，闪存不像RAM(随机存取存储器)⼀样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
NOR Flash与NAND FlashNOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的⾮易失闪存技术。
Intel于1988年⾸先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)⼀统天下的局⾯。
存储器分类
内存的种类是非常多的，从能否写入的角度来分，就可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器)这两大类。
每一类别里面有分别有许多种类的内存。
一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。
它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）：这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM 将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。
存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。
因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。
每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。
它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。
多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。
传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。
而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。
DRAM内存原理
DRAM内存原理内存基础不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它们在本质上讲是一样的。
RDRAM、DDR RAM、SDRAM、EDO RAM都属于DRAM(Dynamic RAM),即动态内存。
所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。
请看下图:上图只是DRAM一个基本单位的结构示意图:电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。
一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。
一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1，而“空”的电容器则是0。
电容器不能持久的保持储存的电荷，所以内存需要不断定时刷新，才能保持暂存的数据。
电容器可以由电流来充电——当然这个电流是有一定限制的，否则会把电容击穿。
同时电容的充放电需要一定的时间，虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短，只有大约0.2-0.18微秒，但是这个期间内存是不能执行存取操作的。
DRAM制造商的一些资料中显示，内存至少要每64ms刷新一次，这也就意味着内存有1,的时间要用来刷新。
内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变——所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新:执行一次回写操作，因为读取操作也会破坏内存中的电荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。
所以内存不但要每64ms刷新一次，每次读操作之后也要刷新一次。
这样就增加了存取操作的周期，当然潜伏期也就越长。
SRAM，静态(Static)RAM不存在刷新的问题，一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。
它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据，而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态——同CPU中的逻辑状态一样。
读取操作对于SRAM不是破坏性的，所以SRAM不存在刷新的问题。
SRAM不但可以运行在比DRAM高的时钟频率上，而且潜伏期比DRAM短的多。
【技术专栏】终于有人说清楚了什么是DRAM、什么是NANDFlash
【技术专栏】终于有人说清楚了什么是DRAM、什么是NANDFlash所有使用者对“存储器”这个名词可是一点都不陌生，因为所有的电子产品都必须用到存储器，且通常用到不只一种存储器。
不过对于存储器种类、规格与形式，很多人容易搞混。
比如NAND Flash，产业新闻里常常提到的DRAM，还有SRAM、SDRAM、DDR 3、DDR 4、NOR Flash … 这些又是什么？先来一段百度百科。
存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。
存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。
常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。
而简单来说，DRAM就是我们一般在用的内存，而NAND Flash 闪存，它在做的事情其实是硬盘。
（这段是给电脑小白的科普，大家可以酌情跳过）不熟悉PC知识的朋友常常在选购设备时问，硬盘和内存到底有什么差别？我硬盘容量明明有 1TB，但PC还是跑得很慢哎？硬盘和内存的差异，在于把电源关掉后、空间中储存的数据还会不会留着。
就算关掉电源，硬盘的数据也不会消失。
但我们要运算数据时，如果CPU 要直接从硬盘里面抓数据，时间会太久。
所以”内存”会作为中间桥梁，先到硬盘里面复制一份进来、再让CPU 直接到内存中拿数据做运算。
这样会比直接去硬盘抓数据，快约数百万倍。
打开任务管理器，就可以看到现在执行中程序占掉的内存空间，很多人就在骂Chrome 耗费的运算资源很高，内存使用率高于其他浏览器，多开几个分页内存就被吃完了。
所以简单来说，计算机在运作就像是办公一样，喝饮料、看书本、听音响… 想一次使用越多东西、桌面（内存）就要越大。
但其他一时间没有要用到的东西，都会放在抽屉（硬盘）里面。
所以硬盘就算再大，你一次想执行很多任务，还是得要看内存大小。
dram内存原理
dram内存原理
DRAM (Dynamic Random Access Memory) 是一种电子存储器，用于在计算机系统中存储数据。
DRAM与计算机处理器之间起到了桥梁的作用，可以快速读写数据，提供给处理器进行计算和操作。
DRAM的内存原理主要包括以下几个方面：
1. 存储单元：DRAM内存使用了一组由电容和开关构成的存储单元。
每个存储单元可以存储一个比特（0或1）的数据。
2. 电容作为存储单元：DRAM中的每个存储单元都由一个电容来存储数据。
当电容处于充电状态时，表示存储数据为1；当电容处于放电状态时，表示存储数据为0。
3. 刷新机制：由于DRAM的存储单元使用电容来存储数据，电容存在漏电现象，数据会随时间流失。
为了防止数据丢失，DRAM需要定期刷新整个内存，将存储单元中的数据重新写入电容。
4. 存取操作：DRAM内存中的存储单元可以通过行和列的方式进行访问。
行选通和列选通的操作会使得所选中的存储单元的数据通过位线读取到内存控制器中。
5. 控制逻辑：DRAM内存包含了控制逻辑电路，用于管理内存的读、写、刷新等操作。
控制逻辑还负责将内存数据与处理器进行数据传输，并将处理器的指令传输到内存中。
总结来说，DRAM内存的原理就是使用电容来存储数据，通过刷新机制防止数据丢失，并通过行列选择和控制逻辑实现快速的读写数据操作。
DRAM内存原理
DRAM内存原理DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种电容器构成的半导体内存，用于存储数据和代码，是计算机中最常见的内存类型之一、DRAM的内部结构和操作原理相对较为复杂，本文将详细介绍DRAM内存的原理。
一、DRAM内部结构1.存储单元：每个存储单元包含一个电容，用来存储一个比特的数据。
存储单元有两个状态，即存储0和存储1、当电容充电时，存储1；当电容放电时，存储0。
2.地址译码器：DRAM由多个存储单元组成，每个存储单元都有一个独特的地址。
地址译码器用于将逻辑地址转换为物理地址，以便识别和访问特定的存储单元。
3.行地址译码器：DRAM内存中的存储单元是按行组织的，每一行包含若干个存储单元。
行地址译码器用于选择要访问的行。
4.列地址译码器：在选择了要访问的行后，列地址译码器用于选择要访问的列。
5.输入/输出线路：DRAM内存需要与其他组件进行数据的读写操作，输入/输出线路用于与外部设备进行通信，包括读取和写入数据。
二、DRAM的读操作DRAM的读操作可以分为两个阶段：行选通（Row Access）和列选择（Column Access）。
1.行选通：首先，需要通过地址译码器将逻辑地址转换为物理地址，然后通过行地址译码器选择要访问的行。
行地址译码器产生的信号将被传递到存储单元阵列，将要读取的行上的存储单元与输入/输出线路连接起来。
2.列选择：在行选通完成后，需要通过列地址译码器选择要访问的列。
列地址译码器产生的信号将被传递到存储单元阵列，将要读取的列上的存储单元与输入/输出线路连接起来。
3.读取数据：在选择了要读取的存储单元后，将从电容中读取数据。
读取数据时，电容会逐渐放电，电荷的大小表示存储的是1还是0。
将读取到的数据经过放大和整形等处理后，输出到输入/输出线路，供CPU或其他设备使用。
三、DRAM的写操作DRAM的写操作与读操作类似，也分为行选通和列选择两个阶段。
DRAM介绍
关于DRAM的介绍夏航5122119049前言：随机存取存储器（英文：random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（英文：Static RAM，SRAM)和动态随机存储器（英文Dynamic RAM，DRAM)。
本文将主要介绍DRAM。
简介：DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。
DRAM只能将数据保持很短的时间。
为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
（关机就会丢失数据）。
右图为三管动态RAM存储电路结构：L-bank为相应个行R和列C的可以进行存储的矩阵；芯片一般以4个L-bank(Logicbank）组成。
工作原理：MOS DRAM的标准框架如图所示，每个记忆单元可存储一个位元的数位资料0"或"1"，记忆单元藉由行(row)与列(column)方式的排列形成二次元阵列，假设由n行和m列的记忆单元所排列成的二次元阵列时可以构成n×m=N位元记忆体。
当资料写入或由记忆单元中讀取时，是将记忆单元的位址输入行和列位址缓冲器(address buffer)，并利用行解码器(row decoder)选择n条字元线(word line)中特定的一条，当选择字元线之后，列解码器(column decoder)会选择m条位元线其中的一条，被选择的位元线之感应放大器透过资料输出入线(I/O线)与输出入线路連接，然后根据控制线路的指令进行资料讀取或写入。
SRAM、DRAM、SDRAM 介绍
几种随机存取存储器（SRAM、DRAM、SDRAM）Ram:在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。
存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。
存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器[简称内存。
内存在电脑中起着举足轻重的作用。
内存一般采用半导体存储单元。
因为RAM是内存其中最重要的存储器，所以通常我们直接称之为内存。
内存就是存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它就被存入内存中，当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。
RAM就是既可以从中读取数据，也可以写入数据。
当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。
我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（DIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。
目前市场上常见的内存条有256M／条、512M／条、1G/条、2G/条等。
2、SDRAM（SynchronousDRAM）:同步动态随机存储器。
目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片，工作电压3.3V电压，存取速度高达7.5ns，而EDO内存最快为15ns。
并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间。
所以其传输速率比EDODRAM更快。
RAM芯片的存储速度RAM芯片的存储速度比ROM芯片的速度快,但比Cache的速度慢动态RAM和静态RAM的优缺点静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。
由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。
但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。
所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。
DDR与ROM,RAM区别,详细介绍,菜鸟必看
FLASH闪存FLASH闪存是属于内存器件的一种，"Flash"。
闪存则是一种非易失性（Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
各类DDR 、SDRAM 或者RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存。
快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。
这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。
闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。
早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。
NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。
在1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。
与传统电脑内存不同，闪存的特点是NVM，其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。
1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。
它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。
後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。
它结合EPROM和EEPROM两项技术，并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为NAND闪存。
它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。
NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。
NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。
鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD、and PC cards、USB sticks等存储卡上。
NAND 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND 的存储块大小为8 到32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB 容量的NAND 产品相当普遍，NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
Memory基础知识介绍
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如何計算Memory容量大小
• 要判斷一支Memory DIMM的容量大小、使用幾個Memory Die、跟Memory Die的規格，必須知道些條件：
• 基礎: • 1.1Byte=8bits，所以1GB的容量等於8Gb，大B等於Byte，小b等於bit。 • 2.一根DDR2 DIMM的資料寬度為64bit，而Rank 是指一個64bit 的資料寬度。 • 3. Memory Die的容量表示方式為例：128M*4bit，這表示此Die資料通道為
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Elpida
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Nanya（南亚）
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Smart（世迈）
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内存芯片
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FBD－533内存外观
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去掉散热片后
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内存P/N信息：Elpida
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大家在平时测试中，主要用到以下七个品牌的内存：
Infineon －英飞凌－德国 （内存标签左上角标示：一个 不规则的圆圈里有个字母i） Micron －美光 －美国 （内存标签左上角标示：一个 椭圆里有个字母M） Samsung －三星 －韩国 Hynix －现代 －韩国 Nanya －南亚 －中国台湾 Elpida －尔必达 －日本 Smart －世迈 －美国
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标准内存容量 vs.最大内存容量
标准内存容量 是指服务器在出厂时随机带了多大容量
的内存，这取决于厂商的出厂配置。一般来讲，服务器出厂 时都配备了一定容量的内存，如512M、1GB、2GB等，通常 低端的入门级服务器标配内存容量要少些，这取决于工作的 需要和厂商的策略。现在的绝大多数服务器的主板，都还有 空余的内存插槽或者支持内存扩展板，这样就可以安装更多 的内存来扩充内存容量，来达到更高的性能最大内存容量
SRAM、DRAM、SDRAM、DDR区别
SRAM、DRAM、SDRAM、DDR区别SRAM、DRAM、SDRAM、DDR区别笔者想通过⼀些通俗易懂的语⾔来解释各个内存的区别。
DDR:我们先解释“DDR”,当我们买电脑和⼿机的时候⼚商会给出⼀个参数如：8G+258G，这⾥的“8”所代表的就是以上所表⽰的内存DDR。
因此DDR也有更新换代DDR2 DDR3 DDR4。
那么他有什么作⽤呢？我们购买的⼀部8G+258G的⼿机，安装的APP存在了“256”——存储器⾥⾯，当我们打开的时候需要送到“8G”——内存中去运⾏，最多能打开8G⼤⼩的软件。
如果超出了⼿机可能会变慢变卡，但是通过⼀代⼜⼀代⼯程师的优化，使卡顿感越来越弱化。
SDRAM：SDRAM，也是DDR，他们的关系就好像DDR是现代的⼈类，SDRAM是古代的⼈类。
DRAM:可以看成类⼈猿，但是它和SDRAM还是有⼀定区别的，我把DRAM和SDRAM的解释列举出来，⼤家可以⾃⾏对⽐⼀下。
DRAM: ⼀个DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成，利⽤电容量存储电量的多少来存储数据，由于电容器存在漏电问题，因此需要定期刷新。
读数据时，电容量的电量会消失，因此每次访问之后，也需要刷新，以防⽌数据丢失。
SDRAM:同步是指 Memory⼯作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。
传统的DRAM在两个读周期之间需要等待⼀段时间，⽤于充电操作。
⽽SDRAM⼀个模组有两个bank，在对⼀个bank充电时，可以操作另⼀个bank，实现流⽔线。
SRAM：和后⾯的⼀串都有区别了，这个是静态存储器，后⾯的是动态存储器。
SRAM不⽤刷新也不会丢失数据，不过⽬前市场上⽤的不多，只在⼀些特定的情况下才⽤，体积⼤，成本⾼。
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SDRAM与内存基础概念一、SDRAM内存模组与基本结构我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。
PC133时代的168pin SDRAM DIMM1、物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit （位）。
当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。
所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。
资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM 只能提供32bit的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。
直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。
下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释P-Bank 的概念。
不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，在RDRAM中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank 概念也不适用。
2、芯片位宽上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。
理论上，完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。
所以芯片的位宽一般都较小。
台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。
这样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。
对于16bit芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。
对于8bit芯片，则就需要8颗了。
以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。
P-Bank其实就是一组内存芯片的集合，这个集合的容量不限，但这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。
随着计算机应用的发展，一个系统只有一个P-Bank已经不能满足容量的需要。
所以，芯片组开始可以支持多个P-Bank，一次选择一个P-Bank工作，这就有了芯片组支持多少（物理）Bank的说法。
而在Intel的定义中，则称P-Bank为行（Row），比如845G芯片组支持4个行，也就是说它支持4个P-Bank。
另外，在一些文档中，也把P-Bank称为Rank（列）。
回到开头的话题，DIMM是SDRAM集合形式的最终体现，每个DIMM至少包含一个P-Bank的芯片集合。
在目前的DIMM 标准中，每个模组最多可以包含两个P-Bank的内存芯片集合，虽然理论上完全可以在一个DIMM上支持多个P-Bank，比如SDRAM DIMM就有4个芯片选择信号（Chip Select，简称片选或CS），理论上可以控制4个P-Bank的芯片集合。
只是由于某种原因而没有这么去做。
比如设计难度、制造成本、芯片组的配合等。
至于DIMM的面数与P-Bank数量的关系，在2001年2月的专题中已经明确了，面数≠P-Bank数，只有在知道芯片位宽的情况下，才能确定P-Bank的数量，大度256MB内存就是明显一例，而这种情况在Registered 模组中非常普遍。
有关内存模组的设计，将在后面的相关章节中继续探讨。
二、SDRAM内存芯片的内部结构1、逻辑Bank与芯片位宽讲完SDRAM的外在形式，就该深入了解SDRAM的内部结构了。
这里主要的概念就是逻辑Bank。
简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列。
因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。
阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。
和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。
对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率（在后文中将详细讲述）。
所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。
到了RDRAM则最多达到了32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。
这样，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。
可见对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。
在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。
L-Bank存储阵列示意图从前文可知，SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），但要注意，这种关系也仅对SDRAM有效，原因将在下文中说明。
2、内存芯片的容量现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了。
那么内存的容量怎么计算呢？显然，内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总合。
计算有多少个存储单元和计算表格中的单元数量的方法一样：存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。
M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576，而不是1000000），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽（Width），单位是bit。
计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以采用除以8的方法换算为字节（Byte）。
比如8M×8，这是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是64Mbit（8MB）。
不过，M×W是最简单的表示方法。
下图则是某公司对自己内存芯片的容量表示方法，这可以说是最正规的形式之一。
业界正规的内存芯片容量表示方法我们可以计算一下，结果可以发现这三个规格的容量都是128Mbits，只是由于位宽的变化引起了存储单元的数量变化。
从这个例子就也可以看出，在相同的总容量下，位宽可以采用多种不同的设计。
3、与芯片位宽相关的DIMM设计为什么在相同的总容量下，位宽会有多种不同的设计呢？这主要是为了满足不同领域的需要。
现在大家已经知道P-Bank的位宽是固定的，也就是说当芯片位宽确定下来后，一个P-Bank中芯片的个数也就自然确定了，而前文讲过P-Bank对芯片集合的位宽有要求，对芯片集合的容量则没有任何限制。
高位宽的芯片可以让DIMM的设计简单一些（因为所用的芯片少），但在芯片容量相同时，这种DIMM的容量就肯定比不上采用低位宽芯片的模组，因为后者在一个P-Bank中可以容纳更多的芯片。
比如上文中那个内存芯片容量标识图，容量都是128Mbit，合16MB。
如果DIMM采用双P-Bank+16bit芯片设计，那么只能容纳8颗芯片，计128MB。
但如果采用4bit位宽芯片，则可容纳32颗芯片，计512MB。
DIMM容量前后相差出4倍，可见芯片位宽对DIMM设计的重要性。
因此，8bit位宽芯片是桌面台式机上容量与成本之间平衡性较好的选择，所以在市场上也最为普及，而高于16bit位宽的芯片一般用在需要更大位宽的场合，如显卡等，至于4bit位宽芯片很明显非常适用于大容量内存应用领域，基本不会在标准的Unbuffered 模组设计中出现。
三、SDRAM的引脚与封装内存芯片要想工作，必须要与内存控制器有所联系，同时对于一个电气元件，电源供应也是必不可少的，而且数据的传输要有一个时钟作为触发参考。
因此，SDRAM在封装时就要留出相应的引脚以供使用。
电源与时钟的引脚就不必多说了，现在我们可以想象一下，至少应该有哪些控制引脚呢？我们从内存寻址的步骤缕下来就基本明白了，从中我们也就能了解内存工作的大体情况。
这里需要说明的是，与DIMM一样，SDRAM有着自己的业界设计规范，在一个容量标准下，SDRAM的引脚/信号标准不能只考虑一种位宽的设计，而是要顾及多种位宽，然后尽量给出一个通用的标准，小位宽的芯片也许会空出一些引脚，但高位宽的芯片可能就全部用上了。
不过容量不同时，设计标准也会有所不同，一般的容量越小的芯片所需要的引脚也就越小。
1、首先，我们知道内存控制器要先确定一个P-Bank的芯片集合，然后才对这集合中的芯片进行寻址操作。
因此要有一个片选的信号，它一次选择一个P-Bank的芯片集（根据位宽的不同，数量也不同）。
被选中的芯片将同时接收或读取数据，所以要有一个片选信号。
2、接下来是对所有被选中的芯片进行统一的L-Bank的寻址，目前SDRAM中L-Bank的数量最高为4个，所以需要两个L-Bank地址信号（22=4）。
3、最后就是对被选中的芯片进行统一的行/列（存储单元）寻址。
地址线数量要根据芯片的组织结构分别设计了。
但在相同容量下，行数不变，只有列数会根据位宽的而变化，位宽越大，列数越少，因为所需的存储单元减少了。
4、找到了存储单元后，被选中的芯片就要进行统一的数据传输，那么肯定要有与位宽相同数量的数据I/O通道才行，所以肯定要有相应数量的数据线引脚。
现在我们就基本知道了内存芯片的一些信号引脚，下图就是一个简单的SDRAM示意图，大家可以详细看看。
图注：128Mbit芯片不同位宽的引脚图（NC代表未使用，-表示与内侧位宽设计相同）根据SDRAM的官方规范，台式机上所用的SDRAM在不同容量下的各种位宽封装标准如下：四、SDRAM的内部基本操作与工作时序上文我们已经了解了SDRAM所用到的基本信号线路，下面就看看它们在SDRAM芯片内部是怎么“布置”的，并从这里开始深入了解内存的基本操作与过程，在这一节中我们将接触到有天书之称的时序图，但不要害怕，根据文中的指导慢慢理解，您肯定可以看懂它。
首先，我们先认识一下SDRAM的内部结构，然后再开始具体的讲述。
128Mbit（32M×4）SDRAM内部结构图1、芯片初始化可能很多人都想象不到，在SDRAM芯片内部还有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。