静态随机存储器原理

静态随机存储器原理

静态随机存储器（Static Random Access Memory，SRAM）是一种用于存储数字信

息的半导体存储器件。其原理是利用MOS场效应晶体管来实现存储电荷并控制读

写操作。SRAM相对于动态随机存储器（DRAM）具有存取速度快、功耗低等优势，通常用于高速缓存和寄存器等应用。

SRAM由存储单元和读写电路两部分组成。存储单元通常由6个MOS晶体管组成，其中两个用于构成双稳态电路，其他4个用于控制读写操作。具体来说，当控制

线上有使其处于高电平状态的信号时，存储单元将电荷存储在一个电容器中，并保持这种状态直到下一次读写操作。当控制线上有读取信号时，读写电路将读取存储单元中的电荷，并通过列选择开关将数据信号输出到数据总线中。

总之，SRAM的原理是利用MOS场效应晶体管构成存储单元和读写电路，实现数字信息的存取操作。