芯片测试规范
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测试规范
1.适用范围
1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准,,以验证和确认新物料是否适合批量生
产;.
2.目的
2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循,有据可依。
3.可靠性测试
6.1:如果替代料是FLASH的话,我们一般需要做10个循环的拷贝校验
(我们测试工具APK设置:500M/拷贝次数/重启10次)
6.2:如果替代料是DDR的话,我们也需要验证DDR的运行稳定性,那
么也需要做循环拷贝校验(测试工具APK设置:500M/拷贝次数/重启5次)PS:1.拷贝次数=(FLASH可用容量*1024M/500M)-1
2.DDR验证只需要验证运行稳定性,所以一般做3-5个循环就OK了,
FLASH要求比较严格,一般需要做10个循环以上;
3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响,
故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。
7.常温老化:PND我们一般跑模拟导航持续运行12H,安卓我们一般运行
MP4-1080P持续老化12H,老化后需要评估休眠唤醒是否正常;
8.高低温老化:环境(60度,-10度)
基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响,DDR替代需要进行高低温老化,我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便,就运行MP4各持续老化12H。
从多年的经验来看,FLASH对于温度要求没有这么敏感。
9.自动重启测试:一般做50次/PCS,需要每次启动系统都能正常启动;--
一般是前面恢复出厂设置有问题,异常的机器排查才会用到;
10.复位、通断电测试:这个测试属于系统破坏性测试,测试非正常操作是
否存在掉程序的现象,一般做20次/PCS,要求系统能够正常启动。
1.焊接效果,如果是内部焊接的话,需要采用X-RAY评估,LGA封装的话
就需要SMT制程工艺规避空洞率;
2.功能测试;
3.休眠电流、休眠唤醒测试:DDR必测项目,反复休眠唤醒最好3-5次/PCS,休眠电流大小自行定义;FLASH测不测影响不大;
4.容量检查,容量标准你们根据客户需求自行定义,当然是越大越好;--大
货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选;
5.恢复出厂设置:我们一般做50次/PCS,运行正常的话界面会显示50次
测试完成,如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源;
6.FLASH压力测试:这部分需要分开来说明
4.测试环境
◆温度:25±2℃
◆湿度:60%~70%;
◆大气压强:86kPa ~106kPa。
5.测试工具
◆可调电源(最好能显示对应输出电流)
◆可调电子负载
◆示波器
◆万用表
6.测试参数
表1 电源芯片测试参数
2)调节电子负载,保证满载输出,假定此时对应的输出功率为P0;
3)待电源芯片工作稳定后,读出对应芯片壳体表面温度,记为T0;
4)则芯片结温=T0+ P0×θJC;
如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数θJA:
1)调节电子负载,保证满载输出,假定此时对应的输出功率为P0;
2)记录测试现场对应环境温度,记为T0;
3)则芯片结温= T0+ P0×θJA
比较计算所得芯片结温(T1)与该电源芯片所允许最大结温(T2),设公司要求的此类电源温度降额为T3,则验证T2-T1>T3?
工作环境温度√借助高、低温实验进行,观察在高温、低温环境下,电源对应的输出是否满足相应精度要求
存储环境温度√借助环境实验进行,在进行存储之后,电源对应的输出是否满足相应精度要求
示波器
示波器探头
磁片电容
图2 电源纹波测试
图3 电源效率曲线
图4 输出功率曲线
——以下无正文