芯片测试规范
芯片实验室操作规程
芯片实验室操作规程1. 引言芯片实验室是开展芯片设计和测试的重要场所。
为了确保实验室的安全和实验工作的顺利进行，制定一套操作规程是必要的。
本文档旨在规范芯片实验室人员的行为，保障实验室安全和实验工作的顺利进行。
2. 实验室准入2.1 实验室准入权限任何人员在进入芯片实验室之前，必须获得合适的准入权限。
只有获得准入权限的人员才能进入实验室进行工作。
实验室管理员负责管理准入权限，根据工作需要和人员背景，设置不同级别的准入权限。
准入权限的级别包括：•Level 0：禁止进入实验室。
•Level 1：仅允许进入实验室，但不能进行任何实验操作。
•Level 2：允许进入实验室并进行特定实验操作。
•Level 3：允许进入实验室并进行所有实验操作。
2.2 准入权限申请申请准入权限需要填写相应的申请表格，并提交给实验室管理员审批。
申请表格需要包括以下内容：•申请人基本信息：姓名、工作单位、联系方式等。
•申请准入权限级别：Level 1、Level 2或Level 3。
•申请准入权限理由：详细说明申请权限的原因和目的。
实验室管理员审批通过后，申请人将获得相应的准入权限。
2.3 实验室准入要求进入实验室前，必须履行以下要求：•佩戴实验室门禁卡：所有人员必须佩戴有效的实验室门禁卡，以便进出实验室。
•穿戴实验室服装：实验室工作时，必须穿戴实验室专用服装，包括实验服、实验鞋等。
避免穿戴过于宽松和带有金属的衣物和饰品，以免发生意外伤害。
•遵守实验室安全守则：在实验室内应保持良好的行为规范，不得吃东西、吸烟，禁止喧哗和随意移动实验设备。
•遵守实验室准入权限：只有获得准入权限的人员才能进入实验室，并按照相应权限进行实验操作。
3. 实验室设备和材料3.1 设备管理实验室设备的管理需要注意以下事项：•定期检查设备的工作状态和安全性能。
•使用设备前必须熟悉设备的正确操作方法和注意事项。
•离开实验室前，关闭设备电源并进行必要的清理工作。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0是针对芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性和封装可靠性。
该规范适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，并能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。
本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。
该规范规定了芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。
这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。
在芯片可靠性测试中，可靠性是一个含义广泛的概念。
以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般指芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性（如ESD、Latch-up、HTOL）和封装相关的可靠性（如PC、TCT、HTSL、HAST等）。
但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案（如PCB板上的一个元器件）作为最终应用。
因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性。
产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。
本规范重点讲述芯片级可靠性要求。
本规范引用了JESD47I标准，该标准是可靠性测试总体标准。
在芯片可靠性测试中，测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。
本规范还新增了封装可靠性测试总体流程图和测试前后的要求，并将《可靠性测试总体执行标准（工业级）》.xlsx作为本规范的附件。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0本规范旨在规范海思消费类芯片的可靠性测试技术，确保其性能和质量符合要求。
以下是通用芯片级可靠性测试要求的详细介绍。
2.通用芯片级可靠性测试要求2.1电路可靠性测试电路可靠性测试是对芯片在不同应力条件下的可靠性进行评估的过程。
在测试过程中，需要按照以下要求进行测试：HTOL：在高温条件下进行测试，温度不低于125℃，Vcc不低于Vccmax。
开关电源芯片通用测试要求和步骤-antonychen
开关电源芯片通用测试要求和步骤By Antony Chen开关电源必须通过一系列的测试，使其符合所有功能规格、保护特性、安规（如UL、CSA、VDE、DEMKO、SEMKO，长城等之耐压、抗燃、漏电流、接地等安全规格）、电磁兼容（如FCC、CE等之传导与幅射干扰）、可靠性（如老化寿命测试）、及其他特定要求等。
测试开关电源是否通过设计指标，需要各种精密的电子设备去模拟电源在各种环境下实际工作中的性能。
一、理论上的DCDC测试指标清单1.描述输入电压影响输出电压的几个指标形式（line）1.1绝对稳压系数：K=△Uo/△Ui1.2相对稳压系数：S=△Uo/Uo / △Ui/Ui1.3电网调整率（也称线性调整率）：它表示输入电网电压由额定值变化+-10%时，稳压电源输出电压的相对变化量，有时也以绝对值表示。
line reg=△Uo/Uo*100%@ -10%<Ui<+10%1.4电压稳定度：负载电流保持为额定范围内的任何值，输入电压在规定的范围内变化所引起的输出电压相对变化△Uo/Uo(百分值)，称为稳压器的电压稳定度。
STB=△Uo/Uo*100%@ 0<I load<max2.负载对输出电压影响的几种指标形式（load）2.1负载调整率(也称电流调整率)在额定电网电压下，负载电流从零变化到最大时，输出电压的最大相对变化量，常用百分数表示，有时也用绝对变化量表示。
2.2输出电阻(也称等效内阻或内阻)在额定电网电压下，由于负载电流变化△IL 引起输出电压变化△Uo，则输出电阻为Ro=|△Uo/△IL|Ω3.纹波电压的几个指标形式（ripple）3.1最大纹波电压在额定输出电压和负载电流下，输出电压的纹波(包括噪声)的绝对值的大小，通常以峰峰值或有效值表示。
V ripple=V MAX-V MIN3.2纹波系数Y(%)在额定负载电流下，输出纹波电压的有效值Urms 与输出直流电压Uo 之比，即Y=Umrs/Uo x100%3.3纹波电压抑制比（PSRR：Power Supply Rejection Ratio）在规定的纹波频率(例如50HZ)下，输入电压中的纹波电压Ui~与输出电压中的纹波电压Uo~之比，即：纹波电压抑制比=Ui~/Uo~ 。
国家芯片测试标准文件
国家芯片测试标准文件
国家芯片测试标准文件通常由国家相关部门或标准化组织制定，旨在规范芯片测试的技术要求、方法和流程，以保证芯片质量和性能达到规定的标准。
以下是一些可能存在的国家芯片测试标准文件的例子：
1. 国家《芯片测试技术规范》：该标准文件详细规定了芯片测试的技术要求，包括测试流程、测试环境、测试设备、测试方法等。
2. 国家《芯片性能评估标准》：该标准文件规定了对芯片性能的评估指标和测试要求，包括功耗、性能、稳定性等方面的测试内容。
3. 国家《芯片可靠性测试标准》：该标准文件规定了芯片可靠性测试的方法和要求，包括可靠性测试的环境、测试样本、测试方法等。
4. 国家《芯片高温测试标准》：该标准文件规定了芯片在高温环境下的测试要求和方法，以验证芯片在高温环境下的性能和可靠性。
5. 国家《芯片封装测试标准》：该标准文件规定了芯片封装过程中的测试要求和方法，以验证芯片封装质量和性能。
需要注意的是，具体的国家芯片测试标准文件可能因国家、行
业和芯片类型等因素而有所不同，上述仅为一些可能的例子，具体标准文件应根据相关国家或地区的要求进行查询和参考。
芯片焊接强度测试标准
芯片焊接强度测试标准
芯片焊接强度测试标准通常是指用于评估芯片封装焊接强度的一组规范和方法。
以下是一些常见的芯片焊接强度测试标准：
1.IPC/JEDEC Joint Electron Device Engineering Council(IPC/JEDEC)：IPC/JEDEC是一个由电子工业协会联合组成的组织，其发布的标准涵盖了电子元件的各个方面，包括芯片封装焊接强度测试标准。
IPC/JEDEC发布的焊接强度测试标准包括
J-STD-001F、J-STD-002A、J-STD-003等。
2.AEC-Q100：AEC-Q100是汽车电子委员会发布的一组可靠性测试标准，其中包括焊接强度测试标准。
AEC-Q100焊接强度测试标准主要针对汽车电子元件的封装焊接强度进行测试。
-STD-883K Method 1016：MIL-STD-883K Method 1016是美国国防部发布的一项测试标准，其中包括焊接强度测试方法。
MIL-STD-883K Method 1016焊接强度测试方法主要用于评估芯片封装焊接强度。
以上是一些常见的芯片焊接强度测试标准。
不同的标准可能会有不同的测试方法和要求，因此在进行芯片焊接强度测试时，需要根据具体的标准要求进行测试。
海思芯片TC 测试技术规范
海思TC(Temperature Cycling)测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：日期：2019-11-11历史版本记录适用范围:该测试用来检查芯片是否会因为热疲劳失效。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的TC(Temperature Cycling)测试需求。
简介：该测试是为了确定芯片在高低温交替变化下的机械应力承受能力。
这些机械应力可能导致芯片出现永久的电气或物理特性变化。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1. TC 测试流程失效分析功能、性能失效物理损伤注意：做TC 测试的芯片需经过PC(Preconditioning)预处理。
2. TC 测试条件2.1 温度温循的高低温条件如下表：实际的高低温须参照Datasheet 说明，一般在“建议运行条件(Recommended Operating Conditions)”会给出建议运行的环境温度范围。
例如进芯的ADP16F0X ：温循温度示意图：说明：Ts(min)为温循最低温度Ts(max)为温循最高温度cycle time为温循周期Ramp rate为温升率建议Cycle周期0.5h，即2 cycles/hour。
建议温升率(Ramp rate)不超过15℃/min。
Ts(min)和Ts(max)的持续时间不低于1min。
2.2 循环次数参考JESD47标准：推荐循环总次数为1000次，并且在200、500、700、1000次时复测。
3.TC测试装置高低温箱——温度范围、测试时间可控。
4.失效判据温循过程，出现机械形变、断裂等物理损伤。
ATE\功能筛片有功能失效、性能异常。
芯片来料检验规范
芯片来料检验规范XXX的质量体系文件中，文件编号为FHXD-QC/JY007，文件名称为芯片来料检验规范。
该文件由品管部起草并负责解释。
该文件的第11版第1页共10页，经过多次修改和更新。
其中，主要内容包括修改FHXD-QC/JY007A《芯片送检记录单》和XXX《芯片检验记录表》，以及修改质量要求和抽样计划内容。
同时，还修改了送检、检验及移交流程，并增加了流程图。
设备点检表探针台点检被去掉，ESD接地电阻需要确认有效期。
此外，IQC氮气柜异常晶圆存储的最长期限被定义为15天，并增加了氮气柜记录表格。
在修改中，还增加了5.4.4“GP”芯片检验要求内容。
在更新中，还增加了5.3和5.7.2、5.7.2.1、5.7.2.2.同时，修改了5.4，并增加了5.5.3.3.此外，还修改了单号，包括、、、、、、、、和.该文件的修改和更新由不同的部门负责，主要包括XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX等人。
XXX质量体系文件文件编号：XXX-QC/JY007第11版第2页共10页1.0目的：本规范的目的是对来料芯片进行检验，以确保芯片符合要求，防止不合格芯片进入生产线。
2.0适用范围：本公司采购的所有芯片以及OEM客户提供的芯片。
3.0使用工具：薄膜测厚仪、显微镜、影像测量仪、防静电手套、离子风扇。
4.0流程图：反馈送检员通知业务补文件芯片入库5.0检验程序：5.1工作环境要求：参照《FHXD-QC/GL008工艺环境要求及控制管理办法》。
芯片送检IQC确认送检基本信息是否有误IQC芯片接收记录IQC接收芯片、送检单检验是否合格晶圆是否紧急投产是否特采流通芯片退回客户/供应XXX进行晶圆分片IQC移交晶圆至产线XXX进行芯片交接记录XXX质量体系文件文件编号：XXX-QC/JY007 第11版第3页共10页5.2质量要求及抽样计划：检验项目芯片名称基本信息核对晶圆批号数量封装形式出厂检验报告目视检验影像测量仪检验目视检验每批见备注按照衬底颜色区分：金底为金，每批黄色，银底为白色，硅底为暗灰色，锡底为淡黄色。
海思芯片HTSL 测试技术规范
海思芯片HTSL 测试技术规范
海思HTSL（高温贮存寿命）测试技术规范是由XXX制定的。
该测试旨在检查芯片在长期贮存条件下，高温和时间对器件的影响。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HTSL测试需求。
该测试不需要上电存储条件，只需保持恒定的高温环境，以检查该条件下芯片的材料氧化、不同材料相互扩散导致的失效。
例如，Pad和Wire的金属间化合物的生长、某些存储类器件的数据保持状况。
HTSL测试标准参考文件有JESD22-103E和JESD47I，分别是HTSL测试标准和可靠性总体标准。
HTSL测试流程包括物理损伤、功能和性能失效以及失效分析。
测试条件包括温度和测试时间、样本量。
温度条件应参照Datasheet说明，一般在“最大绝对额定值（Absolute Maximum Ratings）”中给出最高存储温度。
例如，进芯的ADP32F335.
测试时间和样本量应参考JESD47标准，推荐使用
3Lots/25units，总时间为1000小时。
HTSL测试装置应包括高温存储箱，其温度范围和测试时间可控。
失效判据包括出现机械形变、断裂等物理损伤，以及ATE和功能筛片有功能失效、性能异常。
海思HAST 测试技术规范V1.2
HAST(Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test)测试技术规范V1.2拟制：审核：批准：日期：2019-11-12历史版本记录适用范围:该试验检查芯片长期贮存条件下，高温和时间对器件的影响。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HAST测试需求，仅针对非密封封装(塑料封装)，带偏置(bHAST)和不带偏置(uHAST)的测试。
简介：该试验通过温度、湿度、大气压力加速条件，评估非密封封装器件在上电状态下，在高温、高压、潮湿环境中的可靠性。
它采用了严格的温度，湿度，大气压、电压条件，该条件会加速水分渗透到材料内部与金属导体之间的电化学反应。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1.HAST测试流程失效分析Fail2.HAST测试条件2.1 温度、湿度、气压、测试时间HAST试验条件如下表所示：➢通常选择HAST-96，即：130℃、85%RH、230KPa大气压，96hour测试时间。
➢测试过程中，建议调试阶段监控芯片壳温、功耗数据推算芯片结温，要保证结温不能过高，并在测试过程中定期记录。
结温推算方法参考《HTOL测试技术规范》。
➢如果壳温与环温差值或者功耗满足下表三种关系时，特别是当壳温与环温差值超过10℃时，需考虑周期性的电压拉偏策略。
➢注意测试起始时间是从环境条件达到规定条件后开始计算；结束时间为开始降温降压操作的时间点。
2.2 电压拉偏uHAST测试不带电压拉偏，不需要关注该节；bHAST需要带电压拉偏，遵循以下原则：(1)所有电源上电，电压：最大推荐操作范围电压(Maximum Recommended Operating Conditions）(2)芯片功耗最小(数字部分不翻转、输入晶振短接、其他降功耗方法)；(3)输入管脚在输入电压允许范围内拉高。
SOC芯片可测试设计规范
SOC芯片可测试设计规范SOC芯片（System-on-a-Chip）是一种高度集成的芯片，集成了处理器、内存、外设和其他硬件组件。
在SOC芯片设计中，测试是一个非常重要的环节，因为它可以帮助开发人员在生产之前发现并修复设计缺陷，提高芯片的可靠性和性能。
在测试SOC芯片时，需要遵循一些设计规范，以确保测试覆盖全面、效率高，并且能够准确地识别问题。
首先，SOC芯片的测试设计应该从整体的角度考虑。
设计人员需要明确测试的目标和需求，并制定相应的测试计划。
测试计划应该包括测试的范围、测试方法、测试工具、测试时间和测试资源等方面的内容。
通过整体的测试设计，可以确保测试的全面性和高效性。
其次，SOC芯片的测试设计应该充分考虑不同的测试模式。
测试模式是一种用于测试芯片的特殊操作模式，可以通过改变芯片的工作状态来检测和修复设计缺陷。
常见的测试模式包括扫描链测试、存储测试、模块测试等。
在测试设计中，需要根据具体的需求选择合适的测试模式，并确保测试模式的设计正确、有效。
第三，SOC芯片的测试设计应该包括对外设的测试。
外设是SOC芯片中与外部系统或设备进行通讯的接口，包括通信接口、输入输出接口等。
在测试设计中，需要对外设进行充分的测试，以确保外设的性能和稳定性。
同时，还需要考虑外设的兼容性，确保在不同系统、设备和环境下都可以正常工作。
第四，SOC芯片的测试设计应该考虑到低功耗的需求。
低功耗是现代SOC芯片设计的一个重要目标，可以显著延长电池寿命和减少能耗。
在测试设计中，需要提供相应的测试方法和工具，以确保芯片在低功耗状态下仍然能够正常工作并满足设计要求。
此外，SOC芯片的测试设计还应该考虑到安全性的需求。
安全性是现代SOC芯片设计的一个重要方面，可以保护用户数据和系统的安全性。
在测试设计中，需要充分测试芯片的安全功能，并确保芯片能够有效防御各种攻击和安全威胁。
最后，SOC芯片的测试设计应该注重可重复性和可扩展性。
可重复性是指测试结果的一致性和可验证性，可以帮助开发人员更好地评估芯片的性能和质量。
芯片corner测试标准
芯片corner测试标准
1. 温度，在corner测试中，通常会考虑芯片在不同温度条件下的性能表现。
这包括极端低温和极端高温下的性能测试，以确保芯片在极端温度条件下也能够正常工作。
2. 电压，芯片corner测试也会考虑不同电压条件下的性能表现。
这包括在不同电压下测试芯片的稳定性和功耗等指标，以确保芯片在不同电压条件下都能够正常工作。
3. 频率，另一个重要的方面是在不同工作频率下对芯片进行测试。
这包括在最低和最高工作频率下测试芯片的性能，以确保在不同频率条件下芯片都能够稳定可靠地工作。
4. 其他因素，除了上述因素之外，芯片corner测试还可能考虑其他因素，如电磁兼容性（EMC）测试、抗干扰能力测试等，以确保芯片在各种复杂工作环境下都能够正常工作。
总的来说，芯片corner测试标准是为了确保芯片在各种工作条件下都能够稳定可靠地工作而制定的一套测试标准，涵盖了温度、电压、频率和其他因素的考虑。
这些测试标准对于确保芯片的可靠
性和稳定性具有重要意义，对于保障芯片产品质量和性能具有重要作用。
海思芯片PC 测试技术规范
海思PC(Preconditioning)测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：日期：2019-11-09历史版本记录适用范围:该测试用来评估芯片在包装、运输、焊接过程中对温度、湿度冲击的抗性。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的PC(Preconditioning)测试需求，仅对非封闭的封装(塑料封装)芯片约束。
简介：表面贴器件会在焊接过程经受高温，该高温过程或导致内部水汽损坏电路。
PC预处理测试用于在可靠性测试之前模拟器件焊接过程。
PC预处理测试是芯片进行部分封装可靠性测试前要求进行的测试，这类可靠性测试的样品要求以符合本规范的PC测试为入口条件。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1. Precondition 测试流程1.1 要求PC 预处理的可靠性测试要求在先做PC 预处理测试的可靠性测试项：THB 、HAST 、TC 、AC 、UHAST 。
其中，一般HAST 、TC 是必做的。
1.2 测试流程1.2.1 完整流程冷却15min~4hours失效分析BGA\CGA\LGA 封装不做要求HAST TC AC THB1.2.2 规范流程表1.2.3 简化流程(推荐)步骤事项详细描述1 外观检查检查外观，排除封装、管脚有缺陷的芯片2 功能\ATE筛片筛选功能、性能正常芯片3 烘烤125℃烘烤24h4 潮敏处理13级潮敏处理：30℃, 60%RH存储192h。
潮敏处理后须室温冷却最低15min但不超4hour。
5 回流焊23次；回流焊的升温曲线、峰值温度须符合附1、附3的要求或符合《J-STD-020E》标准。
每次回流焊须冷却≥15min。
6 浸润活化水溶性助焊剂浸润10s。
芯片寿命测试标准
芯片寿命测试标准
芯片的寿命测试主要包括以下几个标准：
1. 温度循环测试：测试芯片在不同温度条件下的性能和可靠性，模拟实际使用环境中的温度变化。
测试目的在于验证芯片在温度变化时能否正常工作，以及能否保持稳定性和可靠性。
2. 高温存储测试：模拟芯片在长时间存储期间可能面临的高温环境，评估芯片在这种条件下的性能和可靠性，预测芯片在实际使用中可能遇到的问题。
3. 跌落测试：评估芯片在跌落或冲击情况下的机械强度和可靠性，检测芯片封装材料和焊接的可靠性，验证芯片内部结构和连接的稳定性。
4. 加速应力测试（uHAST）：通过施加极端的电压和温度条件来加速芯片
在短时间内的老化和故障模式，预测长期故障率。
5. 高温工作寿命（HTOL）：通过加速热激活失效机制来确定产品的可靠性，预测长期故障率。
这些测试标准各有侧重，有助于发现潜在的机械弱点、封装问题或连接失效，以及预测芯片在实际使用中可能遇到的问题。
海思芯片HTSL 测试技术规范
海思HTSL(High Temperature Storage Life)
测试技术规范
拟制：克鲁鲁尔
审核：
批准：
日期：2019-11-11
历史版本记录
适用范围:
该试验检查芯片长期贮存条件下，高温和时间对器件的影响。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HTSL测试需求。
简介：
该测试不上电存储条件下，保持恒定的高温环境，检查该条件下芯片的材料氧化、不同材料相互扩散导致的失效。
例如，Pad和Wire的金属间化合物的生长、某些存储类器件的数据保持状况。
引用文件：
下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1.HTSL测试流程
物理损伤
功能、
性能失效
失效分析
2.HTSL测试条件
2.1 温度
高温存储温度条件如下表：
实际的高温条件参照Datasheet说明，一般在“最大绝对额定值(Absolute Maximum Rati ngs)”会给出最高存储温度。
例如进芯的ADP32F335：
2.2 测试时间、样本量
参考JESD47标准：
推荐3Lots/25units，总时间为1000 hours。
3.HTSL测试装置
➢高温存储箱——温度范围、测试时间可控。
4.失效判据
➢出现机械形变、断裂等物理损伤。
➢ATE\功能筛片有功能失效、性能异常。
LED芯片来料检验规范
LED CHIP IQC检验规范1. 目的1.1 制订LED CHIP FQC检验规范。
1.2 订定成品入库批允收程序，以确保产品质量达一定水平。
2. 范围本公司生产之所有LED产品均属之。
3. 内容3.1 检验测试项目3.1.1 光电性检验3.1.2 外观检验3.1.3数值标示检验。
3.2 抽样计划（片数定义：芯片片数）3.2.1 依「产品检验抽样计划」(WI-20-0101) 抽片执行检验。
3.2.2 光电特性检验（V FH、V FL、I V）（1）抽样位置：分页片边缘4颗，分页片内围6颗，均匀取样。
（2）抽样数量：每片10颗。
（3）每片抽样数，每一颗不良，则列一个缺点。
3.2.3 外观检验（1）PS TYPE不良晶粒＞2ea／sheet，列入一个缺点。
（2）NS TYPE或PS TYPE分页面积最长距离＜6.5 cm者，不良晶粒＞5ea／sheet，且＞10 ea／wafer 列入一个缺点。
（3）缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作，作为人员检验之依据。
3.3 缺点等级代字3.3.1 主要缺点代字：MA（Major）。
3.3.2 次要缺点代字：MI（Minor）。
3.4 参考文件3.4.1 本公司产品目录规格书3.4.2 研发工程产品测试分类规格3.4.3 其它相关之质量文件4. 光电特性检验4.1 顺向电压V FH4.1.1 依特定之额定电流点测，须低于规格上限。
4.1.2 规格上限应参考测试分类规格及GaP、GaAsP、AlGaAs产品T/S前测站作业指导书。
4.1.3 缺点等级：MA4.2 顺向电压V FL4.2.1 依特定之额定电流点测，须高于规格下限，低于上限。
4.2.2 规格：GaP≧1.5V，GaAsP≧1.3V，AlGaAs (1.25≦V FL≦1.5V)，IR(0.70~1.0 V)。
4.2.3 缺点等级：MI4.3 亮度Iv / Po4.3.1 依特定之额定电流点测，须高于规格下限。
芯片测试方案
芯片测试方案第1篇芯片测试方案一、前言随着半导体技术的飞速发展，芯片在各个领域的应用日益广泛。
为确保芯片产品的质量与可靠性，满足客户及市场需求，特制定本测试方案。
二、测试目标1. 确保芯片产品符合设计规范和功能要求。
2. 评估芯片在不同环境条件下的性能指标。
3. 发现并排除芯片在设计、制造过程中的潜在缺陷。
4. 为产品优化和改进提供依据。
三、测试范围1. 功能测试：验证芯片的基本功能是否正确。
2. 性能测试：评估芯片的性能指标是否符合设计要求。
3. 可靠性测试：检验芯片在规定条件下的可靠性。
4. 兼容性测试：验证芯片与其他相关设备的兼容性。
四、测试方法1. 功能测试：采用白盒测试和黑盒测试相结合的方法，对芯片进行全面的测试。
2. 性能测试：通过对比分析、模拟实验等方法，评估芯片性能指标。
3. 可靠性测试：采用高低温、振动、冲击等环境应力，检验芯片的可靠性。
4. 兼容性测试：通过与各类设备对接，验证芯片的兼容性。
五、测试流程1. 测试准备：收集相关资料，制定测试计划，搭建测试环境。
2. 测试执行：按照测试用例进行测试，记录测试结果。
3. 缺陷跟踪：对发现的缺陷进行分类、跟踪和反馈。
4. 测试报告：整理测试数据，编写测试报告。
5. 测试总结：分析测试结果，提出改进建议。
六、测试用例1. 功能测试用例：包括基本功能、边界条件、异常情况等。
2. 性能测试用例：包括处理速度、功耗、频率响应等。
3. 可靠性测试用例：包括高温、低温、振动、冲击等。
4. 兼容性测试用例：包括与其他设备接口、协议、驱动等的兼容性。
七、测试环境1. 硬件环境：提供符合测试需求的硬件设备。
2. 软件环境：搭建合适的操作系统、工具软件等。
3. 网络环境：确保测试过程中网络畅通。
八、测试人员1. 测试组长：负责测试方案的制定、测试任务的分配和监控。
2. 测试工程师：负责执行测试用例，记录和反馈测试结果。
3. 开发人员：协助解决测试过程中遇到的技术问题。
芯片检测标准
芯片检测标准是确保芯片质量和性能的关键环节。
随着芯片技术的不断发展，芯片检测标准也在不断更新和完善。
一般来说，芯片检测标准包括以下几个方面：
1. 外观检测：对芯片的外观进行检测，包括芯片的尺寸、形状、标记、引脚数量和排列等是否符合规范要求。
2. 电气性能检测：对芯片的电气性能进行检测，包括电压、电流、电阻、电容、电感等参数的测量，以及逻辑功能测试、时序测试等。
3. 可靠性检测：对芯片的可靠性进行检测，包括温度循环测试、湿度测试、机械应力测试等，以确保芯片在各种环境条件下能够正常工作。
4. 兼容性检测：对芯片的兼容性进行检测，包括与其他设备或软件的互操作能力、不同批次芯片的一致性等。
5. 安全性检测：对芯片的安全性进行检测，包括加密算法、防火墙等安全机制的测试，以确保芯片在数据传输和存储过程中的安全性。
综上所述，芯片检测标准是确保芯片质量和性能的重要保障。
在生产过程中，必须严格按照检测标准进行检测，以确保每一片芯片都能够满足客户的需求。
芯片剪切力测试标准-概述说明以及解释
芯片剪切力测试标准-概述说明以及解释1.引言概述部分的内容应当对芯片剪切力测试标准的背景和重要性进行简要介绍。
以下是一个可能的概述：1.1 概述芯片剪切力测试是一项在芯片生产和应用领域中广泛使用的测试方法。
它主要用于评估芯片与其封装材料之间的粘合强度，并且对于确保芯片在使用过程中具有足够的机械强度和可靠性至关重要。
随着集成电路逐渐变得更小、更复杂，以及在各行业中的广泛应用，对芯片剪切力测试标准的需求也日益增加。
因为芯片的粘合质量直接关系到电子设备的可靠性和性能稳定性，因此准确、可靠的测试标准对于保证芯片质量和产品可靠性具有重要意义。
本文将围绕芯片剪切力测试标准展开讨论，探索当前已经存在的标准及其局限性，并提出一种基于实践经验和数学建模相结合的全面、科学的测试标准。
我们将从以下几个方面对芯片剪切力测试进行详细研究：测试方法、样本准备、测试设备、数据分析等。
通过建立一套科学、完善的芯片剪切力测试标准，我们可以为芯片生产商和使用者提供一个统一的测试依据，有效地评估芯片的粘合强度和可靠性，进一步提高芯片质量和产品的竞争力。
通过本文的研究，我们希望为芯片剪切力测试标准的制定和实施提供一些有益的指导，推动芯片行业的发展和技术进步。
1.2 文章结构文章结构是指整篇文章的组织框架和内容安排。
通过合理的结构，能够使读者更好地理解文章的逻辑关系和内容脉络，提升文章的可读性和条理性。
本文将按照以下结构进行叙述:2.正文2.1 第一个子章节2.1.1 要点12.1.2 要点22.2 第二个子章节2.2.1 要点12.2.2 要点2文章正文部分是对芯片剪切力测试标准进行详细介绍和探讨的主要内容。
由于该主题具有一定的复杂性，为了使读者能够系统、全面地了解该标准的相关要点，本文将采取分章节的形式进行阐述。
首先，在第一个子章节中，我们将重点介绍芯片剪切力测试标准的第一个要点。
通过详细的讲解和实例分析，读者能够对该要点有一个清晰的认识和理解。
芯片测试规范
测试规范1.适用范围1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生产；.2.目的2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。
3.可靠性测试6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次）6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次）PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-12.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上；3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。
7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常；8.高低温老化：环境（60度，-10度）基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。
从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。
9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；--一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到；10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否存在掉程序的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。
1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话就需要SMT制程工艺规避空洞率；2.功能测试；3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大；4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选；5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次测试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源；6.FLASH压力测试：这部分需要分开来说明4.测试环境◆温度：25±2℃◆湿度：60%~70%；◆大气压强：86kPa ~106kPa。
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测试规范
1.适用范围
1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生
产；.
2.目的
2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。
3.可靠性测试
6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验
（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次）
6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那
么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次）PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1
2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，
FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上；
3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，
故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。
7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行
MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常；
8.高低温老化：环境（60度，-10度）
基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。
从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。
9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；--
一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到；
10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是
否存在掉程序的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。
1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话
就需要SMT制程工艺规避空洞率；
2.功能测试；
3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大；
4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大
货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选；
5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次
测试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源；
6.FLASH压力测试：这部分需要分开来说明
4.测试环境
◆温度：25±2℃
◆湿度：60%~70%；
◆大气压强：86kPa ~106kPa。
5.测试工具
◆可调电源（最好能显示对应输出电流）
◆可调电子负载
◆示波器
◆万用表
6.测试参数
表1 电源芯片测试参数
2）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；
3）待电源芯片工作稳定后，读出对应芯片壳体表面温度，记为T0；
4）则芯片结温=T0+ P0×θJC;
如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数θJA：
1）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；
2）记录测试现场对应环境温度，记为T0;
3）则芯片结温= T0+ P0×θJA
比较计算所得芯片结温（T1）与该电源芯片所允许最大结温（T2），设公司要求的此类电源温度降额为T3，则验证T2-T1>T3?
工作环境温度√借助高、低温实验进行，观察在高温、低温环境下，电源对应的输出是否满足相应精度要求
存储环境温度√借助环境实验进行，在进行存储之后，电源对应的输出是否满足相应精度要求
示波器
示波器探头
磁片电容
图2 电源纹波测试
图3 电源效率曲线
图4 输出功率曲线
——以下无正文。