海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0
ic芯片emc测试标准
ic芯片emc测试标准IC芯片（Integrated Circuit Chip）是现代电子设备中不可或缺的组成部分，而电磁兼容性测试（Electromagnetic Compatibility Testing，简称EMC测试）则是确保IC芯片在各种电磁环境下能够正常运行的重要步骤。
本文将介绍IC芯片EMC测试的标准及其重要性。
一、EMC测试的意义IC芯片的EMC测试是为了验证其对外部电磁场的干扰抵抗能力以及与其他电子设备之间的相互干扰情况。
有效的EMC测试可以确保IC芯片在正常工作时不会受到电磁辐射的干扰、不会对周围设备产生电磁辐射干扰，从而保证了整个系统的稳定性和可靠性。
二、IC芯片EMC测试标准IC芯片的EMC测试标准主要有国际标准和行业标准两类。
1. 国际标准（1）CISPR 22：《信息技术设备无线电骚扰特性的限值和测量方法》是由国际电工委员会（IEC）发布的标准，主要适用于计算机和信息技术设备。
（2）EN 55022：该标准是CISPR 22的欧洲版本，用于欧洲市场上的计算机和信息技术设备。
（3）ISO 11452-1：这是汽车电子设备EMC测试的国际标准，适用于汽车芯片的EMC测试。
2. 行业标准（1）GB/T 17626：该标准由中国国家标准委员会发布，是中国的通用EMC测试标准。
（2）GB 9254：该标准是中国电子工业部颁布的电子信息产品EMC测试要求。
（3）SJ/T 11364：这是半导体集成电路EMC测试的行业标准，主要包含了测试方法和测试参数等。
三、IC芯片EMC测试流程IC芯片的EMC测试流程可以分为以下几个步骤：1. 准备测试环境在测试前，需要准备好符合测试标准的测试环境，包括专用的电磁屏蔽房、电磁辐射发射及抗干扰测量仪器等。
2. 进行辐射发射测试辐射发射测试主要是针对IC芯片本身产生的电磁辐射进行测量，以确保其在规定范围内。
3. 进行抗干扰测试抗干扰测试是为了验证IC芯片对外部电磁场的抵抗能力。
芯片质量和验收要求
芯片质量和验收要求随着科技的快速发展，芯片已经成为了许多产品中不可或缺的一部分。
然而，芯片的质量和性能对于产品的整体表现至关重要。
因此，对于芯片的验收要求也变得越来越严格。
本文将介绍芯片的质量要求和验收标准，以确保产品的可靠性和性能。
一、芯片质量要求1.可靠性：芯片需要具备一定的可靠性，以确保在正常工作条件下不会出现故障。
这涉及到芯片的寿命、耐久性和稳定性等方面。
2.性能：芯片需要满足设计规格书中的性能要求，包括工作频率、功耗、电压范围等。
此外，还需要确保芯片在不同环境条件下的稳定性和准确性。
3.兼容性：芯片需要与相关系统和硬件设备兼容，以确保正常工作。
这涉及到接口标准、电气特性、封装形式等方面。
4.可维护性：芯片需要易于维护和升级。
这涉及到芯片的替换、升级和调试等方面。
二、芯片验收标准1.功能测试：通过测试验证芯片是否具备设计规格书中所描述的所有功能，以确保其满足性能要求。
这包括基本功能测试、兼容性测试和异常测试等。
2.可靠性测试：通过长时间运行、高低温测试、振动测试等手段，验证芯片的可靠性和稳定性。
这有助于发现潜在的缺陷和问题。
3.参数测试：对芯片的关键参数进行测试，包括工作电压、电流、功耗、工作频率等，以确保其符合设计规格书中的要求。
4.兼容性测试：验证芯片与相关系统和硬件设备的兼容性，以确保其正常工作。
这包括接口测试、电气特性测试等。
5.稳定性测试：通过长时间运行和重复使用等手段，验证芯片的稳定性和可靠性。
这有助于发现潜在的故障和问题。
6.可靠性分析和评估：通过对芯片的可靠性分析和评估，对产品的寿命、耐久性和稳定性进行预测和评估。
这有助于发现潜在的缺陷和问题，并采取相应的措施进行改进和优化。
综上所述，芯片的质量和验收标准对于产品的可靠性和性能至关重要。
为了确保产品的质量和性能，我们需要对芯片的质量要求和验收标准进行严格的控制和管理。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0是针对芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性和封装可靠性。
该规范适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，并能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。
本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。
该规范规定了芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。
这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。
在芯片可靠性测试中，可靠性是一个含义广泛的概念。
以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般指芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性（如ESD、Latch-up、HTOL）和封装相关的可靠性（如PC、TCT、HTSL、HAST等）。
但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案（如PCB板上的一个元器件）作为最终应用。
因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性。
产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。
本规范重点讲述芯片级可靠性要求。
本规范引用了JESD47I标准，该标准是可靠性测试总体标准。
在芯片可靠性测试中，测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。
本规范还新增了封装可靠性测试总体流程图和测试前后的要求，并将《可靠性测试总体执行标准（工业级）》.xlsx作为本规范的附件。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0本规范旨在规范海思消费类芯片的可靠性测试技术，确保其性能和质量符合要求。
以下是通用芯片级可靠性测试要求的详细介绍。
2.通用芯片级可靠性测试要求2.1电路可靠性测试电路可靠性测试是对芯片在不同应力条件下的可靠性进行评估的过程。
在测试过程中，需要按照以下要求进行测试：HTOL：在高温条件下进行测试，温度不低于125℃，Vcc不低于Vccmax。
海思芯片可靠性测试总体规范
可靠性测试技术总体规范V2.0拟制：审核：批准：日期：2020-06-22历史版本记录适用范围:本规范规定了芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性、封装可靠性。
适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。
具体的执行标准可能不是本规范文档，但来源于该规范。
本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。
简介：本标准规定芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。
这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。
相比正常使用场景，该系列测试或测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1.可靠性概念范畴“可靠性”是一个含义广泛的概念，以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性(ESD、Latch-up、HTOL)和封装相关的可靠性(PC、TCT、HTSL、HAST等)。
但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案(PCB板上的一个元器件)作为最终应用。
因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性，产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。
本规范重点讲述芯片级可靠性要求。
2.通用芯片级可靠性测试要求2.1 电路可靠性测试High Temperature Operating Life JESD22-A108,JESD85HTOLT≥ 125℃Vcc ≥ Vccmax3 Lots/77 units1000 hrs/ 0 FailEarly Life FailureRate JESD22-A108,JESD74ELFRT≥ 125℃Vcc ≥ VccmaxSee ELFR Table48 ≤ t ≤ 168 hrs RLow Temperature Operating Life JESD22-A108LTOLT≤ 50℃Vcc ≥ Vccmax1 Lot/32 units1000 hrs/0 Fail CHigh TemperatureStorage LifeJESD22-A103HTSL T≥ 150 °C 3 Lots/45 units1000 hrs/0 Fail Electrical ParameterAssessmentJESD86ED Datasheet 3 Lots/10 units T per datasheet RLatch-Up JESD78LU Class I orClass II1 Lot/3 units0 FailHuman Body ModelESDJS-001ESD-HBM T = 25 °C 3 units ClassificationCharged Device Model ESD JS-002ESD-CDM T = 25 °C3Stress Ref.Abbv.ConditionsRequirements Required (R)/Considered (C) #Lots/SS per Lot Duration/AcceptRRRRR3units ClassificationAccelerated Soft Error Testing JESD89-2,JESD89-3ASER T = 25 °C 3 units Classification C“OR” System Soft Error Testing JESD89-1SSER T = 25 °CMinimum of 1E+06Device Hrs or 10 fails.Classification CJJJAAAAAA12注1：ELFR可包含在HTOL测试中，HTOL测试会在168h回测，作为评估早期失效率的重要判据。
芯片可靠性测试标准
芯片可靠性测试标准芯片可靠性测试标准是指对芯片在特定条件下的可靠性进行测试的标准。
芯片作为电子产品的核心部件，其可靠性直接关系到产品的质量和稳定性。
因此，制定和执行严格的可靠性测试标准对于保证产品质量至关重要。
首先，芯片可靠性测试标准应包括环境适应性测试。
在不同的环境条件下，芯片的性能表现可能会有所不同。
因此，需要对芯片在高温、低温、潮湿、干燥等不同环境条件下的工作情况进行测试，以确保其在各种环境下都能正常工作。
其次，电气特性测试也是芯片可靠性测试标准中的重要内容。
包括对芯片的电压、电流、功耗等电气特性进行测试，以确保芯片在正常工作条件下不会出现电气性能不稳定的情况。
此外，还需要进行可靠性寿命测试。
通过对芯片在长时间工作情况下的稳定性进行测试，以评估其在长期使用过程中的可靠性表现。
这对于一些长寿命产品尤为重要，如航空航天、医疗器械等领域的电子产品。
另外，还需要进行可靠性退化测试。
随着芯片使用时间的增长，其性能可能会出现退化。
因此，需要对芯片在长时间使用后的性能进行测试，以评估其退化情况，并在设计阶段就考虑到这一点，以尽量延长产品的使用寿命。
最后，还需要进行可靠性故障模式测试。
通过对芯片可能出现的各种故障模式进行测试，以评估其在面对不同故障情况时的表现，从而为产品的故障分析和维修提供参考。
综上所述，芯片可靠性测试标准涵盖了环境适应性测试、电气特性测试、可靠性寿命测试、可靠性退化测试以及可靠性故障模式测试等内容。
通过严格执行这些测试标准，可以有效保证芯片产品的质量和可靠性，提高产品的市场竞争力，满足用户对产品质量和稳定性的需求。
海思芯片TC 测试技术规范
海思TC(Temperature Cycling)测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：日期：2019-11-11历史版本记录适用范围:该测试用来检查芯片是否会因为热疲劳失效。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的TC(Temperature Cycling)测试需求。
简介：该测试是为了确定芯片在高低温交替变化下的机械应力承受能力。
这些机械应力可能导致芯片出现永久的电气或物理特性变化。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1. TC 测试流程失效分析功能、性能失效物理损伤注意：做TC 测试的芯片需经过PC(Preconditioning)预处理。
2. TC 测试条件2.1 温度温循的高低温条件如下表：实际的高低温须参照Datasheet 说明，一般在“建议运行条件(Recommended Operating Conditions)”会给出建议运行的环境温度范围。
例如进芯的ADP16F0X ：温循温度示意图：说明：Ts(min)为温循最低温度Ts(max)为温循最高温度cycle time为温循周期Ramp rate为温升率建议Cycle周期0.5h，即2 cycles/hour。
建议温升率(Ramp rate)不超过15℃/min。
Ts(min)和Ts(max)的持续时间不低于1min。
2.2 循环次数参考JESD47标准：推荐循环总次数为1000次，并且在200、500、700、1000次时复测。
3.TC测试装置高低温箱——温度范围、测试时间可控。
4.失效判据温循过程，出现机械形变、断裂等物理损伤。
ATE\功能筛片有功能失效、性能异常。
消费类半导体标准
消费类半导体标准
消费类半导体标准是指用于评估和规范消费电子产品中使用的半导体器件的技术标准。
它们可以包括物理、电气、机械和环境参数的要求，以确保半导体器件的可靠性、性能和相互兼容性。
一些常见的消费类半导体标准包括：
1. JEDEC标准：由JEDEC Solid State Technology Association
制定的半导体标准，用于定义芯片、模块和封装的物理、电气和环境特性。
2. USB标准：由USB Implementers Forum制定的标准，用于
规范USB接口和协议，确保设备的兼容性和互操作性。
3. HDMI标准：由HDMI Licensing Administrator制定的标准，用于规定高清晰度多媒体接口的物理、电气和协议特性，确保设备之间的兼容性。
4. SD卡标准：由SD Association制定的标准，用于规定SD存储卡的物理和电气特性，确保卡片的可靠性和互操作性。
5. Bluetooth标准：由Bluetooth Special Interest Group制定的无
线通信标准，用于确保不同厂商的蓝牙设备之间的兼容性和互操作性。
海思HAST 测试技术规范V1.2
HAST(Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test)测试技术规范V1.2拟制：审核：批准：日期：2019-11-12历史版本记录适用范围:该试验检查芯片长期贮存条件下，高温和时间对器件的影响。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HAST测试需求，仅针对非密封封装(塑料封装)，带偏置(bHAST)和不带偏置(uHAST)的测试。
简介：该试验通过温度、湿度、大气压力加速条件，评估非密封封装器件在上电状态下，在高温、高压、潮湿环境中的可靠性。
它采用了严格的温度，湿度，大气压、电压条件，该条件会加速水分渗透到材料内部与金属导体之间的电化学反应。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1.HAST测试流程失效分析Fail2.HAST测试条件2.1 温度、湿度、气压、测试时间HAST试验条件如下表所示：➢通常选择HAST-96，即：130℃、85%RH、230KPa大气压，96hour测试时间。
➢测试过程中，建议调试阶段监控芯片壳温、功耗数据推算芯片结温，要保证结温不能过高，并在测试过程中定期记录。
结温推算方法参考《HTOL测试技术规范》。
➢如果壳温与环温差值或者功耗满足下表三种关系时，特别是当壳温与环温差值超过10℃时，需考虑周期性的电压拉偏策略。
➢注意测试起始时间是从环境条件达到规定条件后开始计算；结束时间为开始降温降压操作的时间点。
2.2 电压拉偏uHAST测试不带电压拉偏，不需要关注该节；bHAST需要带电压拉偏，遵循以下原则：(1)所有电源上电，电压：最大推荐操作范围电压(Maximum Recommended Operating Conditions）(2)芯片功耗最小(数字部分不翻转、输入晶振短接、其他降功耗方法)；(3)输入管脚在输入电压允许范围内拉高。
海思芯片HTOL老化测试技术规范
HTOL测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：历史版本记录适用范围:该测试它以电压、温度拉偏方式，加速的方式模拟芯片的运行状况，用于芯片寿命和长期上电运行的可靠性评估。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HTOL老化测试需求。
简介：HTOL(High Temperature Operating Life)测试是芯片电路可靠性的一项关键性的基础测试，它用应力加速的方式模拟芯片的长期运行，以此评估芯片寿命和长期上电运行的可靠性，通常称为老化测试。
本规范介绍DFT和EVB两种模式的HTOL测试方法，HTOL可靠性测试工程师需要依据实际情况选择合适的模式完成HTOL测试。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1. 测试流程1.1 HTOL测试概要HTOL主要用于评估芯片的寿命和电路可靠性，需要项目SE、封装工程师、可靠性工程师、硬件工程师、FT测试工程师共同参与，主要工作包括：HTOL向量、HTOL测试方案、HTOL环境调试、HTOL测试流程执行、测试结果分析、失效定位等。
HTOL可以用两种方式进行测试：DFT测试模式和EVB测试模式。
1.2 DFT和EVB模式对比DFT(Design For Testability)测试模式：集成度较高的IC一般有DFT设计，其HTOL模式一般在DFT测试模式下进行，以扫描链、内建BIST、内部环回、JTAG，实现内部逻辑的翻转、读写、自测试和IO的翻转等，其数字逻辑、memory、IP、IO的以串行方式运行。
EVB(Evaluation Board)功能模式：即正常应用模式，HTOL也可以在该模式下更符合实际应用场景，该模式下芯片各模块一般按照真实的应用场景并行运行。
海思芯片PC 测试技术规范
海思PC(Preconditioning)测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：日期：2019-11-09历史版本记录适用范围:该测试用来评估芯片在包装、运输、焊接过程中对温度、湿度冲击的抗性。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的PC(Preconditioning)测试需求，仅对非封闭的封装(塑料封装)芯片约束。
简介：表面贴器件会在焊接过程经受高温，该高温过程或导致内部水汽损坏电路。
PC预处理测试用于在可靠性测试之前模拟器件焊接过程。
PC预处理测试是芯片进行部分封装可靠性测试前要求进行的测试，这类可靠性测试的样品要求以符合本规范的PC测试为入口条件。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1. Precondition 测试流程1.1 要求PC 预处理的可靠性测试要求在先做PC 预处理测试的可靠性测试项：THB 、HAST 、TC 、AC 、UHAST 。
其中，一般HAST 、TC 是必做的。
1.2 测试流程1.2.1 完整流程冷却15min~4hours失效分析BGA\CGA\LGA 封装不做要求HAST TC AC THB1.2.2 规范流程表1.2.3 简化流程(推荐)步骤事项详细描述1 外观检查检查外观，排除封装、管脚有缺陷的芯片2 功能\ATE筛片筛选功能、性能正常芯片3 烘烤125℃烘烤24h4 潮敏处理13级潮敏处理：30℃, 60%RH存储192h。
潮敏处理后须室温冷却最低15min但不超4hour。
5 回流焊23次；回流焊的升温曲线、峰值温度须符合附1、附3的要求或符合《J-STD-020E》标准。
每次回流焊须冷却≥15min。
6 浸润活化水溶性助焊剂浸润10s。
海思开发流程
海思开发流程1. 概述海思技术（Hisilicon）是华为公司的全资子公司，成立于2004年，是以SoC（系统级芯片）为核心领域的信息技术企业。
为了保护华为的核心技术，海思不直接向外部客户出售芯片，而是将芯片运用于华为的产品中。
海思芯片在华为公司的终端设备、通信设备、数据中心等方面得到了广泛的应用。
海思的开发流程非常严谨，分为需求分析、架构设计、验证、实现、测试和生产等环节。
下面将分别详细介绍海思的开发流程。
2. 需求分析需求分析是海思开发的第一步，其目的是确立芯片的功能需求，为后续的开发工作奠定基础。
此环节需要与华为内部的各业务部门和专家进行充分的交流和沟通，多次修改和确认需求文档。
在确定需求的基础上，海思开展市场调研和竞品分析，以确保芯片具备市场竞争力和领先水平。
同时，也要考虑到设计的可行性和成本效益等因素。
3. 架构设计在需求分析的基础上，海思开始进行架构设计，包括系统架构、电路架构和软件架构等。
此环节主要是确定芯片的总体结构、资源分配、核心算法和接口设计等。
为了保证架构的正确性和可靠性，海思采用了多种技术手段，如仿真工具、验证工具和代码评审等。
通过不断地修改和确认，最终确立芯片的完整架构设计。
4. 验证芯片的验证是海思开发过程中最关键的环节之一。
为了验证芯片的正确性和可靠性，海思团队采用了复杂的仿真和实验方法。
在仿真阶段，海思开展了多种验证工作，如模拟仿真、行为仿真和时序仿真等。
这些仿真工作能够模拟出芯片的实际工作情况，为后续的验证工作提供了充足的数据和经验。
在实验阶段，海思进行了多种验证实验，包括功能验证、性能验证和可靠性验证等。
这些验证实验能够充分测试芯片的性能和可靠性，并发现潜在的问题和缺陷。
5. 实现在验证阶段完成后，海思团队将根据设计和验证结果进行实现工作，包括电路设计、物理设计、封装设计和软件开发等。
此环节需要各团队之间的紧密协作，以确保芯片的准确实现和可信可靠。
物理设计是实现过程中的重要环节，它包括电路综合、布局布线、时钟等优化、功耗优化等方面。
集成电路可靠性试验及其分析与评估
集成电路可靠性试验及其分析与评估集成电路（Integrated Circuit, IC）是现代电子领域的核心技术之一，它被广泛应用于通讯、计算机、家用电器、汽车等各个领域，为人类社会的科技进步做出了重要贡献。
然而，随着芯片制造工艺的不断发展和集成度的提高，IC可靠性问题也愈加复杂和严峻。
为了确保IC在使用过程中能够稳定可靠地运行，科学家和工程师们对IC可靠性问题进行了数十年的研究与试验。
本文将着重介绍集成电路可靠性试验及其分析与评估方法。
一、IC可靠性指标：IC可靠性是指其在一定的工作条件下，能够在规定的时间和区间内完成其设计任务的程度。
IC的可靠性主要包括以下几个方面：1.寿命：IC在特定的实际工作条件下，运行至失效的时间。
2.失效率：IC在特定的实际工作条件下，单位时间内实际失效的概率。
3.可修复性：IC的失效后，是否能够通过修复方式恢复其原有功能。
4.鲁棒性：IC在受到外界干扰或异常工作条件下，能否保持其正常的工作状态。
以上指标是评估IC可靠性的主要参考指标，一般情况下，寿命和失效率是评估IC可靠性的重要指标，下面我们将介绍IC可靠性试验的主要内容。
二、IC可靠性试验内容：IC可靠性试验是指对IC进行一系列实验，以评估其可靠性及寿命等参数的试验。
其主要包括以下几个方面：1.温度试验：对IC进行高温和低温试验，以评估IC在极端温度条件下的可靠性。
2.湿度试验：对IC进行潮湿试验，以评估IC在高湿环境下的可靠性。
3.热应力试验：对IC进行热应力试验，以评估IC在温度梯度环境下的可靠性。
4.振动试验：对IC进行振动试验，以评估IC在机械振动等异常工作条件下的可靠性。
5.电学试验：对IC进行电学试验，以评估IC在电学参数变化时的可靠性。
以上试验是IC可靠性试验的主要内容，每一项试验都需要严格的操作规范和数据记录流程，下面我们将着重介绍IC可靠性试验数据分析与评估方法。
三、IC可靠性试验数据分析与评估方法：IC可靠性试验所得的试验数据一般包括失效时间、失效率、可修复性等参数，下面我们将介绍常用的IC可靠性数据分析与评估方法。
海思芯片HTSL 测试技术规范
海思HTSL(High Temperature Storage Life)
测试技术规范
拟制：克鲁鲁尔
审核：
批准：
日期：2019-11-11
历史版本记录
适用范围:
该试验检查芯片长期贮存条件下，高温和时间对器件的影响。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HTSL测试需求。
简介：
该测试不上电存储条件下，保持恒定的高温环境，检查该条件下芯片的材料氧化、不同材料相互扩散导致的失效。
例如，Pad和Wire的金属间化合物的生长、某些存储类器件的数据保持状况。
引用文件：
下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1.HTSL测试流程
物理损伤
功能、
性能失效
失效分析
2.HTSL测试条件
2.1 温度
高温存储温度条件如下表：
实际的高温条件参照Datasheet说明，一般在“最大绝对额定值(Absolute Maximum Rati ngs)”会给出最高存储温度。
例如进芯的ADP32F335：
2.2 测试时间、样本量
参考JESD47标准：
推荐3Lots/25units，总时间为1000 hours。
3.HTSL测试装置
➢高温存储箱——温度范围、测试时间可控。
4.失效判据
➢出现机械形变、断裂等物理损伤。
➢ATE\功能筛片有功能失效、性能异常。
芯片可靠性测试要求及标准解析
芯片可靠性测试要求及标准解析芯片可靠性测试要求都有哪些？华碧实验室通过本文，将为大家简要解析芯片可靠性测试的要求及标准。
加速测试大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。
但我们不能等到若干年后再研究器件；我们必须增加施加的应力。
施加的应力可增强或加快潜在的故障机制，帮助找出根本原因，并帮助TI 采取措施防止故障模式。
在半导体器件中，常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。
在大多数情况下，加速测试不改变故障的物理特性，但会改变观察时间。
加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。
高加速测试是基于JEDEC 的资质认证测试的关键部分。
以下测试反映了基于JEDEC 规范JEP47 的高加速条件。
如果产品通过这些测试，则表示器件能用于大多数使用情况。
温度循环根据JED22-A104 标准，温度循环(TC) 让部件经受极端高温和低温之间的转换。
进行该测试时，将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。
高温工作寿命(HTOL)HTOL 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。
该测试通常根据JESD22-A108 标准长时间进行。
温湿度偏压高加速应力测试(BHAST)根据JESD22-A110 标准，THB 和BHAST 让器件经受高温高湿条件，同时处于偏压之下，其目标是让器件加速腐蚀。
THB 和BHAST 用途相同，但BHAST 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比THB 快得多。
热压器/无偏压HAST热压器和无偏压HAST 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。
与THB 和BHAST 一样，它用于加速腐蚀。
不过，与这些测试不同，不会对部件施加偏压。
高温贮存HTS（也称为“烘烤”或HTSL）用于确定器件在高温下的长期可靠性。
与HTOL 不同，器件在测试期间不处于运行条件下。
静电放电(ESD)静电荷是静置时的非平衡电荷。
通常情况下，它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生；一个表面获得电子，而另一个表面失去电子。
华为客户可靠性测试标准
1测试标准框架 (15)1.1整体框架 (15)1.2测试样品数 (15)1.3不同工艺测试项选择 (18)2外观等级面划分 (18)2.1外观等级面定义 (18)3测量条件及环境的要求 (19)3.1距离 (19)3.2时间 (19)3.3位置 (19)3.4照明 (19)3.5环境 (19)4表面处理可靠性测试方法 (19)4.1膜厚测试 (19)4.1.1试验目的 (19)4.1.2试验条件 (19)4.1.3合格判据 (19)4.2抗MEK(丁酮)测试 (19)4.2.1试验目的 (19)4.2.2试验条件 (20)4.2.3程序 (20)4.2.4合格判据 (20)4.3附着力测试 (20)4.3.1试验目的 (20)4.3.2试验条件 (21)4.3.3程序 (21)4.3.4合格判据 (22)4.3.5等级描述说明 (23)4.3.6测试工具 (23)4.4RCA纸带耐磨测试 (23)4.4.2试验条件 (24)4.4.3程序 (24)4.4.4合格判据 (24)4.5酒精摩擦测试 (24)4.5.1试验目的 (24)4.5.2试验条件 (25)4.5.3程序 (25)4.5.4合格判据 (25)4.6橡皮摩擦测试 (25)4.6.1试验目的 (25)4.6.2试验条件 (25)4.6.3程序 (25)4.6.4合格判据 (26)4.7振动摩擦测试 (26)4.7.1试验目的 (26)4.7.2试验条件 (26)4.7.3程序 (26)4.7.4合格判据 (27)4.7.5说明 (28)4.8铅笔硬度测试 (28)4.8.1试验目的 (28)4.8.2试验条件 (28)4.8.3程序 (28)4.8.4合格判据 (30)4.8.5测试工具 (30)4.9抗脏污测试 (31)4.9.1试验目的 (31)4.9.2试验条件 (31)4.9.3程序 (31)4.9.4合格判据 (31)4.10牛顿笔测试 (31)4.10.1试验目的 (31)4.10.2试验条件 (31)4.10.4合格判据 (32)4.10.5说明 (32)4.11显微维氏硬度测试 (32)4.11.1试验目的 (32)4.11.2试验条件 (32)4.11.3程序 (32)4.11.4合格判据 (33)4.12耐化妆品测试 (33)4.12.1试验目的 (33)4.12.2试验条件 (33)4.12.3程序 (33)4.12.4合格判据 (33)4.13耐手汗测试 (33)4.13.1试验目的 (33)4.13.2试验条件 (33)4.13.3程序 (34)4.13.4合格判据 (34)4.13.5说明 (34)4.14低温存储 (35)4.14.1试验目的 (35)4.14.2试验条件 (35)4.14.3程序 (35)4.14.4合格判据 (35)4.15高温存储 (35)4.15.1试验目的 (35)4.15.2试验条件 (35)4.15.3程序 (35)4.15.4合格判据 (35)4.16交变湿热 (36)4.16.1试验目的 (36)4.16.2试验条件 (36)4.16.3程序 (36)4.16.4合格判据 (36)4.17.1试验目的 (36)4.17.2试验条件 (37)4.17.3程序 (37)4.17.4合格判据 (37)4.18太阳辐射 (37)4.18.1试验目的 (37)4.18.2试验条件 (37)4.18.3程序 (37)4.18.4合格判据 (38)4.18.5说明 (38)4.19盐雾测试 (38)4.19.1试验目的 (38)4.19.2试验条件 (39)4.19.3程序 (39)4.19.4合格判据 (39)4.20水煮测试 (40)4.20.1试验目的 (40)4.20.2试验条件 (40)4.20.3程序 (41)4.20.4合格判据 (41)4.20.5说明 (41)4.21切片测试 (41)4.21.1试验目的 (41)4.21.2试验条件 (41)4.21.3程序 (41)4.21.4合格判据 (43)4.22内部件附着力测试 (43)4.22.1试验目的 (43)4.22.2试验条件 (43)4.22.3程序 (43)4.22.4合格判据 (43)4.23内部件交变湿热 (43)4.23.1试验目的 (43)4.23.3程序 (44)4.23.4合格判据 (44)4.23.5说明 (44)4.24内部件温度冲击 (44)4.24.1试验目的 (44)4.24.2试验条件 (44)4.24.3程序 (44)4.24.4合格判据 (44)4.25内部五金件阻抗测试 (44)4.25.1试验目的 (44)4.25.2试验条件 (44)4.25.3程序 (45)4.25.4合格判据 (45)4.26内部五金件高温高湿 (46)4.26.1试验目的 (46)4.26.2试验条件 (46)4.26.3程序 (46)4.26.4合格判据 (46)4.27钢丝绒测试 (46)4.27.1试验目的 (46)4.27.2试验条件 (46)4.27.3程序 (46)4.27.4合格判据 (46)4.283D涂层及小部件验证策略 (47)4.28.13D涂层 (47)4.28.2小部件 (47)5结构件强度测试方法 (47)5.1强度测试位置识别方法 (47)5.1.1试验目的 (47)5.1.2试验条件 (47)5.2落锤测试 (48)5.2.1试验目的 (48)5.2.2试验条件 (48)5.2.4合格判据 (50)5.3弯折测试 (51)5.3.1试验目的 (51)5.3.2试验条件 (51)5.3.3程序 (53)5.3.4合格判据 (53)5.4拉力测试 (54)5.4.1试验目的 (54)5.4.2试验条件 (54)5.4.3程序 (54)5.4.4合格判据 (55)5.5NMT粘合质量初判 (55)5.5.1试验目的 (55)5.5.2试验条件 (55)5.5.3程序 (55)5.5.4合格判据 (55)5.6NMT剪切强度测试 (56)5.6.1试验目的 (56)5.6.2试验条件 (56)5.6.3程序 (57)5.6.4合格判据 (57)5.7NMT定向跌落测试 (57)5.7.1试验目的 (57)5.7.2试验条件 (57)5.7.3程序 (58)5.7.4合格判据 (58)5.8按键手感 (58)5.8.1试验目的 (58)5.8.2试验条件 (59)5.8.3合格判据 (59)5.9按键弹力曲线测试 (59)5.9.1试验目的 (59)5.9.2试验条件 (59)5.9.4测试步骤 (60)5.9.5合格判据 (60)5.10USB/耳机/卡托模拟插拔测试 (61)5.10.1试验目的 (61)5.10.2试验条件 (61)5.10.3程序 (61)5.10.4合格判据 (62)5.11表面能测试 (62)5.11.1试验目的 (62)5.11.2试验条件 (62)5.11.3程序 (62)5.11.4合格判据 (63)5.11.5说明 (63)5.11.6附OWENS 计算方法 (63)5.12装饰件拉拔力测试 (64)5.12.1试验目的 (64)5.12.2试验条件 (64)5.12.3程序 (64)5.12.4合格判据 (64)5.13卡托三杆弯测试 (64)5.13.1试验目的 (64)5.13.2试验条件 (64)5.13.3程序 (65)5.13.4合格判据 (65)5.14卡托横梁正向挤压测试 (65)5.14.1试验目的 (65)5.14.2试验条件 (65)5.14.3程序 (66)5.14.4合格判据 (66)5.15卡托横梁侧向挤压测试 (66)5.15.1试验目的 (66)5.15.2试验条件 (66)5.15.3程序 (67)5.16卡托扭曲测试 (67)5.16.1试验目的 (67)5.16.2试验条件 (68)5.16.3程序 (68)5.16.4合格判据 (68)5.17卡托钢片推出力测试 (68)5.17.1试验目的 (68)5.17.2试验条件 (69)5.17.3程序 (69)5.17.4合格判据 (69)5.18卡托弯折测试 (69)5.18.1试验目的 (69)5.18.2试验条件 (69)5.18.3程序 (70)5.18.4合格判据 (70)5.19螺钉防松扭力测试 (70)5.19.1试验目的 (70)5.19.2试验条件 (70)5.19.3程序 (70)5.19.4合格判据 (71)5.20螺钉破坏扭力测试 (71)5.20.1试验目的 (71)5.20.2试验条件 (71)5.20.3程序 (71)5.20.4合格判据 (71)6非功能类镜片可靠性测试方法 (72)6.1抗化学试剂测试 (72)6.1.1试验目的 (72)6.1.2试验条件 (72)6.1.3程序 (72)6.1.4合格判据 (72)6.2附着力测试 (72)6.2.1试验目的 (72)6.2.3程序 (72)6.2.4合格判据 (72)6.2.5说明 (72)6.3铅笔硬度测试 (73)6.3.1试验目的 (73)6.3.2试验条件 (73)6.3.3程序 (73)6.3.4合格判据 (73)6.3.5测试工具 (73)6.4显微维氏硬度测试 (73)6.4.1试验目的 (73)6.4.2试验条件 (73)6.4.3程序 (73)6.4.4合格判据 (74)6.5耐化妆品测试 (74)6.5.1试验目的 (74)6.5.2试验条件 (74)6.5.3程序 (74)6.5.4合格判据 (74)6.6耐手汗测试 (75)6.6.1试验目的 (75)6.6.2试验条件 (75)6.6.3程序 (75)6.6.4合格判据 (75)6.6.5说明 (75)6.7低温存储 (75)6.7.1试验目的 (75)6.7.2试验条件 (75)6.7.3程序 (75)6.7.4合格判据 (75)6.8高温存储 (76)6.8.1试验目的 (76)6.8.2试验条件 (76)6.8.4合格判据 (76)6.9交变湿热 (76)6.9.1试验目的 (76)6.9.2试验条件 (76)6.9.3程序 (76)6.9.4合格判据 (76)6.10温度冲击 (77)6.10.1试验目的 (77)6.10.2试验条件 (77)6.10.3程序 (77)6.10.4合格判据 (77)6.11酒精摩擦 (77)6.11.1试验目的 (77)6.11.2试验条件 (77)6.11.3程序 (77)6.11.4合格判据 (77)6.12钢丝绒测试 (78)6.12.1试验目的 (78)6.12.2试验条件 (78)6.12.3程序 (78)6.12.4合格判据 (78)6.13盐雾试验 (78)6.13.1试验目的 (78)6.13.2试验条件 (78)6.13.3程序 (78)6.13.4合格判据 (79)6.14水煮测试 (79)6.14.1试验目的 (79)6.14.2试验条件 (79)6.14.3程序 (79)6.14.4合格判据 (79)6.14.5说明 (79)6.15太阳辐射 (79)6.15.2试验条件 (79)6.15.3程序 (79)6.15.4合格判据 (80)6.15.5说明 (80)6.16背面油墨阻抗测试 (80)6.16.1试验目的 (80)6.16.2试验条件 (80)6.16.3程序 (80)6.16.4合格判据 (80)6.17挤压测试 (80)6.17.1试验目的 (80)6.17.2试验条件 (81)6.17.3程序 (81)6.17.4合格判据 (81)6.18镜片推脱力测试 (82)6.18.1试验目的 (82)6.18.2试验条件 (82)6.18.3程序 (82)6.18.4合格判据 (82)6.19镜片背面贴膜拉拔力 (82)6.19.1试验目的 (82)6.19.2试验条件 (82)6.19.3合格判据 (82)6.20四杆弯折(强化指标)测试 (82)6.20.1试验目的 (82)6.20.2试验条件 (82)6.20.3程序 (83)6.20.4合格判据 (83)6.21落球测试 (84)6.21.1试验目的 (84)6.21.2试验条件 (84)6.21.3程序 (84)6.21.4合格判据 (85)6.22.1试验目的 (85)6.22.2试验条件 (85)6.22.3程序 (85)6.22.4合格判据 (85)6.23透光率 (86)6.23.1试验目的 (86)6.23.2试验条件 (86)6.23.3合格判据 (86)6.23.4说明 (86)6.24水滴角 (86)6.24.1试验目的 (86)6.24.2试验条件 (86)6.24.3合格判据 (87)6.25表面能测试 (87)7特殊工艺测试方法 (87)7.1贴片logo附着力测试 (87)7.1.1试验目的 (87)7.1.2试验条件 (87)7.1.3程序 (87)7.1.4合格判据 (87)7.2贴片logo拉拔力测试 (87)7.2.1试验目的 (87)7.2.2试验条件 (87)7.2.3判定依据 (87)7.3贴片logo环境测试 (88)7.3.1试验目的 (88)7.3.2试验条件 (88)7.3.3合格判据 (88)7.4PET板材电池盖拉拔力测试 (88)7.4.1试验目的 (88)7.4.2试验条件 (88)7.4.3程序 (88)7.4.4合格判据 (88)7.5.1高温测试 (89)7.5.2吃锡测试 (89)7.5.3绝缘电阻测试 (89)7.5.4耐电压测试 (89)8供应商ORT测试要求 (89)8.1应用说明 (89)错误!未找到引用源。
芯片测试方案
芯片测试方案第1篇芯片测试方案一、前言随着半导体技术的飞速发展，芯片在各个领域的应用日益广泛。
为确保芯片产品的质量与可靠性，满足客户及市场需求，特制定本测试方案。
二、测试目标1. 确保芯片产品符合设计规范和功能要求。
2. 评估芯片在不同环境条件下的性能指标。
3. 发现并排除芯片在设计、制造过程中的潜在缺陷。
4. 为产品优化和改进提供依据。
三、测试范围1. 功能测试：验证芯片的基本功能是否正确。
2. 性能测试：评估芯片的性能指标是否符合设计要求。
3. 可靠性测试：检验芯片在规定条件下的可靠性。
4. 兼容性测试：验证芯片与其他相关设备的兼容性。
四、测试方法1. 功能测试：采用白盒测试和黑盒测试相结合的方法，对芯片进行全面的测试。
2. 性能测试：通过对比分析、模拟实验等方法，评估芯片性能指标。
3. 可靠性测试：采用高低温、振动、冲击等环境应力，检验芯片的可靠性。
4. 兼容性测试：通过与各类设备对接，验证芯片的兼容性。
五、测试流程1. 测试准备：收集相关资料，制定测试计划，搭建测试环境。
2. 测试执行：按照测试用例进行测试，记录测试结果。
3. 缺陷跟踪：对发现的缺陷进行分类、跟踪和反馈。
4. 测试报告：整理测试数据，编写测试报告。
5. 测试总结：分析测试结果，提出改进建议。
六、测试用例1. 功能测试用例：包括基本功能、边界条件、异常情况等。
2. 性能测试用例：包括处理速度、功耗、频率响应等。
3. 可靠性测试用例：包括高温、低温、振动、冲击等。
4. 兼容性测试用例：包括与其他设备接口、协议、驱动等的兼容性。
七、测试环境1. 硬件环境：提供符合测试需求的硬件设备。
2. 软件环境：搭建合适的操作系统、工具软件等。
3. 网络环境：确保测试过程中网络畅通。
八、测试人员1. 测试组长：负责测试方案的制定、测试任务的分配和监控。
2. 测试工程师：负责执行测试用例，记录和反馈测试结果。
3. 开发人员：协助解决测试过程中遇到的技术问题。
芯片检测标准
芯片检测标准是确保芯片质量和性能的关键环节。
随着芯片技术的不断发展，芯片检测标准也在不断更新和完善。
一般来说，芯片检测标准包括以下几个方面：
1. 外观检测：对芯片的外观进行检测，包括芯片的尺寸、形状、标记、引脚数量和排列等是否符合规范要求。
2. 电气性能检测：对芯片的电气性能进行检测，包括电压、电流、电阻、电容、电感等参数的测量，以及逻辑功能测试、时序测试等。
3. 可靠性检测：对芯片的可靠性进行检测，包括温度循环测试、湿度测试、机械应力测试等，以确保芯片在各种环境条件下能够正常工作。
4. 兼容性检测：对芯片的兼容性进行检测，包括与其他设备或软件的互操作能力、不同批次芯片的一致性等。
5. 安全性检测：对芯片的安全性进行检测，包括加密算法、防火墙等安全机制的测试，以确保芯片在数据传输和存储过程中的安全性。
综上所述，芯片检测标准是确保芯片质量和性能的重要保障。
在生产过程中，必须严格按照检测标准进行检测，以确保每一片芯片都能够满足客户的需求。
消费级芯片质量标准
消费级芯片质量标准消费级芯片质量标准是确保芯片性能和可靠性的一组指导原则和规范。
这些标准通常由行业组织、国际标准化组织和制造商制定，并涵盖了从设计、生产到测试和验证的各个方面。
以下是一些常见的消费级芯片质量标准的主要方面：1. 设计质量:a. 功能规格:确保芯片的功能规格明确，满足产品设计要求。
这包括性能参数、支持的通信协议、电源电压等。
b. 可编程性:如果是可编程芯片（如FPGA），要求编程工具的稳定性和易用性，以及芯片的可编程性能。
c. 低功耗设计:对于移动设备等消费电子产品，低功耗设计是关键标准。
要求在实现高性能的同时，尽可能降低功耗。
2. 制造质量:a. 制造工艺:要求采用先进的制造工艺，确保芯片的精度和稳定性。
例如，芯片的制造工艺是否采用了先进的CMOS技术。
b. 质量控制:生产过程中要有有效的质量控制措施，确保每个芯片都符合规格。
这包括使用成熟的制造流程、自动化测试和检验等。
c. 生产能力:制造商需要有足够的生产能力，以满足市场需求。
这包括提高生产效率、降低制造成本等。
3. 可靠性和稳定性:a. 温度范围:芯片要能够在广泛的温度范围内稳定工作。
这对于在不同环境条件下使用的消费电子产品尤为重要。
b. 抗辐射性:在一些特殊应用场景，如宇航、医疗等领域，对芯片的抗辐射性可能是一个重要考量。
4. 测试和验证:a. 可靠性测试:要求进行可靠性测试，包括长时间运行测试、高温高压测试等，以验证芯片在各种条件下的稳定性。
b. 兼容性测试:芯片需要通过相关的兼容性测试，确保能够和其他硬件和软件组件良好配合。
5. 质量认证:a. 国际标准认证:一些消费级芯片可能需要通过ISO、CE等国际标准认证，以证明其符合国际质量标准。
b. 生态系统认证:与其他硬件和软件组件的良好兼容性，以及与生态系统中其他厂商的合作关系。
6. 安全性:a. 硬件安全:一些消费级芯片需要具备硬件安全功能，以防止恶意攻击和非法访问。
b. 数据隐私:对于涉及用户隐私的应用，芯片需要有相应的数据保护和隐私安全措施。
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可靠性测试技术总体规范V2.0拟制：审核：批准：历史版本记录适用范围:本规范规定了芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性、封装可靠性。
适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。
具体的执行标准可能不是本规范文档，但来源于该规范。
本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。
简介：本标准规定芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。
这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。
相比正常使用场景，该系列测试或测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1.可靠性概念范畴“可靠性”是一个含义广泛的概念，以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性(ESD、Latch-up、HTOL)和封装相关的可靠性(PC、TCT、HTSL、HAST等)。
但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案(PCB板上的一个元器件)作为最终应用。
因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性，产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。
本规范重点讲述芯片级可靠性要求。
2.通用芯片级可靠性测试要求2.1 电路可靠性测试High Temperature Operating Life JESD22-A108,JESD85HTOLT≥ 125℃Vcc ≥ Vccmax3 Lots/77 units1000 hrs/ 0 FailEarly Life FailureRate JESD22-A108,JESD74ELFRT≥ 125℃Vcc ≥ VccmaxSee ELFR Table48 ≤ t ≤ 168 hrs RLow Temperature Operating Life JESD22-A108LTOLT≤ 50℃Vcc ≥ Vccmax1 Lot/32 units1000 hrs/0 Fail CHigh TemperatureStorage LifeJESD22-A103HTSL T≥ 150 °C 3 Lots/45 units1000 hrs/0 Fail Electrical ParameterAssessmentJESD86ED Datasheet 3 Lots/10 units T per datasheet RLatch-Up JESD78LU Class I orClass II1 Lot/3 units0 FailHuman Body ModelESDJS-001ESD-HBM T = 25 °C 3 units ClassificationCharged Device Model ESD JS-002ESD-CDM T = 25 °C3Stress Ref.Abbv.ConditionsRequirements Required (R)/Considered (C) #Lots/SS per Lot Duration/AcceptRRRRR3units ClassificationAccelerated Soft Error Testing JESD89-2,JESD89-3ASER T = 25 °C 3 units Classification C“OR” System Soft Error Testing JESD89-1SSER T = 25 °CMinimum of 1E+06Device Hrs or 10 fails.Classification CJJJAAAAAA12注1：ELFR可包含在HTOL测试中，HTOL测试会在168h回测，作为评估早期失效率的重要判据。
注2：ED一般在首样回片测试阶段完成，包含在电气性能测试中，可靠性测试过程不用关注。
注3：样本量SS(Sample Size)及可接受失效量Accept的取值由附录1给出，下文同。
2.2 封装可靠性测试(非密封封装-塑封)MSL PreconditioningMust be performed prior to: THB,HAST,TC,AC,UHAST JESD22-A113PCPer appropriate MSL level perJ-STD-020Electrical Test(optional)High Temperature Storage JESD22-A103& A113HTSL150 °C + Preconditioning ifRequired3 Lots / 45 units1000 hrs / 0 FailTemperature Humidity Bias JESD22-A101THB85 °C, 85 % RH, Vcc max 3 Lots / 45 units1000 hrs / 0 FailTemperature Humidity Bias JESD22-A110HAST 130 °C / 110 °C, 85 % RH,Vcc max3 Lots / 45 units96/264 hours orequivalent per packageconstruction / 0 FailJESD22-A104TCT B- 55 °C to +125 °C3 Lots / 45 units700 cycles / 0 FailG - 40 °C to +125 °C850 cycles / 0 Fail C C - 65 °C to +150 °C500 cycles / 0 Fail C K - 0 °C to +125 °C1500 cycles / 0 Fail C J - 0 °C to +100 °C2300 cycles / 0 Fail CUnbiased Temperature/Humidity JESD22-A118UHAST130 °C / 85% RH110 °C / 85% RH3 Lots / 45 units96 hrs / 0 Fail264 hrs / 0 FailCUnbiasedTemperature/HumidityJESD22-A102AC121℃ / 100% RH 3 Lots / 45 units96 hrs / 0 Fail Not Recommended Solder Ball Shear JESD22-B117SBS Characterization30 balls / 5 units CBond Pull Strength M2011BPS Characterization, PreEncapsulation30 bonds / 5 unitsPpk≥1.66or Cpk≥1.Stress Ref.Abbv.ConditionsRequirements Required (R)/Considered (C) #Lots/SS per Lot Duration/AcceptRRRRR33 (note 6)CBond Shear JESD22-B116BS Characterization, PreEncapsulation30 bonds / 5 unitsPpk≥1.66or Cpk≥1.33 (note 6)CSolderabilityM2003JESD22-B102SD Characterization 3 lots / 22 leads0 Fail CTin Whisker Acceptance JESD22-A121through rqmts ofJESD201WSR Characterization per JESD201See JESD201See JESD201, Basedon AppropriateClassificationC112Temperature Cycling 44444345678注1：THB和HAST测试根据实际需求二选一，HAST测试时间更短，海思一般选做HAST；注2：5种测试条件根据实际应用条件选做一种；注3：JEDEC建议如果已做HAST测试，UHAST测试可以不做，但海思uHAST和bHAST为必做项；注4：锡球剪切测试，一般在PC、HAST、TCT、HTSL等封装可靠性做完后进行，作为DPA 测试项之一集中测试；注5：芯片内部引线键合测试，一般在PC、HAST、TCT、HTSL等封装可靠性做完后进行，作为DPA测试项之一集中测试；注6：芯片或封装键合强度的测试，一般在PC、HAST、TCT、HTSL等封装可靠性做完后进行，作为DPA测试项之一集中测试；注7：可焊接性测试，一般在PC、HAST、TCT、HTSL等封装可靠性做完后进行，作为DPA 测试项之一集中测试；注8：锡晶须测试，一般在PC、HAST、TCT、HTSL等封装可靠性做完后进行，作为DPA测试项之一集中测试；2.3 封装可靠性测试(密封封装-陶封)1.4 非易失性存储器件附加测试Nonvolatile MemoryUncycled High Temperature Data Retention JESD22-A117UCHTDRFG-CT T≥125 °C3 Lots/ 77 units1000 hrs/0 FailCPCM T≥ 90 °C CNonvnlatile Memory Cycling Endurance JESD22-A117NVCE25 °C and85 °C ≥TJ ≥55 °C3 Lots/ 77 unitsUp to Spec. MaxCycles per / 0 FailsCNonvolatile Memory Postycling High Temperature Data Retention JESD22-A117PCHTDRFG-CT Option 1: T = 100 °C3 Lots/ 39 unitsCycles per NVCE(≥55 °C)/ 96 and 1000hrs / 0 FailCPCM Option 1: T = 90 °C CFG-CT Option 2: T≥ 125 °C Cycles per NVCE(≥55 °C) / 10 and 100hrs / 0 FailCPCM Option 2:Stress Ref.Abbv.ConditionsRequirements Required (R)/Considered (C) #Lots/SS per Lot Duration/AcceptT≥ 100 °C C Nonvolatile MemoryLow x0002_Temperature Retention andRead Disturb JESD22-A117LTDR T = 25 °C 3 Lots/ 38 unitsCycles per NVCE(25 °C) / 500 hrs / 0FailCAAJJJJAC_3.DSP芯片可靠性测试执行标准DSP数字信号处理芯片，以塑封产品为主，主要使用场景为工控类应用，可靠性测试执行的标准总体符合第1章的通用要求，并针对产品特殊性增加一些特定的产品级可靠性测试项，本章将其归纳在附件表格中，实际测试严格执行以下标准，该标准不定期刷新：DSP数字信号处理器可靠性测试执行标准4.可靠性测试流程与时间基线3.1 总体流程首样回片，到可靠性测试完成，大概6个月时间，TR5完成后进入小批量生产阶段。