InGaAs PIN 光电探测器

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

SHINE-YOU TECHNOLOGY CO., LTD

Addr: 3F,Bld.5,Shangsha Innovative Science & Tech Park,Futian,Shenzhen,China,518048 Tel: +86-755-29812573 Email: info@

微型封装(MINI CAN )InGaAs PIN 光电探测器

特点:

微型封装,封装尺寸≤2.41 mm 高响应 工作电压 5V 超低暗电流 单针脚密封

工作温度 -40~+85℃ 应用: 光纤通信 数据/图像传输 光纤传感 光测量仪器仪表

最大额定值:

工作温度(℃) -40~+125 存储温度(℃) -50~+125

正向电流(mA ) 4/8 反向电压(V ) ≥20

光电特性(T = 25℃,Vr = 5 V ) 参数

指标 测 试 条 件 光敏面直径(μm ) 75/300

带宽(GHz ) 1.5/0.5 RL = 50 Ω λ= 1310 nm 0.85/0.80 响应度(A/W ) λ= 1550 nm

0.90/0.85 暗电流(nA ) 0.3 / 1

总电容(pF ) 0.6/6.0 f = 1 MHz

响应度一致性(dB ) ±0.2

λ = 1530~1620 nm, T = -10~+85℃

注意事项

(1)静电对器件有极大伤害,使用中要保证人体、测试仪表、检验装置及工作台接地良好。 (2)电源需有稳压装置,且不可在开关电源过程中产生冲击电压损害器件。 (3)焊接时烙铁应接地良好,温度控制在260℃±5℃,时间不超过5 秒。 (4)测试正向电压时要监控正向电流,不超过100 μA ,否则会击穿器件而失效。

相关文档
最新文档