磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射设备操作规程
操作规程项目名称：JGP-450型双室磁控溅射沉积系统项目号：K08-0841、开机前准备工作⏹开动水阀，接通冷却水，检查水压是否足够大，水压控制器是否起作用，保护各水路畅通。
⏹检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关全部处于关闭状态，将各电源的旋钮打到停止位置或关闭位置。
⏹检查分子泵、机械泵油是否标注到刻线处，如没有达到刻线标记应及时加油。
⏹检查系统所有阀门是否全部处于关闭状态，确定溅射室完全处在抽真空前为封闭状态。
提示：注意保持洁净的预真空环境，严禁杂物和灰尘落入真空室内或粘在胶圈上；对真空室内零部件的操作要带无尘手套。
样品和靶材需严格清洗后放入真空室内。
2、开机（大气状态下泵抽真空）确认所有电源开关都在关闭状态后，按下总电源开关，此时电源三相指示灯全亮，供电正常。
提示:如果电源三相指示灯没有全亮，应检查供电电源是否缺相。
在确认电源正常之后方可进行下一步工作。
将“断水报警”拨扭拨到“报警”，给分子泵提供冷却水。
（此时冷却水已经循环流动，无论分子泵是否运转。
当启动分子泵运转时，如果“断水报警”无翁鸣，说明供水正常；若翁鸣，则需要检查水路是否连接正常，直至翁鸣消失方可启动分子泵。
）大气状态下溅射室泵抽真空：✓启动溅射室复合真空计，将其电源开关拨到“开”位置，电阻规开始工作并显示相应真空度。
✓按下机械泵R1开关，机械泵指示灯亮，此时机械泵工作，打开旁抽阀V1,粗抽真空。
观察真空度是否有变化，当真空有继续上升的趋势时，进行下一步操作。
✓打开电磁阀DF1，机械泵R1预抽分子泵T1，并在闸板阀G2两端形成相同气压。
✓当真空计显示的真空度高于20Pa时，关闭旁抽阀V1，打开闸板阀G2。
✓打开分子泵T1电源开关，打开启动按钮，其加速指示灯亮，电源控制面板上显示频率，约8分钟，加速指示灯灭，正常灯亮，分子泵进入正常工作状态。
此时机械泵R1只充当分子泵T1的前级泵。
✓当真空度达到1.0×10-1Pa时真空计自动转换为电离规测量，读数自动跳转电离显示屏显示。
实用实验磁控溅射操作规程
磁控溅射操作规程1、开电闸开关D（磁控溅射总电源和空调），E（电风扇和射频电源），F（循环水）。
打开程序控制器，按下“放气”阀，充入N2气。
当指示灯从真空跳到大气时，关闭N2气，把充气罐移走。
2、按按钮“升”，升起腔盖，放时样品和靶材。
一个直流靶位，二个射频靶位。
直流靶只能溅射导体。
（Ar+溅射在绝缘体不中和形成高压）3、按按钮“降”，降腔盖（注意：如果控制失灵，应立即关闭控制器开关）。
盖好的判断是：盖上盖后，能摇动升降柱（送皮带送到头，然后再拉回一个皮带，再试升降柱，如果不行，再试一次）。
4、按按钮“低抽”，机械泵进行抽真空，程序控制器面板上显示从“大气”到“真空”。
当压强小于1.0×10Pa时（一般为8.7Pa左右），打开循环水进出阀（共四个阀门），再打开循环水总开关F，启动隔壁房间内的循环水。
循环水进出阀横是开、纵是关。
5、在程序控制器中打开“高抽”阀。
再启动分子泵电源：先按下启动总开关，到显示屏幕显示450HZ时，再按“启动”键，可以看到转速在上升，直至450HZ。
6、当离子规小于1.0×10－2Pa时，打开程序真空计电源。
7、当程控真空计显示达到1.5×10－3Pa时，打开照明（旋钮打到最大），相当于除气（使腔体内壁上分子脱离），可以看到气压求数变大（真空计）。
同时打开流量显示仪预热和打开射频电源预热，然后关闭照明（旋钮打到最小）。
8、如果要加热样品，则把开关由“照明”切换到“加热”，打开温度显示屏底下的加热开关，并通过旋动温度显示屏下方的小旋钮调节设置温度。
9、到达预计压强8.4×10－4Pa左右时，关闭程控真空计。
打开“充气”阀，关闭“高抽”阀，打开Ar气罐总阀，再打开减压阀（不要超过一小格），控制Ar流量。
真空计打到“contr”档，打开流量计“阀控”，先将真空计拨到0.5，流量计也拨到0.5，当流量计求数开始变动时，再将真空计拨到3.0，同时拨动流量计示数（约在87左右），目的是让求数打到3Pa。
高质量磁控溅射步骤
高质量磁控溅射步骤
磁控溅射是一种常见的薄膜制备技术，适用于多种材料。
为了获得高质量的薄膜，磁控溅射步骤应当注意以下几点：
1. 目标制备。
目标的质量和纯度直接影响薄膜的质量，因此目标的制备应当严格控制。
同时，目标的形状和尺寸也应当符合实验要求。
2. 清洗和处理基底。
基底应当先进行严格的清洗和处理，去除表面的杂质和氧化物。
同时，基底的制备应当符合实验要求，如平整度和粗糙度等。
3. 磁控溅射条件。
磁控溅射过程中，应当控制好气压、气体组成、溅射功率等参数，并且应当对目标和基底的距离进行调整，以保证薄膜的均匀性和致密性。
4. 后处理。
溅射完成后，应当对薄膜进行后处理，如退火、氧化等，以进一步改善薄膜的性质和质量。
综上所述，高质量磁控溅射需要在目标制备、基底处理、溅射条件和后处理等方面严格控制，以获得优质的薄膜。
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磁控溅射操作步骤及注意事项
磁控溅射设备操作步骤1. 开电源箱三个空气开关，从左到右依次为循环水机，磁控溅射，各分接插座的空开。
2. 压缩空气泵开始工作，已设定气压上限0.8MPa （8个大气压），待抽至0.4MPa （各气动阀门工作的最低压强）即可开循环水机，接着开磁控溅射设备电源控制柜的总开关。
3. 若上次实验结束时对腔室气压抽得较低（<0.2Pa ），此时复合真空计（左边一个）会显示电离规测得的高真空，按下“自动/手动”将电离关掉。
开放气阀，向腔室通大气至复合真空计显示1E5（0.1MPa ，1个大气压）即可打开腔室顶盖。
4. 靶及基片安装好后，用万用表检查靶与屏蔽罩，基片台与腔室是否短接，开始抽真空。
磁控溅射设备操作前级阀主阀旁路阀节流阀充气阀1 预抽：开机械泵，前级阀，先抽分子泵管道内至<5.0Pa 。
√××√×2 抽腔室：关前级阀，开旁路阀，充气阀，抽反应腔室至<5.0Pa 。
××√√√3 抽腔室：关旁路阀，开前级阀，主阀，开分子泵，将腔体抽至E-4Pa 数量级，开加热器升温，升温时真空度会上升，抽至E-4Pa 。
√√×√√4 实验：关电离规，关节流阀，通氩气，将气体流量计（右边的）开到阀控（中间位置），先进行靶清洗5min 。
再用双极脉冲电源或射频电源进行基片清洗，清洗15min 。
打开靶挡板和基片挡板开始实验。
√√××√5 镀膜结束：停氩气，开节流阀，继续抽腔室，等待降温。
√√×√×6 取基片：降温至80以下，关主阀，关分子泵，分子泵由450降到0，等待2min ，关前级阀，开放气阀慢慢放气使腔室达到外界大气压。
×××√×5. 将腔室抽到10Pa 以下，以保护腔室内部器件。
关机械泵及控制柜总开关。
关冷却水，将三个空开全部关掉。
磁控溅射设备工作流程
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磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程
磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程1. 引言磁控溅射和分子束外延是一种常用的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学、表面工程、光电子学和纳米器件制备等领域。
然而，这些技术涉及高温、高真空和高能量密度等危险因素，因此在操作过程中必须严格遵循安全操作规程，以确保实验人员的人身安全和设备的正常运行。
本文将介绍磁控溅射和分子束外延的安全操作规程和日常保养注意事项。
2. 磁控溅射安全操作规程2.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。
•仪器检查：检查溅射装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。
•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。
2.2 操作步骤1.打开溅射装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。
2.将待沉积的靶材安装到溅射装置中，并确保靶材表面干净平整。
3.连接电源，确保正负极的接线正确，避免电源短路。
4.打开气体进气阀，将工作气体注入溅射装置，注意控制气体流量和压力。
5.打开溅射源开关，产生磁场并加热靶材，开始溅射过程。
6.溅射结束后，关闭气体进气阀，关闭溅射源开关，待装置冷却后方可停止真空泵运行。
7.清理工作区域，清除沉积物和废气，保持工作区环境整洁。
2.3 安全注意事项•高真空环境下操作时，避免突然打开大气门，以免引起爆炸或损坏真空装置。
•注意靶材的选择和安装，避免使用破损或有毒的靶材。
•在溅射过程中，要随时检查溅射源和真空泵的运行情况，确保仪器正常工作。
•操作过程中禁止随意触碰溅射源和加热装置，以免烫伤。
•操作完成后，尽量将溅射装置恢复至初始状态，避免对下次实验产生影响。
3. 分子束外延安全操作规程3.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。
•仪器检查：检查分子束外延装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。
•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。
3.2 操作步骤1.打开分子束外延装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。
磁控溅射仪操作手册
磁控溅射仪操作手册一．设备开机：1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。
2.开电源。
在总闸打开的情况下，打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②；开磁控溅射仪的电源开关。
3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。
4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶，氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。
5.开分子泵。
显示屏进入正常模式之后，调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。
然后仪器自动抽取分子泵待。
前级阀（Backing Valve）和高阀（Hi-Va）依次变绿开始抽取主真空室真空。
二．放样Ⅰ.进样1）在Arm@Home是绿色的情况下，点击“LL AUTO VENT”，送样室开始放气。
2）放完气之后，开送样室的大门，将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上，关上送样室的大门，合上大门的开关。
3）点击“LL AUTO PUMP”（根据需要可能需要两次），开始给送样室抽取真空。
待LL AUTO PUMP由绿变红时，抽取真空完毕。
Ⅱ.送样1）点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。
2）传送样品时，将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘，当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。
3）将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档，即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。
4）顺时针转动转盘，直至机械手移至送样室对应的部位，这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号，此时机械手已经归位。
三．样品清洗（AUTO模式）1.选择自动模式，依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。
2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射，设置偏压溅射的参数，可以参考如下图。
设置好偏压功率，溅射时间，工件盘旋转速率，本地真空，气体流量。
3.点击“Overview”进入主界面，观察腔室的真空度，如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。
磁控溅射的使用流程
磁控溅射的使用流程1. 简介磁控溅射是一种常用于薄膜制备的物理气相沉积技术，通过在真空环境中使用外加磁场来控制离子在固体表面的击穿行为，从而实现材料沉积。
本文档将介绍磁控溅射的使用流程。
2. 实验准备在进行磁控溅射实验前，需要进行以下准备工作：•准备目标材料：选择适合溅射的材料目标，并确保其表面质量良好。
•真空室准备：检查真空室的密封性，确保真空度符合要求。
•溅射设备：检查溅射设备的机械结构和电气系统是否正常工作。
3. 开始实验以下是磁控溅射的基本使用流程：3.1 设置工艺参数在开始实验之前，需要设置以下工艺参数：1.气体流量：根据实验需求设置工艺气体的流量，通常使用氩气作为惰性气体。
2.溅射功率：控制溅射功率调节器，根据目标材料和膜层要求设置溅射功率值。
3.前驱体材料：如有需要，设置前驱体材料的流量和温度。
3.2 准备目标材料1.首先，将目标材料固定在溅射装置的靶架上，并确保目标材料与靶架之间的接触良好。
3.3 抽真空1.打开真空泵，将气体抽出真空室，直到达到所需真空度。
2.检查真空度指示器的读数，确保真空度稳定在所需范围内。
3.4 开始溅射1.打开溅射控制器的电源开关。
2.选择合适的溅射参数，并在控制界面上设置相应的数值。
3.打开氩气罩上的气体流量调节阀，调节气体流量。
4.打开氩气阀门，使气体进入溅射室。
5.打开溅射源的开关，开始溅射过程。
3.5 结束实验1.当达到所需的膜层厚度后，关闭溅射源和气体流量。
2.关闭溅射控制器的电源开关。
3.关闭氩气阀门，停止气体流入溅射室。
4.关闭真空泵，打开气阀，将气体重新充入真空室。
5.等待真空室恢复常压后，打开真空室，取下目标材料。
4. 实验注意事项在进行磁控溅射实验时，需要注意以下事项：•操作人员需要戴好防护眼镜和手套，确保安全。
•在操作溅射源和气体阀门时，需轻拧。
•在实验过程中，注意监控溅射功率和气体流量的稳定性，及时调整工艺参数。
5. 结论磁控溅射是一种重要的材料制备技术，在薄膜制备、材料研究等领域有广泛应用。
磁控溅射操作规程
磁控溅射设备操作规程开机过程1.开电柜A水阀（注意有两水路，阀门上标签为电柜左(A)，电柜右(B)）.2.开电柜A总控制电源.3.开机械泵，打开旁抽角阀V1,开低真空计电源，用机械泵抽至机械泵抽压极限(或5Pa以下).4.开闸板阀G，开电磁阀（DF1），关闭旁抽角阀V1.5.观察低压真空计示数是否稳定(稳定时即为系统不漏气)，待稳定后开分子泵(KYKY)总电源.6.观察分子泵显示窗口为闪动的600Hz时，按下分子泵启动按钮，分子泵加速.7.当分子泵转速稳定，窗口显示为600Hz后，按下高真空计DL-7电源按钮，观察真空室真空度，等待达到溅射所需的本底真空度(一般为10-4Pa).溅射过程1.关闭高真空计DL-7 (!进气之前一定要关闭，否则高真空计会被损坏)，然后打开V2，再打开V5.2.开氩气瓶总阀，开减压阀，观察其指示小于1.5格(三个大气压)即可.3.开质量流量计电源，将MFC1打到阀控位4.关小闸板阀G，此调节过程配合旋动旋钮调节气体流量，使低压真空计示数（直流溅射一般为2~5Pa之间，射频一般在5-8Pa之间）.5.开电柜B水阀，开电柜B总控制电源.(1). 直流溅射：开电柜B中相对应靶位直流溅射电源，调节功率使使靶上方氩气电离启辉.旋转功率调节旋钮，使溅射功率达到所需要的数值. 待板压和板流稳定后，转动挡板和转盘，转动挡板和转盘到相应的靶上，开始溅射并计时.溅射完毕后，将功率调节旋钮逆时针调到最小，按下停止按钮. 然后关闭电柜B的总控制电源.(2). 射频溅射：按下电柜B中射频功率源的Uf按钮，电子管预热5-10分钟.按下Ua的开始按钮，通过Ua粗调和细调增大板压，使靶上方氩气电离启辉. 调节SP-II 型射频匹配器的C1,C2(调节一个时，另一个不动)，使反射功率最小，驻波比小于1.5. 增大Ua,调节匹配器的电容使反射功率始终最小，如此反复调节使溅射功率达到所需要的数值. 预溅射几分钟后，转动挡板和转盘到相应的靶上，即可开始溅射.(3). 溅射完毕后，将Ua调到最小，按下Ua的停止按钮.等待几分钟后按下Uf按钮.然后关闭电柜B的总控制电源.（如果需要给衬底加热，方法同退火过程的5，6步骤）.靶挡板和转盘的转动：可通过电脑上的控制软件或手动转动.注意转盘和样品挡板同时转动前一定要检查定位插销，不能使转盘被卡住；只对样品进行转动操作前，需要将样品挡板卡住；为了不使加热电缆缠绕，不能大角度转动转盘.6.溅射完毕后，关闭氩气的过程：先关气瓶总阀，后关减压阀，再将MFC1打到关闭，待流量计显示为0后关闭流量计电源. 先关V5后关V2，开大闸板阀G，让分子泵将真空室抽至高真空.退火过程1.开加热控温电源，调节设定退火温度，加热电流初始调至2A，过2分钟左右依次调至4A,6A,8A，注意不要使电流太大.2.温度显示为设定温度时开始计时(退火时间).关机过程1.待真空室抽到高真空（10-4帕），关闭闸板阀G.2.按下分子泵停止按钮，分子泵减速，当频率显示低于50Hz时，关闭电磁阀.3.按机械泵按钮，停止机械泵. 当分子泵停止频率显示为闪动的600Hz时,关闭分子泵总电源. 分子泵显示窗口显示P.OFF后关闭总控制电源.4.关闭水阀，放回排气管，关严窗户.更换样品过程1.打开放气阀(V4)，使真空室和外界压强相等后，关闭V4.2.打开电柜A水阀及电柜A总控制电源，确保拔出定位插销后，按下升按钮，升起真空室盖到适当高度..3.取下样品托，更换样品.4.将真空室顶盖小心推至真空室正上方，按下“降”按钮. 小心缓慢的将真空室顶盖降下，真空室顶盖降到不能自动再降电动机会自动停止.更换靶材过程（起始过程同上述1.2.）1．用螺丝刀拧开固定靶挡板的四个螺丝，将靶挡板小心取出. 旋起靶罩并将其取出，后用内六角螺丝刀将靶盖的固定螺丝拧松，取出靶罩和靶材. 将新的靶材放在铜靶托上，盖上靶盖，拧上螺丝. 重新旋上靶罩，使靶罩和靶盖间留有一定的间隙(1-3mm或稍大)，两者不能接触，因为在溅射电源开时，靶罩为阳极，靶和靶盖为阴极(对直流溅射而言)；对射频溅射电源来说，两极一直在交替. 靶罩和靶盖相接触的话，即为短路(这一步骤必须戴布手套操作，避免手汗及油脂对真空室引入污染).5.放入靶挡板，用螺丝刀拧紧固定螺丝.6.将真空室顶盖小心推至真空室正上方，按下“降”按钮. 小心缓慢的将真空室顶盖降下，真空室顶盖降到不能自动再降时电动机会自动停止.！！请各位实验操作人员严格按照此规程操作，如有失误造成损失自行负担责任.磁控溅射设备实验室2006.4.7。
磁控共溅射操作步骤
开机1 分子泵、各磁控靶接通冷却水，检查水路是否漏水。
2 各单元电源与总电源接通，总电源供电。
（启动总电源前，报警选择档指向报警；开总电源后，A、B、C灯亮）3 启动机械泵，缓慢打开旁抽阀V2，预抽溅射室。
4打开ZDF2AK复合真空计，当示数显示4 Pa时，关闭旁抽阀V2，打开电磁阀(有清脆的响声)，然后启动分子泵开关，待示数显示为零时，启动START，并马上打开闸板阀G1（逆时针旋转到底后稍微回转），开始抽高真空（7*10-5）。
5 打开计算机，进行运行参数设置。
（见后面介绍）6 达到所需真空度后（4*10-4，大概半小时），准备镀膜。
（见后面介绍）7 镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关气路。
（见后面介绍）靶位自动调节程序1 挡板控制及状态各靶挡板显示与溅射室内靶挡板位置一致。
若不一致，则改变计算机上显示状态，点击“开（关）”按钮即可，在挡板没有达到相应的“开（关）”状态时，该按钮是闪烁的，达到所需状态时，按钮是亮的。
2 转盘控制与状态样品与样品挡板状态确定显示与当前溅射室内一致，若不一致，则重新标定。
例如：当前溅射室内状态为样品2对应样品位置A 位，样品挡板显示A位，然而计算机显示样品1对应样品位置A位，样品挡板显示A位。
拖动样品1到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“否”，则可以重新标定样品编号。
重新标定样品挡板，样品位置时也是如此操作。
注意：样品位置和样品编号不能同时改变。
例如：样品1在A位置溅射完毕后，需要在B位溅射样品2，则应该先把样品1拖到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“是”，可将样品2移动到A靶位；然后，将样品位置A拖到B，将弹出“样品位置”对话框，点击“是”，可将样品2移动到B靶位。
样品速度和挡板速度公转速度和挡板公转速度均调为1.0 r/min即可，运行稳定。
3 运行设置点击“修改”按钮，输入控制语句，点击“关闭”按钮，然后点击“运行”按钮，设备将按照设置的语句运行。
磁控溅射操作步骤新
磁控溅射操作步骤（有下划线为着重注意）一、抽真空1.循环水开，总电源开2.检查所有阀门必须关闭3.总电源开4.开（2个）“镀膜室机械泵”，“样品室机械泵”5.打开（2个）35角阀，开到最大（35角阀是机械泵的开口）6.看真空显示表，开“热偶”，DL-70 镀膜室DL -90样品室7.当热偶真空计显示数（当压强﹤10pa时，关闭2个35角阀）（当压强长时间不减小时，可能是封闭不严）8.打开（2个）“镀膜室前级阀”，“样品室前级阀”9.分子泵显示，启动分子泵（2个），按绿色“运行”10.打开镀膜室和样品室闸板阀（2个）开到底（逆时针转）等到分子泵频率到稳定状态（镀膜室400Hz，样品室450HZ）11.打开真空显示窗中的“电离”（2个）两室工作时压强都要达到5.0×10-4pa，真空度最高可达：镀膜室6.0×10-6pa。
二、镀膜1.通气体前，关闭真空显示计“电离”开关2.打开射频匹配器开关，进行预热3.打开16进气阀，开一圈，看显示计示数变化，要求气体流入时，气压平衡增大，不能大于100pa4.打开蓝色Ar气的截止阀，开一圈5.打开流量控制电源“开关”，打开Ar流量的“阀控”，旋转调节旋钮，顺时针旋转，至示数20（30）6.打开Ar气瓶开关阀，控制输出气压0.1～0.2Pa之间7.调节镀膜室的真空度，关（镀膜室）闸板阀（顺时针转是关），转到最后时微调，看显示器热偶的数字达到要求（0.5～5Pa）（注意：气压显示会出现延迟，并且溅射开始时气压可能还会变化，故溅射时应注意气压的大小要与设定的数据一致）8.射频匹配器打开一段时间后，预热好则Ua的红灯亮9.再打开Ua的绿灯开关，调节“Ua粗调”至20，观察SWR仪表，调C2、C1旋钮，使REFLECTED指针到“0”，则可发生辉光放电。
先调C2使指针至最小值，再调C1使指针至最小值，如此反复至指针为“0”10.预溅射10分钟左右，打开样品台控制电源，按“启动”，样品台开始旋转。
磁控溅射操作过程
设备操作规范1.系统从大气开始抽真空:1.1系统抽真空时应按如下步骤进行:1)检查所有阀门是否处于关闭状态。
2)检查所有水路是否开通和水压是否正常。
3)检查柜面板上所有电源是否处于关闭位置。
4)检查电源接地线及整机接地线是否稳妥可靠。
5)打开总电源开关,检查三相指示灯是否全亮,如有一灯不亮,说明有一相未通,应加以排除故障。
6)在面板上按下机械泵开启按钮,启动机械泵。
7)在真空室上打开旁抽角阀,用机械泵对真空室进行抽气。
8)打开热偶计规管,测量系统真空度,有大气压到300Pa到30Pa以下。
9)用机械泵抽气,真空度小于或等于30Pa到13.3Pa之间,即可启动分子泵,用分子泵进行抽气。
(注意:用机械泵抽气,真空度小于或等于13.3Pa时,变成分子流状态,系统会返油,所以一定要控制机械泵抽气时间不能太长)2.极限真空获得:2.1系统接入氦质谱检漏仪,对系统内各条焊缝,各个刀口法兰接口,各个转动密封口,各胶圈密封口,应仔细捡漏。
注意,首先不带气路抽气捡漏,然后将气路打开,带着气路通盘捡漏,漏率小于或等于10-8Pa L/S(此项工作在厂家已经做完)。
2.2确认系统不漏之后,开始内烘烤。
烘烤温度在90~120o C之间,烘烤时间48小时。
2.3用机械泵抽该室的真空度可达小于或等于30Pa到13.3Pa之间,即可启动分子泵。
烘烤期间,分子泵应一直抽气,不能停泵。
2.4如果极限真空上不去,说明系统有漏,就仔细捡漏或用扳手紧一下稍松的法兰(此项指标在出厂前做过多次,没有问题)2.5真空测量:系统从大气开始抽气,只能打开热偶规监测真空度,无论是ZDF5227还是DL-70都不能打开电离规测量。
因为,从大气开始抽气,真空度太低,电离规管灯丝易氧化烧断。
待分子泵启动工作后,系统真空度提高,方可开启电离规,对于ZDF5227,热偶规测得真空度到一定数值后,电离规就自动转换测量。
而对于DL-70不能自动转化测量,待热偶规达0.8~0.5Pa时,可手动电离规按钮,启动电离规工作,测得真空度在10-2Pa。
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项磁控溅射操作流程及注意事项一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。
）检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。
二、放气2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这能够保证进入气流不会太大；2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。
3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。
3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。
3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及当前所对应的靶位。
3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。
4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。
能够从B3－1处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa）。
当真空度小于5Pa能够开始抽高真空。
4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 一般每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。
五、充气5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门5.5 将控制阀扳到“阀控“位置5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后经过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
磁控溅射器安全操作及保养规程
磁控溅射器安全操作及保养规程前言磁控溅射器是现代材料制备技术中常用的设备之一，在制备金属和非金属材料的薄膜时发挥着重要的作用。
然而，磁控溅射器操作过程中蕴含着一定的风险，在使用时需要严格遵循操作规程和注意安全事项。
同时，合理的保养和维护也能延长设备寿命，提高溅射膜的质量和稳定性。
本文将详细介绍磁控溅射器的安全操作和保养规程。
一、安全操作规程1. 设备组成磁控溅射器由溅射室、真空系统、磁场和电源等多个组成部分组成。
在使用设备时，需要熟悉设备的组成和各部分的功能，确保设备正常运行。
2. 安全电源磁控溅射器需要通过高压电源将靶材的离子轰击成溅射物，因此，电源是设备运行中不可或缺的部分。
在使用电源时，需要注意以下安全事项：•在开启或关闭电源时，必须先打开或关闭控制面板上的电源开关，避免触电危险。
•在使用电源时，必须接地，避免因静电引起的设备故障。
•使用电源时，严禁擅自拆卸或改变电路连接方式，避免因电路短路引起火灾等事故。
3. 操作步骤在操作磁控溅射器时，需要遵循以下步骤：1.开启真空泵，将溅射室内的气体排出，使设备处于真空状态。
2.将靶材安装到靶架上，并按照设备要求调整靶材的位置和方向。
3.调节磁场，使其达到溅射要求。
4.开始溅射，控制溅射时间和能量大小。
5.关闭电源，排气后，关闭真空泵。
4. 安全操作注意事项在操作磁控溅射器时，需要注意以下事项：•操作前需要穿戴好防护用具，如手套、眼镜、防护服等。
•靶材不得有严重损坏和缺陷，否则容易引起爆炸事故。
•在生产过程中及操作后，及时清理设备产生的尘粒和污物，以确保设备的正常运行。
•在更换靶材时，需要先切断电源并等待设备完全冷却后再进行操作。
•在设备故障时，应当及时切断电源，并通知专业人士进行检修。
二、保养规程为了确保磁控溅射器的正常运行和延长设备寿命，需要做好设备的保养和维护。
以下是磁控溅射器的保养注意事项：1. 设备保养•定期检查设备各部分的机械传动部件，包括马达、减速器、皮带、链条等，确保传动系统的正常运转。
小型磁控溅射仪安全操作及保养规程
小型磁控溅射仪安全操作及保养规程前言小型磁控溅射仪是一种常见的薄膜沉积设备，广泛应用于材料科学、纳米技术、光电、先进制造等领域。
小型磁控溅射仪虽然具有高效率、高精度、高质量等优点，但仪器操作和保养要求非常高，因此，为了保证设备正常运行和实验人员安全，必须遵守以下规程。
设备操作规程一、前置操作1.实验人员必须接受相关安全操作和保养培训，并经过考核通过后才能操作设备。
2.初次启动设备前，需将空气或氮气通入室内3-5小时，确保环境干燥无水。
3.操作前，要确保仪器安装稳固，各电路接线无误，附属仪器完好，工作空间清洁干燥。
二、开机操作1.按照设备说明书上相关步骤操作，启动设备。
2.首先进入手动状态，依照设备说明书规定的要求，先进入清洗等小功率运行过程。
3.启动旋转磁场，使目标材料均匀分布于附着目标靶面的高速溅射面。
4.启动真空系统，将气压降至设备要求的工作压力范围内。
三、使用过程中操作规程1.仪器内部压力不得超过设备工作要求。
2.在操作过程中，禁止随意拆动、碰触或更改任何设备的部位。
3.禁止在操作过程中使用发热器、火种、吸烟等带火源的操作。
4.禁止在设备内部操作时喧哗、奔跑、打闹等行为。
5.若发现任何设备异常，应立即停止操作，及时通知相关工作人员查明原因并修理处理。
6.完成使用后，按照设备说明书规定安全关机，关闭气源和电源等相关系统。
四、日常保养1.每日、每次操作前，检查设备各部分是否干燥干净，确保设备内部无任何残留物、杂质、水分等。
2.定期对真空泵进行保养和检修，保证泵常处于最佳工作状态保证真空度。
3.定期检查设备中存在明显电线老化或质量上问题并及时处理，保证电路运行正常。
4.每年对设备进行大规模检修，检查并更换磁控控制器、转子、真空计、减震装置、气阀等易损耗附件。
总结小型磁控溅射仪是一台高科技设备，其操作和保养要求非常高，安全操作和保养不仅可以延长设备的使用寿命，提高工作效率，而且能保障实验人员的安全。
磁控溅射设备操作流程
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准备好所需的靶材和基片，并确保其表面干净无污染。
磁控离子溅射仪安全操作及保养规程
磁控离子溅射仪安全操作及保养规程引言磁控离子溅射仪安全操作及保养规程，主要是要确保在使用过程中的相关注意事项和操作方法，以及设备保养维护的规范，能够使设备在使用中能够更加稳定可靠，确保人员人身安全和设备在长期使用中的寿命。
安全操作规程1. 前期准备1.在进行任何操作之前，都必须对设备进行彻底检查，完整记录设备现状和使用史，并在设备征用前进行全面清洗和消毒。
2.设备的电源和空气开关应该处于关闭状态，如需要操作电源，应该保持操作手干燥和穿着防静电手套。
3.佩戴符合操作规定的防护设备，包括焊接面罩、防撞眼镜、防护手套等。
2. 操作规范1.操作者应该熟悉设备的结构原理和相关知识，了解磁控离子溅射仪的工艺流程和操作流程，可制定详细的操作手册并全程尽量保持专注。
2.操作者必须按照设备的操作要求，将设备所有参数进行调整配置，保证磁控离子溅射仪在正常的工作状态下，不会对人员造成直接的伤害和威胁。
3.操作过程中应该经常进行检查，确保设备所有接口、电缆等部分没有任何松动现象，并使用红外测温枪等设备对设备进行测温，确保设备是在正常的温度范围内工作和运行。
4.操作人员必须熟悉设备的常见故障，如发生任何异常警告，应该立刻停机并进行处理，如有必要，可以联系设备厂家或专业工程师协助处理。
3. 关机操作1.关机操作时，应该先关闭离子源和闸门；2.随后关闭气门和电源。
需要注意开关时间间隔，使设备有充足的时间冷却并稳定释放工作气体。
3.关机过程中需要保持操作人员旁边时刻提供支持。
保养规程1. 周期性的维护保养1.对设备进行定期检查；2.维护保养人员需要提前做好维护保养记录和计划，并严格按照计划进行设备的保养维护；3.对设备开口清洗，维护保养人员应该佩戴防护口罩等防护设备，以避免呼吸到有害物质；4.对设备进行清洗，需使用专用清洗剂等清洗设备，以避免使用不当的清洗剂影响设备的性能和寿命。
2. 预防性维护1.精密设备必须由维修人员进行操作和维护；2.所有加工部件均应涂抹防腐液以防止锈蚀和腐蚀的发生；3.维护保养过程中出现故障，应该立刻进行修理和处理，并进行记录报告，以便更好的判断设备的作业性能。
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。
）检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。
二、放气2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；2.3磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大；2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。
3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。
3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。
3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及目前所对应的靶位。
3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。
4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。
可以从B3－1处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa）。
当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）4.6打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 通常每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。
五、充气5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门5.5 将控制阀扳到“阀控“位置5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后通过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
JGP磁控溅射仪操作步骤
JGP –650型双室超高真空多功能磁控溅射系统操作步骤一、开机前的准备工作：1、开动水阀，接通冷水，检查水压是否足够大，水压控制器是否起作用，保证水路畅通。
2、检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关是否处于关闭状态。
3、检查分子泵、机械泵油是否到标注线。
4、检查系统所有的阀门是否全部处于关闭状态，确定磁控溅射室完全处在抽真空前封闭状态。
二、换样品过程：1、先打开真空显示仪，检查溅射室是否处于真空状态，若处于真空状态，首先要放气，室内的大气压与外界的大气压平衡，打开溅射室内的照明灯，看看机械手是否放在靶档板下面，定位锁是否已经抽出时（拔起），才能决定把屏蔽罩升起。
2、按动进步电机升开关，让屏蔽罩缓缓升起，到合适位置为止，当屏蔽罩升到最高位置时，进步电机升开关将不起作用。
3、换样品（靶材）时：松动螺丝，用清洗干净的镊子小心取出靶材，把靶材放到干净的容器内，以防污染；用纱布沾高纯酒精把溅射室清洗干净；放靶材时，一定要让靶材和靶面接触（即靶材必须是一平面，不平者勿用），把靶材放在中心（与靶的边界相距2-3mm.一定要用万用表来测量靶材（正极与靶外壁（负极）要断开，否则将要烧坏；然后把基片放在上面的样品架上（松动螺丝，把基片放在样品架上，然后上紧螺丝）。
把样品架卡在转盘上。
4、按动进步电机降开关，让屏蔽罩缓缓下降，当下降到接近溅射室时，一定要把定位仪贴在屏蔽罩壁上，可以用左手按进步电机降开关，右手推动屏蔽罩使其安全降下来，注意千万不要使溅射室上真空圈损坏，一旦真空圈损坏，整个溅射室就无法抽真空，仪器不能正常工作。
三、抽真空过程1、换好样品后，磁控溅射室、进样室、和分子泵都处于大气状态，插板阀G2应为开启状态，首先按下机械泵开关，机械泵指示灯亮，表明机械泵开始工作。
2、按下电磁阀DF1（是分子泵的排气口），缓慢打开旁抽角阀V5（避免大气压的作用，对仪器有可能损坏），机械泵对磁控溅射室、进样室和分子泵同时进行抽气，打开复合真空计（ZDF-2AK）进行测量。
磁控溅射操作流程
开循环冷却水（仅供参考，具体需根据实际）起降温作用，避免腔体在高温下工作；摁下按钮，两绿灯发亮，表示工作正常。
开电源（左边）相序，循环水两灯亮时，表示供电正常。
依次打开样品转动控制电源。
靶挡板电机控制电源和电脑软件。
开腔体（开V2，开N2（气压计），到大气压，关N2，开腔，关V2）先开V2（与空气相同）使腔内气压与大气压平衡，再摁升腔按钮打开腔体。
这时便可以进行装取靶材和基片。
装完后检查样品与靶位是否正对，以及转盘与靶位是否正对（如果出现偏移，则需关闭软件以及样品转动控制电源和靶挡板电机控制电源的开关，将彼此位置手动调整为正对）关闭V2关腔体摁降腔关闭腔体，注意：此过程中避免发生任何碰撞。
腔体关闭后，确认与电流源A、B、C、D、E对应的靶位是否正确。
第二部分：抽真空进行此步骤前要确保V1、V2、V3、V4、和G都已关闭旁抽:1 打开复合真空计2 摁下机械泵开关3 打开旁抽阀V1，逆时针开两圈，10秒后再开5圈（缓慢打开V1，防止油泵返油，污染腔室，损坏高真空计）4 观察气压，当腔内气压低于5Pa时，可进行主抽。
主抽:1 关V12 开电磁阀：气压示数会增大，当气压计示数变化缓慢时可进行下一步3 启动分子泵（绿灯由闪亮变为常亮，若出现红灯则工作不正常）；屏幕上会依次显示‘▽’，‘▽▽’，‘▽▽’，当出现‘▽▽’时表示分子泵已处于较高速度，出现‘▽▽’表示分子泵已达到最高转速（约49000 rad/min）.4 打开闸板阀G时，要特别注意平衡阀门两侧的气压（若真空计示数超过10Pa，则应该关闭电磁阀，打开V1，使腔内真空度降低，而后关闭V1，打开电磁阀，再打开闸板阀），当两侧气压相差不大时，出现‘▽▽’时即可打开闸板阀，开闸板阀时转到底后回转两圈。
等待约6小时，完成抽真空。
如需升温则进行此步骤：先将加热控温模块调至所需温度，长摁run至相应绿灯亮，再调节电流至合适大小（2A）开始进行升温，升温完成后关闭闸板阀G（）。
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磁控溅射操作流程及注意事项
一、打开冷却水箱电源（）注：水箱电源是设备的总电源。
，水压控制器是否起作
用。
0.1MPa）检查水压是否足够大（二、放气
2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；
2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；
2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大；
2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材
3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。
3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。
3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。
3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及目前所对应的靶位。
3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空
4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；
4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；
4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。
4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。
可以从B3－1处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa）。
当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）
4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DA TA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 通常每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。
五、充气
5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；
5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；
5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧
5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门
5.5 将控制阀扳到“阀控“位置
5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；
5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后通过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
六、溅射
6.1 确认溅射靶位电源已经连接。
6.2 确认定位销已经脱开。
6.3直流溅射
6.3.1 打开电源开关，调节旋钮至电压达到一定值（一般不超过0.3kv），直流可以顺利启辉，此时电流开始有数值。
6.3.2 电压与电流乘积为功率值，可继续调节旋钮到所需溅射功率，但是要小于160W。
6.3.3 直流溅射的关闭：调节旋钮至最小，关闭电源。
6.4 射频溅射
6.4.1打开U预热5分钟f 6.4.2 面板E或F上的量程按钮设定为200/40
6.4.3 打开Ua，并通过粗调与微调Ua，接近设定工艺功率，然后通过匹配调节，即调整面板E或F上的C1和C2，得到所需溅射功率。
匹配的调整规定如下：F为设定功率（小于160W），R要小于1.5或F的8%；对于绝缘材料，在满足F功率的要求下，R要尽量小，且最大不能超过F的15%。
6.4.4 射频溅射的关闭：粗调与微调Ua关到最小→关闭Ua→等待3min→关闭Uf。
注：连续溅射一小时后需暂停溅射，关闭气路，等抽真空30分钟后再重新充气溅射。
七、溅射结束
7.1 关闭气瓶阀门，旋松减压阀至压力示数为0；
7.2 将MFC阀开关置于“关闭”位，并将流量调至零，然后关闭电源开关；
7.3 关闭V6和V4阀门（若是二路进气，V5应和V6同时关闭）；
7.4 打开闸板阀，继续抽真空30分钟后关闭闸板阀；
7.5 关闭分子泵：按下“STOP”键→等待分子泵速下降到H100.0以下→关闭电源。
7.6 关闭电磁阀I与机械泵I。
7.7 等30分钟后，关冷却水电源。
八、其他操作说明
8.1加负偏压
加偏压方法：打开偏压电源，调整偏压为200v即可。
偏压要在开始镀膜之前施加。
8.2基板加热
8.2.1确认热偶回路、加热回路连接正常，完好；
8.2.2 打开加热电源I，设定加热温度，调整电流加热；
8.2.3 结束加热：先将电流调到最小，然后关闭电源。
九、清理工作及离开注意事项
9.1 将所用工具放回原处，整理室内卫生；
9.2 在离开之前，应确认拉闸断电，关闭门窗。
十、紧急情况处理
突然停电后的措施：尽快关闭闸板阀，然后关闭各路气阀，关闭电路按钮开关。
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进样室加热退火操作流程及注意事项
一、打开冷却水箱电源（）注：水箱电源是设备的总电源。
，水压控制器是否起作
用。
）检查水压是否足够大（0.1MPa二、放气
2.1 确认进样室内部温度已经冷却到室温；
2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；
2.3 进样室的放气阀是V8，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大；
2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸样品
3.1 打开进样室门，将样品朝下，送入退火炉内，使样品托的尖端插入圆形槽内，保证样品托与退火炉平行；
3.2 关闭进样室门并锁紧旋钮。
四、抽真空
4.1 确认闸板阀G2、G4已经关闭
4.2 打开B5面板上“机械泵Ⅲ”，再打开气阀V9，开始抽低真空。
4.3 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。
可以从B3－2处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa）。
当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.4 关闭气阀V9，打开B4上“电磁阀Ⅲ”（确认听到响声表示电磁阀已开）；
4.5 打开B7面板的进样室分子泵电源，按下“工作”键，高速/转速指示灯亮，随后分子泵速上升并稳定到704，然后打开闸板阀G3，。
4.6 进样室的高真空度在B3-2面板显示（复合键灯亮，测量值为高真空度），不要一-3Pa4x10，打开后等示数稳定直开着高真空的测量，也不要频繁开关，通常1小时后可达到后再关闭（一般不超过1分钟）
五、加热退火
5.1 确认热偶回路、加热回路连接正常，完好；
5.2 打开对应加热电源，设定加热温度，调整电流加热；
5.3 结束加热：先将电流调到最小，然后关闭电源。
六、结束
6.1 关闭闸板阀；
6.2 关闭分子泵：按下“工作”键→等待分子泵速下降到0→关闭电源；
7.6 关闭电磁阀III与机械泵III；
7.7 等1小时后，关冷却水电源。
七、清理工作及离开注意事项
9.1 将所用工具放回原处，整理室内卫生；
9.2 在离开之前，应确认拉闸断电，关闭门窗。
八、紧急情况处理
突然停电后的措施：尽快关闭闸板阀，关闭电路按钮开关。
．
附：简单操作步骤
一、磁控溅射
1.1准备工作：打开冷却水箱电源→打开V2放气→关闭V2 →打开磁控室装样品与靶材→关闭磁控室
抽真空：开机械泵I →打开V1气阀→至低真空小于5Pa →关闭V11.2气阀→开电磁阀I →开分子泵→至转速大于H100.0 →打开闸板阀G1
充气：打开MFC预热3分钟→稍关闭闸板阀G1 →打开V4 → 1.3打开V6（或V5）→将MFC打到“阀控”→打开气瓶→关紧闸板阀G1 →调节MFC
溅射：打开电源开关 1.4→调节功率至启辉
溅射结束：将功率调至最小 1.5→关闭电源→关闭气瓶→关MFC →关V6（或V5）→关V4 →打开闸板阀G1 →抽真空30分钟→关闭闸板阀→关闭分子泵→关闭电磁阀I →关机械泵I → 30分钟后关冷却水电源
整理工作：整理仪器和卫生→拉闸断电，关闭门窗 1.6
二、进样室退火
2.1准备工作：打开冷却水箱电源→打开V2放气→关闭V2 →打开进样室装样品→关闭进样室
抽真空：开机械泵III →打开V9气阀2.2→至低真空小于5Pa →关闭V9气阀→开电磁阀III →开分子泵→至转速稳定704 →打开闸板阀G3
加热：打开电源→ 2.3设定加热程序→调整电流开始加热
加热结束：将电流调至最小→关闭电源→关闭闸板阀→ 2.4 关闭分子泵→
关闭电磁阀III →关机械泵III →1小时后关冷却水电源
2.5拉闸断电，关闭门窗→整理仪器和卫生整理工作：
温度控制器说明书附：SR93（进样室退火和磁控室基板加热）
（程序）设置：，进入Prog1.打开电源，按GRPstep”调加热温度（℃），按“按“Ent”确认；：Step1（升温曲线）**按“”调升温时间（小时），按“Ent”确认；
Step2（保温曲线）：重复上述步骤
Step3（降温曲线）：重复上述步骤（但一般都随炉冷却，保温时间到后直接关电源即可）
2.设定完程序，退回到初始状态，按“Run”约3秒，绿灯亮，就开始运行
3.缓慢顺时针旋转面板功率调节旋钮，将电流调至4A，停留2分钟后，将电流调至8A（将旋钮再旋1/2圈即可），一般加热到最高温度只需8A电流。
4.关电源时，先调节功率旋钮到底，再关闭电源。
注：为了到温时实际温度与设定温度偏差不要太大，可分两段升温，低温升温速度加快，。
高温升温速度降低。