模拟电子技术试卷及答案
模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)
模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
A、仍为正弦波。
B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。
A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。
A、不定。
B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。
A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。
2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。
5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。
6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。
10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子电路专业技术试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题1一、填空题（每空1分，共32分）1、空穴为（）载流子。
自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。
反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。
11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。
低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。
共基极电路比共射极电路高频特性（）。
14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共34分）1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）A 5vB 9vC 12v2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。
A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）A Uo高B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
模拟电子技术试卷及答案
模拟电子技术试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共 20 分） 一、填空题1.二极管的伏安特性曲线上共分 个工作区； 二极管正常工作在伏安特性曲线的正向导通区，但导通压降最少需在 1.3V 以上； 二极管正常工作在伏安特性曲线的反向截止区； 二极管正常工作在伏安特性曲线的反向击穿区。
2. 型三极管是用基极小电流控制集电极大电流的 控制型器件； 型三极管是用栅源间电压控制漏极大电流的 控制型器件。
3. 放大电路中的负反馈类型分有 负反馈、 负反馈、 负反馈和 负反馈四种。
4. 由运放的理想化条件导出的两个重要概念是 和 ，是运放线性应用电路分析的重要依据；在运放非线性应用电路的分析中， 的概念不再成立， 的概念仍然适用。
5. 实用技术中，串联型直流稳压电路应用较为广泛，它通常由 环节、基准电压、 环节和 四部分组成。
其中 工作在放大状态。
（本题共12小题，每小题1分，共12分）二、 判断正、误题 1. 雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。
（ ） 2. 双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（ ） 3. 本征半导体中掺入五价杂质元素，会生成P 型半导体，其多子是空穴载流子。
（ ） 4. OTL 甲乙类功放采用了单电源供电方式，其输出大电容起负电源的作用。
（ ） 5. 功率放大器中，甲乙类功放的性能最优良，高保真较甲类强，效率较乙类高。
（ ） 6. NPN 型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（ ）7. 不同类型的放大电路，其静态分析的目的也各不相同，但动态分析的目的总是相同的。
（ ） 8. 频率响应引进的失真属于线性失真，放大电路的饱和失真和截止失真则是非线性失真。
（ ） 9. 无论是单门限还是双门限的电压比较器，电路中一定存在正反馈环节。
（ ） 10.并联型稳压电路中的整流环节通常采用整流桥，滤波环节大多采用电感元件。
（ ） 11.有源负载在放大电路中的作用主要用来消除电路中的交越失真。
《模拟电子技术》期末试卷及答案
《模拟电子技术》期末试卷及答案（本题每空1分，共20分）一、填空题：1. 二极管的伏安特性上分有四个区，分别是区、区、区和。
2. 双极型三极管属于控制型器件，单极型三极管属于控制型器件。
3. 理想运放的电路模型中，开环电压放大倍数A O＝，差模输入电阻r i= ，输出电阻r O= ，共模抑制比K CMR= 。
4. 击穿属于碰撞式的击穿，击穿属于场效应式的击穿，这两种击穿均属于击穿，具有互逆性。
5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中，其中组态的放大电路放大能力最强，组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力，组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。
6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。
（本题每小题1分，共10分）二、判断下列说法的正确与错误：1. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会造成永久型损坏。
（）2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。
（）3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。
（）4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。
（）5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。
（）6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。
（）7.设置静态工作点的目的，就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。
（）8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时，该管必须烧损。
（）9. 理想集成运放构成的线性应用电路中，电压增益与其内部参数无关。
（）10.即使是单门限电压比较器，其输出也必定是两种状态。
（）（本题每小题2分，共16分）三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。
A．三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，则该管必工作在（）。
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。
A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。
a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。
A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ） ，则说明引入的是负反馈。
《模拟电子技术》试卷及答案
《模拟电子技术》试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。
（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空16分1．半导体二极管的主要特性是___________ ;2．三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置;3．当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ ;4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈;5．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______;这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真;6．在串联型稳压电路中,引入了——负反馈；为了正常稳压,调整管必须工作在____区域;二、选择正确答案填空24分1．在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是 ;A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示,该管为 ;A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的 ;A．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV;B．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV;C．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV;D．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV;4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 ;A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应 ; A．减小C,减小Ri B．减小C,增大RiC．增大C,减小Ri D．增大C,增大 Ri6．如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为 ;A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和 ; A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是 ;A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路;1．分别指出V1、V2的电路组态；2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3．计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro;12分四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = 10分五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率8分六、分析图示两个电路的级间反馈;回答：12分1．它们是正反馈还是负反馈2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有3．它们属于何种组态4．各自的电压放大倍数大约是多少七、电路如图所示;试回答：1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件2．如不满足,应如何改动使之有可能振荡如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路3．在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少 10分八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V,IZmin = 5 mA,IZmax = 40 mA,变压器二次电压有效值U2 = 20 V,电阻R = 240 W,电容C = 200 μF;求：8分1．整流滤波后的直流电压UIAV 约为多少伏2．当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大模拟试卷二一、填空：18分1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式;2．在三极管多级放大电路中,,总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器;3．单相桥式整流电路中,若输入电压U2 = 30V,则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W,整流二极管IDAV =___A;4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数即传输系数、jF = ;5．在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时,可选用滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用滤波器；有用信号频率为某一固定频率,可选用滤波器;6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为 ;二、选择正确答案填空9分1．图示电路中二极管是理想的,电阻R为6 W;当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时,用黑表笔通常带正电接A点,红表笔通常带负电接B点,则万用表的指示值为 ;a．18 W ； b．9 W ； c．3 W ； d．2 W ； e．0 W ;2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下测得A的输出电压小;这说明A 的 ;a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V;这说明放大电路的输出电阻为 ;a．10 kW ； b．2 kW ； c．1 kW ； d．0.5 kW ;三、判断下列管子的工作状态10分1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示,试判断它们分别工作在什么状态饱和、截止、倒置;设所有的三极管和二极管均为硅管;2．电路如图所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区饱和区、夹断区、可变电阻区;四、图示差分放大电路中,调零电位器RP的动端处在中点位置,已知 b1 = b2 = 50,UBE1 = UBE2 = 0.7 V,其它参数如图所示;1．求静态工作点IB、IC、UCE；2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时,求uO = 12分五、已知集成运放的BWG = 1 MHz,试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率;8分六、图示电路中各运算放大器是理想的,试写出各输出电压Uo的值;10分七、电路如图所示,设满足深度负反馈条件;1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数Auf; 10分八、题图电路为两个三端集成稳压器,已知电流IQ = 5 mA;1．写出图a中的I0的表达式,并算出具体数值；2．写出图b中的Uo的表达式,并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3．指出这两个电路分别具有什么功能;9分九、画出图中各电路的电压传输特性,要求uI的变化幅度足够大,并在图中表明有关数值;设所有集成运放具有理想的特性,所有电源电压为±12 V;12分模拟试卷三一、填空26分1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种;2．图中二极管为理想器件,V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V;3．三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V,则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极,晶体管为__型三极管;4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V,最大稳定电流IZmax = 20 mA;图中电压表中流过的电流忽略不计;当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时,其读数分别为__ 、 __、 ;5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为__dB,折合为__倍;6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ ;7．三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V,而CW7809的输出电压则为___V;一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、已知图示电路中的三极管 b = 60,rbb = 200 W,UBEQ = 0.7 V,RB1 = RB2 = 150 kW,RC = 5.1 kW,Rs = 300 W,Vcc = 12 V;试求：1．静态工作点；2．画出微变等效电路；3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro;12分三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件,试估算闭环电压增益 8分四、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12 V;1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区3．若输入为1 V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大 12分五、电路如图所示;1．正确连接A、B、P、N四点,使之成为RC桥式振荡电路；2．电路的频率f0是多少3．若R1 = 2 kW,求Rf的最小值;12分六、图为一高通有源滤波电路;设A为理想运算放大器,试推导传递函数Uojw/Uijw 的表达式,并求出截止频率fp;8分七、在图示两个电路中,A为理想运算放大器,输出电压的极限值为Uomax; 1．指出这是两个什么类型的电路；2．画出它们的电压传输特性;10分八、在图示电路中,Rf和Cf均为反馈元件,设三极管饱和管压降为0 V;1．为稳定输出电压uO,正确引入负反馈；2．若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf =3．求最大不失真输出电压功率Pomax = 以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少 12分模拟试卷四一、填空20分1．在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V; 2．场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则是___控制型器件;3．某场效应管的转移特性曲线如图所示,由此可知该管是 N或P沟道增强或耗尽型的结型或绝缘栅场效应管,图中UGS = －2 V称为该管的电压;4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：表明其下限频率为____,上限频率为 ,中频的电压增益为__dB,输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ ;5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中,若两个输入电压 DUI1 = DUI2,则输出电压 DUo = ;若 DUI1 = +1500 mV,DUI2 = +500 mV,则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ,差模输入信号分别为 DUId1 = ,DUId2 = ,共模输入信号 DUIc = ;6．设计一个输出功率为20 W的扩音机电路,若用乙类推挽功率放大,则应选至少为 W的功率管两个;二、两级放大电路如图所示,已知三极管 b1 =b2 =50,rbe1 = 1.6 kW,rbe2 = 1.3 kW,各电容的数值都足够大,在中频区可视为短路; 共14分1．试说明V1和V2各组成什么电路组态2．画出中频区的H参数微变等效电路；3．计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；4．计算中频区源电压放大倍数Aus;三、图示电路中的模拟乘法器和运算放大器均为理想器件;10分1．为对运算放大器形成负反馈,应对uI2的极性有何限制2．推导uo与uI1、uI2之间的关系式,指出该电路具有何种运算功能;3．设K = 0.1 V-1,R1 = 10 kW,R2 = 1 kW,uI1与uI2极性相同且绝对值均为10 V,问输出电压uo =四、电路如图所示,设满足深度负反馈条件,电容C1、C2的容抗很小,可以忽略不计;10分1．试判断级间反馈的极性和组态；2．估算其闭环电压放大倍数;五、图示电路为一阶低通有源滤波器;设A为理想运算放大器,试推导该电路的传递函数,并求出通带截止频率fp;8分六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡;如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等,并估算其振荡频率;已知这两个电路中的L = 0.5 mH,C1 = C2 = 40 pF;10分七、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图所示;已知W7805的输出电压为5 V,IQ = 8 mA,晶体管的 b = 50,|UBE| = 0.7 V,电路的输入电压UI = 16 V,求输出电压Uo是多少伏 6分八、在图示电路中,设运算放大器是理想的,电阻R1 = 33 kW,R2 = 50 kW,R3 = 300 kW,R4 = Rf = 100 kW,电容C = 100 mF;试计算下列各值：1．当uI1 = 1 V时,uo1 =2．要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V,uI2应为多大设电容两端的初始电压uc = 0;设t = 0时uI1 = 1 V,uI2 = -2 V,uc = 0 V,求t = 10 s时uo = 12分九、OCL电路如图所示,负载电阻RL = 50 kW,设晶体管的饱和管压降可以忽略;10分1．若输入电压有效值Ui = 12 V,求输出功率Po、电源提供功率PDC以及两管的总管耗PC；2．如果输入信号增加到能提供最大不失真的输出,求最大输出功率Pomax、电源此时提供的功率PDC以及两管的总管耗PC；3．求两管总的最大管耗PCM;模拟试卷五一、填空题20分1．处于放大状态的NPN型晶体管,UB、UC、UE 三个电位之间的关系是___ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_______ ；2．理想运算放大器的开环电压放大倍数为__,输入电阻为___,输出电阻为___；工作在线性区时,运放两个输入端电压___,称做___；流入输入端的电流为___,称做___;3．如果变压器二次即副边电压的有效值为10 V,桥式整流后不滤波的输出电压为___V,经过电容滤波后为___ V,二极管所承受的最大反向电压为______ V; 4．差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO =___；若u I1 = 100 mV,u I 2 = 80 mV则差摸电压uId =___；共摸电压uIc =____;5．某晶体管的极限参数PCM = 200 mW,ICM = 100 mA,UBRCEO = 30 V,若它的工作电压UCE为10 V,则工作电流不得超过___mA；若工作电流IC = 1 mA,则工作电压不得超过________ V;6．某放大电路的电压增益为80 dB,相当电压放大倍数为______ 倍;7．产生正弦波振荡的幅值平衡条件是________,相位平衡条件是___ ;二、选择题7分1．工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在 ;a．开环或正反馈状态 b．深度负反馈状态 c．放大状态 d．线性工作状态2．某电路有用信号频率为2 kHz, 可选用 ;a．低通滤波器 b．高通滤波器 c．带通滤波器 d．带阻滤波器3．某传感器产生的是电压信号几乎不能提供电流,经过放大后希望输出电压与信号成正比,电路形式应选 ;a．电流串联负反馈 b．电流并联负反馈 c．电压串联负反馈 d．电压并联负反馈4．与甲类功率放大方式相比,OCL互补对称功放的主要优点是 ;a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真5．集成运放的输入级采用差分电路是因为可以 ;a．增大放大倍数 b．减小温漂 c．提高输入电阻6．稳压二极管稳压时,其工作在 ,发光二极管发光时,其工作在 ;a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区三、放大电路如下图所示,已知：VCC = 12 V,RB1 = 120 kW,RB2 = 39 kW,RC = 3.9 kW,RE = 2.1 kW,RL = 3.9 kW,rbb = 200 W,电流放大系数 b = 50,电路中电容容量足够大,要求：1．求静态值IBQ,ICQ 和UCEQ 设UBEQ = 0.6 V ；2．画出放大电路的微变等效电路；3．求电压放大倍数Au,源电压放大倍数Aus,输入电阻Ri,输出电阻Ro ;4．去掉旁路电容CE,求电压放大倍数Au ,输入电阻Ri ; 14分四、设图中A为理想运放,请求出各电路的输出电压值;12分五、题图四个中间级电路,假设各电路都设置有合适的静态工作点图中未画出;12分1．指出其级间反馈的极性,若为负反馈说明组态；2．写出其中的负反馈电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数表示式;六、同学们在实验中用集成运放组成了四个LC正弦波振荡电路,请说出每个振荡电路的类型,并判断它们是否都能振荡起来 6分七、题图电路,A1,A2为理想运放;1．说明电路由哪些基本单元电路组成；2．画出u0与u01的电压传输特性曲线；3．设t = 0时,uc0 = 0,u0 = 12 V,现接入uI = -10 V,经过多长时间u0 翻转到 -12 V4．若uI 输入如图所示的矩形波,请画出u01和u0的波形; 14分八、题图为由三端集成稳压器W7805构成的直流稳压电路;已知IQ = 9 mA,电路的输入电压为16 V,求电路的输出电压UO = 5分九、图示电路中,输入信号是正弦电压,V1,V2管的饱和压降可以忽略,且静态电流很小,VCC = VEE = 15 V,RL = 8 W;1．请说明该功放电路的类型；2．负载上可能得到的最大输出功率；3．每个管子的最大管耗PCM为多少电路的最大效率是多大 10分模拟试卷一答案一、填空16分1．单向导电性;2．正向、反向；正向、正向;3．0.707、3dB、±45°;4．交流串联负反馈、交流电压负反馈;5．0、0、78.5%、交越;6．电压串联负反馈,放大;二、24分1．A 2．D 3．C 4．C 5．D 6．A 7．D 8．A三、12分1．V1组成共射放大电路,V2组成共集电极放大电路；2．图略；3．四、10分五、8分电压放大倍数：Au0 = Auf = 1 + Rf/R1 = 1 + 16/5.1 = 4.14 下限频率：fL = 1/2pRC = 40.8 Hz六、12分图a：负反馈,交、直流反馈兼有,电压并联组态,；图b：负反馈,交、直流反馈兼有,电压串联组态,;七、10分1．满足相位平衡条件；2．电容三点式正弦波振荡电路；3．八、8分1．U IAV " 24 V;2．故求得100 W ￡ RL ￡ 133 W ;模拟试卷二答案一、填空18分1．直接、变压器;2．-200,共基极,共发射极,共集电极;3．27 V,0.135 A;4．RC串并联、1/3、0°;5．低通,高通,带阻,带通;6．2p,p,大于 p 小于2p;二、9分a、b、c ;三、10分1．V1截止,V2倒置,V3饱和；2．V4工作在饱和区放大区,V5工作在可变电阻区;四、13分1．, , UCE1 = UC - UE = 8.7 V；2．图略；3．,, uo = -548 mV;五、8分fL = 1/2pR1C1 = 79.5 Hz , fH = BWG/Auf = 20 kHz ;六、10分a Uo = 0.45 V；b Uo = 0.15 V;七、10分1．a为电压并联负反馈,b为电流串联负反馈；2．八、10分1．IO = U23 / R + IQ " 1 A ；2．UO = U231 + R2 / R1 + IQR2 " 10 V ；3．a 为恒流源电路,b 为可调的稳压电源;九、12分模拟试卷三答案一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、12分1．IB = 18.5 mA,IC = 1.11 mA,UCE = 6.25 V；2．图略；3．,Ri = 1.58 kW, Ro = 4.9 kW;三、8分电压串联负反馈； ;四、12分1．A1组成反相比例电路,A2组成单值比较器,A3组成电压跟随器；2．A1和A3工作在线性区,A2工作在非线性区；3．uO1 = -10 V,uO2 = 12 V,uO3 = 6 V;五、12分1．A与P、B与N分别相连；2．；3．Rf > 4 kW;六、8分七、10分1．图a为反相迟滞比较器,图b为同相比例运算电路;2．见图：八、12分1．电压串联负反馈；2．, Rf = 90 kW；3．,最大输出时Uom = VCC = AufUim,Uim = 1.5V;模拟试卷四答案一、填空20分1．0.5 V,0.7 V；0.1 V,0.2 V;2．电压,电流;3．P,增强,绝缘栅,开启电压;4．10 Hz,106 Hz,60 dB,-180°;5．0,1 000 mV,500 mV,-500 mV,1 000 mV;6．4 W;二、14分1．V1组成共射电路；V2组成共集电极电路2．图略;3．4． ,Au2 " 1,Au = Au1Au2 " -27.5,;三、10分1．要求uI2 > 0,即为正极性;2．u o = KuI2 uo,且,故得到该电路具有除法运算功能;3．uo = -1 V;四、10分1．电压并联负反馈；2． ;五、8分六、10分图a不能振荡;图b可能振荡,为电容三点式正弦波振荡电路;振荡频率为七、6分答Uo ＝9 V也算正确;八、12分1．u o1 = 3 V；2．令,得uI2 = -1 V；3．;九、10分1．PC = PDC - PO " 32 W ；2．PC = PDC - POmax " 22 W ；3．PCM = 0.4POmax " 31.2 W ;模拟试卷五答案一、填空题20分1．UC > UB > UE ；UB> UC > UE 或UB > UC、UB > UE ;2．∞,∞,0；相等,虚短；零,虚断;3．9 V,12 V,14.1 V;4．0,20 mV,90 mV;5．20 mA；30 V;6．104 ;7．AF = 1,j A + jF = 2np ;二、选择题7分1．a； 2．c； 3．c； 4．c； 5．b； 6．c,a三、14分四、12分U01 = 6 V, U02 = 6 V, U03 = 4 V, U04 = 10 V, U05 = 2 V, U06 = 2 V;五、10分1．a 电压串联负反馈； b 正反馈； c 电流并联负反馈； d 正反馈;2．六、6分a能振荡,为电感三点式；b不能振荡;七、14分1．由积分电路和具有滞回特性的电压比较器组成； 2．传输特性曲线;3．∴ t = 20 mV; 4．波形八、5分九、10分1．OCL；2．；3．PCM = 0.2Pmax = 2.8 W, hmax = 78.5%;。
模拟电子技术试卷及答案
模拟电子技术测验试卷一一、填空题：将正确的答案填入空格中。
（本大题分15小题，每小题2分，共30分）1、在P型半导体中，__________是多数载流子，__________是少数载流子。
2、下图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V，则二极管处于__________状态，电流I D=__________。
3、振荡器的振幅平衡条件为__________，而起振时，则要求__________。
4、两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT复合，其复合管的β值约为__________。
5、一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真。
6、在低频段，当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时，所对应的频率称为下限频率。
7、 放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为____________________。
8、 理想运算放大器的差模输入电阻等于__________，开环增益等于__________。
9、 差动放大电路的共模抑制比定义为______________________（用文字或数学式子描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。
10、 单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等于__________。
11、 如下图(a)所示电路的输入v i 为正弦交流电压，其输出v o 的波形如下图(b)所示，则可知功放管__________工作不正常。
v o v i(a)t(b)12、 下图所示放大电路中引入的反馈组态是____________________。
该反馈能稳定电路的输出电__________。
13、 根据相位平衡条件判断下图所示电路是否可能振荡，答：__________。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷——2024年整理
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.（共60题,共150分）1.理想的功率放大电路应工作于()状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案：C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案：A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案：B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是()。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案：C5.为了提高电压放大倍数，希望放大电路的()大一些。
（2分）A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案：D6.当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将()漂移电流。
此时，耗尽层的宽度将()。
（2分）A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案：C7.差动放大电路的特点是抑制()信号，放大()信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。
（2分）A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案：A9.直流电源滤波的主要目的是：()。
（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了，则输出()。
（2分）A.只有半周波形B.全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
（2分）★检查答案标准答案：1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
专升本《模拟电子技术》-试卷-答案
专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。
（2分）A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性标准答案：C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。
（2分）A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区标准答案：B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
（2分）A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态标准答案：D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。
（2分）A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻标准答案：C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。
（2分）A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大标准答案：A6. 半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
（2分）A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动标准答案：A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补标准答案：C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区标准答案：A9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻标准答案：C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模标准答案：B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（2分） ( ) 标准答案：正确12. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
模拟电子技术试题及答案(共18套)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
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模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。
A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1 、rbe1，V2的b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
1．分别指出V1、V2的电路组态；2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(12分)四、图示运算放大电路中，已知u1 = 10 mV，u2 = 30 mV，求uO = ？(10分)五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)六、分析图示两个电路的级间反馈。
回答：(12分) 1．它们是正反馈还是负反馈？2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？3．它们属于何种组态？4．各自的电压放大倍数大约是多少？七、电路如图所示。
试回答：1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？2．如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？3．在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10分)八、电路如图所示，已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240 W，电容C = 200 μF。
求：(8分)1．整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏？2．当电网电压在±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？模拟试卷二一、填空：(18分)1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用__耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用____耦合方式。
2．在三极管多级放大电路中，，总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器。
3．单相桥式整流电路中，若输入电压U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) =___A。
4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。
时，可选用? 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用滤波器。
6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为。
二、选择正确答案填空(9分)1．图示电路中二极管是理想的，电阻R为6 W。
当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时，用黑表笔(通常带正电)接A点，红表笔(通常带负电)接B点，则万用表的指示值为。
a．18 W ； b．9 W ； c．3 W ； d．2 W ； e．0 W 。
2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V，接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V。
这说明放大电路的输出电阻为。
a．10 kW ； b．2 kW ； c．1 kW ； d．0.5 kW 。
三、判断下列管子的工作状态(10分)1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。
设所有的三极管和二极管均为硅管。
2．电路如图所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。
四、图示差分放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置，已知 b1 = b2 = 50，UBE1 = UBE2 = 0.7 V，其它参数如图所示。
1．求静态工作点(IB、IC、UCE)；2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时，求uO = ？(12分)五、已知集成运放的BWG = 1 MHz，试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率。
(8分)六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各输出电压Uo的值。
(10分)七、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数Auf。
(10分)八、题图电路为两个三端集成稳压器，已知电流IQ = 5 mA。
1．写出图(a)中的I0的表达式，并算出具体数值；2．写出图(b)中的Uo的表达式，并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3．指出这两个电路分别具有什么功能。
(9分)九、画出图中各电路的电压传输特性，要求uI的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。
设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为±12 V。
(12分)模拟试卷三一、填空(26分)1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种。
2．图中二极管为理想器件，V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V。
3．三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极，晶体管为__型三极管。
4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V，最大稳定电流IZmax = 20 mA。
图中电压表中流过的电流忽略不计。
当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时，其读数分别为__ 、 __、。
5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，则其总电压增益为__dB，折合为__倍。
6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE，使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ 。
二、已知图示电路中的三极管 b = 60，rbb￠ = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。
试求：1．静态工作点；2．画出微变等效电路；3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro。
(12分)三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件，试估算闭环电压增益 (8分)四、在图示电路中，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12 V。
1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路？2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？3．若输入为1 V的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？(12分)五、电路如图所示。
1．正确连接A、B、P、N四点，使之成为RC桥式振荡电路；2．电路的频率f0是多少？3．若R1 = 2 kW，求Rf的最小值。
(12分)六、图为一高通有源滤波电路。
设A为理想运算放大器，试推导传递函数Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式，并求出截止频率fp。
(8分)七、在图示两个电路中，A为理想运算放大器，输出电压的极限值为Uomax。
2．画出它们的电压传输特性。
(10分)八、在图示电路中，Rf和Cf均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0 V。
1．为稳定输出电压uO，正确引入负反馈；2．若使闭环电压增益Auf = 10，确定Rf = ？3．求最大不失真输出电压功率Pomax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？(12分)模拟试卷四一、填空(20分)1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为__V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V。
2．场效应管属于__控制型器件，而晶体三极管则是___控制型器件。
型或绝缘栅)场效应管，图中UGS = －2 V称为该管的电压。
4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：表明其下限频率为____，上限频率为，中频的电压增益为__dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ 。
5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压 DUI1 = DUI2，则输出电压 DUo = 。
若 DUI1 = +1500 mV，DUI2 = +500 mV，则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ，差模输入信号分别为 DUId1 = ，DUId2 = ，共模输入信号 DUIc = 。