正激式高频变压器的设计
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电子报/2007年/8月/5日/第012版
资料
正激式高频变压器的设计
成都立新
由于高频变压器在开关电源中已被广泛的使用,所以,高频变压器的设计是一重要课题。
按照高频变压器的工作方式,可分为正激式和反激式两种。高频变压器工作时是利用一电子开关的高速通断,从而使变压器进行能量传输。当电子开关导通时,变压器进行能量传输,称为正激式;反之,即电子开关截止时,变压器进行能量传输,称为反激式。
这里,笔者介绍正激式高频变压器的设计方法,如图1所示。该变压器一般设计的使用功率为50~500W。图1中已标明变压器T各绕组安装时规定的同名端,以便以下分析。
当功率开关管M1接通时(给M1栅极上外加脉冲开关信号,在变压器T的主绕组N1中有电流通过),其自感电动势a点为+,b点为-,这样在变压器的N1中就储存了磁能。该能量传输到次级绕组N2上(e点为+,f点为-),使二极管D2正向偏置,有电流通过D2、电感L和负载RL。而此时D3是处于反向偏置,所以无电流通过D3。
当功率开关M1截止时(M1栅极开关信号为“0”电平),变压器T所有绕组以及L的感应电压都反向,D2也处于反向偏置状态。由于电感器L的电流不能突变,D3(是续流管)导通,负载RL仍有电流通过。此时,次级绕组中无电流通过。由此可见,变压器T从初级到次级的能量传输是在开关M1导通时完成的,这一过程通常称为正激式变换(反之,若上述的能量传输是在M1截止时完成,称为反激式变换,这里不讨论)。
在上述的变压器T正激式变换中,为了避免变压器T或电感器L产生饱和,要求开关管M1导通时的电压与时间的乘积(U×T)应等于M1截止时的反向电压与时间的乘积。为此,设定M1时间为T ON,T初级绕组电压设为Uin (初级绕组电流由N1的a流到b),由此时的电压×时间:Uin×Ton……(1)。
然而,当电子开关M1截止时,没有电流流过变压器T,结果是电压与时间的乘积就会不平衡,这种不平衡将导致变压器T饱和。为了解决变压器可能饱和的问题,在变压器T中增加了第三绕组N3和一只快恢复二极管D1。抗饱和的工作原理是当M1瞬时截止时,第三绕组N3的感应电压。c~d反向,此时c点为正,d点为负,且其感应电压高于Uin,因此D1开始导通,这就平衡了铁芯的电压和时间的乘积,这一过程称为铁芯的去磁或复位。
设N1、N2、N3分别是初级绕组、次级绕组和第三绕组的匝数,再设M1导通时,次级绕组的感应电压为:
N2/N1×Uin (2)
若M1截止时,次级绕组的感应电压为:
-Uin×N2/N3 (3)
关于高频变压器正向激励时的脉冲波形占空比的问题,为了保证高频变压器传送能量时的高效率和避免变压器铁芯的饱和,要求脉冲的占空比略高于50%为好。
根据公式(1),铁芯复位的电压×时间
=Uin×N2/N3×Tr (4)
式中的Tr是铁芯复位所需的时间。
按照以上要求,应有以下方程成立:
Uin×Ton=Uin×N1/N3×Tr
则Tr=(Uin×Ton)/(Uin×N1/N3) (5)
由方程(5)看出,在设计变压器T时,如果选用绕组时,设定N1=N3,则工作变压器T 的脉冲占空比接近50%。为了降低铁芯的复位时间,可以减少方程(5)中的恢复时间Tr,如图2的初级电流Ir、开关电压Usw和电感电流I L之间关联的波形图所示。为此在设计变压器绕组时,可提高绕组N1/N3的比值,即减少N3的匝数,若设定I f x=N1/N3=1.5,则Tr=Ton/1.5=0.66Ton (6)
此时的占空比:
ηmax=Ton/(Ton+0.66Ton)×100=60% (7)
(7)式说明,工作变压器的占空比略高于50%时,开关电压的最大值就受到限制。在电路中,如果选择额定电压较高的MOS型场效应管,就能满足上述占空比的选择。
1.变压器铁芯面积(Ae)的设计
根据法拉第电磁感应定律
UT ON=NAeΔB
Ae=VT ON/NΔB,式中N为变压器绕组匝数,B为铁芯磁通密变(webe──韦帕)。
按定义导得Ton=Dmax/f s其中f s为变压器的工作频率(Hz), Dmax为选择的最大占空比。
将此式代入上式化简得
Ae=(U in、min×D max)/(Np×ΔB×f s) (8)
再计算平均值输入直流(DC)电流:
I in.dc=P in/U in.min=P o/(U in.min×η) (9)
计算输入有效值(rms)电流:
计算电流强度:
N p×a p=A W×K W
主绕组安匝数:
N p×I in.rms=J×A W×K W
铁芯面积乘积:
A C A W=(P o(D max)3/2)/(K W×J×η×ΔB×fs) (13)
式中:Ae代表铁芯横截面积(m2)
Aw代表铁芯口总面积(m2)
Po代表输出功率
n代表变压器效率
2.变压器绕组设计
N p>(U in、min×D max)/(Ae×ΔB×fs)
匝数比(N)=N p/N s
=((I in.rms-Uds.sat)×D max)/(U o+U d)
N s=N p/N
等式中Uds.sat代表MOSFET场效应管导通时的饱和压降,其值与所选场效应管型号有关,与导通电阻Rds、on和通过MOSFET导通电流有关。
铁芯截面参见表1,导线选择参见表2。