火工品第十一章先进火工品技术a
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
桥尺寸/ μm 发火能 5分钟不 静电试验 作用时 量/mJ 发火电流 /25kV 间/ μs /A
热桥丝推冲器
Φ48×100 0
32.6
1.1
通过
3400
半导体桥推冲 器1
半导体桥推冲 器2 半导体桥推冲 器3
100×380 ×2
2.72
1.39
1.3 1.0
通过
通过 通过
60
100 150
47×140× 0.45 2 23×67×2 0.23
② 前两个主要取决于激光器和光纤的制造水平，因 此，在设计系统时，重点考虑后两种损耗对激光 点火性能的影响。
3. 光纤直径对点火特性的影响 光纤直径 点火阈值 能量密度 点火时间 /μm /mJ /J.cm-2 /ms 100 19.40 247.13 26.03 200
400 600
偏差/ms
3.54
（3）MEMS火工品制造技术
I. 体硅工艺
UV
甩胶
光刻
显影
刻蚀
基片 光刻胶
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
（3）MEMS火工品制造技术
II. 牺牲层工艺
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
配比对B/KNO3感度和点火时间的影响
（b） B/KNO3装药粒度和压药压力设计 配比=33:67 压药压力/MPa 粒度/μm 阈值功率/W 点火时间/ms 12.5 20 0.46 3.7 3.4 37.7 20 11.5 100 20 0.29 3.6
（c）其它点火药的激光点火特性
药剂
C/S/KNO3 Pb2[Fe(CN)4]/KClO
（5）SCB火工品介绍 ① 点火装置
1－下半壶形铁芯；2－50匝初级线圈；3－半导体桥； 4－聚酰亚胺薄片包覆1匝次级线圈； 5－上半壶形铁芯；6－药柱 导弹点火器 通过线圈将导弹上的高压变低压，而引燃点火药
② 起爆装置
装药为氮化铅、泰 安，药量30~80mg
1-电容器 2-耐蚀管壳 3-输出开关 4-盖片 5-炸药 6-SCB 7-微 电子代码模块 8-光电代码发火信号 9-接地 10-输入电源
+
微机械 系统
+
微电子 电路
=
MEMS 火工品
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
（2）MEMS火工品特点：
高可靠性 高精度 微型化
批量化
特点
集成化
低成本
多功能化
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
③ 对激光点火器而言，裕度系数为2时就能可靠发火。
④ 对系统而言，需考虑光纤损耗、接头损耗、耦合 损耗对点火器的作用裕度后，才能得到系统作用 可靠的激光能量。经折算，激光器功率约为点火 器点火阈值的10倍时，激光点火系统才保证可靠 作用。
5. 激光点火与桥丝点火性能的比较 药剂
激光点火 时间/ms
先进火工品技术
王 茜
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
1. 火工品总体发展趋势
常规火工品 结构复杂 先进火工品
结构简化
灵巧微小 功能多样
体积较大 功能单一
智能化 一体化
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
重掺杂多 晶硅层
铝膜层
硅基底
SiO2绝缘层
SCB制造工艺流程图
（3）半导体桥火工品基本特点
① ② ③ ④ 安全电流高 桥材料的负温度系数，有利于降低发火能量 桥热容小，有利于降低发火能量 瞬发度高
几类电雷管的发火性能对比表 常规桥丝雷 管 发火能量 /mJ 瞬发度/μs 安全指标 10 10～100 <1A1W 钝感桥丝雷 管 10 10～1000 1A1W 金属膜桥雷 管 10 10～100 1A1W 半导体桥雷 管 1 10～100 >1A1W
发火能量~3mJ
多晶硅桥膜
新型SCB桥（光电半导体桥火工系统---光起爆电发火系统） 作用原理： 火工品内部的微型电路和光电转换装置，将来自光纤的光 能转换成电能，利用半导体桥使药剂点火。 优点： 系统的每一个动作都可以有独立的保险/解除保险装置； 系统具有钝感化、质量轻等特点；能控制多个有次序事件的
2
初始条件：t=0,T=T0(x>0) 边界条件：x=0， T / x 0 （t>0） 式中：I-炸药表面处激光束能量密度； α-炸药对激光的吸收系数。
（5）激光点火/起爆系统的组成
聚焦透镜 光纤耦 合器 激光点火/起爆器
激光器
驱动电源
来自百度文库
保险与解除 保险装置
（6）激光点火器类型
1 2 3
1
42.98
105.72 235.86
136.88
84.17 83.42
25.58
34.49 32.72
3.35
4.67 4.74
激光器：1.06μm钕玻璃激光器，脉宽2.4ms
4. 激光点火系统可靠性裕度确定
① 激光点火系统的可靠性大于0.999 ② 根据国外的经验，高可靠性下的刺激量的确定是 通过裕度系数来保证的。
典型的激光点火曲线
（3）激光点火过程的三阶段
①
含能材料吸收入射激光能量，因为光热效应，药剂表 面被加热；
②
含能材料因为被加热，发生凝聚相化学反应，温度继 续升高；
③
不仅药剂表面发生凝聚相化学反应，而且表面上方也 存在气相化学反应，这一阶段认为点火已经发生。
（4）激光点火过程中的热平衡方程
T T E c 2 QZe RT Iex t x
（6）SCB火工品的发展趋势
一是降低制造成本；
二是钝感化； 三是小型化，满足现代小型引信的发展要求； 四是安全、精确。
SCB 半导体桥膜技术 RSCB 可反应半导体桥膜技术 发火能量~3mJ 多晶硅-多层金属桥膜 （W-Si，W-Ti-Si） McSCB 芯片级半导体桥膜技术 发火能量>3mJ 集成静电、电磁旁路 （集成齐纳二极管旁路）
阈值分别为0.32W和0.67W。
③ 如果点火时间小于激光的脉宽，则脉宽的大小对点火时间 没有影响；反之，则脉宽长，点火时间短。
2. 能量损耗对激光点火系统的影响
① 对于用光纤传输能量的激光点火系统来说，能量 的损耗主要有：激光器－光纤耦合损耗、光纤传 输损耗、光纤－光纤耦合损耗、光纤输出端面质
量造成的损耗等。
4.典型 MEMS火工品
IV. 微型火箭（Micro Rocket） 特 点
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
12.1 激光点火
（1）选择用光纤传输的激光作为点火能源的理由
① 光不受电磁波的影响 ② 光纤传输与电绝缘 ③ 结构简单 ④ 系统质量轻
⑤ 排除桥腐蚀失效
⑥ 后电阻效应
（2）激光点火原理
当激光作用于药剂表面时，一部分能量被 反射，另一部分能量入射到药剂表面，并在极 薄的表面药层内被吸收，这种吸收和反射主要 取决于药剂的光学性质。由于光热效应，药剂 所吸收的激光能量转化为热量，使其表面温度 上升，发生热分解，甚至出现不可逆的燃烧化 学反应。
1 4 2
3
3
(a)插入式耦合 1－点火药
(b)接触式耦合 2－壳体 3－光纤
(c)间接式耦合 4－透窗
（7）光纤类型
阶跃光纤：纤芯的 折射率是常数
梯度光纤：纤芯折射率由轴 心沿径向逐渐减小 自聚焦特点
（8）激光与含能材料作用类型
药剂 羽焰 激光束
激光直接辐射含能材料的原理示意图
药剂 透窗
羽焰
4
压力 /MPa
70 45 80
激光点火 感度/W
0.086 0.282 0.27
点火时间 /ms
5.47 0.42 1.84
Zr/KClO4
（10）激光点火系统参数对点火特性的影响
1. 激光功率、波长和脉宽（激光参数）对点火特性的影响
① 功率大，表示单位时间内激光器传递给药剂的能量多，药
剂表面得热速率较大。因此，可以缩短点火时间。但是随 着功率增大，存在一个最小值。 ② 药剂对激光能量的吸收具有波长选择性。对B/KNO3点火 药，分别用808nm和980nm的激光进行试验，对应的功率
Pb2[Fe(CN)4]/KClO Ti/ KClO4
4
B/KNO3
2.8
B/BaCrO
0.42
1.2
38
桥丝点火 时间/ms
4.16
4.16
31.2
20
二极管激光器
12.2 激光起爆技术
（1）高能炸药的激光起爆方式
① ② ③ 激光直接与高能炸药作用（与桥丝式电雷管在作用相 似）； 激光通过炸药表面的薄金属膜的快速加热而作用（与
密封强度、窗口材料的热导率、窗口与壳体之间的
热膨胀关系等。蓝宝石、P玻璃 ② 激光飞片雷管原理及设计
12.3 半导体桥火工品技术
（1）SCB火工品的作用机理
硅的电阻率与掺杂浓度和温度的关系
通电 SCB 桥升温
微对流传热
桥熔化
桥汽化
药剂发火
等离子体形成并持续
（2）半导体桥的结构和制造工艺
桥
硅基底
装药设计包括：配比、压药压力、粒度及掺 杂等。
（a）B/KNO3配比设计
压力/MPa 100 100 100 100 配比/W% 24:76 33:67 43:57 33:67 3%碳黑 掺杂/W% 功率阈 值/W 0.19 0.21 0.25 0.16 激光点火 时间/ms 6.8 3.6 4.4 2.5 桥丝点火 时间/ms 28 15.3 15.6
激光束
激光间接辐射含能材料的原理示意图
透窗
金属膜
激光束
烧蚀羽焰 （等离子体）
激光束烧蚀镀在透窗表面上的金属膜原理图
（9）激光点火器设计
1.激光点火器结构设计
三种结构的优缺点
2.激光点火器装药设计
美军标MIL－STD－1901中B/KNO3 是直列
式点火系统唯一的许用点火药，因此激光点火
器装药首选B/KNO3 。
EBW式电雷管作用相似）；
激光通过烧蚀一金属箔产生一高速飞片撞击高能炸药 而作用（与EFI式电雷管作用相似）。
激光起爆系统组成：激光器、光纤、激光雷管
① 激光直接起爆炸药技术 a) 实施途径： 一是用激光点燃起爆药完成爆燃转爆轰(不采用)； 二是采用全猛炸药的爆燃转爆轰结构 b) 关键：窗口材料选择及密封工艺 窗口材料的选择基于：材料的折射指数、雷管所需
灵巧SCB雷管
1-触发电路 2-电子开关 3-SCB 4-绝缘塑料飞片 5-圆筒 6-炸药 7-输入电路 8-飞片装置 SCB冲击片雷管原理图
③
动力源装置
1、5-密封盘 2-挡板 3-发射药柱 4-波纹弹垫 6-点火药柱
7-电极塞 8-外壳
半导体桥推冲器 用于精确制导导弹弹道末端修正弹道
④
装药为TiH1.65 /KClO4时，桥丝式和半导体桥推冲器性 能对比
2. 先进火工技术
MEMS火工技术 激光点火技术 激光起爆技术 半导体（SCB）桥 爆炸网络 国内外现阶段 研究最多
直列式火工品
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
3. MEMS火工品技术
（1） MEMS（Micro Electro-Mechanical Systems， 微机电系统） 采用微细加工技术和微装药技术将多个含能单元、 微机械系统和微电子电路集成为具有多功能的含能模 块或含能芯片。 含能 单元
（4）半导体桥火工品设计
① 半导体桥设计 桥电阻1Ω，高掺杂7×1019个原子/厘米3，电阻率约为 7.6×10－4Ω·cm 厚度：2μm，L/W＝1:3.8 电阻为1欧姆 典型尺寸为100 μm×380 μm×2 μm
(a)
(b)
（ C）
(d)
②
半导体桥芯片加工工艺和封装结构设计
（1）半导体桥芯片加工工艺 （2）半导体桥封装结构设计 陶瓷封装，SCB芯片放在陶瓷塞的凹槽内， 采用多股焊丝用超声波焊接。
4.典型 MEMS火工品
II. 微推进芯片(Micro Thruster Chip)
MEMS体工艺
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
4.典型 MEMS火工品
III. 微型引信（Micro Fuse）
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
（3）MEMS火工品制造技术
III. LIGA工艺
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
4.典型 MEMS火工品
I. 含能桥箔(Energetic Bridge)
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
热桥丝推冲器
Φ48×100 0
32.6
1.1
通过
3400
半导体桥推冲 器1
半导体桥推冲 器2 半导体桥推冲 器3
100×380 ×2
2.72
1.39
1.3 1.0
通过
通过 通过
60
100 150
47×140× 0.45 2 23×67×2 0.23
② 前两个主要取决于激光器和光纤的制造水平，因 此，在设计系统时，重点考虑后两种损耗对激光 点火性能的影响。
3. 光纤直径对点火特性的影响 光纤直径 点火阈值 能量密度 点火时间 /μm /mJ /J.cm-2 /ms 100 19.40 247.13 26.03 200
400 600
偏差/ms
3.54
（3）MEMS火工品制造技术
I. 体硅工艺
UV
甩胶
光刻
显影
刻蚀
基片 光刻胶
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
（3）MEMS火工品制造技术
II. 牺牲层工艺
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
配比对B/KNO3感度和点火时间的影响
（b） B/KNO3装药粒度和压药压力设计 配比=33:67 压药压力/MPa 粒度/μm 阈值功率/W 点火时间/ms 12.5 20 0.46 3.7 3.4 37.7 20 11.5 100 20 0.29 3.6
（c）其它点火药的激光点火特性
药剂
C/S/KNO3 Pb2[Fe(CN)4]/KClO
（5）SCB火工品介绍 ① 点火装置
1－下半壶形铁芯；2－50匝初级线圈；3－半导体桥； 4－聚酰亚胺薄片包覆1匝次级线圈； 5－上半壶形铁芯；6－药柱 导弹点火器 通过线圈将导弹上的高压变低压，而引燃点火药
② 起爆装置
装药为氮化铅、泰 安，药量30~80mg
1-电容器 2-耐蚀管壳 3-输出开关 4-盖片 5-炸药 6-SCB 7-微 电子代码模块 8-光电代码发火信号 9-接地 10-输入电源
+
微机械 系统
+
微电子 电路
=
MEMS 火工品
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
（2）MEMS火工品特点：
高可靠性 高精度 微型化
批量化
特点
集成化
低成本
多功能化
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
③ 对激光点火器而言，裕度系数为2时就能可靠发火。
④ 对系统而言，需考虑光纤损耗、接头损耗、耦合 损耗对点火器的作用裕度后，才能得到系统作用 可靠的激光能量。经折算，激光器功率约为点火 器点火阈值的10倍时，激光点火系统才保证可靠 作用。
5. 激光点火与桥丝点火性能的比较 药剂
激光点火 时间/ms
先进火工品技术
王 茜
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
1. 火工品总体发展趋势
常规火工品 结构复杂 先进火工品
结构简化
灵巧微小 功能多样
体积较大 功能单一
智能化 一体化
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
重掺杂多 晶硅层
铝膜层
硅基底
SiO2绝缘层
SCB制造工艺流程图
（3）半导体桥火工品基本特点
① ② ③ ④ 安全电流高 桥材料的负温度系数，有利于降低发火能量 桥热容小，有利于降低发火能量 瞬发度高
几类电雷管的发火性能对比表 常规桥丝雷 管 发火能量 /mJ 瞬发度/μs 安全指标 10 10～100 <1A1W 钝感桥丝雷 管 10 10～1000 1A1W 金属膜桥雷 管 10 10～100 1A1W 半导体桥雷 管 1 10～100 >1A1W
发火能量~3mJ
多晶硅桥膜
新型SCB桥（光电半导体桥火工系统---光起爆电发火系统） 作用原理： 火工品内部的微型电路和光电转换装置，将来自光纤的光 能转换成电能，利用半导体桥使药剂点火。 优点： 系统的每一个动作都可以有独立的保险/解除保险装置； 系统具有钝感化、质量轻等特点；能控制多个有次序事件的
2
初始条件：t=0,T=T0(x>0) 边界条件：x=0， T / x 0 （t>0） 式中：I-炸药表面处激光束能量密度； α-炸药对激光的吸收系数。
（5）激光点火/起爆系统的组成
聚焦透镜 光纤耦 合器 激光点火/起爆器
激光器
驱动电源
来自百度文库
保险与解除 保险装置
（6）激光点火器类型
1 2 3
1
42.98
105.72 235.86
136.88
84.17 83.42
25.58
34.49 32.72
3.35
4.67 4.74
激光器：1.06μm钕玻璃激光器，脉宽2.4ms
4. 激光点火系统可靠性裕度确定
① 激光点火系统的可靠性大于0.999 ② 根据国外的经验，高可靠性下的刺激量的确定是 通过裕度系数来保证的。
典型的激光点火曲线
（3）激光点火过程的三阶段
①
含能材料吸收入射激光能量，因为光热效应，药剂表 面被加热；
②
含能材料因为被加热，发生凝聚相化学反应，温度继 续升高；
③
不仅药剂表面发生凝聚相化学反应，而且表面上方也 存在气相化学反应，这一阶段认为点火已经发生。
（4）激光点火过程中的热平衡方程
T T E c 2 QZe RT Iex t x
（6）SCB火工品的发展趋势
一是降低制造成本；
二是钝感化； 三是小型化，满足现代小型引信的发展要求； 四是安全、精确。
SCB 半导体桥膜技术 RSCB 可反应半导体桥膜技术 发火能量~3mJ 多晶硅-多层金属桥膜 （W-Si，W-Ti-Si） McSCB 芯片级半导体桥膜技术 发火能量>3mJ 集成静电、电磁旁路 （集成齐纳二极管旁路）
阈值分别为0.32W和0.67W。
③ 如果点火时间小于激光的脉宽，则脉宽的大小对点火时间 没有影响；反之，则脉宽长，点火时间短。
2. 能量损耗对激光点火系统的影响
① 对于用光纤传输能量的激光点火系统来说，能量 的损耗主要有：激光器－光纤耦合损耗、光纤传 输损耗、光纤－光纤耦合损耗、光纤输出端面质
量造成的损耗等。
4.典型 MEMS火工品
IV. 微型火箭（Micro Rocket） 特 点
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
12.1 激光点火
（1）选择用光纤传输的激光作为点火能源的理由
① 光不受电磁波的影响 ② 光纤传输与电绝缘 ③ 结构简单 ④ 系统质量轻
⑤ 排除桥腐蚀失效
⑥ 后电阻效应
（2）激光点火原理
当激光作用于药剂表面时，一部分能量被 反射，另一部分能量入射到药剂表面，并在极 薄的表面药层内被吸收，这种吸收和反射主要 取决于药剂的光学性质。由于光热效应，药剂 所吸收的激光能量转化为热量，使其表面温度 上升，发生热分解，甚至出现不可逆的燃烧化 学反应。
1 4 2
3
3
(a)插入式耦合 1－点火药
(b)接触式耦合 2－壳体 3－光纤
(c)间接式耦合 4－透窗
（7）光纤类型
阶跃光纤：纤芯的 折射率是常数
梯度光纤：纤芯折射率由轴 心沿径向逐渐减小 自聚焦特点
（8）激光与含能材料作用类型
药剂 羽焰 激光束
激光直接辐射含能材料的原理示意图
药剂 透窗
羽焰
4
压力 /MPa
70 45 80
激光点火 感度/W
0.086 0.282 0.27
点火时间 /ms
5.47 0.42 1.84
Zr/KClO4
（10）激光点火系统参数对点火特性的影响
1. 激光功率、波长和脉宽（激光参数）对点火特性的影响
① 功率大，表示单位时间内激光器传递给药剂的能量多，药
剂表面得热速率较大。因此，可以缩短点火时间。但是随 着功率增大，存在一个最小值。 ② 药剂对激光能量的吸收具有波长选择性。对B/KNO3点火 药，分别用808nm和980nm的激光进行试验，对应的功率
Pb2[Fe(CN)4]/KClO Ti/ KClO4
4
B/KNO3
2.8
B/BaCrO
0.42
1.2
38
桥丝点火 时间/ms
4.16
4.16
31.2
20
二极管激光器
12.2 激光起爆技术
（1）高能炸药的激光起爆方式
① ② ③ 激光直接与高能炸药作用（与桥丝式电雷管在作用相 似）； 激光通过炸药表面的薄金属膜的快速加热而作用（与
密封强度、窗口材料的热导率、窗口与壳体之间的
热膨胀关系等。蓝宝石、P玻璃 ② 激光飞片雷管原理及设计
12.3 半导体桥火工品技术
（1）SCB火工品的作用机理
硅的电阻率与掺杂浓度和温度的关系
通电 SCB 桥升温
微对流传热
桥熔化
桥汽化
药剂发火
等离子体形成并持续
（2）半导体桥的结构和制造工艺
桥
硅基底
装药设计包括：配比、压药压力、粒度及掺 杂等。
（a）B/KNO3配比设计
压力/MPa 100 100 100 100 配比/W% 24:76 33:67 43:57 33:67 3%碳黑 掺杂/W% 功率阈 值/W 0.19 0.21 0.25 0.16 激光点火 时间/ms 6.8 3.6 4.4 2.5 桥丝点火 时间/ms 28 15.3 15.6
激光束
激光间接辐射含能材料的原理示意图
透窗
金属膜
激光束
烧蚀羽焰 （等离子体）
激光束烧蚀镀在透窗表面上的金属膜原理图
（9）激光点火器设计
1.激光点火器结构设计
三种结构的优缺点
2.激光点火器装药设计
美军标MIL－STD－1901中B/KNO3 是直列
式点火系统唯一的许用点火药，因此激光点火
器装药首选B/KNO3 。
EBW式电雷管作用相似）；
激光通过烧蚀一金属箔产生一高速飞片撞击高能炸药 而作用（与EFI式电雷管作用相似）。
激光起爆系统组成：激光器、光纤、激光雷管
① 激光直接起爆炸药技术 a) 实施途径： 一是用激光点燃起爆药完成爆燃转爆轰(不采用)； 二是采用全猛炸药的爆燃转爆轰结构 b) 关键：窗口材料选择及密封工艺 窗口材料的选择基于：材料的折射指数、雷管所需
灵巧SCB雷管
1-触发电路 2-电子开关 3-SCB 4-绝缘塑料飞片 5-圆筒 6-炸药 7-输入电路 8-飞片装置 SCB冲击片雷管原理图
③
动力源装置
1、5-密封盘 2-挡板 3-发射药柱 4-波纹弹垫 6-点火药柱
7-电极塞 8-外壳
半导体桥推冲器 用于精确制导导弹弹道末端修正弹道
④
装药为TiH1.65 /KClO4时，桥丝式和半导体桥推冲器性 能对比
2. 先进火工技术
MEMS火工技术 激光点火技术 激光起爆技术 半导体（SCB）桥 爆炸网络 国内外现阶段 研究最多
直列式火工品
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
3. MEMS火工品技术
（1） MEMS（Micro Electro-Mechanical Systems， 微机电系统） 采用微细加工技术和微装药技术将多个含能单元、 微机械系统和微电子电路集成为具有多功能的含能模 块或含能芯片。 含能 单元
（4）半导体桥火工品设计
① 半导体桥设计 桥电阻1Ω，高掺杂7×1019个原子/厘米3，电阻率约为 7.6×10－4Ω·cm 厚度：2μm，L/W＝1:3.8 电阻为1欧姆 典型尺寸为100 μm×380 μm×2 μm
(a)
(b)
（ C）
(d)
②
半导体桥芯片加工工艺和封装结构设计
（1）半导体桥芯片加工工艺 （2）半导体桥封装结构设计 陶瓷封装，SCB芯片放在陶瓷塞的凹槽内， 采用多股焊丝用超声波焊接。
4.典型 MEMS火工品
II. 微推进芯片(Micro Thruster Chip)
MEMS体工艺
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
4.典型 MEMS火工品
III. 微型引信（Micro Fuse）
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
（3）MEMS火工品制造技术
III. LIGA工艺
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology
4.典型 MEMS火工品
I. 含能桥箔(Energetic Bridge)
国防科技学院
School of National Defence Science and Technology