光刻胶
光刻胶及光刻工艺流程

光刻工艺流程
前处理
检验
涂胶
硬烘烤
软烘烤
显影
对准曝光
PEB
光刻工艺流程
1.前处理 (1)微粒清除 wafer表面的杂质微粒会影响光刻胶的粘附,且会损坏光刻 的图形,造成成品率的下降,所以必须要清洁掉表面的杂质颗 粒、表面沾污以及自然氧化层等。 微粒清除方法:高压氮气吹除,化学湿法清洗,旋转刷刷洗, 高压水喷溅等。 (2)烘干 经过清洁处理后的晶圆表面会含有一定的水分(亲水性表 面),所以必须将其表面烘烤干燥(干燥的表面为憎水性表 面),以便增加光刻胶和晶圆表面的参数
分辨率(resolution):是指光刻胶可再现图形的最小尺寸。一般用
关键尺寸来(CD,Critical Dimension)衡量分辨率。
对比度(Contrast):指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。
敏感度(Sensitivity):光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长
根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分:
传统光刻胶(正胶和负胶) 适用于紫外光(UV),I线365nm、H线405nm和G线436nm,关 键尺寸在0.35um及其以上。 化学放大光刻胶(CAR,Chemical Amplified Resist) 适用于深紫外光(DUV),KrF 准分子激光248nm和 ArF准分子激 光193nm。
续的湿刻和干刻中保护衬体表面,这种性质被称为抗蚀性。
表面张力(Surface
Tension):液体中将表面分子拉向液体主体内
的分子间的吸引力。
光刻胶的分类
1.
根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类
正胶(Positive Photo Resist):曝光前对显影液不可溶,而曝光 后变成了可溶的,能得到与掩模板遮光区相同的图形。 负胶(Negative Photo Resist):反之。
光刻胶
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````4、光刻胶光刻胶主要由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加剂(Additive)等不同得材料按一定比例配制而成。
其中树脂就是粘合剂(Binder),感光剂就是一种光活性(Photoactivity)极强得化合物,它在光刻胶内得含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用.4、1 光刻胶得分类⑴负胶1.特点·曝光部分会产生交联(Cross Linking),使其结构加强而不溶于现像液;·而未曝光部分溶于现像液;·经曝光、现像时,会有膨润现像,导致图形转移不良,故负胶一般不用于特征尺寸小于3um得制作中。
2.分类(按感光性树脂得化学结构分类)常用得负胶主要有以下两类:·聚肉桂酸酯类光刻胶这类光刻胶得特点,就是在感光性树脂分子得侧链上带有肉桂酸基感光性官能团.如聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR胶)、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯(OSR胶)等。
·聚烃类—双叠氮类光刻胶这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。
它由聚烃类树脂(主要就是环化橡胶)、双叠氮型交联剂、增感剂与溶剂配制而成。
3.感光机理①肉桂酸酯类光刻胶KPR胶与OSR胶得感光性树脂分子结构如下:在紫外线作用下,它们侧链上得肉桂酰官能团里得炭-炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间得交联,转变为不溶于现像液得物质。
KPR胶得光化学交联反应式如下:这类光刻胶中得高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联,而且在一定温度以上也会发生交联,从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘得温度与时间.②聚烃类—双叠氮类光刻胶这类光刻胶得光化学反应机理与前者不同,在紫外线作用下,环化橡胶分子中双键本身不能交联,必须有作为交联剂得双叠氮化合物参加才能发生交联反应.交联剂在紫外线作用下产生双自由基,它与聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键,变为三维结构得不溶性物质。
其光化学反应工程如下:首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应:双叠氮交联剂分解后生成得双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成)与炭氢取代反应,机理如下:⑵正胶1.特点·本身难溶于现像液,曝光后会离解成一种溶于现像液得结构;·解像度高,耐Dry Etch性强等。
光刻胶 概念
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光刻胶概念光刻胶是一种化学材料,常用于微电子芯片制造中的图形化处理过程。
光刻胶通过对光线的敏感性,使其可以对光器件中的部分区域进行选择性曝光,并在后续的化学浸润处理中起到控制溶液反应的作用。
这样就能在基片表面限定并形成所需的微细图形结构,从而完成芯片加工的制造工艺。
光刻胶在微电子制造中起到了关键的作用,主要用于制造芯片中的金属导线、半导体器件、光学器件等微型制造技术中。
而在生产过程中,光刻胶的性能会影响到芯片制造的成本、质量、效率等方面。
因此,不同类型的光刻胶的性能和应用范围需要针对不同的制造需求进行选择和调整。
光刻胶的主要成分通常是组成复杂的物质,其中含有一些有机化合物和特殊添加剂,它们的结构与材料的物理、化学性质有着密切的关系。
一般来说,光刻胶的性能因素有:1. 灯光功率:光刻胶对于紫外线的敏感性越高,则需要的紫外线强度便越低,相应的光源也需要具备更高的功率。
2. 曝光时间:曝光时间通常与被制造物的尺寸、形状等有关,不同的光刻胶会选择不同的时间。
3. 显像时间:显像时间通常与光刻胶薄膜的厚度和显像液的性质有关系。
4. 烘烤温度:烘烤温度通常与曝光和显像过程中产生的化学反应和溶液去除有关。
针对不同的制造需求,可以选择不同特性的光刻胶。
其中主要可以分为三类:紫外光刻胶、深紫外光刻胶和电子束光刻胶。
1. 紫外光刻胶紫外光刻胶是在近红外(365nm)波长下进行制造。
它具有高分辨率、快速成像和较低成本的优点。
同时,紫外光刻胶的选择性、敏感度和耐腐蚀性都比较好,通常用来制造较大尺寸的微小器件,如半导体集成电路和场效应管等。
深紫外光刻胶是在254nm波长下制造,通常被称为低基片和裸片制造领域中的中期光刻胶。
深紫外光刻胶具有高分辨率、显影速度快等优点,但成像时间较长、制造条件严格、成本较高。
通常用于制造较小的微型器件。
3. 电子束光刻胶电子束光刻胶是一种新型的微小器件的制造材料,它具有极高的分辨率和控制能力。
光刻胶知识简介
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光刻胶知识简介光刻胶知识简介:一.光刻胶的定义(photoresist)又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。
经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。
二.光刻胶的分类光刻胶的技术复杂,品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
①光聚合型采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。
②光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶.③光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链及链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。
柯达公司的产品KPR胶即属此类。
三.光刻胶的化学性质a、传统光刻胶:正胶和负胶。
光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给及光刻胶的机械及化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂(Additive),用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。
负性光刻胶。
树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。
从而变得不溶于显影液。
负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易及氮气反应而抑制交联。
光刻胶使用注意事项
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光刻胶使用注意事项
以下是 6 条关于光刻胶使用注意事项:
1. 嘿,你可别小看这光刻胶啊!就像做菜时调料不能乱加一样,用光刻胶可得注意保存环境呢!比如说啊,不能把它放在潮湿的地方,不然就可能会失效哟!你想想,要是辛苦准备做一道美味佳肴,结果因为调料坏了影响菜的味道,那不就太可惜了嘛!
2. 哎呀呀,在使用光刻胶的时候,一定要注意它的兼容性呀!这就好比找对象,得找相互合适的呀!如果和一些不相容的材料混用,那可就出大问题啦,不就像不合适的两个人硬凑在一起,肯定会矛盾不断嘛!
3. 喂喂喂,千万别忘了均匀涂抹光刻胶呀!就像给面包涂果酱,得涂得匀匀的才行呀!不然厚一块薄一块的,最后出来的效果能好吗?那肯定不行呀!
4. 嘿,你知道吗?使用光刻胶时清洁超级重要的呀!这就仿佛打扫房间一样,不打扫干净怎么能住得舒服呢!如果不把光刻胶使用的地方清理干净,有杂质什么的,那不是会影响效果嘛!
5. 天呐,操作时别太粗暴对待光刻胶呀!它可不是能随便折腾的哟!这就像对待一个易碎的宝贝,得小心翼翼的呀,不然一不小心弄坏了,那不就糟糕啦!
6. 哟哟哟,一定要注意光刻胶的使用期限啊!过期了可就不好用啦,这跟食物过期一个道理呀!过期的食物你敢吃吗?同理,过期的光刻胶也不能用呀!
结论:务必认真对待光刻胶的使用,注意这些要点,才能发挥它的最佳效果哟!。
光刻胶基本介绍
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The introduction of Photoresist and Application光刻胶基本介绍主要内容CONTENT☐一,光刻胶基础知识☐二,光刻胶的种类☐三,光刻胶的应用领域☐四,光刻胶的特点☐五,光刻胶的可靠性测试内容☐六,光刻胶的来料要求一、光刻胶基础知识☐光刻胶是一种具有感光性的化学品(混合物)树脂(Resin):10-40% by weight感光剂(PAC)或光致产酸剂(PAG):1-6% by weight溶剂(Solvent):50-90% by weight添加剂(Additive):1-3% by weight单体(Monomer):10-20% by weight二、光刻胶的种类☐依照化学反应和显影原理分类一、正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同;二、负性光刻胶形成的图形与掩膜版相反。
SubstratePhotoresistCoating Maskh u TransferEtchStripExposure DevelopPositive Negative☐按照感光树脂的化学结构分类一、光聚合型:1)采用烯类单体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,最后生成聚合物。
2)采用环氧树脂,阳离子开环,引发环氧交联反应,最后生成聚合物。
二、光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性胶;☐按照曝光波长类一、紫外光刻胶(300~450nm);I-line:365nm;H-line:405nm;G-line:436nm;Broad Band (g+h+i)二、深紫外光刻胶(160~280nm);KrF:248nm;ArF:193nm;F2:157nm;三、极紫外光刻胶(EUV,13.5nm);四、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。
不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同,通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越小,加工分辨率越佳。
光刻胶
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抗蚀性(Anti-etching; Etching resistance)即光刻胶材料在刻蚀过程中的抵抗力。在图形从光刻胶转 移到晶片的过程中,光刻胶材料必须能够抵抗高能和高温(>150℃)而不改变其原有特性 。在后续的刻蚀工序 中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力 。在湿法刻蚀中,印有电路图形的光刻胶需要连 同硅片一同置入化学刻蚀液中,进行很多次的湿法腐蚀。只有光刻胶具有很强的抗蚀性,才能保证刻蚀液按照所 希望的选择比刻蚀出曝光所得图形,更好体现器件性能。在干法刻蚀中,例如集成电路工艺中在进行阱区和源漏 区离子注入时,需要有较好的保护电路图形的能力,否则光刻胶会因为在注入环境中挥发而影响到注入腔的真空 度。此时注入的离子将不会起到其在电路制造工艺中应起到的作用,器件的电路性能受阻 。
1890年。德国人格林(Green)和格罗斯(Gross)等人将重氮化的混合物制成感光材料。取得了第一个重氮 感光材料的专利。不久,德国的卡勒(Kalle)公司推出了重氮印相纸,从而使重氮感光材料商品化,并逐渐代 替了铁印相技术。
工作原理
辐射线
光学
纳米压印技术
光刻胶类型及应用制程
紫外光刻胶
紫外光刻胶适用于g线(436 nm)与i线(365 nm)光刻技术。
2.紫外压印光刻胶:使用透明的模板,将预先制作好的带有微图形特征的硬模版压入常温下液态光刻胶中, 用紫外光将光刻胶固化后抬起模板,从而将模板上的微特征转移到光刻胶上。按照光引发反应机理,可分为自由 基聚合和阳离子聚合两大体系 。光刻胶材料主要有甲基丙烯酸酯体系、有机硅改性的丙烯酸或甲基丙烯酸酯体 系、乙烯基醚体系、环氧树脂体系等。
1.
热压印与紫外压印原理示意图纳米压印技术是通过压模来制作微纳特征的一种图形转移技术,其最明显的优 势是高产能、高分辨率、低成本,主要工艺流程:模板制作、硅衬底滴胶、压印、曝光、脱模、离子刻蚀,图像 精度可以达到5 nm。使用的光刻胶种类主要分为两种:
光刻胶是什么材料
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光刻胶是什么材料光刻胶是一种在半导体工艺中广泛应用的材料,它在集成电路制造中扮演着非常重要的角色。
光刻胶是一种光敏材料,它能够在受到紫外光照射后发生化学变化,从而形成所需的图案。
下面我们将详细介绍光刻胶的组成、工作原理以及在半导体制造中的应用。
首先,我们来了解一下光刻胶的组成。
光刻胶通常由聚合物、溶剂和光敏剂组成。
其中,聚合物是光刻胶的主体,它确定了光刻胶的力学性能和化学稳定性。
溶剂的作用是溶解聚合物和光敏剂,使光刻胶具有一定的黏度和流动性。
光敏剂是光刻胶的关键成分,它能够吸收紫外光并引发化学反应,从而使光刻胶发生凝固或溶解的变化。
其次,让我们来了解光刻胶的工作原理。
在光刻工艺中,光刻胶首先被涂覆在半导体晶圆表面,然后通过紫外光刻蚀机或激光器照射所需的图案。
在照射过程中,光敏剂吸收紫外光并发生化学反应,使光刻胶在受光区域发生物理或化学变化,形成所需的图案。
接着,经过显影、清洗等工艺步骤,最终形成了半导体器件所需的图案结构。
最后,让我们来看一下光刻胶在半导体制造中的应用。
光刻胶在半导体工艺中扮演着非常重要的角色,它被广泛应用于半导体器件的制造过程中。
通过光刻工艺,可以实现微米级甚至纳米级的精密图案制作,从而实现集成电路器件的微细加工和制造。
光刻胶的选择和使用对半导体器件的性能和可靠性有着重要的影响,因此在半导体工艺中需要严格控制光刻胶的配方、涂覆工艺和光刻参数,以确保器件的质量和稳定性。
综上所述,光刻胶作为一种在半导体工艺中广泛应用的材料,具有重要的意义。
它的组成、工作原理和在半导体制造中的应用都是非常值得深入研究和了解的。
只有深入理解光刻胶的特性和工艺,才能更好地应用于半导体器件的制造和加工中,从而推动半导体工艺的发展和进步。
光刻胶分类
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光刻胶分类光刻胶是一种在半导体制造过程中广泛应用的材料,其主要作用是在芯片制作过程中对光进行精确控制,从而实现微米级甚至纳米级的图形化。
根据不同的特性和用途,光刻胶可以分为不同的类型,下面将介绍几种常见的光刻胶分类。
一、紫外光刻胶紫外光刻胶是应用最为广泛的一类光刻胶,其特点是对紫外光具有很好的敏感性,可以在紫外光的照射下发生化学反应,形成所需的图形。
紫外光刻胶通常用于制作晶体管、集成电路等微米级器件。
二、电子束光刻胶电子束光刻胶是另一种常见的光刻胶类型,其特点是对电子束具有很好的敏感性,可以在电子束的照射下发生化学反应,实现微米级甚至纳米级的图形化。
电子束光刻胶通常用于制作高精度、高密度的微电子器件。
三、X射线光刻胶X射线光刻胶是一种对X射线具有很好敏感性的光刻胶,可以在X 射线的照射下发生化学反应,实现纳米级甚至更高分辨率的图形化。
X射线光刻胶通常用于制作特殊要求的微纳米器件,如MEMS器件、光子器件等。
四、多层光刻胶多层光刻胶是一种将不同类型的光刻胶层叠加在一起使用的光刻胶,通过控制不同层光刻胶的性质和厚度,可以实现复杂的器件结构和功能。
多层光刻胶通常用于制作具有多层次结构的微纳米器件,如光子晶体、纳米线阵列等。
五、化学增强光刻胶化学增强光刻胶是一种利用化学反应增强图形分辨率和形状控制的光刻胶,通过添加特定的化学试剂或催化剂,可以实现更高分辨率和更复杂的图形化。
化学增强光刻胶通常用于制作高分辨率、高精度的微纳米器件,如生物芯片、传感器等。
光刻胶的分类不仅仅是根据其对光或电子束的敏感性,还包括了其具体的应用领域和要求。
不同类型的光刻胶在半导体制造和微纳米器件制作中扮演着不同的角色,通过选择合适的光刻胶类型和工艺参数,可以实现更高效、更精确的器件制作。
在未来的微纳米制造中,光刻胶的分类和研究将继续发挥重要作用,推动着微电子技术和纳米技术的发展。
光刻胶 压印胶
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光刻胶压印胶
光刻胶和压印胶是在微电子工艺中用于制作芯片的两种不同类型的光敏性材料。
光刻胶:
用途:光刻胶是一种光敏性聚合物,广泛应用于半导体制造工艺中。
它用于制作微细的图案和结构,通过将光刻胶涂覆在芯片表面,然后使用光刻机在其上照射紫外光,形成所需的图案。
工作原理:光刻胶在受到紫外光照射后,会发生化学反应,使得光刻胶的某些区域变得溶解性更高(正光刻胶)或更低(负光刻胶)。
之后,通过显影等步骤,可以将图案转移到芯片表面。
压印胶(热熔胶):
用途:压印胶主要用于微纳米加工中的热压印技术。
这种技术通常用于制造微结构,例如光子晶体、生物芯片和微透镜阵列等。
工作原理:在热压印过程中,将热熔胶涂覆在基板表面,然后用压力和温度将模板与基板接触。
随后,模板的结构被转移到热熔胶上,形成所需的微结构。
与光刻相比,压印技术可以实现高通量和更大尺寸的微结构制备。
总体而言,光刻胶和压印胶在微纳米加工中各有其应用领域,具体选择取决于工艺要求和制造目标。
1。
光刻胶概念一览表

光刻胶概念一览表
光刻胶是一种特殊的材料,用于制作微电子和微加工领域的器件。
它的主要作
用是用于印刷图形或电路模式,让电路图案可以被传输到硅片上。
光刻胶的定义
光刻胶是一种高分子化合物,常见于半导体制造工艺中,用于制造芯片、电路板、半导体元件等微型加工产品的过程中。
它主要作为一种遮盖层,在显影过程中会被去掉,然后在后续的加工过程中,通过对被保护的区域进行刻蚀或沉积等处理,得到我们所需要的所需的模式或装配。
光刻胶的分类
各种光刻胶类型
•喷雾光刻胶
•溶液光刻胶
•热致变色光刻胶
•电子束光刻胶
•紫外线光刻胶
光刻胶的性质
•光刻胶的敏感性和消光度
•光刻胶的分辨率
•光刻胶的粘附力和刚性
•光刻胶的耐化学性和耐热性
光刻胶的应用
•与硅片的结合
•完成常用的光阻工艺
•用于制作光学元器件和显示器组件
光刻胶的未来发展
由于半导体行业和移动设备市场的快速增长,越来越多的光刻胶技术得到了广
泛应用。
光刻胶一直在不断地发展和创新,未来将继续向更高的分辨率、更高的灵敏性、更快的曝光速度和更低的成本方面发展。
结论
光刻胶是一种非常重要的材料,广泛应用于微电子和微加工领域,随着新技术的出现,它的性能和应用范围也在不断提升。
虽然光刻胶已经成为了半导体器件和光学器件的主流材料之一,但是它在未来的发展过程中,仍然需要更多的技术创新和应用探索。
光刻胶的分类
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光刻胶的分类
光刻胶(Photoresist)是一种在光刻工艺中使用的化学物质,
主要用于半导体和微电子器件的制造中。
根据其化学特性和用途,光刻胶可以分为以下几类:
1. 乙烯基光刻胶(Evolvable Status Imaging Resist,ESIR):
使用持久性较强的光致溶解性实现图案转移。
2. 菲涅耳光刻胶(Fresnel Imaging Resist,FIR):主要用于X
射线和伪光学的光刻工艺中,可以实现高分辨率图案转移。
3. 改性聚苯乙烯光刻胶(Modified Polystyrene Resist,MSR):具有良好的光刻性能,适用于一般的光刻工艺。
4. 紫外光刻胶(Ultraviolet Photoresist,UVPR):适用于紫外
光刻工艺,通常用于半导体器件制造。
5. 电子束光刻胶(Electron Beam Resist,EBR):适用于电子
束光刻工艺,常用于微细图案的制备。
此外,根据光刻胶的性质和制备方式,还可以将其分为正胶(Positive Resist)和负胶(Negative Resist)两类。
正胶在光
照后,被光固化的部分会变得溶解性差,而未受光照的部分溶解性较好;负胶则相反,即光照后被固化的部分溶解性较好,未受光照的部分溶解性差。
光刻胶概念一览表
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光刻胶概念一览表光刻胶概念一览表随着微电子、半导体、光电子和其他高新技术的发展,对光刻胶的需求越来越大。
然而,对于光刻胶这一概念,很多人并不太了解。
下面,我们将介绍一些与光刻胶相关的概念,以便更好地了解和使用光刻胶。
1、光刻胶的定义光刻胶是一种通过光刻技术,将图案或图像的形状转移到半导体材料表面的重要材料之一。
光刻胶可用于制备微型电子元件、机械装置和图案。
2、光刻胶的分类按照用途的不同,光刻胶可以分为以下几类:(1)正胶:用于沟槽、线、阵列等结构的制备。
(2)反胶:用于制备负图案,主要是负形结构。
(3)双层胶:由覆盖在基础上的正胶和底部的反胶组成,用于加深沟槽和减小线宽度。
3、光刻胶的制备过程光刻胶的制备大致可以分为三个步骤:(1)底层制备:这一步骤包括淀粉和玻璃等基础结构的制备。
(2)胶层覆盖:在基础结构上覆盖光刻胶。
(3)曝光和蚀刻:曝光胶层并进行蚀刻,从而将光刻胶中的图形转移到基础结构表面。
4、光刻胶的性能指标(1)分辨率:指的是光刻胶加工后的线宽度。
(2)感光度:光刻胶吸收和转化光辐射的能力。
(3)显影性能:显影液在胶层表面停留时间和显影效果的好坏。
5、光刻胶的应用领域(1)微电子:在集成电路制造中,光刻胶可用于制造各种微型电子元件。
(2)半导体:光刻胶是制造高精度半导体元件的重要材料之一。
(3)光学:光刻胶可以用于制造微型透镜和其他光电子器件。
综上所述,光刻胶是现代高科技制造中不可或缺的材料。
通过对光刻胶相关的概念、分类、制备过程、性能指标和应用领域的介绍,希望读者能够更好地了解和使用光刻胶。
光刻胶的应用原理

光刻胶的应用原理什么是光刻胶?光刻胶,又称为照相胶,是一种在半导体芯片制造过程中广泛应用的材料。
它是一种涂覆在硅片上的特殊液体,经过曝光、显影等工艺步骤后形成光刻图案,用于制造集成电路中的电子元件和微型结构。
光刻胶的应用原理1. 曝光•曝光是光刻胶制作光刻图案的核心步骤,其原理基于光的化学反应。
•首先,将硅片上涂覆光刻胶,并利用压延工艺使其均匀分布在硅片上。
•接下来,通过使用光刻机器将光线聚焦在光刻胶表面,使局部区域受到曝光。
•曝光会导致光刻胶中的分子发生化学反应,产生可溶的或不可溶的区域。
2. 显影•显影是光刻胶制作光刻图案的重要步骤,用于去除不需要的光刻胶,并使所需的光刻胶区域保留下来。
•光刻胶中的可溶区域会在显影液的作用下溶解掉,而不可溶区域则保留下来。
•显影液的选择根据光刻胶的成分和特性来确定,以确保准确地去除不需要的光刻胶。
3. 后续处理•经过曝光和显影后,光刻胶形成了所需的光刻图案。
•在完成光刻胶的图案后,需要进行一系列的后续处理,如清洗、烘烤等步骤,以去除残留的光刻胶,并使图案更加稳定和可靠。
•清洗可以去除硅片表面的有机和无机污染物,烘烤可以去除水分和有机溶剂残留。
光刻胶的应用领域光刻胶的应用广泛,主要用于以下领域:1.集成电路制造:光刻胶在集成电路制造中起着至关重要的作用,用于定义电子元件的结构和形状。
通过光刻胶的应用,可以制造出微细的电子元件,提高集成电路的集成度和性能。
2.微电子封装:光刻胶可以用于微电子封装领域,用于制造微型元件和封装结构。
通过光刻胶的应用,可以实现封装结构的精细化和稳定性。
3.生物芯片:光刻胶也被广泛应用于生物芯片的制造,用于制造微小通道和微反应器。
通过光刻胶的应用,可以实现生物芯片的高灵敏度和高通量,用于生物分析和生物检测领域。
4.光学器件:光刻胶在光学器件的制造中扮演着重要的角色,用于制造光波导、光纤连接器等微型光学部件。
通过光刻胶的应用,可以实现微型光学器件的高精度和高可靠性。
光刻胶大全
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光刻胶产品前途无量(半导体技术天地)之宇文皓月创作1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变更的耐蚀刻薄膜资料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。
由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上,然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工,因此是电子信息财产中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工资料。
作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC,经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。
2 国外情况随着电子器件不竭向高集成化和高速化方向发展,对微细图形加工技术的要求越来越高,为了适应亚微米微细图形加工的要求,国外先后开发了g线(436nm)、i线(365nm)、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。
这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达(Kodak)公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等;联合碳化学(UCC)公司的KTI系列;日本东京应化(Tok)公司的TPR、SVR、OSR、OMR;合成橡胶(JSR)公司的CIR、CBR系列;瑞翁(Zeon)公司的ZPN系列;德国依默克(E.Merk)公司的Solect等。
正性胶如:美国西帕来(Shipely)公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。
2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司 2001年收益 2001年市场份额(%) 2000年收益 2000年市场份额(%)Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.525.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.416.1 Shin-EtsuChemical 70.1 10.6 74.28.6 ArchChemicals 63.7 9.6 84.19.8 其他 122.2 18.5 171.620.0 总计 662.9 100.0 859.4100.0 Source: Gartner Dataquest目前,国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25µm~0.18µm 的深紫外正型光刻胶,主要的厂商包含美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。
光刻胶 原理

光刻胶原理光刻胶是一种在集成电路制造过程中广泛应用的材料。
它的原理是利用光的作用,通过光刻技术将图案转移到硅片上,从而实现微电子器件的制造。
光刻胶的使用对于集成电路的制造起着至关重要的作用。
光刻胶的原理是基于光敏化学反应。
光刻胶中含有一种或多种光敏剂,当光敏剂暴露于紫外光或电子束等辐射源时,会发生化学反应。
这种化学反应会导致光刻胶的物理性质发生变化,使得光刻胶在光刻过程中对光的传递和反射产生差异,从而形成所需的图案。
光刻胶的制备过程主要包括涂布、预烘、曝光、显影和后处理等步骤。
首先,将光刻胶涂布在硅片表面,形成一层均匀的薄膜。
然后,对涂布的光刻胶进行预烘,以去除其中的溶剂和水分。
接下来,将硅片放置于光刻机中,利用紫外光或电子束进行曝光。
在曝光过程中,光刻胶中的光敏剂会发生化学反应,使得光刻胶在曝光区域的物理性质发生改变。
然后,将硅片放入显影液中,将未曝光的部分光刻胶溶解掉,留下所需的图案。
最后,进行后处理,如烘干和固化,以增强光刻胶的稳定性和附着力。
光刻胶的原理和制造过程非常复杂,需要高精度的设备和技术支持。
在光刻过程中,光刻胶的性能对于图案的分辨率、精度和稳定性有着重要影响。
因此,光刻胶的选择和优化对于集成电路的制造至关重要。
不同的光刻胶具有不同的化学成分和物理性质,可以应用于不同的工艺和设备。
根据制造的要求,可以选择合适的光刻胶来实现所需的图案。
光刻胶是集成电路制造过程中必不可少的关键材料之一。
它利用光敏化学反应的原理,通过光刻技术将图案转移到硅片上,从而实现微电子器件的制造。
光刻胶的性能和制备过程对于集成电路的制造有着重要影响。
正确选择和优化光刻胶的使用,可以提高集成电路的性能和可靠性,推动微电子技术的发展。
光刻胶
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S ( Lmin ) 2 N min q Lmin N min q q 10 S S
Lmin
N min q q 10 S S
式中,Lmin 为最小尺寸,即分辨率。可见,若灵敏度越高(即 S 越小),则 Lmin 就越大,分辨率就越差。 例如,负性电子束光刻胶 COP 的 S = 0.3×10 -6C/cm2,则 其 Lmin = 0.073 m 。若其灵敏度提高到 S = 0.03×10 -6C/cm2 , 则其 Lmin 将增大到 0.23 m 。
6 光刻胶的涂敷和显影
本节简要介绍光刻工艺中除曝光以外的工序。 1、脱水烘烤 目的是去除硅片表面吸附的水分。 2、增粘处理 在烘烤后的硅片表面涂一层 六甲基二硅亚胺(HMDS),
目的是增加硅片表面与光刻胶的粘附性。可采用蒸汽涂布法,
也可采用旋涂法。
3、涂胶 一般采用 旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜厚的
态 S0 跃迁到第一激发态 S1 ,激活能由 EA(S0) = 38 Kcal 降为
EA(S1) = 16 Kcal ,反应速度加快。 感光分子吸收λ = 300 nm 的光能(88 Kcal)后,电子跃迁
到第二激发态 S2 ,此态的谷底势能恰好与 S1 态当 RN-N2 分解
时的势能相当,且 S2 与 S1 态的曲线在图左侧有相交之处,因此 电子可从 S2 态跃迁到 S1 态并立即反应。所以用λ = 300 nm 的光 曝光比用λ = 365 nm 的反应速度快。
1 e TR 1 TR
可以证明对比度与光刻胶厚度的关系是
1 TR
是无量纲常数,可见减薄胶膜厚度有利于提高对比度和分辨率。
3 临界调制传输函数
另一个与对比度有关的光刻胶性能指标是 临界调制传输函 数 CMTF ,代表在光刻胶上获得图形所必须的最小光调制传
光刻胶在光刻工艺中的作用
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光刻胶在光刻工艺中的作用一、引言光刻胶是光刻工艺中的重要组成部分,对于提高芯片良率、降低生产成本以及推动半导体行业的发展具有重要意义。
本文将对光刻胶的基本概念、分类、在光刻工艺中的作用、重要性以及发展趋势和挑战进行详细介绍。
二、光刻胶基本概念1. 光刻胶定义光刻胶是一种对光敏感的有机化合物,能够在紫外光的照射下发生化学反应,从而使被照射区域的材料性质发生变化。
在半导体制造过程中,光刻胶被用于保护底层材料,同时通过曝光和显影等步骤实现图案转移。
2. 光刻胶分类根据曝光波长和使用场景的不同,光刻胶可分为多种类型,如接触式光刻胶、接近式光刻胶、扫描式光刻胶等。
其中,接触式光刻胶是最早使用的光刻胶类型,其优点是分辨率高、成本低,但缺点是容易划伤底层材料;接近式光刻胶在曝光时将镜头与晶圆保持一定的距离,可以避免划伤底层材料,但分辨率相对较低;扫描式光刻胶则是通过扫描方式进行曝光,具有更高的分辨率和更低的成本。
三、光刻胶在光刻工艺中的作用1. 提高成像质量光刻胶作为光刻工艺中的关键材料,能够提高成像质量。
在曝光过程中,光刻胶能够吸收紫外光线并发生化学反应,从而改变被照射区域的材料性质。
通过精确控制曝光时间和曝光量,可以实现高分辨率和高对比度的图案。
2. 增强对比度对比度是衡量图像清晰度的重要指标。
在光刻工艺中,通过使用合适的光刻胶,可以增强对比度,提高图像的清晰度。
这有助于减少缺陷和误差,提高芯片良率。
3. 保证曝光精度曝光精度是光刻工艺的关键参数之一。
通过使用优质的光刻胶,可以保证曝光精度的稳定性,从而实现高精度的图案转移。
这对于制造高性能的半导体器件具有重要意义。
四、光刻胶在光刻工艺中的重要性1. 提高芯片良率优质的光刻胶可以提高芯片良率。
通过增强对比度和提高成像质量,可以减少缺陷和误差,从而提高芯片的合格率。
这对于降低生产成本和提高生产效率具有重要意义。
2. 降低生产成本采用高效的光刻胶可以降低生产成本。
光刻胶
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````4. 光刻胶光刻胶主要由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加剂(Additive)等不同的材料按一定比例配制而成。
其中树脂是粘合剂(Binder),感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物,它在光刻胶内的含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用。
4.1 光刻胶的分类⑴负胶1.特点·曝光部分会产生交联(Cross Linking),使其结构加强而不溶于现像液;·而未曝光部分溶于现像液;·经曝光、现像时,会有膨润现像,导致图形转移不良,故负胶一般不用于特征尺寸小于3um的制作中。
2.分类(按感光性树脂的化学结构分类)常用的负胶主要有以下两类:·聚肉桂酸酯类光刻胶这类光刻胶的特点,是在感光性树脂分子的侧链上带有肉桂酸基感光性官能团。
如聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR胶)、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯(OSR胶)等。
·聚烃类—双叠氮类光刻胶这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。
它由聚烃类树脂(主要是环化橡胶)、双叠氮型交联剂、增感剂和溶剂配制而成。
3.感光机理①肉桂酸酯类光刻胶KPR胶和OSR胶的感光性树脂分子结构如下:在紫外线作用下,它们侧链上的肉桂酰官能团里的炭-炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间的交联,转变为不溶于现像液的物质。
KPR胶的光化学交联反应式如下:这类光刻胶中的高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联,而且在一定温度以上也会发生交联,从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘的温度与时间。
②聚烃类—双叠氮类光刻胶这类光刻胶的光化学反应机理与前者不同,在紫外线作用下,环化橡胶分子中双键本身不能交联,必须有作为交联剂的双叠氮化合物参加才能发生交联反应。
交联剂在紫外线作用下产生双自由基,它和聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键,变为三维结构的不溶性物质。
其光化学反应工程如下:首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应:双叠氮交联剂分解后生成的双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成)和炭氢取代反应,机理如下:⑵正胶1.特点·本身难溶于现像液,曝光后会离解成一种溶于现像液的结构;·解像度高,耐Dry Etch性强等。
光刻胶在光刻过程中的作用
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光刻胶在光刻过程中的作用一、光刻胶是什么光刻胶就像是光刻过程中的魔法涂料呢。
它是一种对光敏感的材料,在光刻这个超级精细的工艺里,那可是有着超级重要的地位。
光刻胶可以被看作是一种能够记录图案的特殊材料,就像我们小时候用的印泥一样,不过它可是高科技版本的。
它可以把设计好的电路图案精确地“印”在硅片或者其他材料上。
二、光刻胶在光刻过程中的作用1. 图案转移光刻胶在光刻过程中首先承担的任务就是图案转移。
光刻的过程有点像在一个微观世界里进行画画。
我们先把想要的电路图案通过光照到光刻胶上,光刻胶在光照的部分和没光照的部分就会发生不同的化学变化。
就像是有些地方变得强壮(不容易被去除),有些地方变得脆弱(容易被去除)。
然后通过化学溶液的冲洗,就把这个图案从光刻掩膜版上转移到了光刻胶上,这就像是把一个模板上的图案复制到了胶水上。
2. 保护作用光刻胶还像一个小小的保护罩。
在后续的加工过程中,比如说刻蚀或者离子注入等工序,光刻胶覆盖的地方就会保护下面的材料不被这些加工过程影响。
比如说,当我们进行刻蚀的时候,如果没有光刻胶的保护,那些不该被刻蚀的地方也可能被刻蚀掉,那就乱套了。
光刻胶就像一个忠诚的卫士,坚守在那些需要保护的地方。
3. 精确性的保障光刻胶还能保障光刻过程的精确性。
因为光刻胶可以精确地按照光照的图案发生变化,这就使得我们最终得到的电路图案能够非常精确。
在如今芯片制造越来越精细的时代,光刻胶的这个作用尤为重要。
哪怕是一点点的偏差,在微观的芯片电路里可能就会导致整个芯片的功能出现问题。
就像我们搭积木,如果一块积木放错了位置,整个建筑可能就不稳了。
三、不同类型光刻胶的作用特点1. 正性光刻胶正性光刻胶在光照后,被光照的部分会变得容易溶解。
这就意味着它在图案转移的时候,最后留下来的是没被光照的部分。
这种光刻胶在一些需要制作凸起结构的光刻工艺中比较有用。
比如说,我们要制作一些微小的凸起电极之类的结构,正性光刻胶就可以很好地完成任务。
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光刻胶的入门知识
2009-2-7 13:05:00来源: 不详作者:佚名访问:0次字号:【小】
作为图案复制用的光刻胶,主要的指标有光反应速度、光分辨率、光反应波长、针孔度、粘度等。
自97年后,普通的lcd制作用光刻胶基本上都已经把光反应速度提高了一倍以上,使定向层制作前的生产能力大大提升。
现在市面上的lcd制作用光刻胶光反应时间几乎都可以在10秒以下。
光分辨率在近几年也有了很大进展,现市面上的lcd制作用光刻胶都可以做到pitch在18微米水平。
光反应波长在前几年如果要做到pitch28微米的水平,波长还得在275纳米以下,经过这几年的发展,现在在400纳米可以反应的光刻胶也可以做到pitch18微米的水平。
光刻胶的技术由于改良发展较快的缘故,基本上已经解决了针孔率偏高的问题,现在大家几乎都不再考虑针孔率对lcd制作的影响了。
粘度的调整要视各家的习惯,一般是50cp的产品由于使用时添加了一定的稀释剂,可以比较好调整涂覆效果,成本也可以降低,但是由于大量使用稀释剂,也使光刻胶的一些性能受到影响,在作比较高档的产品时会有分辨率下降的趋势。
而30cp的产品,在涂覆效果上,控制稍显困难,但性能比较稳定,比较适合制作精细度高的产品。
光刻胶的保存条件比较严格,在光线、温度、湿度上都有限制,特别是开瓶使用后的光刻胶和稀释剂,一旦吸潮,其物理化学性能均下降很快。
现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起,很多时候都只考虑此段的洁净度,而疏忽了该段的湿度控制,使得光刻胶涂覆的良品率比较低,在显影时光刻胶脱落严重,起不到保护阻蚀的效果。
1、光刻胶的特性:
光刻胶的组成:
lcd使用的光刻胶一般为正性光刻胶,由光敏剂、填料和添加剂混和而成。
光刻胶的特性:
正性光刻胶中的的填料让光刻胶有一定的粘性,加温固化后能得到一定的初始硬度。
而正性光刻胶中的光敏剂中一种溶于弱碱的小分子化学品,它在紫外线的作用下聚合成一种不溶于强酸和弱碱的比较致密大分子化合物,但它在强碱中依然可以溶解。
光刻胶的分类:
电子类产品光刻胶分为高感光度光刻胶和低感光度光刻胶。
高感光度光刻胶可以制作10μm 以内的高精密线路,一般用于ic和lcd微显示器制作,低感光度光刻胶制作精度在10μm以上,一般用于普通lcd产品制作和线路板制作。
影响光刻胶性能的主要参数:
固含量;感光度;粘度;固化温度;针孔率;分辨率
2、光刻胶常用规格表:
3、光刻胶工厂自适应测试方法及判定标准:
粘度:
a、测试方法:用粘度计测试待测光刻胶的粘度。
b、判定标准:测试结果粘度值与供应商提供参数一致。
添加剂干燥性能(预烘性能)
a、测试方法:按生产工艺厚度要求,把光刻胶涂覆在ito导电玻璃上,按供应商提供的温度和时间参数加热烘烤。
b、判定标准:在参数温度时间下,光刻胶完全烘干。
显影性能:
a、测试方法:将已烘干光刻胶的ito导电玻璃按生产工艺要求和供应商提供的参数要求分别进行显影。
b、判定标准:显影完全,针孔比例在要求范围内。
固化阻蚀性能:
a、测试方法:将已显影光刻胶的ito导电玻璃按生产工艺要求和供应商提供的参数要求分别进行固化、蚀刻脱胶去膜。
b、判定标准:固化完全,蚀刻后针孔比例在要求范围内,蚀刻后去胶干净无残留
本文来自湖南阳光电子技术学校,原文地址:。