灯具产品生产工艺流程图
T8灯管加工流程图
修理
老练/ 2小时
注意产品保温。操作 时必须有2个人在场。
包装
清洁、 贴标签
包装
外观 清洁
分光/复测
根据LED色温的离散型 特点，将灯管按照色温 差异分成3类。
灯具装配加工
注意：驱动线路板通电检查、带电修理、灯管半成品检测等需要通220V电压的工位，禁止使用防静电手腕。
!
!
成品仓
此工序非常重要，LED必须是 同一色温和批号，不得混贴。
!
注意焊接温度和 时间。使用63/37 的有铅焊锡膏。
主要检测色温和光强一 致性，发现问题立即停止贴 片，以找出问题原因。 按照LED的色温、光强 分类摆放，不得混装。周转 箱内须有作业流程卡。
灯板贴片加工
灯板刮 散热膏
装铝型 材槽内
连接PCB
装驱动电路
通电初测
装灯罩、 灯头
耐压 测试
参照UL标准 2400V/1分钟/5mA 高压测试
利用工装刮散热膏 ，注意灯板不得长 时间暴露空气中， 以防导热膏凝结。
灯板装入铝槽后 ，用力向下压实 PCB，以利于 PCB更好散热。
注意： 分类的灯管不得混装在同 一个包装箱内。包装箱外 须有色温分档标志。
T8/T10 LED灯管生产流程图
进厂材料检测要点： 1. 对集成电要用模拟工装检查； 其它器件要通过图示仪检测特性； 电容器重点监测损耗值、耐压。 2. LED除了常规检测外，还需要监测色 温、光强一致性、可焊性。可通过焊接 一块整板验证。
2010.09.09
线路板 印刷焊 锡膏
贴片 加工
回流 焊接 修理
外观检查
补焊
入仓待用
调整元 件位置
通电前 检查
线条灯与洗墙灯灯具制造流程图
端面出线孔打密封胶 灌胶
打玻璃胶、封玻璃 固定端盖至型材
清洁整灯 老化测试 防水测试 安装支架 成品测试
贴标签
半成品测试
包装入库
2
1
线条灯制造流程
投料
印刷锡膏（锡膏印刷机） 灯板贴片（贴片机） 回流焊接（回流焊机） 电性检测 线束及导线加工 灯板分板及拼板焊接
装灯板并焊接驱动输出线
半成品测试
固定端盖 灌胶
老化测试 清洁整灯 成品测试
贴标签
包装入库
1
2
洗墙灯制造流程
投料
印刷锡膏（锡膏印刷机） 灯板贴片（贴片机） 回流焊接（回流焊机） 电性检测 线束及导线加工 灯板分板及拼板焊接 刷导热硅脂、固定灯板
LED灯具生产工艺流程图
控
制程巡检
点
作业规范 √
录 首件记录表 制程巡检规范
√
质 控
工艺文件 制程巡检
检制验程(测巡试检)规日范报
√
表
点
作业规范 √
√
2/4
检验 NG 品处理
返修 返修 返修
返修 返修 返修 返修
返修 返修 返修
返修 矫正 返修
返修 返修 返修 返修 返修 返修 返修
返修 返修 返修
xxxxxxx照明电器有限公司
自检 1.2.3.4.5.6.7
目测 线检 1.2.3.4.5.6.7
目测
目测
目测 测试
目测 测量
目测 测量
目视 专用治
具
首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检
1.3件/次 1:20件/次/2小时,2:1次/4小时 1 1
√ 检制验程(测巡试检)规日范报
√
表
点 尺寸全检 作业规范 √
3.外观全
√
波峰焊制程巡检
检
表
抽检: 1. 依<<设计 工艺文件
工艺文件 制程巡检 作业规范
√
√
>>特殊要
√
求
制程巡检规范
ห้องสมุดไป่ตู้
巡检: 依 <<制程巡 检规范>>
工艺文件 制程巡检 作业规范
√
√
每2小时一
√
烙铁温度测试记
次制程抽
√
质
检
工艺文件
√
矫正 矫正 矫正
返修 返修 返修
LED生产工艺流程图
准备 酒精
准备 无尘布 装玻璃 准备 螺丝 装中环 电批
准备 面环
准备 螺丝 装面环 电批
准备 卡簧
准备 螺丝 装卡簧 墨眼片 测试 准备 驱动 老化 不良返工 功率仪 自动老化线 墨镜片 测试 不良返工 功率仪 打包装 打包机 电批
准备 酒精
准备 无尘布
入库
LED筒灯生产工艺流程图
准备 DC线 剥线 剪线 准备 焊锡丝 DC线 加锡 准备 散热器 穿线 准备ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ焊锡丝 COB加锡 准备 硅脂 涂导 热硅脂 电铬铁 焊COB 焊锡丝 电铬铁 斜口钳
电铬铁
准备 螺丝
准备 支架
锁支架 墨镜片 测试 准备 螺丝 准备 压线扣 装压 线扣
电批
不良返工 功率仪 电批
面板灯流程图
修订人 陈 徐 生
审查人
审批人
东莞捷和光电有限公司
文件名称 文件编号
面板灯制造工艺流程图
版次 页次
A/0 3 of 1
JH-WI-EW-SOP-003
修 订 记 录
版次 A/0
修订日期
2012.10.12
内容摘要 第 1 版制定
修订人 陈 徐 生
审查人
审批人
东莞捷和光电有限公司
文件名称 文件编号
面板灯制造工艺流程图
ห้องสมุดไป่ตู้
版次 页次
A/0 1 of 1
JH-WI-EW-SOP-003
锡膏印刷
贴灯珠
回流焊接
贴 3M 胶带
检查测试 放扩散导光板 分板 测试检查 测试 组装底板 贴 3M 胶带 点亮测试 焊接 DC 线 老化测试 撕保护膜
贴灯条
贴保护膜
贴玛拉胶带
包装
入库
修 订 记 录
版次 A/0
修订日期
2012.10.12
内容摘要 第 1 版制定
修订人 陈 徐 生
审查人
审批人
东莞捷和光电有限公司
文件名称 文件编号
面板灯制造工艺流程图
版次 页次
A/0 2 of 1
JH-WI-EW-SOP-003
修 订 记 录
版次 A/0
修订日期
2012.10.12
内容摘要 第 1 版制定
灯具总装工艺流程图范例
25
28 29 30 32 34 36 38 39 41 43
01 03 02
09 11 10
工位 编号
SOP编号
工位名称
01 PEW61083310000F001M01 灯罩装万向节和支架
投入物料
材料代号
材料名称
S070000143A01P4F 灯罩组件(1) S200081040B01PBZ 螺母(2) S221084150101PBZ 菊花介(3) S161000225B01P6C 万向节(4) S092000244A01PNI 支架(5) S271000258A01PNI 螺钉(6)
用量 设备、工治具
1 1 1 1 1 2
万向节工装 锁螺母工装 风批 四方头批嘴 工装 风批 十字批嘴
标准 工时
23
S26A050014B01PNI 螺钉(1)
1 工装
10 PEW61083310000F001M09 装装饰锥,套玻纤管
S221053010101PBZ 内齿菊花介(2) N041000094C01P3F 尼龙装饰锥(3)
1 风批 1 十字批嘴
16
K203001201
白色玻纤管(4)
1 切管机
11 PEW61083310000F001M10 锁灯座,全检
E301000136B01P43 GU10灯座(1) S26A030010B01PNI 螺钉(2)
1 2
工装 风批 十字批嘴
18
12 PEW61083310000F001M11 灯杆穿短线灯头
铁钩
23
13 PEW61083310000F001M12 万向节点胶水,拧紧灯头
21
14 PEW61083310000F001M13 万向节处拧机丝
侧标志灯- 过程流程图(生产)
客户
编制
工序号 1 2 3 A1
A2
4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
****有限公司
过程流程图(生产)
产品名称
侧标志灯
审
工序名称 焊接灯罩与壳体
气密性检测 贴3M胶
焊线(关键过程)
组装双面板与灯座/ 测试双面板
焊接壳体与灯座 灌胶
浸水测试
烘烤 镭雕 老化测试 功能测试 外观清洁 外观检验 包装
核
退仓
NG
A1
OK 维修 NG A2
OK 维修 NG
记录编号:
型号 日期
1 2
OK 3
4
5
6 OK
7
8
OK 维修 NG
OK 维修 NG
OK 维修 NG
9 OK
10 OK
11
12 OK13成品下线来自……记号所表示的为作业
……记号所表示的为搬运
＊ …记号所表示的为储存
…记号所表示的为重点工位
……记号所表示的为检验 …记号所表示的为关键工位
LED灯生产工艺流程
LED灯生产工艺流程§1 LED制造流程概述LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。
图2.1 LED制造流程图上游晶片：单晶棒（碑化稼 ' 磷化稼）单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片成品：单晶片'外延片中游制程：金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）切割测试分选成品：芯片下游§2 LED 芯片生产工艺LED 照明能够应用到高亮度领域归功于LED 芯片生产技术的不断提高，包括单颗 晶片的功率和亮度的提高。
LED±游生产技术是LED 行业的核心技术，目前在该技术 领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED 上游生产技术的发展比较靠后。
下图为上游外延片的微结构示意图。
生产出高亮度LED 芯片，一直是世界各国全力投入硏制的目标，也是LED 发的 方向。
目前，利用大功率芯片生产出来的白光1WLED 流明值已经达能到1501m 之高。
LED 上游技术的发展将使LED 灯具的生产成本越来越低，更显LED 照明的优势。
以下 以蓝光LED 为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化錄(GaN)基的 外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD 中)完成的。
准备 好制作GaN 基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐 步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，以及GaAs 、AIN 、 ZnO 等材料。
MOCVD 是利用气相反应物(前驱物)及UI 族的有机金属和V 族的NH3在衬底表 面进行P 型 GaN 负极P 型 AIGaN InGaN 量子阱(well )N 型 InGaNN 型 AIGaNN 型 GaNP 型 GaNGaN 缓冲层(buffer )蓝宝石衬底(subatrate )图2.2蓝光外延片微结构 图正极反应，将所需的产物沉积在衬底表面。