线性电子线路
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2.2.1 饱和模式(E 结正偏，C 结正偏)
IE = IF - RIR
N+
P
IE
IF
RIR
N
FIF
IR
IC = FIF - IR IC
R1
-+
V1
+-
V2
R2
结论：三极管失去正向受控作用。
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
➢ 饱和模式直流简化电路模型
IE ICn ICBO
ICEO ICn ICBO ICBO ICBO (1 )ICBO
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
2.1.3 放大模式下三极管的模型
➢ 数学模型(指数模型)
三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式：
VBE
VBE
IC IE IEBS(e VT 1) ISe VT
IE
IE
IE
直流电流传输方程： IC IE ICBO
➢ 共发射极直流电流传输方程
IC IE ICBO
IE E
B
IB B
IC C
T
B
IC C
T
IE IB IC
E
E
直流电流传输方程： IC IB ICEO
其中： 1
ICEO (1 )ICBO
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
集电结反偏且集电结面积大：保证扩散到集电结边界 的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
➢ 三极管特性——具有正向受控作用
即三极管输出的集电极电流 IC ，主要受正向发射结 电压 VBE 的控制，而与反向集电结电压 VCE 近似无关。 注意：NPN 型管与 PNP 型管工作原理相似，但由于它们
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
2.1 放大模式下三极管工作原理
2.1.1 内部载流子传输过程
N+
P
IE= IEn+ IEp
N
IC= ICn+ ICBO
IE
IEn
IEp
ICn
IC
ICBO
IBB
IB
R1
பைடு நூலகம்-+
V1
-+
V2
R2
IB = IEp + IBB - ICBO = IEp+ (IEn- ICn) -ICBO = IE - IC 线性电子线路
c (c)
SiO2 绝缘层
集电结 基区
➢ 三极管三种工作模式
•放大模式： 发射结正偏，集电结反偏。 正向受控作用：
集电极电流和发射极电流只受正偏发射结电压控制； 几乎不受反偏集电结电压控制。
•饱和模式： 发射结正偏，集电结正偏。
•截止模式： 发射结反偏，集电结反偏。 受控开关特性： 开关电路基础
注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结构特 点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。
温度每升高 1 C ，VBE(on) 减小 (2 2.5) mV，即 VBE(on) (2 ~ 2.5) mV/ C T
温度每升高 10 C ，ICBO 增大一倍，即
T2 T1
ICBO(T2 ) ICBO(T1 ) 2 10
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
2.2 晶体三极管的其他工作模式
-
E
IC
C
+ IB VCE
-E
VBE(on) 为发射结导通电压，工程上一般取：
硅管 VBE(on)= 0.7 V
锗管 VBE(on)= 0.25 V
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
❖ 三极管参数的温度特性
温度每升高 1C，/ 增大 0.5% 1%，即 (0.005 ~ 0.01) / C T
第 2 章 晶体三极管
发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 ▪ 发射区掺杂浓度 >> 基区掺杂浓度 ：减少基区向发射 区发射的多子，提高发射效率。
基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输 到集电结边界。
▪ 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机 会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。
➢ 的物理含义：
ICn / IE 1 1 ICn / IE
IB B
IC C
T
ICn ICn
E
E
IE ICn IBB
表示，受发射结电压控制的复合电流 IBB ，对集电极
正向受控电流 ICn 的控制能力。
若忽略 ICBO，则：
ICn IC
IE ICn IB
可见， 为共发射极电流放大系数。
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
➢ ICEO 的物理含义：
C
ICEO 指基极开路时，集电
N
ICBO ICn
极直通到发射极的电流。
B
IB= 0
P
因为 所以
IB = 0
N+
IEp+ (IEn ICn) = IE ICn = ICBO
IEP IEn E
ICEO
+ _ VCE
即
因此
ICn ICn
IC C
T
IB B
IE E
T
B
BE
EC
C
(共基极)
(共发射极)
(共集电极)
放大电路的组态是针对交流信号而言的。
观察输入信号作用在哪个电极上，输出信号从哪个电 极取出，此外的另一个电极即为组态形式。
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
➢ 共基极直流电流传输方程
直流电流传输系数：
ICn IC ICBO IC
第 2 章 晶体三极管
概述 2.1 放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2 晶体三极管的其他工作模式 2.3 埃伯尔斯— 2.4 晶体三极管伏安特性曲线 2.5 晶体三极管小信号电路模型 2.6 晶体三极管电路分析方法 2.7 晶体三极管线性的电子应线路用原理
第 2 章 晶体三极管
概述
➢ 三极管结构及电路符号
式中
IS IEBS
IS 指发射结反向饱和电流 IEBS 转化到集电极上的电流 值，它不同于二极管的反向饱和电流 IS。
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
➢ 放大模式直流简化电路模型
共发射极
电路模型
IB
B
E
IC
IB
CB
+
T
VBE
E E-
IC
C
+
IB VCE -E
直流简化电路模型
IB
B
+
VBE(on)
发射极 E
N+ P N 集电极 C E
发射结
基极 B 集电结
发射极 E
P + N P 集电极 C E
基极 B
线性电子线路
C B
C B
第 2 章 晶体三极管
➢ 三极管内部结构特点
1)发射区高掺杂（相对于基区）。
2)基区很薄。
3)集电结面积大。
发射区 e
b
发射结 集电区
线性电子线路
N＋
P
N型外延 N＋衬底
形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流 方向相反，加在各极上的电压极性相反。
IE
N+ P N
IC IE
P+ N P
IC
IB - +- + V1 V2
线性电子线路
IB + -+ V1 V2
第 2 章 晶体三极管
2.1.2 电流传输方程
➢ 三极管的三种连接方式——三种组态
IE E
IC C
T
IB B
IE = IF - RIR
N+
P
IE
IF
RIR
N
FIF
IR
IC = FIF - IR IC
R1
-+
V1
+-
V2
R2
结论：三极管失去正向受控作用。
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
➢ 饱和模式直流简化电路模型
IE ICn ICBO
ICEO ICn ICBO ICBO ICBO (1 )ICBO
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
2.1.3 放大模式下三极管的模型
➢ 数学模型(指数模型)
三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式：
VBE
VBE
IC IE IEBS(e VT 1) ISe VT
IE
IE
IE
直流电流传输方程： IC IE ICBO
➢ 共发射极直流电流传输方程
IC IE ICBO
IE E
B
IB B
IC C
T
B
IC C
T
IE IB IC
E
E
直流电流传输方程： IC IB ICEO
其中： 1
ICEO (1 )ICBO
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第 2 章 晶体三极管
集电结反偏且集电结面积大：保证扩散到集电结边界 的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。
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第 2 章 晶体三极管
➢ 三极管特性——具有正向受控作用
即三极管输出的集电极电流 IC ，主要受正向发射结 电压 VBE 的控制，而与反向集电结电压 VCE 近似无关。 注意：NPN 型管与 PNP 型管工作原理相似，但由于它们
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第 2 章 晶体三极管
2.1 放大模式下三极管工作原理
2.1.1 内部载流子传输过程
N+
P
IE= IEn+ IEp
N
IC= ICn+ ICBO
IE
IEn
IEp
ICn
IC
ICBO
IBB
IB
R1
பைடு நூலகம்-+
V1
-+
V2
R2
IB = IEp + IBB - ICBO = IEp+ (IEn- ICn) -ICBO = IE - IC 线性电子线路
c (c)
SiO2 绝缘层
集电结 基区
➢ 三极管三种工作模式
•放大模式： 发射结正偏，集电结反偏。 正向受控作用：
集电极电流和发射极电流只受正偏发射结电压控制； 几乎不受反偏集电结电压控制。
•饱和模式： 发射结正偏，集电结正偏。
•截止模式： 发射结反偏，集电结反偏。 受控开关特性： 开关电路基础
注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结构特 点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。
温度每升高 1 C ，VBE(on) 减小 (2 2.5) mV，即 VBE(on) (2 ~ 2.5) mV/ C T
温度每升高 10 C ，ICBO 增大一倍，即
T2 T1
ICBO(T2 ) ICBO(T1 ) 2 10
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第 2 章 晶体三极管
2.2 晶体三极管的其他工作模式
-
E
IC
C
+ IB VCE
-E
VBE(on) 为发射结导通电压，工程上一般取：
硅管 VBE(on)= 0.7 V
锗管 VBE(on)= 0.25 V
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
❖ 三极管参数的温度特性
温度每升高 1C，/ 增大 0.5% 1%，即 (0.005 ~ 0.01) / C T
第 2 章 晶体三极管
发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 ▪ 发射区掺杂浓度 >> 基区掺杂浓度 ：减少基区向发射 区发射的多子，提高发射效率。
基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输 到集电结边界。
▪ 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机 会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。
➢ 的物理含义：
ICn / IE 1 1 ICn / IE
IB B
IC C
T
ICn ICn
E
E
IE ICn IBB
表示，受发射结电压控制的复合电流 IBB ，对集电极
正向受控电流 ICn 的控制能力。
若忽略 ICBO，则：
ICn IC
IE ICn IB
可见， 为共发射极电流放大系数。
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第 2 章 晶体三极管
➢ ICEO 的物理含义：
C
ICEO 指基极开路时，集电
N
ICBO ICn
极直通到发射极的电流。
B
IB= 0
P
因为 所以
IB = 0
N+
IEp+ (IEn ICn) = IE ICn = ICBO
IEP IEn E
ICEO
+ _ VCE
即
因此
ICn ICn
IC C
T
IB B
IE E
T
B
BE
EC
C
(共基极)
(共发射极)
(共集电极)
放大电路的组态是针对交流信号而言的。
观察输入信号作用在哪个电极上，输出信号从哪个电 极取出，此外的另一个电极即为组态形式。
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第 2 章 晶体三极管
➢ 共基极直流电流传输方程
直流电流传输系数：
ICn IC ICBO IC
第 2 章 晶体三极管
概述 2.1 放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2 晶体三极管的其他工作模式 2.3 埃伯尔斯— 2.4 晶体三极管伏安特性曲线 2.5 晶体三极管小信号电路模型 2.6 晶体三极管电路分析方法 2.7 晶体三极管线性的电子应线路用原理
第 2 章 晶体三极管
概述
➢ 三极管结构及电路符号
式中
IS IEBS
IS 指发射结反向饱和电流 IEBS 转化到集电极上的电流 值，它不同于二极管的反向饱和电流 IS。
线性电子线路
第 2 章 晶体三极管
➢ 放大模式直流简化电路模型
共发射极
电路模型
IB
B
E
IC
IB
CB
+
T
VBE
E E-
IC
C
+
IB VCE -E
直流简化电路模型
IB
B
+
VBE(on)
发射极 E
N+ P N 集电极 C E
发射结
基极 B 集电结
发射极 E
P + N P 集电极 C E
基极 B
线性电子线路
C B
C B
第 2 章 晶体三极管
➢ 三极管内部结构特点
1)发射区高掺杂（相对于基区）。
2)基区很薄。
3)集电结面积大。
发射区 e
b
发射结 集电区
线性电子线路
N＋
P
N型外延 N＋衬底
形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流 方向相反，加在各极上的电压极性相反。
IE
N+ P N
IC IE
P+ N P
IC
IB - +- + V1 V2
线性电子线路
IB + -+ V1 V2
第 2 章 晶体三极管
2.1.2 电流传输方程
➢ 三极管的三种连接方式——三种组态
IE E
IC C
T
IB B