杭电线性电子电路思考题答案

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电⼦电路答案第⼆章⾼频⼩信号选频放⼤器的结构与电路习题指导思考题:2.2.1试⽤矩形系数说明选择性与通频带的关系。

思考题:2.2.2 以放⼤和选频两部分的组成结构为线索,分析图2-2-2(a)电路中各元件的作⽤?2.2.3在⼯作点设置合理的情况下,图2-2-2(b)中三极管能否⽤不含结电容的⼩信号等效电路来等效。

为什么?思考题:2.2.4在电路给定,接⼊系数n1和n 2 可变情况下,n1和n 2对单调谐选频放⼤器的性能指标有何影响?2.2.5请证明式(2-2-12)。

思考题:2.3.1由式(2-3-4)证明式(2-3-5)。

思考题:2.3.2 双调谐回路谐振放⼤器为何要采⽤n 1、n 2为代表的抽头⽅式将放⼤器与谐振回路相连接?2.3.3参差调谐放⼤器相对于双调谐回路放⼤器来说,其选频频率更容易在电路实现时得到控制,为什么?思考题:2.5.1通过本章“频分”信号识别技术的讨论,我们能确定在同⼀时间和同⼀电路空间中能容许不同信号的共存条件吗?需要事先进⾏安排吗?2.5.2若放⼤器的选频是理想的,我们能认为放⼤器能滤除全部噪声吗?为什么?思考题与练习题2-1.谐振放⼤器的特点是什么?采⽤谐振放⼤器的主要⽬的是为了提⾼选择性?这种说法是否全⾯?2-2.谐振放⼤器的谐振回路Q值是不是越⾼越好?为什么?2-3.已知单调谐回路谐振放⼤器的中⼼频率为465kHz,当频率偏离频率±5kHz,放⼤器的增益降低3dB ,试求谐振回路的品质因数?2-4. 写出四端⽹络的Y 参数⽅程,画出Y 参数等效电路,以及相关参数的单位。

2-5.题图2-5是单调谐放⼤器的交流通路,当谐振频率等于10MHz 时,测得晶体的Y 参数为:y i e =2+j0.5 (mS) ;y f e =20+j5 (mS) ;y o e =20+j40 (µS) ;y r e =0放⼤器的通频带为300kHz ,谐振电压增益为50,试求电路元件C 、L 和R L 的参数值。

浙江4月高等教育自学考试线性电子电路试题及答案解析

浙江4月高等教育自学考试线性电子电路试题及答案解析

浙江省2018年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码:02340一、填空题(每空1分,共20分)1.利用晶体二极管的___________和___________特性,可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。

2.半导体中,由浓度差引起非平衡载流子运动,形成___________电流,由外加电场引起载流子运动形成___________电流。

3.已知某晶体三极管的V BE=0.7V,V CE=1.0V,则该管工作在区,由___________材料制造。

4.晶体管工作在放大状态时,其发射结的结电容主要是___________电容,集电结的结电容主要是___________电容。

5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道,其中由___________形成的沟道称为N沟道。

6.场效应管工作在非饱和区时,其I D和V DS之间呈___________关系,故又称该区为___________。

7.在晶体管放大器中,即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路;可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。

8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。

9.放大电路中,引入直流负反馈的作用是___________,引入交流负反馈的目的是改善放大器的___________。

10.深度负反馈条件是___________,此时反馈放大器的增益近似等于___________。

二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。

每小题2分,共20分)1.当PN结外加正向电压时,扩散电流( )漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时,在P型和N型半导体交界处,形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域?( )A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层3.有四个晶体三极管:已知它们的电流放大系数β及穿透电流I CEO的值,使用时选用哪个更合适?( )A.β=200,I CEO=10μAB.β=10,I CEO=0.1μAC.β=50,I CEO=0.1μAD.β=100,I CEO=10μA4.常温下,某晶体三极管在I CQ=1mA处,r be=1.6KΩ,β=50,则b b r 等于( )。

杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版

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第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率,并指出每个元件起电源作用还是负载作用。

图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P (吸收);W 5.15.032=×=P (吸收) W 15353−=×−=P (产生);W 5154=×=P (吸收); W 4225=×=P (吸收);元件1、2、4和5起负载作用,元件3起电源作用。

1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ;V 13335=+−=I I U电流源功率:W 2621−=⋅−=U P (产生),即电流源产生功率6W 2。

电压源功率:W 632−=⋅−=I P (产生),即电压源产生功率W 6。

1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得:A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。

图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。

图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。

图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ;A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示:(1)求图(a)中的ab 端等效电阻;(2)求图(b)中电阻R 。

图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示:(1)求图(a)中的电压S U 和U ;(2)求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。

浙江2020年7月自考线性电子电路试题及答案解析

浙江2020年7月自考线性电子电路试题及答案解析

浙江省2018年7月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码:02340一、填空题(每小题1分,共10分)1.半导体是依靠__________和空穴两种载流子导电的。

2.PN结中的反向击穿现象按物理机制可分为__________和齐纳击穿两大类。

3.当晶体三极管工作在发射结加__________、集电结加反偏的模式时,它呈现的主要特性是正向受控作用。

4.若测得晶体管的三个电极电位分别是-5V,-4.7V,-2V,则该管类型是__________。

5.场效应管的饱和区又称放大区,它是沟道__________后所对应的工作区。

6.MOS管分为__________种类型。

7.三种基本组态晶体管放大电路中,共集组态具有输入电阻高、输出电阻_________的特点。

8.在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题:一是级间电平的配合;二是克服_________的有害影响。

9.放大电路中,要稳定输出电压,应引入__________负反馈。

10.反馈放大器是一个由基本放大器和__________构成的闭合环路。

二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。

每小题2分,共30分)1. 杂质半导体中多数载流子浓度( )。

A. 与掺杂浓度和温度无关B. 只与掺杂浓度有关C. 只与温度有关D. 与掺杂浓度和温度都有关2. 半导体二极管是温度的敏感器件,当温度增加时,其参数I S和V D(on)都将发生变化,试选择正确答案。

( )。

A. I S上升,V D(on)下降B. I S上升,V D(on)上升C. I S下降,V D(on)下降D. I S下降,V D(on)上升3. 随着温度的升高,晶体三极管的( )将变小。

A. βB. V BE(on)C. I CBOD. I CEO4. 晶体管的输出特性曲线分为四个区,请选择哪个区具有基区宽度调制效应?( )A. 饱和区B. 放大区C. 截止区D. 击穿区5. N沟道耗尽型MOS管工作在非饱和区的条件是( )。

电子电路基础课后习题答案【整理版】

电子电路基础课后习题答案【整理版】
第一章 思考题与习题
第一章 思考题与习题
1.1. 半导体材料都有哪些特性?为什么电子有源器件都是由半导体材料制成 的?
1.2. 为什么二极管具有单向导电特性?如何用万用表判断二极管的好坏?
1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管?
1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别?它们与通常电阻有什么不同?
(b) uo
t
(a)
(c)
图 P2-3
2.13 设如图 P2-4(a)所示的放大电路,Rb=200k,RC=2k,UD=0.7V,β=100, VCC=12V,VBB=2.7V,各电容值足够大,输入、输出特性曲线分别如图 P2-4(c)、 (d)所示,试 1. 计算印静态工作点,画出负载线 2. 画出中频交流等效电路 3. 设输入电压 ui 如图 P2-4(b)所示,试用图解法画出输出 uo 的波形 4. 输出主要产生何种失真,如何改善
(b) 1. D1、D2 均反向导通,Uo = UZ2+UZ1 = 9.6 V 2. 反向不导通,Uo = 6V
3. Uo = 3V
(c) 1. D1、D2 均正向导通,Uo = UD+UD = 1.4 V
2. Uo = UD+UD = 1.4 V
3. Uo = UD+UD = 1.4 V
(d) 1. D2 反向导通,D1 不导通, Uo = 3.3 V
D1
u1
u1
5V
0
u2

t
D2 R uo
u2
5V
0
t
图 P1-4(a)
图 P1-4(b)
解: u0
4.7V
0
t
1.13.如图 P1-5 所示电路,设二极管为理 想二极管(导通电压 UD=0,击穿电压 UBR=∞ ),试画出输出 uo 的波形。

电子线路线性习题答案

电子线路线性习题答案

电子线路线性习题答案【篇一:现代电子线路基础(陆利忠)第2章习题答案】习题2.1 求题图2.1电路的静态工作点icq和vceq的值。

已知晶体管的vbe=-0.7v,??50。

22k?rb1rg1100k?rgrb26.8k?15k?题图2.1题图2.2解:转换为戴维南等效电路如下图:rc+vcc其中vb?vcc?rb2??2.8v,rb?rrb2?rb1b2||rb1?5.2k?列输入回路kvl方程:ibq?|vb|?vbe(2.8?0.7)v??38?a,icq??ibq?1.8marb??re(5.2?50?1)k?vceq?vcc?icq(rc?re)??3.8v2.2 已知题图2.2电路中场效应管的夹断电压vp=-2v,工艺参数k?1.25ma/v2。

求静态工作点vgsq、idq和vdsq的值。

解:耗尽型n沟道mosfet管,采用混合偏置:vgsq?vg?idq?rs2 idq?k(vgsq?vp),解得:idq1?3.4ma,idq2?1.9mavgsq1??3.67ma,vgsq2??0.67mavg?vdd?rg?3.13vrg?rg1作为耗尽型n沟道mosfet管而言,要求Vv gsq?vp??2此时Vdsq?vdd?(rd?rs)idq?24?1.9ma?(4.7+2)k??11.27v2.3 放大电路及其静态图解如题图2.3所示。

试估算电路的静态工作点icq和vceq各为多少?集电极电阻rc为多少?(a)rl12840(b)(v)题图2.3解:从输出特性曲线可知:vcc =12 v 因此 ibq=vcc-vbe(12?0.7)v12v???60?a(必忽略vbe,否则输出曲线上无对应点)rb200k?200k?对应输出特性曲线:icq=6ma(找出ib=60ua曲线,平行于横轴作平行线与纵轴交点)vceq=vcc-icq?rc,故rc?1k?,vceq?6v。

2.4 在测绘某电子设备的部分电路时,画得放大电路如题图2.4所示,但半导体器件型号模糊不清。

全国各大高校线性电子线路习题集-答案

全国各大高校线性电子线路习题集-答案

一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)1.PN结的反向击穿有雪崩和________两种击穿。

2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由________产生的。

3.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。

4.已知某晶体三极管的fT和β,则fβ=________。

5.根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线族可划分为________区、饱和区、截止区和击穿区。

6.MOS场效应管按导电沟道划分为N和________两大类。

7.对放大器偏置电路的要求有两个:一是合适,二是________。

8.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。

9.若引入反馈使放大器的增益________,这样的反馈称为负反馈。

10.放大电路中,为稳定静态工作点,应引入________反馈。

11.如图所示两级放大电路,其中级间采用耦合方式,T1接成组态,T2接成组态,R1和R2的作用是。

12.差分放大器的基本特点是放大、抑制。

13.集成运放主要包括输入级、、和偏置电路。

14.放大电路静态工作点设置过高,则输出电压波形容易出现失真。

15.理想运放工作在线性区域的两个重要特性是、_____________。

16.已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时,输出电压为1V;当加上负反馈后达到同样的输出电压时,需加输入信号为10mV。

由此可知基本放大器的电压增益为___________,反馈系数为_________。

17.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12uA增大到22uA时,IC从1mA变为2mA,约为。

那么它的18.在单级共射电路中,若输入为正弦波形,用示波器观察UO和UI的波形,则UO和UI的相位关系为;若为共集电路,则UO和UI的相位关系为。

19.在多级放大电路中,放大倍数等于______________,后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻则也可视为后级的。

电子线路上册思考题(含答案)

电子线路上册思考题(含答案)

第一章思考题:1、本征半导体中的载流子是由本征激发产生的,其特征是产生电子空穴对,故两种载流子浓度相同。

2、在本征半导体中掺入五价元素形成N型半导体,它的多子是自由电子,少子是空穴;而在半导体中掺入三价元素形成P型半导体,它的多子是空穴,少子是自由电子。

3、半导体中的两种载流子是自由电子、空穴,它们都参与导电。

由浓度差引起的载流子的运动称为扩散,而漂移运动则是载流子在内电场作用下的一种运动,这两种运动都能产生电流。

4、PN结的势垒层宽度与外加电压的方向和大小有关,它在外加正向电压作用下变窄,有利于多子作扩散运动,在外加反向电压作用下变宽,有利于少子作漂移运动。

PN结的基本特性是单向导电性,其伏安特性方程为。

5、利用PN结的击穿特性可以制成稳压管。

稳压管输出电压稳定,电流变化大。

稳压管可构成并联稳压电路,该电路工作条件为:输入电压高于输出电压、有限流电阻.6、双极性晶体管有PNP和 NPN 两种。

从结构上看,由于发射区重掺杂和基区薄,故发射区发射的载流子绝大部分都能被集电区收集,收集的载流子和发射的载流子之比为α,收集的载流子和在基区复合的载流子之比为β,在数值上,前者小于并接近1 ,后者远大于1 。

7、晶体管是一个电流控制器件,它作共发射极使用时,其输入电流是基极电流,输出电流是集电极电流,两者关系为放大β倍;作共基极使用时其输入电流是发射极电流,输出电流是集电极电流,两者关系为α倍;无论何种组态,IB 、IC、IE三个电流一定满足 IE =IB+IC。

8、晶体管有三个工作区,分别是 放大 、 饱和 和 截止 。

使用时一定要加 偏置 电压,其目的是确定 工作点 。

晶体管开关应用时工作在 饱和 和 截止,放大应用时工作在 放大。

流过晶体管的电流只有 大小 变化,没有 方向 变化,为了放大交流信号,必须建立 静态工作点 。

9、放大器是一个 功率放大倍数大于 1 的电路,放大的含义是指对 交流信号 放大。

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低频电子线路实验思考题:
实验一 常用电子仪器的使用
1. 什么是电压有效值?什么是电压峰值?常用交流电压表的电压测量值和示波器的电压
直接测量值有什么不同?
答:电压峰值是该波形中点到最高或最低之间的电压值;电压有效值等于它的瞬时值的平方在一个周期内积分的平均值再取平方根。

常用交流电压表的电压测量值一般都为有效值,而示波器的电压直接测量都为峰值。

2.用示波器测量交流信号的幅值和频率,如何尽可能提高测量精度?
答:幅值的测量:Y 轴灵敏度微调旋钮置于校准位置,Y 轴灵敏度开关置于合适的位置即整个波形在显示屏的Y 轴上尽可能大地显示,但不能超出显示屏指示线外。

频率测量:扫描微调旋钮置于校准位置,扫描开关处于合适位置即使整个波形在X 轴上所占的格数尽可能接近10格(但不能大于10格)。

实验二 晶体管主要参数及特性曲线的测试
1.为什么不能用MF500HA 型万用表的R ×1Ω和R ×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值?
答:根据MF500HA 型万用表的内部工作原理,可知R ×1Ω和R ×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值的等效电路分别为图1和图2所示,此时流过二极管的最大电流mA V V I D 3.1384.92.05.11=-=Ω,mA V V I D 131002.05.12=-=Ω
,当I D1和I D2大于该二极管的工作极限电流时就会使二极管损坏。

2.用MF500HA 型万用表的不同量程测量同一只二极管的正向电阻值,其结果不同,为什么?
提示:根据二极管的输入特性曲线和指针式万用表Ω档的等效电路,结合测试原理分析回答。

答:R ×1Ω:r o =9.4Ω;R ×10Ω:r o =100Ω;R ×100Ω:r o =1073Ω;R ×1k Ω:r o =33.2k Ω。

因为二极管工作特性为正向导通、反向截止,尤其是正向导通的输
入特性曲线为一条非线性曲线。

用MF500HA 型万用表测量二极管的正
向电阻值的等效电路如右图所示,当量程小时,r o 的阻值小,流过二极
管的电流大,正向电阻阻值小,当量程变大(10k Ω除外)时,r o 的阻值
变大,流过二极管的电流变小,其所测的阻值变大。

实验六 直流稳压电源的设计与调测
1.整流滤波电路的输出电压U I 是否随负载的变化而变化?为什么?
答:U I 是随负载的变化而变化。

因为根据桥式整流电容滤波电路的工作原理可知:U I =(2~9.0)u 2 ,当u 2固定后,其系数的大小主要由负载电流(电阻)的大小来决定。

负载电阻小时U I 小,反之则变大。

2.在测ΔU O 时,是否可以用指针式万用表进行测量?为什么?
答:不可用指针式万用表测量。

因为稳压器的输出电压变化量Δuo 为千分之几到万分之
几,而指针式万用表的测量精度为百分之几,无法满足测量要求。

3.设计并画出一种用NPN大功率管扩流的集成稳压器电路。

解:如下两图均可。

实验三单级低频放大器的设计、安装和调试
1.R C和R L的变化对静态工作点有否影响?
答:R C的变化会影响静态工作点,如其它参数不变,则R C↑==>V CE↓。

R L的变化对静态工作点无影响,原因是C2的隔直作用。

2.R C和R L的变化对放大器的电压增益有何影响?
答:本实验电路中
be L
U r R
A
'
β
-
=,R L′= R C // R L ,R L′增加时,∣A U∣的值变大,反之
则减小。

3.放大器的上、下偏置电阻R B1和R B2若取得过小,将对放大器的静态和动态指标产生什么影响?
答:上、下偏置电阻R B1和R B2取得很小时,静态稳定性提高,但静态功耗大增而浪费能源,而且还会使放大器的输入动态电阻减小以致信号分流过大。

4.C3若严重漏电或者容量失效而开路,两种器件故障分别对放大器产生什么影响?
答:C3若严重漏电会使R4短路失效,放大器不能稳定工作,严重时会造成放大器处于饱和工作状态,而不能放大信号。

C3容量失效而开路时,由于R4的作用,使放大器处于深度负反馈工作状态,不能放大信号,A U≈-1。

实验五集成低频功率放大器
1.测量集成功放的输入电阻r i ,为什么一般要采用测量输出电压的方法?
答:因为集成功放的输入电阻r i较大(一般为几十kΩ),采用测量输入电压的方法时,电压表与其r i并联后,由于分流作用在测量电阻R上产生电压降(如图1所示),而产生测量误差。

采用测量输出电压的方法时,由于功放输出电阻和负载电阻(R L=10Ω)都很小,电压表在输出端并联后,分流降压作用很小(如图2所示),测量精度提高。

所以一般都应采用测量输出电压的方法。

2.集成功放内部电路共有四级放大器组成,其各级放大器各有什么主要特点?
答:输入级(前置放大级)也称差动放大器,具有输入阻抗高、噪声系数小、稳定性好的特点;中间放大级,具有动态电阻大、静态电阻小、电压增益高的特点;功率推动级,具有
自举电路和提供较大的推动电压和电流的特点;功率放大级,具有很大的电流放大功能。

3.实验测量和实验结果都必须满足如下条件:2O V <1O V ≤max OL V ,i V <<OL V ≤max OL V ,说明其理由和原因。

答:功放的各项性能指标规定在输出波形不失真的条件下测量求得,V OLmax 为最大的不失真输出电压有效值,所以V OL ≤V Olmax ,V O1≤V Olmax ;∵V O1=V S A u ,V O2=V i A u ,且V i <V S ∴V O2< V O1≤V Olmax ,因为A u =V OL /V i >>1,所以V i <<V OL ≤V Olmax 。

实验八 集成运放的线性应用
1.集成运放用于交流信号放大时,采用单、双电源供电时各有什么优缺点?
答:运放采用单电源供电:优点:电源种类少。

缺点:电路中需增加器件,运放输出端的静态电位不为零(V CC /2或-V CC /2)。

采用双电源供电:优点:应用电路相对简单,输出端静态电位近似为零。

缺点:电源种类多。

2.理想运放具有哪些最主要的特点?
答:(1)差模电压增益A d 为无穷大;(2)共模电压增益A C 为零;(3)输入阻抗R in 为无穷大;(4)输出阻抗R O 为零;(5)有无限的带宽,传输时无相移;(6)失调、温漂、噪声均为零。

3.集成运放用于直流信号放大时,为何要进行调零?
答:实际的集成运放不是理想的运放,往往存在失调电压,为了提高实验测量精度,所以要进行调零。

实验十 负反馈放大器
1.负反馈放大器有哪四种组成形式,各种组成形式的作用是什么?
答:负反馈放大器有电压串联、电压并联、电流串联和电流并联负反馈四种组成形式。

电压串联负反馈具有稳定输出电压,降低输出电阻,提高输入电阻的作用。

电压并联负反馈具有稳定输出电压、降低输出电阻和输入电阻的作用。

电流串联负反馈具有稳定输出电流,提高输出电阻和输入电阻的作用。

电流并联负反馈具有稳定输出电流,提高输出电阻,降低输入电阻的作用。

2.如果把失真的信号加入到放大器的输入端,能否用负反馈的方式来改善放大器的输出失真波形?
答:不能。

因为负反馈放大器只能改善和消除电路内部因素造成的失真。

实验十一 电平检测器的设计与应用
4)二极管VD1和VD2分别起什么作用?
答:分别保证发射极和集电极的偏置。

5)实验中,驱动二极管V 的基极电阻Rb 的阻值如何确定?取值过大或者过小产生什么问题? 答:Ω≈⨯-=⨯-≈k I R CQ b 2.25100
/507.0214/7.0214β过大或者过小影响集电极电流的值,过大无法驱动继电器,过小烧坏三极管,红灯不亮。

实验十二 波形产生电路
1.在图12-1的原理电路中,若将R 3的阻值错用为正常值的10倍或1/10倍,电路输出端将分别出现什么现象?
答:根据文氏电桥正弦波发生器的工作原理可知该电路满足振荡的幅值条件为A uf =1+R f / R 3=1+(R 4+R W +R 5//R D )/ R 3≥3,由该式可知R 3为正常值的10倍时,不满足振荡幅值条件,
电路停振而无波形输出。

R3为正常值的1/10倍时,致振荡太强使输出的正弦波严重失真。

2.如果把图12-6所示的电路中的二极管D反接,其输出波形将如何变化?
答:把图12-6中的二极管D反接后,电容正向充电时D反向截止,不工作;反向放电时,二极管导通工作,加速放电,所以V O1的波形为脉宽大于脉冲间隔,V O的锯齿波波形下降时间长,上升时间短。

3.在方波、三角波发生器实验中,要求保持原来所设计的频率不变,现需将三角波的输出幅值由原来的3V降为2.5V,最简单的方法是什么?
答:最简单方法是将原来所用的双向6V稳压管改为双向5V的稳压管即可。

此时输出的方波幅度由原来的±6V变为±5V,三角波的输出幅值为原来的±3V变为±2.5V。

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