DSP 存储器

. 外部存储器与扩展接口 §3-2 3-2.
，即系统由一个 F2810 DSP 芯片 � 典型的 DSP应用系统多采用 最小系统 最小系统，即系统由一个 加上相应的电源、时钟、复位、 JTAG电路及应用电路构成，这种系 单片系统方案 （Single Chip Solution）。 统也称为 统也称为单片系统方案 单片系统方案（ � 在程序调试过程中，可以先将程序放入到 H0 SARAM、L0 SRAM和 仿 时比较方便。仿 L1 SARAM中运行仿真调试，对于程序长度 小于 16K时比较方便。 真调试后再通过修改链接命令文件 (. cmd )等方法，将程序烧进 Flash 中 (.cmd cmd) 运行。 � 如果程序长度大于 16K时，片内的 SARAM的空间用于仿真就不够用 了，需要扩展外部的 RAM 。当然对于编程的高手而言，也可以不经 过仿真阶段，直接将长度超过 16K的程序代码烧进 Flash 中去进行运行 调试。
2812 DSP 外部 接口分区 XINTF
DSP存储器扩展 CY7C1024V33: 256K×16 位 仿真调试程序 （译码电路）
对访问时序进行配置依赖于F2812的工作频率 SYSCLKOUT和XINTF的定时时钟XTIMCLK。
时钟XTIMCLK 和SYSCLKOUT的关系示意图
� XINTF对外访问时序被分成三个阶段，即： • 起始(Lead)阶段 • • 激活(Active)阶段 收尾(Trail)阶段
2812 DSP 的的存存储储器器映映射射
不扩展外部存储器的映像图
2812 DSP 的存储器映射 2810 DSP 的存储器映射
. 片内程序/数据存储器 §3-1 3-1.
1. 2812 片内程序/数据存储器 （RAM） 数据存储器（
� 两块单周期快速访问的存储器（ SARAM ） ： • M0： (00 0000-00 03FFH) ， 1KW×16
TMS320F2812片内ROM MAP
段地址
0x3F F000 – 0x3F F501 0x3F F502 – 0x3F F711 0x3F F712 – 0x3F F833 0x3F F834 – 0x3F F9E7 0x3F F9E8 – 0x3F FB4F 0x3F FB50 – 0x3F FBFF 0x3F FC00 – 0x3F FFBF 0x3F FFC0 – 0x3F FFC1 0x3F FFC2 – 0x3F FFFF
2. 2812 片内程序/数据存储器 （Flash和OTP） 数据存储器（
� OTP: (3D 7800-3D 7BFFH) 1KW 一次性可编程存储器， 可存放程序或数据 � Flash : (3D 8000-3F 7FFFH)， 128KW, 分为4个8KW模块和6个16KW模块： Sector J : (3D 8000-3D 9FFFH)， 8KW×16 Sector I : (3D A000-3D BFFFH)， 8KW×16 Sector H : (3D C000-3D FFFFH)， 16KW×16 Sector G : (3E 0000-3E 3FFFH)， 16KW×16 Sector F : (3E 4000-3E 7FFFH)， 16KW×16 Sector E : (3E 8000-3E BFFFH)， 16KW×16 Sector D : (3E C000-3E FFFFH)， 16KW×16 Sector C : (3F 0000-3F 3FFFH)， 16KW×16 Sector B : (3F 4000-3F 5FFFH)， 8KW×16 Sector A : (3F 6000)， 8KW×16 (3F 7F80-3F 7FF5H): 当使用代码安全模式时，编程到0000H (3F 7FF6-3F 7FF7H): Boot-toFlash(ROM )入口（存放程序调转指令） Boot-to-Flash(ROM Flash(ROM) (3F 7FF8-3F 7FFFH):存放安全代码（128位）
第三章 存储器 本章内容：
3.1 3.2 3.3 3.4 片内程序/数据存储器 外部存储器与扩展接口 代码安全模块CSM DSP引导模式
第三章 存储器
� 281xDSP采用增强的哈弗总线结构，能够并行访问程序 存储空间和数据存储空间； 统一寻址； � 采用数据存储空间, 程序存储空间, I/O空间 空间统一寻址； 通常把数据存储空间映射到低64K， 程序存储空间映射到高64K； � 281xDSP 采用32位数据地址和22位程序地址，具有最大 寻址空间：4G的数据空间（每字16位）和4M的程序空 间； � 提供外部并行扩展接口
2. 2812 片内程序/数据存储器 （Flash和OTP） 数据存储器（
� Flash 存储器的特点
多个分区。 有代码安全保护。 有低功耗模式。 可根据 CPU 频率调整的等待状态。 可提高性能的流水线模式。 。 � Flash 和OTP的性能 的性能。 16位或 32 位数据空间读操作。 16 位程序空间读操作。 Flash 存储器随机存取。 Flash 存储器页面存取。 OTP操作。
TMS320LF2407 存存储储器器空空间间配配置置
� 通常在系统开发过程中，如果程序长度小于16K时， 仿真时可将程序导入到H0 SARAM和 L0 SARAM、 L1 SARAM中运行，仿真调试后再通过修改链接命 cmd )等方法，将程序烧进Flash中运行。 令文件(. (.cmd cmd) � 如果程序长度大于16K时，片内的SARAM的空间用 于仿真就不够用了，需要扩展外部的RAM。当然对 于编程的高手而言，也可以不经过仿真阶段，直接 将长度超过16K的程序代码烧进Flash中去进行运行 调试。
• 281x 与 24x 的兼容性 ”的存储器地址范围映 � 不论是2812还是2810，“低64K 64K” ”的存储器地址范围映 射到24x的数据空间；“高64K 64K” 射到24x的程序空间。 � 24x兼容的代码只能在“高64K ”存储器中执行，因此 64K” 只有最顶部的32K(0x3F 0000~0x3F 7FFF)的 Flash/ROM和H0 SARAM可以用来运行24x兼容的代 码。
F2812各存储器块的地址范围
地址范围 0x080000～0x0FFFFF 0x100000～0x17FFFF 0x180000～0x3D77FF 0x3D7800～0x3D7BFF 0x3D7C00～0x3D7FFF 0x3D8000～0x3F7FF7 0x3F7FF8～0x3F7FFF 0x3F8000～0x3F9FFF 0x3FA000～0x3FEFFF 0x3FF000～0x3FFFBF 0x3FFFC0～0x3FFFFF 0x3FC000～0x3FFFBF 0x3FFFC0～0x3FFFFF 存储器块名称 外扩的XINTF区2 (0.5M×16) 外扩的XINTF区6 (0.5M×16) 保留空间 OTP模块 (1K×16 ，受CSM保护) 保留空间 Flash (128K×16 ，受CSM保护) 128 为密钥 H0 SRAM (8K×16) 保留空间 Boot ROM (4K×16, MP/MC = 0) BROM向量(VMAP=1; MP/MC = 0 ；ENPIE=0 ) 外扩的XINTF区7 (16K×16， MP/MC = 1 ) XINTF向量(VMAP=1; MP/MC = 1 ；ENPIE=0 )
2. 2812 片内程序/数据存储器 （Flash和OTP） 数据存储器（
� Flash : (3D 8000-3F 7FFFH)， 128KW, 分为4个8KW模块和6个16KW模块： • 用户可以对各自模块单独擦除、编程和验证 • 可以映射到程序空间，存放执行的程序，也映射到数据空间，存放数据 信息。 • 代码安全保护 • 注意：不同型号的芯片， 片内Flash 的配置不同，例如： 2812 —— 128KW：3D 8000 - 3F 7FFFH 2810 —— 64KW：3E 8000 - 3F 7FFFH � Boot ROM存储器: (3F F000-3F FFFFH)， 4KW • 掩模型存储器，在芯片出厂时固化了Boot Loader 引导程序 � 片内外设寄存器：PF0, ( 00 0800-00 0CFFH) , 2KW PIE Vector-RAM: （00 0D00-00 0DFFH ），256W � 中断矢量： � 片内外设寄存器: PF1/2, ( 00 6000-00 7FFFH) ，8KW
程序数据空间
正弦/余弦; 641 x 32(Q30) 规格化翻转; 264 x 32(Q29) 规格化平方根;145 x32(Q30) 规格化ACTAN; 218 x32(Q30) 圆整和饱和度. 180 x 32(Q30) 保留 引导装载功能，ROM版本… 复位向量表; 2 x 16 初始化向量; 62 x 16
F2812各存储器块的Βιβλιοθήκη Baidu址范围
地址范围 0x000000～0x00003F 0x000040～0x0003FF 0x000400～0x0007FF 0x000800～0x000CFF 0x000D00～0x000DFF 0x000E00～0x001FFF 0x002000～0x003FFF 0x004000～0x005FFF 0x006000～0x006FFF 0x007000～0x007FFF 0x008000～0x008FFF 0x009000～0x009FFF 0x00A000～0x07FFFF 存储器块名称 M0向量RAM (VMAP [ ST1.3)] =0) [ST1.3)] M0 SRAM (1K×16) M1 SRAM (1K×16) 外设帧0 (2K×16) PIE向量 (256 W， VMAP=1; ENPIE=1) 保留空间 外扩的XINTF区0 (8K×16) 外扩的XINTF区1 (8K×16，受EALLOW保护) 外设帧1 (4K×16，受EALLOW保护) 外设帧2 (4K×16，受EALLOW保护) L0 SRAM(4K×16，受CSM保护) L1 SRAM(4K×16，受CSM保护) 保留空间
. 外部存储器与扩展接口 §3-2 3-2.
� 对于较复杂的 DSP 应用系统，程序可能较长或需要扩展一些外部存储 器或外部接口如 D/A 转换芯片、 LCD驱动等，这时需要采用外部接口 (XINTF)。 � 外部存储器或接口访问速度等可能差别较大， XINTF提供了时序延长 或加等待机制来确保通过软件配置实现对这些存储器或外设的正确接 口。
� XINTF对不同的地址区域进行访问时，可以通过对应 各区的XTIMING寄存器 对访问时序加等待状态进行延 寄存器对访问时序加等待状态进行延 时，等待状态可配置为若干个XTIMCLK 的周期数。
XINTF的寄存器
§3-3. 代码安全模块CSM
1. 代码安全模块的功能
代码安全模块 CSM (Code Security Module) 可以防止未被授权的 人看到片内存储器的内容，防止对受保护的代码进行复制和反向工程。 一般情况下，在开发阶段不需要代码安全保护，只有当软件开发 完毕后，在把代码烧写到 Flash 存储器时需要进行代码保护。
（M0模块与C240x 器件的B0、B1、B2 RAM 模块地址重叠）
• M1：(00 0400-00 07FFH) ， 1KW×16 （复位时，堆栈指针指向 M1的起始位置，即 000400H ） • M0、M1 同时映射到程序空间和数据空间 � 一块单周期访问的存储器 (SARAM)，长度为 16KW，分为三块： • L0： (00 8000-00 8FFFH) ， 4KW ×16 • L1： (00 9000-00 9FFFH) ， 4KW×16 • H0： (3F 8000-3F BFFFH)， 8KW ×16 • 每个模块都可以映射到程序空间和数据空间