北京交通大学模拟电子技术习题及解答第五章模拟集成放大电路基础
模拟电子技术-第5章答案(含大题)
19. (
) 不是集成运算放大器理想化的条件。
A、rid=∞
B、ro=o
C、Aod=∞
D、KCMR=0
20. 关于理想运算的主要技术指标错误的是(
)。
A、KCMR=∞ 三、填空题：
B、Aod=∞
C、rid=0
D、ro=0
1.在差动放大电路中，发射极电阻 RE,对差模信号无反馈作用，相当于 短路 。
2．在长尾式差动放大电路中，如图 2 所示，发射极电阻 RE,对差模信号无反馈作用，相当于
rbe
(1 )
RW 2
115.96
3.差模输入电阻
Ri
2[R
rbe
(1 )
RW 2
]
36.7k
4. 差动放大电路如图 4 所示，微安表的读数为 100μA，FB 支路的总电阻 RL=2KΩ，晶体管的电流放 大系数 β=50，管子的输入电阻 rbe=2.9KΩ，试求输入电压 uI 的大小。
6V 5.1k RC RL RC 5.1k
模 输 入 电 压 uId=
20
mV。
5. 双端输出电路对称的差动放大电路，对共模输入信号的电压放大倍数近似等于 0 。
6. 在差动放大电路中，发射极电阻对差模信号无反馈作用，相当于 短路 。
7. 差分放大电路输入端加上大小相等、极性相反的两个信号，称为 差模 信号。
8. 理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是 rid=∞ 。
)。
A.电 压 放 大 倍 数 大
B.不 失 真 输 出 电 压 大
C.带 负 载 能 力 强
10. 集 成 运 放 制 造 工 艺 使 得 同 类 半 导 体 管 的 (
)。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模拟电子技术基础王卫东最新版课后习题答案第五章
第五章 放大电路的频率特性5.1 已知某级联放大电路的电压增益函数为：)10)(10(10100)(6713++⨯-=s s s A u试画出它的幅频波特图和相频波特图；?))(0(=dB A u解：由题可知 0)(lim =∞→s A u s （即m n >，极点数目大于零点数目），且极点数值较大。
该增益函数为高频增益函数。
故中频增益为100)(lim )0(0-===→s A A A u s u o即 dB dB A u 40100lg 20))(0(=-= 中频段相移 o o 180-=ϕ 由频率响应函数)101)(101(100)10)(10(10100)(767613ωωωωωjjj j j A u ++-=++⨯-=可得幅频特性 2726)10(1lg 20)10(1lg 20100lg 20))((ωωω+-+--=dB A u 2726)10(1lg 20)10(1lg 2040ωω+-+-=dB 相频特性 761010180)(ωωωϕarctgarctgo---=画出其幅频波特图和相频波特图分别如题5.1解图(a)和(b)所示。
4020题5.1解图-180o - -270o -360o5.3某放大器增益函数为：)10)(10()10(10)(322+++-=s s s s s A u ，试画出它的幅频波特图和相频波特图。
解：由题可知该放大器增益函数存在两个一阶极点：101=p ，3210=p ；两个一阶零点：01=z ，2210=z 。
根据一阶零、极点波特图的特点，画出其幅频波特图和相频波特图分别如题5.3解图(a)和(b)所示。
5.6单级共射放大电路如题5.6图所示。
已知Ω=K R c 2，Ω===K R R R L e s 1，Ω=K R R b b 10//21，F C μ51=，F C μ102=，F C e μ100=，BJT 参数44=β，Ω=K r be 4.1，试估算出该放大器源电压增益的低频截止频率L f 。
北京交通大学模拟电子技术-期末必考试题及参考答案
一、简答下列问题（24 分，每题 3 分）
1.为什么称双极型三极管称为“双极”型器件，而场效应管称为单极型器件？
答：三极管有两种极性的载流子导电，而场效应管只有一种极性的载流子导电，如 N 沟道场效应管的导电载流子是电子，而 P 沟道场效应管的导电载流子是孔穴。
2.差分放大电路中射极电阻 REE 的作用是什么？在集成电路中为什么通常用电流源作为有 源负载替代 REE？
VCC、R1、VT4、R2、-VEE 支路电流为
I CQ4
VCC
VEE UBE R1 R2
12 12 0.7 45k 1k
0.51 mA
I CQ3
R2 RE3
I CQ4
1k 500
0.51 1mA
ICQ1
ICQ2
I CQ 3 2
0.51
mA
UCEQ4 UBE4 0.7V
R2 1kΩ
甲类放大类别共射放大电路共集放大电路共基放大电路电压增益a位关系反相相差180同相同相最大电流增较大较大频响特性较差较好用途多级放大电路的中间级输入级中间缓冲级输出级高频或宽带放大电路及恒流源电路电路是否可以放大信号功率
北京交通大学考试试题及参考答案
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总分 得分 阅卷人
100k 10k
10
第二级放大器增益
1
AU2
R4 // R3
jωC2 1
jωC1
jωR4C1
1 jωR3C1 1 jωR4C2
jω 105
1
jω 105
1
jω 104
总的放大增益为
AU
AU1 AU2
jω 104
1
jω 105
模拟电子技术基础-自测题答案
第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，假设掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；假设掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单项选择题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)第2章半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO增大，导通电压U BE 减小。
电子教案-《模拟电子技术基础》(第2版 陈梓城)电子教案、参考答案第五章自我检测题参考答案 电子课件
第五章自我检测题参考答案一、填空题1.乙类互补对称功放的效率比甲类功放高得多，其关键是静态工作点低。
2.由于功放电路中功放管常常处于极限工作状态，因此选择功放管时要特别注意P CM ， I CM 和U (BR)CEO 三个参数。
3.设计一个输出功率为20W 的扩音机电路，若用乙类OCL 互补对称功放电路，则应选P cm 至少为4W 的功放管两只。
二、判断题1.乙类互补对称功放电路在输出功率最大时，管子的管耗最大。
(×)2.功放电路的效率是拷输出功率与输入功率之比。
(×)3. 乙类互补对称功放电路在输入信号为零时，静态功耗几乎为零。
(√)4只有当两只三极管的类型相同时才能组成复合管。
(×)5.OCL 电路中输入信号越大，交越失真也越大。
(×)6.复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
(√)三、选择题1.功率放大器的输出功率大是(C )。
A.电压放大倍数大或电流放大倍数大B.输出电压高且输出电流大C.输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大2.单电源(＋12)供电的OTL 功放电路在静态时，输出耦合电容两端的直流电压为(C )。
A.0VB.+6VC.+12V3.复合管的导电类型(NPN 或PNP)与组成它的(A )的类型相同。
A.最前面的管子B.最后面的管子C.不确定4. 互补对称功放电路从放大作用来看，(B )。
A.既有电压放大作用，又有电流放大作用B.只有电流放大作用，没有电压放大作用C.只有电压放大作用，没有电流放大作用5.甲乙类OCL 电路可以克服乙类OCL 电路产生的(A )。
A.交越失真B.饱和失真C. 截止失真D.零点漂移四、一单电源供电的OTL 功放电路，已知V CC =20V ，R L =8Ω，U CE(sat)忽略不计，估算电路的最大输出功率，并指出功率管的极限参数P CM 、 I CM 、U (BR)CEO 应满足什么条件？解：OTL 功放电路W 25.6W 8102121212L 2om =•=⎪⎭⎫ ⎝⎛•=R V P CC W 25.1W 25.62.02.0om CM =⨯=≥P PV 20V 20CC (BR)CEO ＝＝V U ≥A 25.1A 82202L CC CM =⨯=≥R V I第五章 习题参考答案5.1判断题1.功率放大倍数A P ＞1，即A u 和A i 都大于1。
2012年模拟电子技术第五章 集成运算放大电路及其应用练习题(含答案)
第五章集成运算放大电路及其应用【教学要求】本章主要叙述了集成运放内部电路的组成及作用；讨论了电流源电路、差分放大器等单元电路；同时介绍了集成运放的理想化条件及它的三种基本电路和运算、集成运放的应用电路及其特点和集成运放的非线性应用；教学内容、要求和重点如表5.1。
表5.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题5-1】差动放大器如图5-1所示。
已知三极管的β1=β2=50，β3=80，r bb’=100Ω，U BE1=U BE2=0.7V，U BE3=－0.2V，V CC=12V。
当输入信号U i=0时，测得输出U o=0。
1：估算T1、T2管的工作电流I c1、I c2和电阻R e的大小。
2：当U i=10mV时，估算输出U o的值图5-1解：1：由电路可知，当U i =0时，要保证U o =0V ，则电阻R e3上压降应为12V ，，由此可求得3c I ：mA R U U I e cc o c 11212)(33==--=，T 3管的设计电流3E I 为：33c E I I ≈，而T 2管集电极电阻R c2上的压降2C R U 可近似为：V U R I U EB e E R C 2.32.0313332=+⨯=+⋅≈。
于是T 1、T 2管的集电极电流1C I 、2C I 为：)(32.0102.32212mA R U I I C RR C C C ====。
射极电阻R e 上的电流e R I 为：)(64.021mA I I I C C R e=+=。
若设T 1管基极电位U B1=0V ，则U E1=－0.7V ，射极电阻R e 为：)(7.1764.0127.0)(1Ω=+-=--=K I U U R e R CC E e2：U i =10mA 时，U o 的大小：由于电路的结构为单入、单出型，故将T 3管构成的后级电路输入电阻R i2作为差放级的负载考虑，其电压放大倍数A u1为：)(2)//(12211be b i c u r R R R A +=β；其中： )(24.432.026)501(1001Ω=⨯++=K r be ，3332)1(e be i R r R β++=； 而3be r 为： )(2.2126)801(1003Ω=⨯++=K r be ； 所以： )(2453)801(2.22Ω=⨯++=K R i电压放大倍数为：8.45)24.41(2)245//10(501=+⨯⨯=u AT3管构成的后级放大电路的电压放大倍数2u A 为：9.33812.21280)1(333332-=⨯=⨯-=++-=e be c u R r R A ββ当输入U i =10mA 时，电路输出电压U o 为：)(8.110)9.3(8.4521V U A A U i u u o -=⨯-⨯=⋅⋅=【例5-2】图5-2给出了采用两级运放电路实现的差分比例运算电路。
模拟电子技术基础部分模拟考试题(含答案)
模拟电子技术基础部分模拟考试题（含答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管( )A、集电极电压UCE上升B、集电极电压UCE下降C、基极电流不变D、以上答案均不正确正确答案：B2、对于放大电路，所谓开环是指( )。
A、无信号源B、无负载C、无反馈通路D、无电源正确答案：C3、反向比例运算放大器实质上是 ( )A、深度电压串联负反馈B、电流负反馈C、电压负反馈放大器D、深度电压并联负反馈正确答案：D4、在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响较小，同时对信号源的影响也要小，则附引入负反锁的类型是( )A、电流并联B、电流申联C、电压申联D、电压并联正确答案：B5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 ( )。
A、0.5倍B、0.1倍C、0.7倍D、0.9倍正确答案：C6、有电流放大、无电压放大的电路是 ( )放大电路.A、共集电极B、基本共射C、共基极D、分压式偏置正确答案：A7、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 ( )。
A、共基放大电路B、差动放大电路C、共射放大电路D、共集放大电路正确答案：C8、用文字符号法表示电阻器的阻值时,中间的“R"表示( )。
A、103ΩB、109ΩC、ΩD、106Ω正确答案：C9、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A10、电阻器上标有“2R7”的含义是 ( )A、27B、27KC、2.7D、2.7K正确答案：C11、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当 ( )A、大电阻B、断开的开关C、接通的开关D、以上答案均不正确正确答案：C12、识别发光二极管极性时，可以从外形来判断，以下正确的是( )。
A、引脚短的为正极B、无法判断C、引脚长的为正极D、没有正负正确答案：C13、直流稳压电源中滤波电路的作用是( )A、稳压B、将交流变为直流C、将高频变为低频D、将交、直流混合量中的交流成分滤掉正确答案：D14、在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是( )。
电路基础与集成电子技术-第5章习题解答
第5章基本放大电路习题解答【5-1】填空、选择正确答案1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；√B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端，同时防止偏置电流被信号源旁路；C．将输入交流信号加到晶体管的基极。
2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中：A．只有直流；B．只有交流；√C．既有直流，又有交流。
3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。
（I CQ，I CQ）4．下列说法哪个正确：A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；√B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。
5．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。
（越好）6．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。
（饱和区）7．在共漏基本放大电路中，若适当增加g m，放大电路的电压增益将（）。
（基本不增加）8．在共射基本放大电路中，若适当增加β，放大电路的电压增益将（）。
（基本不增加）9．在共漏（或共射）基本放大电路中，适当增大R d（或R c），电压放大倍数和输出电阻将有何变化。
√A．放大倍数变大，输出电阻变大；B．放大倍数变大，输出电阻不变；C．放大倍数变小，输出电阻变大；D．放大倍数变小，输出电阻变小。
10．有两个电压放大电路甲和乙，它们本身的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。
对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。
哪个电路的输入电阻大？（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小9，输出信号就越大。
5模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行_PPT课件_第五章
~+1 2 uId
~+1 2
uId
R
+ uo
VT1
VT2
Re
VEE
无负反馈。
图 5.2.8 长尾式差分放大电路
(2)静态分析
当 uId = 0 时，由于电路结构对称，故： IBQ1 = IBQ2 = IBQ，ICQ1 = ICQ2 = ICQ ，UBEQ1 = UBEQ2
= UBEQ，UCQ1 =UCQ2 = UCQ， 1= 2=
第五章 集成运算放大电路
5.1 集成放大电路的特点 5.2 集成运放的基本组成部分 5.3 集成运放的典型电路 5.4 集成运放的主要技术指标 5.5 理想运算放大器 5.6 各类集成运放的性能特点 5.7 集成运放使用中的几个具体问题
5.1 集成放大电路的特点
集成电路简称 IC (Integrated Circuit)
当 uId = 0，时
+ uId
UCQ1 = UCQ2
UO = 0
Rb1
Rc1 + uo
Rc2 Rb2
R1
~+1 2 uId
~+1 2
uId
R2
VT1
VT2
图 5.2.6 差分放大电路的基本形式
（2）电压放大倍数 VT1 和 VT2 基极输入电压大小相等，极性相反，— —称为差模输入电压(uId)。
由于 UBE1 = UBE2，VT1 与 VT2 参数基本相同，则
IB1 = IB2 = IB；IC1 = IC2 = IC
R IREF
2IB
IC2
VT1
IB1 +
UBE1
IC2 IB2
U+BE2 VT2
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第五章模拟集成放大电路基础
第五章模拟集成放大电路基础5-1．选择填空题1．在模拟集成放大电路中，电流源的主要作用是_________和_________。
a.有源负载b.偏置电路c.信号源d.补偿电路2．典型的长尾式差分放大电路中，射极电阻R EE的主要作用是___________。
a.提高输入电阻b.提高差模电压增益c.提高共模电压增益d.提高共模抑制比3．放大电路产生零漂的主要原因是________________。
a.环境温度变化b.采用阻容耦合方式c.采用变压器耦合方式d.电压倍数过大4．在采用直接耦合方式的模拟集成放大电路中，影响零漂最严重的一级是____________，零点漂移最大的一级是____________。
a.输入级b.中间级c.输出级d.直流偏置电路5．差分放大电路中，双端输入时差模电压放大倍数是A ud，当变为单端输入时，差模电压放大倍数为____________。
a.2A udb. 0.5A udc. A udd. 无法确定6．差分放大电路由双端输出改为单端输出，共模抑制比减小的原因是____________。
a. A ud不变，A uc增大。
b. A ud减小，A uc不变。
c. A ud减小，A uc增大。
d. A ud增大，A uc减小。
7．集成运放内部是由直接耦合方式的多级放大电路组成，作为放大电路的应用，它____________。
a.能放大直流信号，也能放大交流信号。
b. 不能放大直流信号，但能放大交流信号。
c. 能放大直流信号，但不能放大交流信号。
8．差分放大电路中，输入信号为u i=1mV，单端输入放大的输出电压比单输入方式（即作为差模输入电压）进行放大得到的输出____________a.大b.小c.相同d.不能确定9．晶体管集成放大电路较场效应管集成放大电路的特点有____________和__________。
a.功耗大 b.功耗小 c.速度高 d.速度低10．场效应管集成放大电路较晶体管集成放大电路的优点之一是_____________。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第5章
第五章集成运算放大器的应用5.1 RC电路如图P5.1所示，试求出各电路的转折频率，并画出电路的波特图。
解：（1）KHz RCfH13310102.1212193=⨯⨯⨯==-ππ（2）KHz RCfH16.01010212163=⨯⨯==-ππ5.2 RC电路如图P5.2所示，试求出各电路的转折频率，并画出电路的幅频波特图。
解：（1）MHzCRRfH46.31021023.021)//(2110321=⨯⨯⨯⨯==-ππ（2）HzCRRfLH5.12101027.121)(21531=⨯⨯⨯=+=-ππ5.3 三极管的参数790=β、pF C c b 5.2'=、Ω=30'bb r 、MHz f T 750=，如工作点电流mA I EQ 5=，试画出该管的混合π型高频等效电路，并求出各参数。
解：s r g pF C f I C f g C I r cb m cb T EQc b T me b EQe b 19.0416793.385.28.405.2261075028.652622416526)791(26)1('06'''0'====-=-⨯⨯⨯=-⋅=-=Ω=⨯+=+=βππβ5.4 已知三极管的参数500=β、MHz f T 500=，试求该管的a f 和βf 。
若Ω=5e r ，试问c b C '等于多少（设可忽略）？ 解：1、MHzf f T10501050060=⨯==ββ2、MHz f f 510101051)1(60=⨯⨯=+=βαβ 3、pF f r f g C T e T m e b 7.6310500528.612126'=⨯⨯⨯===ππ5.5 单级三极管共射放大电路如图如图P5.1.8所示。
三极管的参数800=β、pF C c b 4'=、Ω=30'bb r 、MHz f T 300=，放大器的工作点电流mA I EQ 4=，试计算Ω=k R S 5.0、Ω=k R C 82.0、Ω=k R L 75.0时，放大电路的0uS A 、H f 和BW G ⋅。
模拟电子技术练习题库(附参考答案)
模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。
正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
模拟电子技术基础简明教程第三版PPT课件第五章
差分放大电路四种接法的性能比较
接法 差分输入 性能 双端输出
差分输入 单端输出
单端输入 双端输出
单端输入 单端输出
Ad
( RC
//
RL 2
)
1 (Rc // RL )
(Rc
//
RL 2
)
R rbe
2 R rbe
R rbe
KCMR
很高
较高
很高
1 (Rc // RL )
2 R rbe 较高
2、长尾式差分放大电路
可减小每个管子输出端的温漂。
(1)电路组成
Re 称为“长尾电阻”。
且引入共模负反馈。
Rc
Rc +VCC
Re 愈大，共
模负反馈愈强。
Ac 愈小。每个管
+ uId
子的零漂愈小。
对差模信号
R
~+1 2 uId
~+1 2 uId
R
+ uo
VT1
VT2
Re
VEE
无负反馈。
图 5.2.8 长尾式差分放大电路
Δ uo Δ uId
Au1
(3) 共模抑制比
差分放大电路 输入电压
差模输入电压 uId
共模输入电压 uIc (uIc大小相等，极性相同) +VCC
共模电压放大倍数：
Ac
Δ uo Δ uIc
+
uIc ~
Ac 愈小愈好，而 Ad 愈大愈好
Rb
Rc
+ uo
Rc Rb
R
VT1
VT2
R
图 5.2.7 共模输入电压
Ad
( RC
//
模拟电路第5章课后习题答案
U Rb1 =
Rb1 3.6 (VCC + VEE ) = × (9 + 9)V ≈ 3.31V Rb1 + Rb 2 3.6 + 16 U Rb1 − U BEQ 3 Re = 3.31 − 0.7 mA ≈ 0.2mA 13
I CQ 3 ≈ I EQ 3 =
I CQ1 = I CQ 2 ≈ 0.5 I CQ 3 ≈ 0.5 × 0.2mA = 0.1mA U CQ1 = U CQ 2 = VCC − I CQ1 RC = (9 − 0.1 × 47)V = 4.3V I BQ1 = I BQ 2 ≈ I CQ1 β = 0.1 mA ≈ 3.3µA 30
VEE − U BEQ R + 2(1 + β ) Re
=
15 − 0.7 mA ≈ 3.1µA 1.8 + 2 × (1 + 40) × 56
I CQ ≈ βI BQ = 40 × 3.1µA = 124µA ≈ 0.12mA U CQ = VCC − I CQ ( RW 1 + RC ) = [15 − 0.12 × ( + 75)]V = 5.94V 2 2 (对地) （对地）
5
Ad = − β
RC 20 = −80 × = −40 rbe 40
Rid = 2rbe = (2 × 40)kΩ = 80kΩ Ro = 2 Rc = (2 × 20)kΩ = 40kΩ
③
U CQ1 = VCC − I CQ1 RC1 ⇒ I CQ1 =
VCC − U CQ1 RC1
=
15 − 12 mA = 0.15mA = 150 µA 20
② Ad = − β
RC // RL
《模拟电子技术基础》第三版习题解答第5章放大电路的频率响应题解
第五章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。
⑴测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件就是。
A、输入电压幅值不变,改变频率B、输入电压频率不变，改变幅值C、输入电压的幅值与频率同时变化⑵放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因就是 _______________________ ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因就是_________________ 。
A、耦合电容与旁路电容的存在B、半导体管极间电容与分布电容的存在。
C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的f L或f H时,放大倍数的值约下降到中频时的。
A、0、5 倍B、0、7 倍C、0、9 倍即增益下降。
A、3dBB、4dBC、5dB⑷对于单管共射放大电路,当 f = f L 时,U o 与U i相位关系就是A、 + 45?B、—90?C、—135 ?当f = f H时,U o与U i的相位关系就是__________________ 。
A、—45?B、—135 ?C、—225解:(1)A (2)B,A (3)B A (4)C C电路如图T5、2所示。
已知:V CC = 12V;晶体管的 C ― 4pF, f T =50MHz, r bb= 100 Q , o= 80。
试求解：⑴中频电压放大倍数A usm ；⑵C'；(3) f H 与f L；解：(1)静态及动态的分析估算:I EQ (1 ) I BQ 1.8mAU CEQ V CC I CQ R c 3V⑵估算C1 BQV CC U BEQ22.6 口Ar b'e (1)池1.17kI EQrbeRA usmr bb'「be 〃I EQU TRR s R ir b'e 1.27 kR b 1.27k69.2mA/V「b'e丄g m R c) 178r be2冗 rb'e (C n CQCC 214pF2冗 r b'e f TC ' C (1 g m R c)5 1602pF⑶求解上限、下限截止频率:Rrb'e〃(r b'b Rs〃 R b )rb'e〃(r b'b Rs )1f H- 175kHz 2冗 RC n⑷在中频段的增益为20lg A usm 45dB频率特性曲线如解图T5、2所示。
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第五章模拟集成放大电路基础5-1．选择填空题1．在模拟集成放大电路中，电流源的主要作用是_________和_________。
a.有源负载b.偏置电路c.信号源d.补偿电路2．典型的长尾式差分放大电路中，射极电阻R EE的主要作用是___________。
a.提高输入电阻b.提高差模电压增益c.提高共模电压增益d.提高共模抑制比3．放大电路产生零漂的主要原因是________________。
a.环境温度变化b.采用阻容耦合方式c.采用变压器耦合方式d.电压倍数过大4．在采用直接耦合方式的模拟集成放大电路中，影响零漂最严重的一级是____________，零点漂移最大的一级是____________。
a.输入级b.中间级c.输出级d.直流偏置电路5．差分放大电路中，双端输入时差模电压放大倍数是A ud，当变为单端输入时，差模电压放大倍数为____________。
a.2A udb. 0.5A udc. A udd. 无法确定6．差分放大电路由双端输出改为单端输出，共模抑制比减小的原因是____________。
a. A ud不变，A uc增大。
b. A ud减小，A uc不变。
c. A ud减小，A uc增大。
d. A ud增大，A uc减小。
7．集成运放内部是由直接耦合方式的多级放大电路组成，作为放大电路的应用，它____________。
a.能放大直流信号，也能放大交流信号。
b. 不能放大直流信号，但能放大交流信号。
c. 能放大直流信号，但不能放大交流信号。
8．差分放大电路中，输入信号为u i=1mV，单端输入放大的输出电压比单输入方式（即作为差模输入电压）进行放大得到的输出____________a.大b.小c.相同d.不能确定9．晶体管集成放大电路较场效应管集成放大电路的特点有____________和__________。
a.功耗大 b.功耗小 c.速度高 d.速度低10．场效应管集成放大电路较晶体管集成放大电路的优点之一是_____________。
a.输入电阻大b.输入电阻小c.输出电阻大d.输出电阻小答案：5-1．（1）a, b （2）d （3）a （4）a, c （5）c（6）c（7）a (8) b（9）a, c （10）a5-2. 由对称三极管VT1、VT2组成的镜像电流源，如题图5-2所示。
若V CC= 12V，U BE1=U BE2=0.7V，I B1=I B2，β1=β2，1．证明当β>>2时，VT2管的电流I C2≈I R。
2．若要求I C2=1mA，电阻R应取多大？题5-2图I I解：1．证明I C2≈I R在三极管对称的条件下有⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧====C2C1B2B121I I I I βββ根据电路可直接得到基准电流 ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=++=β21C1B2B1C1R I I I I I当β>>2时，1212≈+>>ββ时，当所以C2C1R I I I =≈2．若要求I C2=1mA ，电阻R 的计算过程如下。
根据电路可直接得基准电流R U V I BE CCR -=C2R I I ≈k Ω3.14mA 1V 7.0V 15C2BE CC =-=-=I U V R5-3. 三极管VT1、VT2组成题5-3图所示的微电流电路。
1． 根据二极管电流方程，导出VT1、VT2管的工作电流I C1、I C2的关系式。
2． 若测得I C1=1mA ，I C2=26μA ，估算电阻R E2和R 的阻值。
I I E2题5-3图解：1．推导I C1、I C2的关系式根据PN 结（二极管）的电流方程，有()1e /BE -=T U U s I I其中I S 是二极管的反向漏电流。
在正偏状态下，mA 26BE =>>T U U ，此时T U U s I I /BE e ≈三极管的发射结就是一个PN 结，有s T s T I I U I IU U CE BE ln ln ≈= ⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧==∴2C2BE21C1BE1ln ln s T s T I I U U I I U U 根据电路，有E2E2BE2BE1R I U U +=E2BE2BE1E2C2R U U I I -=≈∴当VT1和VT2管特性相同时，有I s1=I s2，整理得 C2C1E2C2ln I I R U I T=（2）已知I C1=1mA ，I C2=26μA ，估算电阻R E2和R 的阻值k Ω65.3μA 26mA 1ln μA 26mV 26ln C2C1C2E2===I I I U R T根据电路，得基准电流R U V I I BE1CCC1R -≈≈ k Ω3.14mA 1V7.0V 15C1BE1CC =-=-≈I U V R5-4. 题5-4图所示电路是镜像电流源电路。
在集成电路中，常用做偏置电路和有源负载。
如果两个三极管对称，电流放大倍数相等，β1=β2=β；V CC =12V ，R =10kΩ。
试分析当VT1的电流放大倍数β分别为2、20、200时，I C2与I R 的相对误差。
题5-4图I I C2解：由于VT1、VT2三极管对称，电流放大倍数相等，由题5-4图电路有，⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=++=β21C1B2B1C1R I I I I I基准电流mA1.110k ΩV7.0V 12BE CC R =-=-=R U V I 当β=2时， C1C1C1R 222121I I I I =⎪⎭⎫⎝⎛+=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=β此时集电极电流I C2与基准电流I R 的相对误差是=-C1C1R I I I 100% 当β=20时， C1C1C1R 1.1202121I I I I =⎪⎭⎫ ⎝⎛+=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=β此时集电极电流I C2与基准电流I R 的相对误差是=-C1C1R I I I 10% 当β=200时， C1C1C1R 01.12002121I I I I =⎪⎭⎫ ⎝⎛+=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=β此时集电极电流I C2与基准电流I R 的相对误差是=-C1C1R I I I 1%当β>>1时，C1R I I ≈，基准电流R U V I BECCR -=。
此时电流源输出I C2仅仅与V CC 、R有关，与负载的大小无关。
由于VT1、VT2两个管子参数一致，可以互相抵消由温度变化带来的影响，又具有很好的稳定性。
5-5 题5-5图所示电路是微电流源电路。
在集成电路中，常用做低功耗放大电路的偏置电路和有源负载。
如果两个三极管对称，电流放大倍数相等，β1=β2=β3=β。
试分析当VT1的电流放大倍数β分别为2、20、200时，I C2与I R 的相对误差。
题5-5图I I I C3C2解：根据题5-5图，列出晶体管VT1、VT2、VT3之间的电流关系如下：⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧++=+==+=+=2C21C1C2E33E33C3C2C13C3C1B3C1R1βI βI I I I I II I I I I I βββ如果三个三极管对称，有ββββ===321，解上面方程组，得⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=ββ2212C3R I I当β=2时， C32C32C3R 25.122221221I I I I =⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯++=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=ββ此时集电极电流I C2与基准电流I R 的相对误差是=-C3C3R I I I 20% 当β=20时， C32C32C3R 005.12022021221I I I I =⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯++=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=ββ此时集电极电流I C2与基准电流I R 的相对误差是=-C3C3R I I I 0.5%当β=200时， C32C32C3R 00005.1200220021221I I I I =⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯++=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=ββ此时集电极电流I C2与基准电流I R 的相对误差是=-C3C3R I I I 0.005%5-6 为了克服电流源电路中三极管电流放大倍数β值造成的误差，采用带共集管的镜像电流源，如题5-6图所示。
I R 是基准电流，I C2是输出电流。
VT3管的接入，对电路性能有何改善？题5-6图I I I C2解：题5-6图所示的电流源电路是镜像电流源改进电路，在基准三极管VT1的集电极与基极之间接了一个VT3射极跟随器（即射极输出电路）。
射极跟随器的特点是输出增益近似为1，但是电流增益大，输入电阻大、输出电阻小。
这样VT3起到隔离与电流放大的作用，使镜像电流精度进一步提高，又称为带缓冲级的镜像电流源。
输出电流I C2与基准电流I R 的关系推导过程如下。
()E3R C1B3C1C1E3B1B2B1C1R C1C1212222(1)1I I I I I II I I I I I I I ββββββ=+=++=+==∴=+=+++ C2C1I I =与基本镜像电流源相比，由β值造成的I C2与I R 之间误差大大减小。
另外，由于VT3管的电流放大作用，温度变化引起微小的I C 变化，经过VT3放大后，很快地被抑制，其抑制、稳定过程如下：⎪⎩⎪⎨⎧↓↓⇒↓↓⇒↓⇒↓⇒⎪⎩⎪⎨⎧↑↑↑⇒22113321C B C B E B R I C C I I I I I I I I T 一定时5-7 为了克服电流源电路中三极管电流放大倍数β值造成的误差，采用带共集管的镜像电流源，如题5-6图所示。
I R 是基准电流，I C2是输出电流。
计算当电流放大倍数β分别为2、20时，输出电流I C2与基准电流I R 的误差。
解：输出电流I C2与基准电流I R 的关系推导过程如下。
()E3R C1B3C1C1E3B1B2B1C1R C1C1212222(1)1I I I I I II I I I I I I I ββββββ=+=++=+==∴=+=+++ ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=∴=ββ2C2R c21c 21I I I I当β=2时， C22C22C2R 331222121I .I I I =⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=ββ此时集电极电流I C2与基准电流I R 的相对误差是=-C2C2R I I I 33% 当β=20时， C22C22C2R 0051202021221I .I I I ≈⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=ββ此时集电极电流I C2与基准电流I R 的相对误差是%5.0C2C2R ≈-I I I 。
5-8 电流源在模拟集成电路中除了作偏置电路外，另外一个重要应用就是作为放大电路的有源负载，以提高放大电路的电压增益。
题5-8图所示是用电流源作为有源负载的共射放大电路。
试说明电流源作为有源负载，对放大器的动态性能有怎样的改善？+V ccu -题5-8图解：由于晶体管、场效应管是有源器件，因此用晶体管、场效应管做放大电路的负载就称为有源负载。