可控硅模块MTC55A

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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC55A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC55A
参数值 典型
1600
单位 最大
55
A
86
A
1800 V
10 mA
1.25 KA
13.0 103A2S
0.80
V
2.64 mΩ
1.5
1.55
V
800 V/μs
50 A/μs
35
100 mA
1.0
2.5
V
100 mA
0.2
V
0.530 ℃/W
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可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
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Rth(c-h) 热阻抗（结至散）
ITM=170A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
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VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
结温 Tj（℃） 最小
125 125 125 600
125 125 125
125
ITM=170A
25
VDM=67%VDRM
125
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
55A 600~1800V 1.25 KA 13 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流
N·m
-40
125
℃
109
g
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC55A
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Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:11mA(max) 与散热器固定
M220、M225
MTC55A
0.2 ℃/W
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
的任何部位。
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Install Size Diagram:
MTC55A
circuit Diagram：
M 220 M 225
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