可控硅模块MTC55A
可控硅MTC200A
结温 Tj（℃） 最小
125 125
125 600
125 125
参数值 典型 最大
200 314
1600 1800
30 7.20
VR=0.6 VRRM
125
259
125
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ITM=600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=600A 门 极 触 发 电
流幅值 IGM=1.5A，门极 125
电流上升时间 tr≤0.5μs
可控硅模块 thyristor module
MTC200 0.140 ℃/W
250 0 2.0 3.0 -40 780
0.04 ℃/W
V
N·m
N·m
125
℃
g
M234 电路联结图：
M353 风冷
M353S 水冷
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅（晶闸管）模块
可控硅模块 thyristor module
MTC200
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
200A 600~1800V 7.2KA 259 103A2S
产品特点：
● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ● 优良的温度特性和功率循环能力 ● 体积小，重量轻 ● 国际标准封装 ● 符合 CE、Rohs 认证
30 50
VA=12V，IA=1A
25
0.8 1.0
20
VDM=67%VDRM
125
0.80 1.27 1.65 800
100
180 2.5 100 0.2
单位
固特控制技术 MTC55A MTX55A MTA55A MTK55A MT55A可控硅模块 说明书
GOLD CONTROL固特控制技术有限公司Thyristors Modules可控硅模块特 性：●国际标准封装●焊接结构，优良的温度特性和功率循环能力●玻璃钝化工艺（方片）芯片主要用途：●低通态压降≤1.5V●直流屏●引线端与底板电气绝缘，2500V 交流电压●变频器●阻断电压高达1600V ●电焊机●高达12倍抗浪涌能力●直流充电电源●安装方便●直流电动机●环保产品（符合ROHS 要求）结温T j (℃）最小典型最大I T(RMS)12586A V DRM V RRM I DRM I RRM I TSM 10ms 底宽，正弦半波，1250AI2t V R =0.6V RRM 7.8A 2S *103 V TO 1250.85V V TMI TM =170A251.5V dv/dtV DM =67%V DRM 125800V/μs 门极电流上升时间t r ≤0.5μsI GT 30100mA V GT0.8 2.5V I H20100mA V GD 1250.2V V iso50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max)2500V固特电力半导体模块通过欧盟CE 、ISO9001、符合ROSH 认证企业Page 5of 12007-01Gold Power绝缘电压12525门极不触发电压V DM =67%V DRM门极触发电流维持电流V A =12V,I A =1A门极触发电压I TM =330Adi/dt 浪涌电流平方时间积通态峰值电压断态电压临界上升率断态电流临界上升率门极触发电流幅值I GM =1.5A ,通态门槛电压单位8mA 通态不重复浪涌电流反向重复峰值电流V RM =V RRMMTC55A MTX55A MTA55A MTK55A MT55AV DRM ＆V RRM tp=10ms通态有效值电流断态重复峰值电压参数符号测试条件参数值单面散热，Tc=85℃通态平均电流MTC MTX MTA MTK MT180o 正弦半波，50Hz V DSM ＆V RSM =V DRM ＆V RRM +200V12580016002200V 主要技术参数反向重复峰值电压50A/μs 断态重复峰值电流V DM =V DRM 125I T(AV)12555A 125MTA单位：mmMTPage 5of 22007-01性能曲线图外形图、接线图、安装孔尺寸92mm*26mm*35mm温度性能曲线图Page 5of 32007-01Page 5of 42007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ：453742705●使用说明为了本公司的半导体功率模块能满足您的高可靠使用要求，请注意以下几点事项：1、过电流的保护可采用半导体专用快熔；2、RC吸收（缓冲）建议使用吸收模块（本公司可供应）；3、使用环境条件：a)半导体功率模块工作温度为：-40℃～+125℃（结温）；整流为：-40℃～150℃；b)环境相对湿度≤85%；海拔1000米以下；c）使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质气氛；d）模块采用强制风冷时风速应＞6米/分，环境温度一般应控制在-40℃～60℃，散热器温度一般应控制在80℃以下。
网络优化与推广资料
推广与优化关键词如下：1.可控硅模块（晶闸管模块）MTC系列 SKKT系列 MCC系列可控硅模块MTC26/16 MTC55/16电流：26A电流：55A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC70/16 MTC90/16平均电流：26A平均电流：55A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC110/16平均电流：110A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC135/16-36平均电流：135A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC160/16-36平均电流：160A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC182/16-36平均电流：182A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC200/16-36平均电流：200A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC250/16-36平均电流：250A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC300/16-36平均电流：300A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC350/16-36平均电流：350A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC400/16-36平均电流：400A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC500/16-36平均电流：500A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC600/16-36平均电流：600A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC800/16-36平均电流：800A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器。
MTC55A
25 0.8
3.0
V
20
150 mA
VDM=67%VDRM
125 0.2
V
1800 正弦波, 单面散热
0.640 °C /W
1800 正弦波, 单面散热
0.2 °C /W
50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(MA X)
3600
V
4
N·m
6
N·m
-40
125 °C
115
g
E-mail:cxima@
55A
600 ~3600V 1.15 KA 6.6 103A2S
符号
参数
IT(AV)
IT(RMS)
VDRM VRRM
IDRM IRRM ITSM I2t VTO rT VTM
dv/dt
通态平均电流
方均根电流
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压
(100μs脉宽)
10
8
6 PG2W
4
min.
2
0
0
4
8
12
16
20
门极电流,IGT，A
Fig.9 门极功率曲线
外形图:
门极电压,VGT，V
电流平方时间积I2t,103A2S
MTC55 MTA55 MTK55 MTX55
I2t Vs Time 6.6 1..15 7
6
5
4
3
2
1
10
时间t,ms
Fig.8 I2t特性曲线
3 2
Page 3 of 3
MTC110A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司 符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小 典型 最大 I T(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 125 110 A I T(RMS) 方均根电流125 173 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM125 12 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 2.40 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 125 29 103A 2SV TO 门槛电压 0.8 V R T 斜率电阻125 2.29 m Ω V TM 通态峰值电压 I TM =330A 25 1.50 1.60 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 I TM =330A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125 100 A/μs I GT 门极触发电流30 40 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流20 100 mA V GD 门极不触发电压 V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.250 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.15 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t质量140g特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关 I T(A V) 110AV DRM /V RRM 600~1800V I TSM 2.4KA I 2T 29 103A 2SOutline M220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
MTC25A1600V 可控硅模块 技术资料
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
25A 600~1800V 0.55 A×103 1.5 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
Tc(max), C
Conduction Angle
IT(AV),A
IT(AV),A
Fig.3
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
360
参数值 典型 最大 25 41 1800 8 0.55 1.50 0.85 9.68 1.69 800 50 30 100 2.5 150 0.950 0.2 2500 4 6 -40 125 100
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
-30 C -10 C
V
V
,VGT
,VGT
25 C 125 C
,IGT
A
,IGT
mA
Fig.9
Fig.10
外形尺寸图
215F3
101F
info@
3/3
PT(AV)(max),W
Tc(max), C
Conduction Angle
Conduction Angle
晶闸管模块MTC182A
B
绝缘电压
F mB
B
T sbg B
B
W tB B
Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
IBiso
:1mA
B
(ma
x)
与散热器固定
M234
MTC182A
0.08 ℃/W
2500
V
4.0±15%
5.0±15%
-40
125
205
N·m N·m
℃
g
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Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
第2页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
B
DRM B
B
RBth(j-c)B
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
30
25
0.8
20
125
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
固态继电器产品介绍
杭州西子固体继电器有限公司 产品说明书－ 1 －目录一、单相交流固体继电器....................................................................................................................1 二、三相交流固体继电器..................................................................................................................10 三、半波随机型固体继电器..............................................................................................................11 四、单相移相触发器模块..................................................................................................................12 (A) 随机型固体继电器移相触发器模块（SSR-JKZK 、JKWK ）................................................12 (B)可控硅移相触发器摸块(SCR-JKK ，TRlAC-JKK)....................................................................14 (C)单相双路可控硅移相触发器模块(SCR-JKK/2)........................................................................17 (D) 注意事项及改进说明...............................................................................................................18 五、R 系列固体调压器.......................................................................................................................20 六、全隔离单相交流调压模块（DTY ）..........................................................................................21 七、全隔离单相桥式全控整流模块（DQZ ）..................................................................................24 八、全隔离三相交流调压模块（STY ）...........................................................................................27 九、固体继电器三相移相触发器模块(SSR-3JK).............................................................................29 十、三相移相触发器模块 (31)（A ）三相调压单硅移相触发器模块（SX-JKA ）.......................................................................31 （B ）三相调压双硅移相触发器模块（SX-JKT ）........................................................................32 （C ）三相全控整流移相触发器模块（SX-JKZ ）.......................................................................32 （D ）三相半控整流移相触发器模块（SX-JKB ）.......................................................................33 十一、电压负反馈模块......................................................................................................................36 （A ）直流电压负反馈模块............................................................................................................36 （B ）交流电压负反馈模块............................................................................................................38 客户购货及选型须知..........................................................................................................................40 产品的分类及选择..............................................................................................................................42 器件的发热及散热器的选择.. (44)一、单相交流固体继电器1．概述固体继电器（亦称固态继电器）英文名称为Solid State Relay，简称SSR。
MTC300A 可控硅模块说明书
产品规格书Specification of Products产品名称：产品型号：普通晶闸管模块湖北梅兰半导体有限公司湖北梅兰半导体有限公司Hubei Merlin Semiconductor Co., Ltd.厂址：湖北省 襄阳市 高新技术开发区电话：总机传真：分机E-mail:mlsanrex@(710)3807852 3807952 3807905 3806705811版本号：02 更新日期：2011.3MTC(MTA MTK)300A（高压系列）321VALUESYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS T j(°C)Min Type MaxUNITI T(AV)Mean on-state current180°half sine wave50HzSingle side cooled,T c=85°C125300AI T(RMS)RMS on-state current Single side cooled,T c=85°C125314AV DRMV RRMRepetitive peak off-state voltageRepetitive peak reverse voltageV DRM&V RRM tp=10msV DsM&V RsM= V DRM&V RRM+200Vrespectively12525005600VI DRMI RRMRepetitive peak currentat V DRMat V RRM12550mAI TSM Surge on-state current9.3.KAI2t I2T for fusing coordination10ms half sine waveV R=60%V RRM125432A2s*103 V TO Threshold voltage 1.15. V r T On-state slop resistance1250.95.mΩV TM Peak on-state voltage I TM=1500A1252.44V dv/dtCritical rate of rise of off-statevoltageV DM=67%V DRM125800V/μs di/dtCritical rate of rise of on-statecurrentFrom67%V DRMto1500A, Gate source1.5At r≤0.5μs Repetitive125100A/μsI GT Gate trigger current30200mAV GT Gate trigger voltage1.03.0VI H Holding currentV A=12V, I A=1A2520150mA V GD Non-trigger gate voltage At67%V DRM1250.2V R th(j-c)Thermal resistanceJunction to heatsinkAt1800sine, Single side cooled0.065°C /W V iso Isolation voltage50Hz,R.M.S,t=1min,I iso:1mA(MAX) 6000V Thermal connection torque(M10) 12.0N.mF mMounting torque(M6) 6.0N.m T stg Stored temperature-40140°C W t Weight1350g OutlineOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAMM10M13M14M15Fig.1通态伏安特性曲线Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线Fig.9 门极功率曲线Fig.10 门极触发特性曲线M14M13Outside DimensionM10M15。
55A5维修手册 (1)
PAGE 02 : System power
PAGE 03 : MSD6A600HTAB
PAGE 04 : Dram
PAGE 05 : LVDS
PAGE 06 : Video
PAGE 07 : VGA
C
PAGE 08 : USB
PAGE 09 : Ethernet
PAGE 10 : HDMI
PAGE 11 : Tuner
板的杀手！
误区2、用清水清洁液晶屏幕。
使用清水，液体极易滴入液晶显示器和设备内部，这样会造成设备电路短路，从而烧 坏昂贵的电子设备。对于指纹和油污，清水照样无能为力。
误区3、用酒精和其它一些化学溶剂清洁液晶屏幕。
一般来说，酒精是一种常用的有机溶剂，可以溶解一些不容易擦去的污垢，如果只是 用来清洁显示器外壳，也没什么不良影响。但一定不要用酒精来清洁液晶屏幕，因为现在的 液晶屏幕，都在屏幕上涂有特殊的涂层，使屏幕具有更好的显示效果，一旦使用酒精擦拭显 示器屏幕，就会溶解这层特殊的涂层，对显示效果造成不良影响。 用化学溶剂就更不可取， 这种化学制剂对“骄气”的液晶面板简直就是毁灭性的打击。
6 .2 由于液晶面板本身复杂的物理结构设计，所以在擦拭液晶面板的时候，千万不要
用不知名的清洁液，更不能使用清水和酒精溶液。这里误区有三： 误区1、用软布（眼镜布）或纸巾来擦拭液晶屏幕，建议使用专用的液晶擦拭布 千万
不能用眼镜布和纸巾来擦拭液晶屏幕，很容易划伤“娇气”的液晶屏幕。对于第一类灰尘， 我们可以使用专用的液晶擦拭布如supermax2020在液晶面板上轻轻擦拭，一般来说指纹和油 污并非如前者那样容易清除，但是如果使用专用的液晶擦拭布，这就不是一个难题了，因为 专用的液晶擦拭布采用的是特殊纤维，具有比一般高档眼镜布要好的多的擦拭效果，而且柔 软不会擦伤屏幕，同时还具有消散静电的独特功能； 特别提醒： 一般的布和纸巾是液晶面
MTC90A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
可控硅MTC55A
1600 1800
10
1.60
13.0 0.80 2.64 1.5 1.55 800
50
35 100 1.0 2.5
单位
A A
V
mA
KA 103A
2S V mΩ V V/μs
A/μs
mA V
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Er module
2500
V
安装扭矩（M5）
Fm
安装扭矩（M6）
2.0
N·m
3.0
N·m
Tsbg 储存温度
-40
125 ℃
Wt 质量
135
g
模块封装图（M220&M225）：
M220 电路联结图：
M225
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率
通态电流临界上升 率
门极触发电流 门极触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面 散热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波
MTC55
IH
维持电流
20
100 mA
VGD 门极不触发电压
VDM=67%VDRM
125
0.2 V
Rth(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热
0.53 0
℃/W
Rth(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热
0.2 ℃/W
可控硅模块MTC200A
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
ITM=600A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
200A 600~1800V 7.2 KA 259 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流
参数值 典型
1600
最大 200 314 1800
单位
A A V
30
mA
7.20 KA
259 103A2S
0.80
V
1.27 mΩ
1.65
V
800 V/μs
100 A/μs
50
180 mA
1.0
2.5
V
100 mA
MTC800A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路电联结形式（右图）中国·杭州国晶电子科技有限公司模块外型图、安装图M1076M1076S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
中国·杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
晶闸管模块MTC500A
MTC500A
0.06 ℃/W
5 0.02
℃/W 4
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125 ℃
1470
g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
MTC500A
matters needing at时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。
2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。
3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
500A 600~1800V 16 KA 1280 103A2S
符号
参数
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第5页
Ver:XZ0318
第1页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Rth(j-c)
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
MTC MTX晶闸管模块使用说明书
MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。
温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。
七、开箱及检查八、订货须知品合格证。
用户在订货时，请注明产品的型号、规格。
如有特殊要求，请与制造商协商。
打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。
-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。
检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。
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N·m
-40
125
℃
109
g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology cModule
MTC55A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
结温 Tj（℃） 最小
125 125 125 600
125 125 125
125
ITM=170A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=170A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
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Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:11mA(max) 与散热器固定
M220、M225
MTC55A
0.2 ℃/W
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
第3页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Install Size Diagram:
MTC55A
circuit Diagram：
M 220 M 225
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可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC55A
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC55A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
参数值 典型
1600
单位 最大
55
A
86
A
1800 V
10 mA
1.25 KA
13.0 103A2S
0.80
V
2.64 mΩ
1.5
1.55
V
800 V/μs
50 A/μs
35
100 mA
1.0
2.5
V
100 mA
0.2
V
0.530 ℃/W
第1页
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
Rth(c-h) 热阻抗（结至散）
的任何部位。
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第5页
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
55A 600~1800V 1.25 KA 13 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流