普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
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360
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& DC 140 120 ㅵ⏽ᑺTc(max),e C 100 80 60 40 20 0 0 100 200 300 400 500 600 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A 30 60 90 120 180 270 DC
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,104A2S
240
200
160
120
80
10 ਼⊶᭄ n,@t 50Hz
100
1
10
ᯊ䯈t,ms
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
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MTC200A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 18 16 14 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 20 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT A PG2W min. max. PGM =100W (100μ s㛝ᆑ )
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
4 3.5 3
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
360
270 120 90
Conduction Angle
Conduction Angle
60 30
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 7.2 Vs.Cycles
Fig.6 ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
7.2 I t259 Vs.Time 280
2
8 7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA 6 5 4 3 2 1 1
Impedance Vs.Time Max. junction To case Thermai
0. 01
0.1 ᯊ䯈t,S
1
10
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current 140 120 60 90 180 ㅵ⏽ᑺTc,(max)e C 120 100 80 60 40 20 0 50 100 150 200 250 300 0 0
2
ITM=600A VDM=67%VDRM ITM =400A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
25 125 125
25 125
1.0 20 0.2
外形为401F 120×67×56（1只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC200A
性能曲线图
Peak On-state Voltage 07& Vs.Peak On-state Current 4 3.5 䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V 3 2.5 2 1.5 1 0.5 100 1000 䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A 10000 T J=125°C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZ th,e C/W 0.15 0.12 0.09 0.06 0.03 0 0.001
参数值 典型 最大 200 314 1800 30 7.20 259 0.80 1.27 1.65 800 100 30 180 2.5 150 0.140 0.04 2500 12 6 -40 125 860
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
07& Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
600 ᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W 500 400 300 200 100 0
0
180
0
180
Conduction Angle
wk.baidu.com
Conduction Angle
30
30
60
90
120
180
100
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
200 300 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
400
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current 07& 300 ᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W 250 200 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& DC 140 120 ㅵ⏽ᑺTc(max),e C 100 80 60 40 20 0 0 100 200 300 400 500 600 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A 30 60 90 120 180 270 DC
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,104A2S
240
200
160
120
80
10 ਼⊶᭄ n,@t 50Hz
100
1
10
ᯊ䯈t,ms
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
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MTC200A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 18 16 14 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 20 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT A PG2W min. max. PGM =100W (100μ s㛝ᆑ )
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
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4 3.5 3
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
360
270 120 90
Conduction Angle
Conduction Angle
60 30
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 7.2 Vs.Cycles
Fig.6 ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
7.2 I t259 Vs.Time 280
2
8 7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA 6 5 4 3 2 1 1
Impedance Vs.Time Max. junction To case Thermai
0. 01
0.1 ᯊ䯈t,S
1
10
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current 140 120 60 90 180 ㅵ⏽ᑺTc,(max)e C 120 100 80 60 40 20 0 50 100 150 200 250 300 0 0
2
ITM=600A VDM=67%VDRM ITM =400A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
25 125 125
25 125
1.0 20 0.2
外形为401F 120×67×56（1只装）
普通晶闸管、可控硅模块
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MTC200A
性能曲线图
Peak On-state Voltage 07& Vs.Peak On-state Current 4 3.5 䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V 3 2.5 2 1.5 1 0.5 100 1000 䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A 10000 T J=125°C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZ th,e C/W 0.15 0.12 0.09 0.06 0.03 0 0.001
参数值 典型 最大 200 314 1800 30 7.20 259 0.80 1.27 1.65 800 100 30 180 2.5 150 0.140 0.04 2500 12 6 -40 125 860
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
07& Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
600 ᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W 500 400 300 200 100 0
0
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Conduction Angle
wk.baidu.com
Conduction Angle
30
30
60
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120
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䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
200 300 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
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Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current 07& 300 ᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W 250 200 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A