可控硅晶闸管模块MTC160A1600V杭州国晶
可控硅MTC200A
结温 Tj（℃） 最小
125 125
125 600
125 125
参数值 典型 最大
200 314
1600 1800
30 7.20
VR=0.6 VRRM
125
259
125
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ITM=600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=600A 门 极 触 发 电
流幅值 IGM=1.5A，门极 125
电流上升时间 tr≤0.5μs
可控硅模块 thyristor module
MTC200 0.140 ℃/W
250 0 2.0 3.0 -40 780
0.04 ℃/W
V
N·m
N·m
125
℃
g
M234 电路联结图：
M353 风冷
M353S 水冷
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅（晶闸管）模块
可控硅模块 thyristor module
MTC200
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
200A 600~1800V 7.2KA 259 103A2S
产品特点：
● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ● 优良的温度特性和功率循环能力 ● 体积小，重量轻 ● 国际标准封装 ● 符合 CE、Rohs 认证
30 50
VA=12V，IA=1A
25
0.8 1.0
20
VDM=67%VDRM
125
0.80 1.27 1.65 800
100
180 2.5 100 0.2
单位
可控硅MTC160A
典型应用： ● ● ● ● 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 ● UPS 电源 ● 电焊机 ● 电机软启动
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO RT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率 通态电流临界上升 率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅模块 thyristor module MTC160 可控硅（晶闸管）模块
IT(AV) 160A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 5.4KA 2 IT 146 103A2S
产品特点： ● ● ● ● ● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 优良的温度特性和功率循环能力 体积小，重量轻 国际标准封装 符合 CE、Rohs 认证
可控硅模块 thyristor module MTC160 0.2 V 0.17 0 0.08 ℃/W ℃/W V 2.0 3.0 -40 210 125 350 N·m N·m ℃ g
门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散） 绝缘电压 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
模块封装图（M234） ：
单位 A A V mA KA 103A 2 S V mΩ V V/μs A/μs mA V mA
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs VA=12V，IA=1A
bta16-6b双向可控硅晶闸管应用及详细资料
BTA16-600B双向可控硅晶闸管应用及详细资料BTA16-600B 主要参数电流-IT(RMS): 16.0A电压-VDRM: ≥600V触发电流: IGT ≤18-25mA脚位排列: T1-T2-G （A1-A2-G）；A1主电极，A2主电极，G门极BTA16引脚图附：双向可控硅的检测用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。
随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
如需提供购买或其它中文技术支持请与我取得联系：公司网址：Email：MSN：。
可控硅晶闸管模块MTC160A1600V杭州国晶
160A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
5.4KA
I2T
146 103A2S
符号
参数
测试条件
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散
热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。 郑重声明：目前市场上充斥着各种劣质散热器，请在购买是注意鉴别，如因使用劣质散热器 造成模块损坏或其他严重后果，我公司概不负责。
中国·杭州国晶电子科技有限公司
专业可控硅模块制造商
技术咨询：0571-56862135
≤0.5μs
IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h)
Viso
Fm
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
绝缘电压
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6）
VA=12V，IA=1A
VDM=67%VDRM 180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1Ma(max)
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC160
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
可控硅晶闸管模块MTC90-16杭州国晶
90A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
2.0KA
I2T
20 103A2S
符号
参数
测试条件
结温
Tj（℃）
参数值 最小 典型 最大
单位
IT(AV)
通态平均电流
180 °正 弦半波 ，50HZ 单面散 125
热，Tc=85℃
IT(RMS) 方均根电流
125
VDRM VRRM
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择
用户选配散热器时，必须考虑以下因素：
① 模块工作电流大小，以决定所需散热面积；
② 使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；
③ 装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
IT(AV)
VTO
门槛电压
RT
斜率电阻
125
VTM
通态峰值电压
ITM=270A
25
dv/dt 断态电压临界上升率 VDM=67%VDRM
125
ITM=270A 门 极 触 发 电 流 幅 值 di/dt 通态电流临界上升率 IGM=1.5A，门极电流上升时间tr 125
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
杭州西整电力电子科技有限公司
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
晶闸管模块MTC182A
B
绝缘电压
F mB
B
T sbg B
B
W tB B
Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
IBiso
:1mA
B
(ma
x)
与散热器固定
M234
MTC182A
0.08 ℃/W
2500
V
4.0±15%
5.0±15%
-40
125
205
N·m N·m
℃
g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
第2页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
B
DRM B
B
RBth(j-c)B
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
30
25
0.8
20
125
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
MTC300A 可控硅模块说明书
产品规格书Specification of Products产品名称：产品型号：普通晶闸管模块湖北梅兰半导体有限公司湖北梅兰半导体有限公司Hubei Merlin Semiconductor Co., Ltd.厂址：湖北省 襄阳市 高新技术开发区电话：总机传真：分机E-mail:mlsanrex@(710)3807852 3807952 3807905 3806705811版本号：02 更新日期：2011.3MTC(MTA MTK)300A（高压系列）321VALUESYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS T j(°C)Min Type MaxUNITI T(AV)Mean on-state current180°half sine wave50HzSingle side cooled,T c=85°C125300AI T(RMS)RMS on-state current Single side cooled,T c=85°C125314AV DRMV RRMRepetitive peak off-state voltageRepetitive peak reverse voltageV DRM&V RRM tp=10msV DsM&V RsM= V DRM&V RRM+200Vrespectively12525005600VI DRMI RRMRepetitive peak currentat V DRMat V RRM12550mAI TSM Surge on-state current9.3.KAI2t I2T for fusing coordination10ms half sine waveV R=60%V RRM125432A2s*103 V TO Threshold voltage 1.15. V r T On-state slop resistance1250.95.mΩV TM Peak on-state voltage I TM=1500A1252.44V dv/dtCritical rate of rise of off-statevoltageV DM=67%V DRM125800V/μs di/dtCritical rate of rise of on-statecurrentFrom67%V DRMto1500A, Gate source1.5At r≤0.5μs Repetitive125100A/μsI GT Gate trigger current30200mAV GT Gate trigger voltage1.03.0VI H Holding currentV A=12V, I A=1A2520150mA V GD Non-trigger gate voltage At67%V DRM1250.2V R th(j-c)Thermal resistanceJunction to heatsinkAt1800sine, Single side cooled0.065°C /W V iso Isolation voltage50Hz,R.M.S,t=1min,I iso:1mA(MAX) 6000V Thermal connection torque(M10) 12.0N.mF mMounting torque(M6) 6.0N.m T stg Stored temperature-40140°C W t Weight1350g OutlineOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAMM10M13M14M15Fig.1通态伏安特性曲线Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线Fig.9 门极功率曲线Fig.10 门极触发特性曲线M14M13Outside DimensionM10M15。
整流模块MDS75-16
D1
D2
MDC
D1
D2
MDK
－ MDS
3
快 恢 复 二 极 管 (FRD) 模 块
参数
VRRM IF(AV)@TC IF(RMS) IFRM
符号
TC=85 ℃ Tj=150 ℃ f=20KHZ
产品
TC=85 ℃
型 号 (V) (A)
(A)
(A)
IFSM 10ms 45 ℃ (A)
VFM@ trr Rthjc PD
20
40 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.55 2500
20
MTC 55 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.5 2500
20
MTA 70 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.33 2500 风冷 20、 21
1.15
0.16
0.08 TS
MTC200TA160 MFC200TA160 MTK200TA160 MTX200TA160
400 ~ 1800
≤ 40
200 5400 1.65 600 ≤ 150 ≤ 3.0 0.8
1.0
0.15 0.08 TS
MTC250TA160 MFC250TA160 MTK250TA160 MTX250TA160
125
MDA 70 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5
125
MDK 90 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5
125
110 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125
130 400 ～ 1800 ≤ 10
普通晶闸管模块MTC130-16
参数值
130 204
4 5 5 6 80 125 75 120
800--1800 900--1900 0.75VDRM 0.75VRRM
5 5 3
150
-40--125 -40--125
测试条件
TC=85℃;1800 半波;50Hz
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
1800 正弦半波;50Hz(tp=10ms); 单 脉 冲 ;VD=VR=0V; 门 极 脉 冲 :IG=IFGM;VG=20V;
TGP=500μS;dig/dt=1A/μS 1800 正弦半波;60Hz(tp=8.3ms); 单 脉 冲 ;VD=VR=0V; 门 极 脉 冲 :IG=IFGM;VG=20V;
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 断态电压临界上升率
mA
mA V/μS
VGT
门极触发电压（Max） V
IGT
门极触发电流（Max） mA
门极不触发电压
VGD
（Min）
V
门极不触发电流
IGD
（Min）
mABiblioteka 开关特性tgd延迟时间
μS
tq 热特性 Rthjc
Rthch 绝缘特性
关断时间（type）
结壳 热阻 接触 热阻
Tj =25℃;VD=12V;门极脉冲:IG=IFGM;VG=20V; TGP =500μS;dig/dt=1A/μS Tj =25℃;VD=12V; 门极开路
20
1000
4.0 2.5 1.5 400 250 150 0.25
10
西门康可控硅选型
300A/1700V/2U
SKM200GAR123D
200A/1200V/2U
SKM50GAL123D
50A/1200V/2U
SKM300GAR123D
300A/1200V/2U
SKM75GAL123D
75A/1200V/2U
SKM400GAR124D
400A/1200V/2U
150A/1200V/2U
SKM400GAL124D(125D)
400A/1200V/2U
SKM200GB123D(124D)
200A/1200V/2U
SKM100GAL173D
100A/1700V/2U
SKM300GB123D(124D)
300A/1200V/2U
SKM145GAL174DN
145A/1700V/2U
SKKT131/12(16)E
130A/1200V(1600V)/2U
SKKQ31/12(16)
31A/1200V(1600V)双相反并联2U
SKKT132/12(16)E
130A/1200V(1600V)/2U
SKKQ45/12(16)
45A/1200V(1600V)双相反并联2U
型号(半控)
技术指标
西门康可控硅系列
西门康可控硅模块(SKKT=两可控硅串联,SKKH=二极管+高端可控硅,SKKL=低端可控硅+二极管)
型号(全控)
技术指标
型号(全控)
技术指标
SKKT15/12(16)E(D)
15A/1200V(1600V)/2U
SKKT161/12(16)E
160A/1200V(1600V)/2U
普通晶闸管 可控硅模块 MTC160A1600V
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
MTC160 Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& '& ㅵ⏽ᑺTc(max),e C '&
T J=125e C
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current ㅵ⏽ᑺTc(max),e C
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07&
40 1
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
2/3
MTC160A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 18 16 14 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 20 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT A PG2W min. max. PGM =100W (100μ s㛝ᆑ )
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV),(max),W
MTC90A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
可控硅模块MTC200A
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
ITM=600A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
200A 600~1800V 7.2 KA 259 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流
参数值 典型
1600
最大 200 314 1800
单位
A A V
30
mA
7.20 KA
259 103A2S
0.80
V
1.27 mΩ
1.65
V
800 V/μs
100 A/μs
50
180 mA
1.0
2.5
V
100 mA
MTC800A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路电联结形式（右图）中国·杭州国晶电子科技有限公司模块外型图、安装图M1076M1076S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
中国·杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
晶闸管模块MTC500A
MTC500A
0.06 ℃/W
5 0.02
℃/W 4
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125 ℃
1470
g
杭州西整电力电子科技有限公司
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Ver:XZ0318
MTC500A
matters needing at时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。
2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。
3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
500A 600~1800V 16 KA 1280 103A2S
符号
参数
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
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Ver:XZ0318
第5页
Ver:XZ0318
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Rth(j-c)
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
MTC MTX晶闸管模块使用说明书
MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。
温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。
七、开箱及检查八、订货须知品合格证。
用户在订货时，请注明产品的型号、规格。
如有特殊要求，请与制造商协商。
打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。
-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。
检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。
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V
125
800 V/μs
125
100 A/μs
30
40
100 mA
25
0.8
1.0
2.5
V
20
100 mA
125
0.2
V
0.170 ℃/W
0.08 ℃/W
2500
V
2.0
N·m
3.0
N·m
-பைடு நூலகம்0
125
℃
210 350
g
技术咨询：0571-56862135
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC160
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专业可控硅模块制造商
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（可控硅模块）Thyristor Module
MTC160
模块典型电路 电联结形式
（右图）
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Tsbg
储存温度
Wt
质量
Outline
M234
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结温
Tj（℃）
参数值 最小 典型 最大
单位
125
160
A
125
251
A
125
600 1600 1800
V
125
20
mA
125
5.40 KA
125
146 103A2S
0.8
V
125
1.69 mΩ
25
1.40 1.50
≤0.5μs
IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h)
Viso
Fm
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
绝缘电压
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6）
VA=12V，IA=1A
VDM=67%VDRM 180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1Ma(max)
160A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
5.4KA
I2T
146 103A2S
符号
参数
测试条件
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
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国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC160
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
IT(AV)
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国晶科技
模块外型图、安装图
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC160
M234
使用说明：
一、使用条件及注意事项： 1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。 2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于 40℃；环境湿度小于 86%。 3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。散热可采用自然冷却、强迫风 冷或水冷。强迫风冷时，风速应大于６米⁄秒。 二、安装注意事项： 1、由于 MTC 可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于 2.5KV 有 效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。 2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。散热器表面光洁度应小于 10μm。 模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。涂脂前，用细砂纸 把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。 模块紧固到散热器表面时，采用 M5 或 M6 螺钉和弹簧垫圈，并以 4NM 力矩紧固螺钉 与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。模块工作３小时后， 各个螺钉须再次紧固一遍。 模块散热器选择 用户选配散热器时，必须考虑以下因素： ① 模块工作电流大小，以决定所需散热面积； ② 使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷； ③ 装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。 一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特 性参数表中都给出了所需散热面积。此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。 下面给出散热器长度的计算公式： 模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２
其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散
热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。 郑重声明：目前市场上充斥着各种劣质散热器，请在购买是注意鉴别，如因使用劣质散热器 造成模块损坏或其他严重后果，我公司概不负责。
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技术咨询：0571-56862135
通态电流临界上升率
180 °正 弦半波 ，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门 极 触 发 电 流 幅 值 IGM=1.5A，门极电流上升时间tr