普通晶闸管 可控硅模块 MTC300A1600V
可控硅晶闸管MTC500A
circuit Diagram：
第3页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC500A
散热形式：水冷型模块外型图 M562S
M 562S
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
di/dt 通态电流临界上升率
IGT VGT Hale Waihona Puke H VGDRth(j-c)
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压
热阻抗（结至壳）
测试条件
结温 Tj（℃）
180°正弦半波，50HZ 单面散 125
热，Tc=85℃
125
VDRM&VRRM tp=10ms 125
VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC500A
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC500A
杭州西整电力电子科技有限公司
第5页
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
可控硅MTC160A
典型应用： ● ● ● ● 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 ● UPS 电源 ● 电焊机 ● 电机软启动
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO RT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率 通态电流临界上升 率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅模块 thyristor module MTC160 可控硅（晶闸管）模块
IT(AV) 160A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 5.4KA 2 IT 146 103A2S
产品特点： ● ● ● ● ● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 优良的温度特性和功率循环能力 体积小，重量轻 国际标准封装 符合 CE、Rohs 认证
可控硅模块 thyristor module MTC160 0.2 V 0.17 0 0.08 ℃/W ℃/W V 2.0 3.0 -40 210 125 350 N·m N·m ℃ g
门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散） 绝缘电压 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
模块封装图（M234） ：
单位 A A V mA KA 103A 2 S V mΩ V V/μs A/μs mA V mA
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs VA=12V，IA=1A
MTC110A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司 符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小 典型 最大 I T(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 125 110 A I T(RMS) 方均根电流125 173 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM125 12 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 2.40 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 125 29 103A 2SV TO 门槛电压 0.8 V R T 斜率电阻125 2.29 m Ω V TM 通态峰值电压 I TM =330A 25 1.50 1.60 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 I TM =330A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125 100 A/μs I GT 门极触发电流30 40 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流20 100 mA V GD 门极不触发电压 V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.250 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.15 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t质量140g特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关 I T(A V) 110AV DRM /V RRM 600~1800V I TSM 2.4KA I 2T 29 103A 2SOutline M220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
可控硅晶闸管模块MTC90-16杭州国晶
90A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
2.0KA
I2T
20 103A2S
符号
参数
测试条件
结温
Tj（℃）
参数值 最小 典型 最大
单位
IT(AV)
通态平均电流
180 °正 弦半波 ，50HZ 单面散 125
热，Tc=85℃
IT(RMS) 方均根电流
125
VDRM VRRM
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择
用户选配散热器时，必须考虑以下因素：
① 模块工作电流大小，以决定所需散热面积；
② 使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；
③ 装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
IT(AV)
VTO
门槛电压
RT
斜率电阻
125
VTM
通态峰值电压
ITM=270A
25
dv/dt 断态电压临界上升率 VDM=67%VDRM
125
ITM=270A 门 极 触 发 电 流 幅 值 di/dt 通态电流临界上升率 IGM=1.5A，门极电流上升时间tr 125
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
MTC300A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）散热形式：风冷型模块外型图M353 散热形式：水冷型模块外型图M353S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉杭州国晶电子科技有限公司与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
MTC25A1600V 可控硅模块 技术资料
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
25A 600~1800V 0.55 A×103 1.5 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
Tc(max), C
Conduction Angle
IT(AV),A
IT(AV),A
Fig.3
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
360
参数值 典型 最大 25 41 1800 8 0.55 1.50 0.85 9.68 1.69 800 50 30 100 2.5 150 0.950 0.2 2500 4 6 -40 125 100
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
-30 C -10 C
V
V
,VGT
,VGT
25 C 125 C
,IGT
A
,IGT
mA
Fig.9
Fig.10
外形尺寸图
215F3
101F
info@
3/3
PT(AV)(max),W
Tc(max), C
Conduction Angle
Conduction Angle
普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
可控硅模块MTC800A
结温 Tj（℃）
125 125 125
125 125 125
最小 600
125
ITM=2400A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=2400A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
参数值 典型 1600
MTC800A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.55 100
单位 最大
800
A
1256 A
1800 V
20
mA
16.0 1280 0.80 0.42 1.7 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
第2页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC800A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
MTC300A 可控硅模块说明书
产品规格书Specification of Products产品名称：产品型号：普通晶闸管模块湖北梅兰半导体有限公司湖北梅兰半导体有限公司Hubei Merlin Semiconductor Co., Ltd.厂址：湖北省 襄阳市 高新技术开发区电话：总机传真：分机E-mail:mlsanrex@(710)3807852 3807952 3807905 3806705811版本号：02 更新日期：2011.3MTC(MTA MTK)300A（高压系列）321VALUESYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS T j(°C)Min Type MaxUNITI T(AV)Mean on-state current180°half sine wave50HzSingle side cooled,T c=85°C125300AI T(RMS)RMS on-state current Single side cooled,T c=85°C125314AV DRMV RRMRepetitive peak off-state voltageRepetitive peak reverse voltageV DRM&V RRM tp=10msV DsM&V RsM= V DRM&V RRM+200Vrespectively12525005600VI DRMI RRMRepetitive peak currentat V DRMat V RRM12550mAI TSM Surge on-state current9.3.KAI2t I2T for fusing coordination10ms half sine waveV R=60%V RRM125432A2s*103 V TO Threshold voltage 1.15. V r T On-state slop resistance1250.95.mΩV TM Peak on-state voltage I TM=1500A1252.44V dv/dtCritical rate of rise of off-statevoltageV DM=67%V DRM125800V/μs di/dtCritical rate of rise of on-statecurrentFrom67%V DRMto1500A, Gate source1.5At r≤0.5μs Repetitive125100A/μsI GT Gate trigger current30200mAV GT Gate trigger voltage1.03.0VI H Holding currentV A=12V, I A=1A2520150mA V GD Non-trigger gate voltage At67%V DRM1250.2V R th(j-c)Thermal resistanceJunction to heatsinkAt1800sine, Single side cooled0.065°C /W V iso Isolation voltage50Hz,R.M.S,t=1min,I iso:1mA(MAX) 6000V Thermal connection torque(M10) 12.0N.mF mMounting torque(M6) 6.0N.m T stg Stored temperature-40140°C W t Weight1350g OutlineOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAMM10M13M14M15Fig.1通态伏安特性曲线Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线Fig.9 门极功率曲线Fig.10 门极触发特性曲线M14M13Outside DimensionM10M15。
普通晶闸管模块MTC130-16
参数值
130 204
4 5 5 6 80 125 75 120
800--1800 900--1900 0.75VDRM 0.75VRRM
5 5 3
150
-40--125 -40--125
测试条件
TC=85℃;1800 半波;50Hz
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
1800 正弦半波;50Hz(tp=10ms); 单 脉 冲 ;VD=VR=0V; 门 极 脉 冲 :IG=IFGM;VG=20V;
TGP=500μS;dig/dt=1A/μS 1800 正弦半波;60Hz(tp=8.3ms); 单 脉 冲 ;VD=VR=0V; 门 极 脉 冲 :IG=IFGM;VG=20V;
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 断态电压临界上升率
mA
mA V/μS
VGT
门极触发电压（Max） V
IGT
门极触发电流（Max） mA
门极不触发电压
VGD
（Min）
V
门极不触发电流
IGD
（Min）
mABiblioteka 开关特性tgd延迟时间
μS
tq 热特性 Rthjc
Rthch 绝缘特性
关断时间（type）
结壳 热阻 接触 热阻
Tj =25℃;VD=12V;门极脉冲:IG=IFGM;VG=20V; TGP =500μS;dig/dt=1A/μS Tj =25℃;VD=12V; 门极开路
20
1000
4.0 2.5 1.5 400 250 150 0.25
10
用数字万用表测可控硅的好坏
用数字万用表测可控硅的好坏、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R X100或R X1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。
二、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN 结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R X k或R X0k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了用RX1k或R X IOk挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R X1k 或R X1OO 挡，测控制极和阴极之间的PN 结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻R X1 挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。
红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为1O 欧姆左右。
如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。
模块产品MTC
VDRM/VRRM T =125℃ IDRM/IRRM j ITAV ITSM I2t di/dt dv/dt IH VTM VTO rT VGT IGT VGD IGD Rjc Rch VISOL sin.180；TC=85℃ Tj=125℃；10 ms Tj=125℃ Tj=25℃；typ/max Tj=25℃；ITM=πITAV Tj=125℃ Tj=25℃ Tj=125℃ sin.180；chip/Module 50Hz；r.m.s.；1 min
VDRM/VRRM Tj=125℃ IDRM/IRRM ITAV ITSM I2t di/dt dv/dt IH VTM VTO rT VGT IGT VGD IGD Rjc Rch VISOL 紧固力矩 产品结构 贮存温度 sin.180；TC=80℃ Tj=125℃；10 ms Tj=125℃ Tj=25℃；typ/max Tj=25℃；ITM=πITAV Tj=125℃ Tj=25℃ Tj=125℃ sin.180；chip/Module 50Hz；r.m.s.；1 min 基板安装 M1：6±0.9 接线端子 M2：12±1.8
基板安装 M1：9±1.35 紧固力矩 接线端子 M2：9±1.35 产品结构 MTC、MTA、MTK、MFC1、MFC2、MFK、MFA 压接结构：氮化125℃
MTC90A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
可控硅模块MTC200A
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
ITM=600A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
200A 600~1800V 7.2 KA 259 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流
参数值 典型
1600
最大 200 314 1800
单位
A A V
30
mA
7.20 KA
259 103A2S
0.80
V
1.27 mΩ
1.65
V
800 V/μs
100 A/μs
50
180 mA
1.0
2.5
V
100 mA
MTC800A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路电联结形式（右图）中国·杭州国晶电子科技有限公司模块外型图、安装图M1076M1076S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
中国·杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
晶闸管模块MTC500A
MTC500A
0.06 ℃/W
5 0.02
℃/W 4
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125 ℃
1470
g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
MTC500A
matters needing at时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。
2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。
3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
500A 600~1800V 16 KA 1280 103A2S
符号
参数
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第5页
Ver:XZ0318
第1页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Rth(j-c)
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
MTC MTX晶闸管模块使用说明书
MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。
温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。
七、开箱及检查八、订货须知品合格证。
用户在订货时，请注明产品的型号、规格。
如有特殊要求，请与制造商协商。
打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。
-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。
检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 9.3Vs.Cycles
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
Fig.6 ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
2
ITM=900A VDM=67%VDRM ITM =600A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
9.3 I432 t Vs.Time
2
500
਼⊶᭄ n,@50Hz
400
300
200
100 1 10
ᯊ䯈t,ms
普通晶闸管、可控硅模块
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
2/3
MTC300A
Gate characteristic at 25e C junction temperature
MTC300A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
300A 600~1800V 9.3 A×103 432 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
Conduction Angle
Conduction Angle
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
25 125 125
25 125
1.0 20 0.2
外形为401F 120×67×56（1只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC300A
性能曲线图
Peak On-state Voltage 07& Vs.Peak On-state Current
䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V
Max. junction To case Thermai Impedance Vs.Time
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& '&
360
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W
Conduction Angle
ㅵ⏽ᑺTc,(max)e C
Conduction Angle
'&
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M10) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
䮼ᵕ⬉य़,V GTˈ V
Gate Trigger Zone at varies temperature 390$
-30e C -10e C 25e C 125 e C
3*:
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
PD[
3*0 : V㛝ᆑ
PLQ
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGTˈA
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGTˈmA
Fig.5 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.6 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
外形尺寸图
21
3-M10
38
2
42
G1K1
4-Φ6.5
62 48 35
1
3
93 108 125
G2K2
44.5 52
415F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
T J=125e C
ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e C/W
䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A
ᯊ䯈 t,S
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV),(max),W
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature07& Vs.Mean On-state Current
ㅵ⏽ᑺTc(max),e C
Leabharlann
参数值 典型 最大 300 471 1800 40 9.30 432 0.80 0.72 1.58 800 100 30 180 2.5 150 0.100 0.04 2500 12 6 -40 125 1350
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm