晶闸管模块MTC350A
可控硅MTC200A
结温 Tj（℃） 最小
125 125
125 600
125 125
参数值 典型 最大
200 314
1600 1800
30 7.20
VR=0.6 VRRM
125
259
125
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ITM=600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=600A 门 极 触 发 电
流幅值 IGM=1.5A，门极 125
电流上升时间 tr≤0.5μs
可控硅模块 thyristor module
MTC200 0.140 ℃/W
250 0 2.0 3.0 -40 780
0.04 ℃/W
V
N·m
N·m
125
℃
g
M234 电路联结图：
M353 风冷
M353S 水冷
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅（晶闸管）模块
可控硅模块 thyristor module
MTC200
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
200A 600~1800V 7.2KA 259 103A2S
产品特点：
● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ● 优良的温度特性和功率循环能力 ● 体积小，重量轻 ● 国际标准封装 ● 符合 CE、Rohs 认证
30 50
VA=12V，IA=1A
25
0.8 1.0
20
VDM=67%VDRM
125
0.80 1.27 1.65 800
100
180 2.5 100 0.2
单位
可控硅MTC160A
典型应用： ● ● ● ● 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 ● UPS 电源 ● 电焊机 ● 电机软启动
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO RT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率 通态电流临界上升 率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅模块 thyristor module MTC160 可控硅（晶闸管）模块
IT(AV) 160A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 5.4KA 2 IT 146 103A2S
产品特点： ● ● ● ● ● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 优良的温度特性和功率循环能力 体积小，重量轻 国际标准封装 符合 CE、Rohs 认证
可控硅模块 thyristor module MTC160 0.2 V 0.17 0 0.08 ℃/W ℃/W V 2.0 3.0 -40 210 125 350 N·m N·m ℃ g
门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散） 绝缘电压 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
模块封装图（M234） ：
单位 A A V mA KA 103A 2 S V mΩ V V/μs A/μs mA V mA
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs VA=12V，IA=1A
可控硅晶闸管模块MTC90-16杭州国晶
90A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
2.0KA
I2T
20 103A2S
符号
参数
测试条件
结温
Tj（℃）
参数值 最小 典型 最大
单位
IT(AV)
通态平均电流
180 °正 弦半波 ，50HZ 单面散 125
热，Tc=85℃
IT(RMS) 方均根电流
125
VDRM VRRM
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择
用户选配散热器时，必须考虑以下因素：
① 模块工作电流大小，以决定所需散热面积；
② 使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；
③ 装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
IT(AV)
VTO
门槛电压
RT
斜率电阻
125
VTM
通态峰值电压
ITM=270A
25
dv/dt 断态电压临界上升率 VDM=67%VDRM
125
ITM=270A 门 极 触 发 电 流 幅 值 di/dt 通态电流临界上升率 IGM=1.5A，门极电流上升时间tr 125
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
杭州西整电力电子科技有限公司
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
KK型快速晶闸管
a
a 3d1×h1 d3
d3 10
D2-6h g e f a D1 D2 D
D
D2
H2 H4
H2 H3 H
型号 SS12 SS12 SS13 SS14 SS15
外形尺寸(mm) L D H
导电排尺寸(mm) D1 30 40 50 55 80 L1 53 78 78 85 110 H1 4 5 6 6 6
安装尺寸(mm) D2 H2 H3 H4 D 二孔13 二孔13 四孔11 四孔11 四孔11 D3 M3 M3 M3 M3 M3 D3 二孔螺 M6 二孔螺 M6 四孔螺 M6 四孔螺 M6 四孔螺 M6
d4 13 13 13 13 13
C
L1
d
D5 9 9 9 9 9
A 15 17.5 17.5
图3 KP200P~KP2000P系列凸台平板形普通晶闸管、KS200P~KS500P系列凸台平板形双向晶闸管、KK200P~KK1500P系列凸台平板形快速晶闸管
Dmax 2-φ3.5 0 3
+0.2
阴极辅助引线
2-φ4.2
A±1
门极引线 300±30 D1±2
序号 1 2 3 4 5 6 7
型号 KS200P、KK200P、KP200P KS300P、KK300P、KP300P KS500P、KK500P、KP500P KK800P、KP800P KK1000P、KP1000P KK1500P、KP1600P KP2000P
断态电压临界上升率 dv/dt V/μs 通态电流临界上升率 di/dt A/μs 电路换向关断时间 tg 维持电流 IH 工作结温 Tj 紧固力 推荐散热器型号 μs mA ℃ kN
G
普通晶闸管 可控硅模块 MTC300A1600V
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 9.3Vs.Cycles
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
Fig.6 ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
2
ITM=900A VDM=67%VDRM ITM =600A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
9.3 I432 t Vs.Time
2
500
਼⊶᭄ n,@50Hz
400
300
200
100 1 10
ᯊ䯈t,ms
普通晶闸管、可控硅模块
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
2/3
MTC300A
Gate characteristic at 25e C junction temperature
MTC300A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
300A 600~1800V 9.3 A×103 432 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
晶闸管模块MTC182A
B
绝缘电压
F mB
B
T sbg B
B
W tB B
Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
IBiso
:1mA
B
(ma
x)
与散热器固定
M234
MTC182A
0.08 ℃/W
2500
V
4.0±15%
5.0±15%
-40
125
205
N·m N·m
℃
g
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第2页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
B
DRM B
B
RBth(j-c)B
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
30
25
0.8
20
125
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普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
可控硅模块MTC800A
结温 Tj（℃）
125 125 125
125 125 125
最小 600
125
ITM=2400A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=2400A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
参数值 典型 1600
MTC800A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.55 100
单位 最大
800
A
1256 A
1800 V
20
mA
16.0 1280 0.80 0.42 1.7 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC800A
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MTC300A 可控硅模块说明书
产品规格书Specification of Products产品名称：产品型号：普通晶闸管模块湖北梅兰半导体有限公司湖北梅兰半导体有限公司Hubei Merlin Semiconductor Co., Ltd.厂址：湖北省 襄阳市 高新技术开发区电话：总机传真：分机E-mail:mlsanrex@(710)3807852 3807952 3807905 3806705811版本号：02 更新日期：2011.3MTC(MTA MTK)300A（高压系列）321VALUESYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS T j(°C)Min Type MaxUNITI T(AV)Mean on-state current180°half sine wave50HzSingle side cooled,T c=85°C125300AI T(RMS)RMS on-state current Single side cooled,T c=85°C125314AV DRMV RRMRepetitive peak off-state voltageRepetitive peak reverse voltageV DRM&V RRM tp=10msV DsM&V RsM= V DRM&V RRM+200Vrespectively12525005600VI DRMI RRMRepetitive peak currentat V DRMat V RRM12550mAI TSM Surge on-state current9.3.KAI2t I2T for fusing coordination10ms half sine waveV R=60%V RRM125432A2s*103 V TO Threshold voltage 1.15. V r T On-state slop resistance1250.95.mΩV TM Peak on-state voltage I TM=1500A1252.44V dv/dtCritical rate of rise of off-statevoltageV DM=67%V DRM125800V/μs di/dtCritical rate of rise of on-statecurrentFrom67%V DRMto1500A, Gate source1.5At r≤0.5μs Repetitive125100A/μsI GT Gate trigger current30200mAV GT Gate trigger voltage1.03.0VI H Holding currentV A=12V, I A=1A2520150mA V GD Non-trigger gate voltage At67%V DRM1250.2V R th(j-c)Thermal resistanceJunction to heatsinkAt1800sine, Single side cooled0.065°C /W V iso Isolation voltage50Hz,R.M.S,t=1min,I iso:1mA(MAX) 6000V Thermal connection torque(M10) 12.0N.mF mMounting torque(M6) 6.0N.m T stg Stored temperature-40140°C W t Weight1350g OutlineOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAMM10M13M14M15Fig.1通态伏安特性曲线Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线Fig.9 门极功率曲线Fig.10 门极触发特性曲线M14M13Outside DimensionM10M15。
MTC350A1600C可控硅模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）散热形式：风冷型模块外型图M353 散热形式：水冷型模块外型图M353S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉杭州国晶电子科技有限公司与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
普通晶闸管模块MTC130-16
参数值
130 204
4 5 5 6 80 125 75 120
800--1800 900--1900 0.75VDRM 0.75VRRM
5 5 3
150
-40--125 -40--125
测试条件
TC=85℃;1800 半波;50Hz
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
1800 正弦半波;50Hz(tp=10ms); 单 脉 冲 ;VD=VR=0V; 门 极 脉 冲 :IG=IFGM;VG=20V;
TGP=500μS;dig/dt=1A/μS 1800 正弦半波;60Hz(tp=8.3ms); 单 脉 冲 ;VD=VR=0V; 门 极 脉 冲 :IG=IFGM;VG=20V;
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 断态电压临界上升率
mA
mA V/μS
VGT
门极触发电压（Max） V
IGT
门极触发电流（Max） mA
门极不触发电压
VGD
（Min）
V
门极不触发电流
IGD
（Min）
mABiblioteka 开关特性tgd延迟时间
μS
tq 热特性 Rthjc
Rthch 绝缘特性
关断时间（type）
结壳 热阻 接触 热阻
Tj =25℃;VD=12V;门极脉冲:IG=IFGM;VG=20V; TGP =500μS;dig/dt=1A/μS Tj =25℃;VD=12V; 门极开路
20
1000
4.0 2.5 1.5 400 250 150 0.25
10
MTC90A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
电焊机用晶闸管模块的选择与应用
双反星并联带平衡电抗器主回路 该线路相当于正极性和反极性两组三相半波整流电路并联 每只晶闸管的最大导通角为 120º 负载电流 Id 同时由两个晶闸管和两个变压器绕组供给 每只管子承担 1/6 的 Id 任 何瞬时 正 负极性组均有一支电路导通工作 该线路提高了变压器利用率 变压器磁路平衡 不存在磁化的问题 要求主变压器和平衡 电抗器对称性好 整流输出电压 Ud=1.17U2cosa 当负载电流小于额定值 Id 2~5%时 流过平衡电抗器的 电流太小 达不到激磁所需的临界电流 平衡电抗器失去作用 其上的三角波形电压也就 没有了 此时该线路输出电压与三相半波电路一样 该电压即为电焊机空载电压 输出电 压 Ud=1.35U2cosa 电阻 R 的作用是为电焊机在空载电压输出时 提供可控硅导通的擎制电流 因此擎制电流 参数的大小或离散性对 R 的阻值有相当重要性 实例
考虑两倍的选择余量后 VRRM VDRM=2 x 6 x U2=2 x 2.236 x 43V=191V
因此选择耐压 200V-300V 的器件足够 2 器 件 额 定 电 流 IT AV 的 计 算
由于该线路相当于两组三相半波整流电路的串联,
根据公式 Ie=0.577 x Id; 可以计算出变压器副边相电流: Ie=0.577 x Id=0.577 x 630A=364A(此值为交流有效值)
MTG AA 80A/400V
替代国外模块型号
三社
SanRex
PWB60A
三 菱 MITSUBISHI
TM6
0SZ
-M
TM6
0SA
-6
SanRex
PWB90A
MITSUBISHI
TM100
SZ-M
TM9
0SA-6
KK型快速晶闸管
RjC
o
W kg 0.006 0.006 0.006 0.12 0.12 0.027 0.027 0.027 0.090 0.165 0.165 0.265 0.265 0.265 0.265
C
C/W
150 150 150 150 150 150 150 150 190 190 190 190 190 190 190
D 16 22 22 28 31 37 37 42 48 58
S 14 19 19 24 27 32 32 36 42 50
图2 ZP200P~ZP2000P系列凸台平板形普通整流管、ZK200P~ZK1000P系列凸台平板形快速整流管
Dmax 2-φ3.5
+0.2 0
G
A1
D1±2
序号 1 2 3 4 5 6 7
Dmax 250±25 φ4.2
Amax
D1min
门极引线
序号 1 2 3 4 5
型号 KS200F、KK200F、KP200F KS300F、KK300F、KP300F KS500F、KK500F、KP500F KK800F、KP800F KK1000F、KP1000F
正向平均电流IF(AV) A 200 300 500 800 1000
Dmax φ50 φ58 φ65 φ67 φ77
Amax 13 13 19 18 19
D1min φ26 φ35 φ38 φ42 φ45
G-069
电力电子及其它电器类
SF风冷式散热器(平板式) SS水冷式散热器(平板式) SZ、SL螺旋式散热器
安装注意事项： 平板型双面准冷硅元件的使用性能和效果，直接与散热器特性，接触热阻，紧固件和绝缘件，压接 力等有关。 注意中心对准，谨防压扁，硅面与散热器平面之间涂导热硅脂。
可控硅模块MTC200A
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
ITM=600A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
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IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
200A 600~1800V 7.2 KA 259 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流
参数值 典型
1600
最大 200 314 1800
单位
A A V
30
mA
7.20 KA
259 103A2S
0.80
V
1.27 mΩ
1.65
V
800 V/μs
100 A/μs
50
180 mA
1.0
2.5
V
100 mA
晶闸管模块MTC500A
MTC500A
0.06 ℃/W
5 0.02
℃/W 4
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125 ℃
1470
g
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MTC500A
matters needing at时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。
2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。
3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
500A 600~1800V 16 KA 1280 103A2S
符号
参数
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Rth(j-c)
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
MTC MTX晶闸管模块使用说明书
MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。
温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。
七、开箱及检查八、订货须知品合格证。
用户在订货时，请注明产品的型号、规格。
如有特殊要求，请与制造商协商。
打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。
-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。
检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。
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MTC350A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
350A 600~1800V 11 KA 605 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD
参数
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
180 mA
1.0
2.5
V
40
100 mA
0.2
V
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可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1mA(max)
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流A
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参数值 典型
1600
单位 最大
350
A
550
A
1800 V
40
mA
11.0 KA
605 103A2S
0.85
V
0.36 mΩ
1.5
1.6
V
800 V/μs
100 A/μs
60
与散热器固定
2500
M353、M353S
MTC350A
0.090 0.04
℃/W ℃/W
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125
℃
845
g
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结温 Tj（℃）
125 125 125
125 125 125
最小 600
125
ITM=1050A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=1050A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
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MTC350A
circuit Diagram：
散热形式：水冷型模块外型图 M353S
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC350A
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Install Size Diagram: 散热形式：风冷型模块外型图 M353