单管晶闸管模块MT500A
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
KK型快速晶闸管
a
a 3d1×h1 d3
d3 10
D2-6h g e f a D1 D2 D
D
D2
H2 H4
H2 H3 H
型号 SS12 SS12 SS13 SS14 SS15
外形尺寸(mm) L D H
导电排尺寸(mm) D1 30 40 50 55 80 L1 53 78 78 85 110 H1 4 5 6 6 6
安装尺寸(mm) D2 H2 H3 H4 D 二孔13 二孔13 四孔11 四孔11 四孔11 D3 M3 M3 M3 M3 M3 D3 二孔螺 M6 二孔螺 M6 四孔螺 M6 四孔螺 M6 四孔螺 M6
d4 13 13 13 13 13
C
L1
d
D5 9 9 9 9 9
A 15 17.5 17.5
图3 KP200P~KP2000P系列凸台平板形普通晶闸管、KS200P~KS500P系列凸台平板形双向晶闸管、KK200P~KK1500P系列凸台平板形快速晶闸管
Dmax 2-φ3.5 0 3
+0.2
阴极辅助引线
2-φ4.2
A±1
门极引线 300±30 D1±2
序号 1 2 3 4 5 6 7
型号 KS200P、KK200P、KP200P KS300P、KK300P、KP300P KS500P、KK500P、KP500P KK800P、KP800P KK1000P、KP1000P KK1500P、KP1600P KP2000P
断态电压临界上升率 dv/dt V/μs 通态电流临界上升率 di/dt A/μs 电路换向关断时间 tg 维持电流 IH 工作结温 Tj 紧固力 推荐散热器型号 μs mA ℃ kN
G
晶闸管模块MTC182A
B
绝缘电压
F mB
B
T sbg B
B
W tB B
Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
IBiso
:1mA
B
(ma
x)
与散热器固定
M234
MTC182A
0.08 ℃/W
2500
V
4.0±15%
5.0±15%
-40
125
205
N·m N·m
℃
g
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
B
DRM B
B
RBth(j-c)B
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
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30
25
0.8
20
125
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山特MT500拆机报告
拆机报告编号: 样机资料电源开关控制 电路及指示灯 控制电路 瓶充电控制 IC :U3843BN、整机照片图 图一：电源主体 逆变电路 电瓶 I R RS232接口可以与计算 连进行通讯模式转 F74 0 .............― 换控制 电路MOS 管 K2608 TX1电瓶充电 控制电路防雷击浪涌 保护电路电容后侧有 一稳压管： 7805 逆变电路双运算放大器LM358市电检测蜂S |稳压输蜂鸣器电路电源启动控制 稳压.PWM 控制RF32C四Q27:蜂鸣器驱动三极管充电控制辅 助电路2个HLM358双运放反馈5电路：市电检测电 路IC : SG3525AN1020=二 可编程 升压电路C68HC908市电异常时市电正常时五、工作原理1、 市电正常时，市电经 EMI 电路滤波后，一路经继电器与负载连接，由市电直接为负载供电；另一路在电池充电控制电路作用下，经充电电路为电 池充电，其电路主体由充电控制 IC UC3848BN MOS 管 K2608以及外围电路组成。
同时，市电经采样电路输入给市电检测电路进行市电检测，检测电路主要由双运放LM358及外围电路组成。
2、 当市电异常时，市电检测电路将信号传递给处理器U01，由U01发出指令，继电器断开市电通路，切换到电池供电状态。
电池电源经 PWM 控制ICSG3525AN 进行PW 碉制后的信号，经两只 MOS 管HRF3205组成的推挽电路和 TX1、D04、D05组成它激式逆变电源电路升压到约 330V 后，经Q04~Q07组成 的逆变电路转换为交流市电为负载供电。
输出为方波交流。
3、 该电源逆变部分使用 4支MOS 管IRF740组成全桥逆变电路，逆变电源部分升压前级使用两支MOS 管HRF3205组成推挽电路，充电控制部分使用 1支 MOS 管 K2608。
4、 该UPS 电源带有防雷击浪涌保护电路，采用瞬变抑制二极管和压敏电阻组成突波抑制电路。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
高低压电容补偿装置无功补偿技术协议
技术协议供方：需方：2018年7月、高压无功自动补偿装置1、产品遵循的主要标准GB50227-95《并联电容器装置设计规范》SD205-87《高压并联电容器技术条件》DL492.9-91《电力系统油质试验方法绝缘油介电强度测定法》DL462-92《高压并联电容器用串联电抗器订货技术条件》DL/T653-1998《高压并联电容器用放电线圈订货技术条件》JB7111-93《高压并联电容器装置》GB11032-89《交流无间隙金属氧化锌避雷器》GB10229-88《电抗器》GB50150《电气装置安装工程电气设备交接试验标准》GB/T5882《高压电力设备外绝缘污秽等级》GB3983.2《高压并联电容器》GB311.1-97《高压输变电设备的绝缘配合》GB/T16927《高电压试验技术》GB763《交流高压电器在长期工作时的发热》GB11025《并联电容器用内熔丝和内部压力隔离器》DL442《高压并联电容器单台保护用熔断器定货技术条件》DL/T604《高压并联电容器成套装置定货技术条件》JB/T8970《高压并联电容器用放电线圈》GB/T11024.1-2001《高压并联电容器耐久性试验》GB50062-92《电力装置的继电保护和自动装置设计规范》2、设备主要技术性能参数2.1环境条件2.1.1安装地点：户内2.1.2安装形式：柜式2.1.3海拔：<1000米2.1.4环境温度：一25°C/+55°C最大日温差：25K2.1.5环境湿度：月平均相对湿度（25C）不大于95%日平均相对湿度（25C）不大于95%2.1.6耐受地震能力：地震烈度：W8度地面水平加速度：2.5m/s2地面垂直加速度：1.25m/s22.1.7污秽等级：III级泄露比距不小于25mm/Kv（相对与系统最高电压）2.1.8安装环境无有害气体和蒸汽，无导电或爆炸性尘埃，无剧烈震动。
2.2系统运行条件2.2.1额定电压：10KV2.2.2最高运行电压：12KV2.2.3额定频率：50HZ2.2.4谐波情况：电抗率6%，能抑制五次及以上谐波2.2.5电容器组接线方式：单星形开口三角形电压保护2.2.6进线方式：电缆下进线2.3设备名称及型号：2.3.1设备名称：高压无功自动补偿装置2.3.2设备型号：GGZB10-1800（300+600+900）AK2.3.3设备数量：1套3、设备要求：装置补偿总容量为1800kvar,分三组自动投切，每组投切容量分别为300Kvar、600Kvar、900Kvar。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC500A1600V
ITM=1500A VDM=67%VDRM ITM =1000A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
MTC500A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
500A 600~1800V 16 A×103 1280 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M10) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
整流模块
其特电子
30/10
0.22
20/15
0.33
4/20
1.0
62/5
0.15
33/10
0.22
20/15
0.33
4/20
1.0
各6
ii.R 和 C 值选取方法：RC 依据下列经验表格选取近似值，推荐使用 厂家配套器件。
模块控制端口插座和控制线插座上都有编号，各引脚控制与控制引 线颜色对照如下表：
引脚功能 5 芯接插件
脚号与对应的引线颜色
9 芯接插件
15 芯接插件
+12V 5 (红色)
1 (红色)
1 (红色)Leabharlann GND 4 (黑色)2 (黑色)
2 (黑色)
GND1 3 (黑色)
3 (黑白双色)
3 (黑白双色)
CON10V 2 (中黄)
4
其特电子 出 0～10V 的控制信号对灯泡上的电压进行调整，此电路也可以用于对模 块工作正常与否的检测。
注：380V 电网前要加绝缘开关。
图6
2、模块的进一步应用
（1）导通角与模块输出电流的关系 模块的导通角与模块能输出的最大电流有直接关系，模块的标称电
流是最大导通角时能输出的最大电流。在小导通角（输出电压与输入电 压比值很小）下输出的电流为很尖的脉冲，仪表显示的电流也很小（直 流仪表一般显示平均值，交流仪表显示非正弦电流时比实际值小），但是 输出电流的有效值很大，半导体器件的发热与有效值的平方成正比，会 使模块严重发热甚至烧毁。因此，模块应在最大导通角的 65℅以上工作。 （2）模块电流规格的选取方法
模块要正常工作，必须具备以下条件： ①+12V 直流电源（部分模块需要±12V）：模块内部控制电路的工作 电源，+12V 电源正极接+12V 端子（-12V 电源接-12V 端子），公共端子 接 GND 端子。 ②控制信号： 0～10V（0～5V，0～10mA，4～20mA）控制信号， 用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接 CON10V（CON5V、 CON20mA），负极接 GND1 ③供电电源和负载：供电电源一般为电网或者供电变压器，接模块 的输入端子；负载为用电器，接模块的输出端子。 （3）应用实例 模块的输入端子接 380V 电网，模块的输出端子接灯泡，用电位器取
赛米控丹佛斯 SEMIPACK 晶闸管 二极管模块 SKET 741 22 E 数据表
SEMIPACK ®6SKETThyristor ModulesSKET 741/22 EFeatures•Precious metal pressure contacts for high reliability•Thyristor with amplifying gate •UL recognized, file no. E 63 532Typical Applications*•DC motor control (e. g. for machine tools)•Temperature control (e. g. for ovens, chemical processes)•Softstart applicationAbsolute Maximum Ratings SymbolConditions Values UnitChip I T(AV)sinus 180°T c =85°C 819A T c =100°C 564A I TRMS continuous operation 1500A I TSM 10ms T j =25°C 30000A T j =125°C 26500A i 2t 10msT j =25°C 4500000A²s T j =125°C3500000A²s V RSM2300V V RRM 2200V V DRM 2200V (di/dt)cr 200A/µs (dv/dt)cr 1000V/µs T j -40...125°C Module T stg -40 (130)°C V isola.c.; 50 Hz; r.m.s.1min 3000V 1s3600VCharacteristics SymbolConditions min.typ.max.UnitChip V T T j =125°C, I T =3000A 1.51V V T(TO)T j =125°C 0.82V r T T j =125°C0.17m ΩI DD ;I RD T j =125°C,V DD = V DRM ; V RD = V RRM 150mA t gd T j =25°C,I G =1A, di G /dt =1A/µs4µs t q 350µs I H T j =25°C500mA I L T j =25°C,R G =33Ω2500mA V GT T j =25°C,d.c. 2.2V I GT T j =25°C,d.c.250mA V GD T j =125°C, d.c.0.25V I GD T j =125°C, d.c.10mA R th(j-c)cont.per chip 0.0405K/W per module 0.0405K/W R th(j-c)sin. 180°per chip 0.042K/W per module 0.042K/W R th(j-c)rec. 120°per chip 0.043K/W per module0.043K/WModule R th(c-s)chip 0.015K/W module 0.015K/W M s to heatsink M6 5.1 6.9Nm M t to terminal M1216.219.8Nm a 5 * 9,81m/s²w1950gThis is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, chapter IX.*IMPORTANT INFORMATION AND WARNINGSThe specifications of SEMIKRON products may not be considered as guarantee or assurance of product characteristics("Beschaffenheitsgarantie"). The specifications of SEMIKRON products describe only the usual characteristics of products to be expected inSKETtypical applications, which may still vary depending on the specific application. Therefore, products must be tested for the respective application in advance. Application adjustments may be necessary. The user of SEMIKRON products is responsible for the safety of their applications embedding SEMIKRON products and must take adequate safety measures to prevent the applications from causing a physical injury, fire or other problem if any of SEMIKRON products become faulty. The user is responsible to make sure that the application design is compliant with all applicable laws, regulations, norms and standards. Except as otherwise explicitly approved by SEMIKRON in a written document signed by authorized representatives of SEMIKRON, SEMIKRON products may not be used in any applications where a failure of the product or any consequences of the use thereof can reasonably be expected to result in personal injury. No representation or warranty is given and no liability is assumed with respect to the accuracy, completeness and/or use of any information herein, including without limitation, warranties of non-infringement of intellectual property rights of any third party. SEMIKRON does not assume any liability arising out of the applications or use of any product; neither does it convey any license under its patent rights, copyrights, trade secrets or other intellectual property rights, nor the rights of others. SEMIKRON makes no representation or warranty of non-infringement or alleged non-infringement of intellectual property rights of any third party which may arise from applications. Due to technical requirements our products may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the nearest SEMIKRON sales office. This document supersedes and replaces all information previously supplied and may be superseded by updates. SEMIKRON reserves the right to make changes.。
MTC90A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
微机检测 三菱PLC产品FX2介绍
输入继电器 （X）
DC输入
24V DC，7mA，光电隔离 X0～X177（8进制编号）
继电器（MR）
AC250V，DC30V，2A/1点 （电阻负载）
输出继电器 （Y）
双向可控硅 （MS）
AC85～242V，0.3A/点， 0.8A/4点（电阻负载）
DC5～30V，0.5A/点，
晶体管（MT） 0.8A/4点，1.6A/8点
计数器 （C）
加／减 计数器
32位，-2147483648～ห้องสมุดไป่ตู้2147483647 ，一般用
32位，-2147483648～ 2147483647 ，电池后备
C200～C219（20点） C220～C234（15点）
高速计数器 32位加/减计数，电池后备 C235～C255（6点）
数据寄 存器 （D）
基本单元型号表示方法： FX2－×× M×
12
1部分用两位数表示输入/输出(I/O)的总点数:
16、24、32、48、64等；
2部分用字符表示输出类型：
R 表示继电器触点输出，
T 表示晶体管输出，
S 表示双向晶闸管输出。
返回
3.2 可编程控制器的软元件
PLC 可看成是由各种功能元器件（软元件）组成的工业控制器。 利用编程语言，按照一定的逻辑关系对这些软元件进行编程（调用）， 就可实现某种控制要求。
1.输入继电器X 2.输出继电器Y 3.辅助继电器M
4.状态元件S
5.定时器T
128点 X0~X127 128点 X0~X127 通用：500点M0~M499 继电保持：524点M500~M1023 特殊功能：256点M8000~M8255 初始状态用：10点，S0~S9 回归原点用：10点，S10~S19 一般用：480点，S20~S499 有断电保持功能：400点，S500~S899 程序流程故障诊断用：100点，S900~S999 通用100ms：200点，T0~T199 通用10ms：46点，T200~T245 累积1ms：4点，T246~T249 累积100ms：6点，T250~T255
KK型快速晶闸管
RjC
o
W kg 0.006 0.006 0.006 0.12 0.12 0.027 0.027 0.027 0.090 0.165 0.165 0.265 0.265 0.265 0.265
C
C/W
150 150 150 150 150 150 150 150 190 190 190 190 190 190 190
D 16 22 22 28 31 37 37 42 48 58
S 14 19 19 24 27 32 32 36 42 50
图2 ZP200P~ZP2000P系列凸台平板形普通整流管、ZK200P~ZK1000P系列凸台平板形快速整流管
Dmax 2-φ3.5
+0.2 0
G
A1
D1±2
序号 1 2 3 4 5 6 7
Dmax 250±25 φ4.2
Amax
D1min
门极引线
序号 1 2 3 4 5
型号 KS200F、KK200F、KP200F KS300F、KK300F、KP300F KS500F、KK500F、KP500F KK800F、KP800F KK1000F、KP1000F
正向平均电流IF(AV) A 200 300 500 800 1000
Dmax φ50 φ58 φ65 φ67 φ77
Amax 13 13 19 18 19
D1min φ26 φ35 φ38 φ42 φ45
G-069
电力电子及其它电器类
SF风冷式散热器(平板式) SS水冷式散热器(平板式) SZ、SL螺旋式散热器
安装注意事项： 平板型双面准冷硅元件的使用性能和效果，直接与散热器特性，接触热阻，紧固件和绝缘件，压接 力等有关。 注意中心对准，谨防压扁，硅面与散热器平面之间涂导热硅脂。
可控硅模块MTC200A
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
ITM=600A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
200A 600~1800V 7.2 KA 259 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流
参数值 典型
1600
最大 200 314 1800
单位
A A V
30
mA
7.20 KA
259 103A2S
0.80
V
1.27 mΩ
1.65
V
800 V/μs
100 A/μs
50
180 mA
1.0
2.5
V
100 mA
晶闸管模块MTC500A
MTC500A
0.06 ℃/W
5 0.02
℃/W 4
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125 ℃
1470
g
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MTC500A
matters needing at时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。
2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。
3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
500A 600~1800V 16 KA 1280 103A2S
符号
参数
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
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第5页
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Rth(j-c)
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
MT-500说明书
MT-500S系列保护装置技术手册长沙铭泰电力科技有限公司济南华电东工科技有限公司目录1系统综述 (1)1.1适用范围 (1)1.2系统特点 (1)1.3技术指标 (1)1.3.1额定数据 (1)1.3.2功耗 (2)1.3.3环境条件 (2)1.3.4抗干扰性能 (2)1.3.5绝缘性能 (3)1.3.6机械性能 (3)1.3.7各整定元件工作范围及误差 (3)1.3.8延时元件整定范围及误差 (3)1.3.9测量精度 (3)1.4结构和安装 (4)1.4.1机箱结构 (4)1.4.2接线端子示意图 (4)2人机接口操作说明 (6)2.1面板指示灯说明 (6)2.2液晶显示及键盘操作 (6)2.2.1按键介绍 (6)2.2.2主菜单 (7)2.2.3浏览菜单 (8)2.2.4调试操作 (10)2.2.5整定操作 (12)3微机线路保护测控装置 (15)3.1概述 (15)3.2功能配置 (15)3.3保护原理 (15)3.3.1起动元件 (15)3.3.2三段过流保护 (15)3.3.3接地告警 (16)3.3.4三相一次重合闸 (16)3.3.5加速保护 (17)3.3.6过负荷保护 (17)3.3.7TV断线检测 (18)3.3.8装置告警 (18)3.3.9对时功能 (18)3.3.10网络通信 (18)3.4保护定值 (19)3.5装置接线端子定义 (19)3.5.1接线端子示意图（后视图） (19)3.5.2接线端子定义说明 (19)3.6附图 (22)附图3-1MT-L542S系列装置直流操作二次接线示意图 (22)附图3-3MT-L542S系列装置交流操作二次接线示意图 (22)附图3-4MT-L542S系列装置交流操作回路接线示意图 (22)4微机配电变保护测控装置 (27)4.1概述 (27)4.2功能配置 (27)4.3保护原理 (28)4.3.1起动元件 (28)4.3.2两段过流保护 (28)4.3.3高压侧零序过流保护 (28)4.3.4低压侧零序反时限过流保护 (29)4.3.5低压侧零序过流保护 (29)4.3.6低电压保护 (29)4.3.7过负荷保护 (29)4.3.7TV断线检测 (30)4.3.8装置告警 (30)4.3.9对时功能 (31)4.3.10网络通信 (31)4.4保护定值 (31)4.5接线端子定义 (32)4.5.1接线端子示意图（后视图） (32)4.5.2接线端子定义说明 (32)4.6附图 (34)附图4-1MT-T543S系列装置直流二次接线示意图 (34)附图4-2MT-T543S系列装置直流操作回路接线示意图 (35)附图4-3MT-T543S系列装置直流二次接线示意图 (35)附图4-4MT-T543S系列装置直流操作回路接线示意图 (35)5微机电容保护测控装置 (40)5.1概述 (40)5.2功能配置 (40)5.3保护原理 (40)5.3.1起动元件 (40)5.3.2两段过流保护 (40)5.3.3小电流接地告警 (40)5.3.4不平衡电压保护 (41)5.3.5过电压保护 (41)5.3.6低电压保护 (41)5.3.7TV断线检测 (42)5.3.8装置告警 (42)5.3.9对时功能 (43)5.3.10网络通信 (43)5.4保护定值 (43)5.5装置接线端子定义 (44)5.5.1接线端子示意图（后视图） (44)5.5.2接线端子定义说明 (44)5.6附图 (46)附图5-2MT-C541S系列装置直流操作回路接线示意图 (46)附图5-3MT-C541S系列装置交流操作二次接线示意图 (46)附图5-4MT-C541S系列装置交流操作回路接线示意图 (46)6微机电动机保护测控装置 (51)6.1装置简介 (51)6.2功能配置 (51)6.3保护原理 (51)6.3.1电流速断保护 (51)6.3.2不平衡保护 (52)6.3.3接地保护 (53)6.3.4堵转保护 (53)6.3.5起动时间过长保护及其合闸回路闭锁 (53)6.3.6过热保护及其合闸回路闭锁 (54)6.3.7过负荷保护 (55)6.3.8低电压保护 (55)6.3.9F-C闭锁 (56)6.3.10装置告警 (56)6.3.11对时功能 (56)6.3.12网络通信 (56)6.4保护定值 (57)6.5装置接线端子定义 (58)6.5.1接线端子示意图（后视图） (58)6.5.2接线端子定义说明 (58)6.6附图 (60)附图6-1MT-E541S系列装置直流操作二次接线示意图 (60)附图6-2MT-E541S系列装置直流操作操作回路接线示意图 (60)附图6-3MT-E541S系列装置交流操作二次接线示意图 (60)附图6-4MT-E541S系列装置交流操作操作回路接线示意图 (60)7现场安装和调试 (65)7.1调试资料及试验仪器准备 (65)7.2通电前检查 (65)7.3通电试验 (65)7.4模拟量刻度校验 (66)7.5异常处理 (66)8投运说明及注意事项 (67)8.1投运前的设置、检查 (67)8.2运行注意事项 (68)8.3正常运行模拟量参考 (68)9存储及保修 (68)10供应成套性 (69)11订货须知 (69)1系统综述1.1适用范围MT-500S配电站自动化系统集保护、测量、控制、监控于一体，适用于10kV及以下电压等级的城市电网、楼宇及厂矿企业的供电系统。
MTC MTX晶闸管模块使用说明书
MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。
温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。
七、开箱及检查八、订货须知品合格证。
用户在订货时，请注明产品的型号、规格。
如有特殊要求，请与制造商协商。
打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。
-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。
检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
180
120
0
180
90
60 Conduction Angle
30
400
200
0
0
100 200 300 400 500 600
通态平均电流IT(AV),A
Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线
Max. Power DissipaMtTioCn5V0s0.水Me冷an On-state Current
80
60
40
20
30 60 90 120 180 270 DC
0
0
200
400
600
800
1000
通态平均电流IT(AV),A
Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线
通态浪涌电流ITSM,KA
Surge Cur1re1nt Vs.Cycles 12
10
8
6
4
2
1
10
100
周波数n,@ 50Hz
Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线
0.087 0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.001
0.01
0.1
1
10
时间t,S
Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线
Max. case TemperatMurTeCV5s0.0M水ea冷n On-state Current 140
120
0
180
100 Conduction Angle
80
60
测试条件
°正弦半波
单面散热
°
°正弦半波 °
单面散热
底宽 正弦半波
结温
℃
≤μ
＝
500A 600~1800V
11 KA 605 KA2S
参数值 单位
Ω μ μ
门极触发电压
门极不触发电压
热阻抗 结至壳
°正弦半波 单面散热
℃
安装扭矩（ ）
·
安装扭矩（ ）
·
贮存温度
℃
质量
最大通态功耗PT(AV)(max),W
普通晶闸管模块
符号 电流额定值
特性值 动态参数 门极特性 热和机械数据
特点
芯片与底板电气绝缘，
交流绝缘
优良的温度特性和功率循环能力
体积小，重量轻
典型应用
交直流电机控制
各种整流电源
变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
参数
通态平均电流
方均根电流
通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 门槛电压 通态峰值电压 斜率电阻 维持电流 绝缘电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流
门极电压,VGT，V
Gate characteristic at 25°C junction temperature 1816 Nhomakorabea14
PGM=120W
12
max.
(100μs脉宽)
10
8
6
min.
4
PG2W
2
0
0
4
8
12
16
20
门极电流,IGT，A
Fig.9 门极功率曲线
外形图:
门极电压,VGT，V
电流平方时间积I2t,103A2S
Fig.10 门极触发特性曲线
40
20
0 0
30
60 90 120 180
100 200 300 400 500 600 通态平均电流IT(AV),A
Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线
Max. case TemperatMuTreC5V0s0.M水ea冷n On-state Current 140
120
360
100 Conduction Angle
I26t05Vs.1T1ime 650
550
450
350
250
150
1
10
时间t,ms
Fig.8 I2t特性曲线
Gate Trigger Zo3nVe,2a0t 0vMaAries temperature 4.5
-30°C 4
-10°C 3.5
25°C 3
125°C 2.5
2
1.5
1
0.5
0 0 50 100 150 200 250 300 350 门极电流,IGT，mA
最大通态功耗PT(AV),(max),W
通态峰值电压VTM,V
Peak On-state VoltaMgTeCV50s.0P水ea泠k On-state Current 5
4
TJ=125°C
3
2
1
0 100
1000 通态峰值电流ITM,A
Fig.1通态伏安特性曲线
10000
1000 800 600
Max. Power DissMipTaCt5io0n0V水s.冷Mean On-state Current
800 360
DC 270
180
600
120
Conduction Angle
90
60
400 30
200
0 0 80 160 240 320 400 480 560 640 通态平均电流IT(AV),A
Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线
管壳温度Tc(max),°C
管壳温度Tc(max),°C
瞬态热阻抗Zth,°C/W