普通晶闸管 可控硅 整流管混合模块 MFC160A1600V
二极管、晶闸管等型号命名
详细参数请查询我公司网站： 品牌：TH型号：ZP5A/400V•材料：硅引用常用整流二极管型号大全极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15 RL205 600 2 70 5 1 DO--15 RL206 800 2 70 5 1 DO--15 RL207 1000 2 70 5 1 DO--15 2a01 50 2 70 5 1.1 DO--15 2a02 100 2 70 5 1.1 DO--15 2a03 200 2 70 5 1.1 DO--15 2a04 400 2 70 5 1.1 DO--15 2a05 600 2 70 5 1.1 DO--15 2a06 800 2 70 5 1.1 DO--15 2a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15 RY251 200 3 150 5 3 DO--27 RY252 400 3 150 5 3 DO--27 RY253 600 3 150 5 3 DO--27 RY254 800 3 150 5 3 DO--27 RY255 1300 3 150 5 3 DO--27 普通整流二极管参数(三)IN5401 50 3 200 5 1 DO--27 IN5402 100 3 200 5 1 DO--27 IN5403 150 3 200 5 1 DO--27 IN5404 200 3 200 5 1 DO--27 IN5405 400 3 200 5 1 DO--27 IN5406 600 3 200 5 1 DO--27 IN5407 800 3 200 5 1 DO--27 IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27 6a05 50 6 400 10 0.95 R--6 6a1 100 6 400 10 0.95 R--6 6a2 200 6 400 10 0.95 R--66a4 400 6 400 10 0.95 R--6 6a6 600 6 400 10 0.95 R--6 6a8 800 6 400 10 0.95 R--6 6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6 P600a 50 6 400 10 0.95 R--6 P600B 100 6 400 10 0.95 R--6 P600D 200 6 400 10 0.95 R--6 P600G 400 6 400 10 0.95 R--6 P600J 600 6 400 10 0.95 R--6 P600K 800 6 400 10 0.95 R--6 P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6ZP型普通整流管（平板型）适用范围：适用于机车电传，电解，充电，电机励磁，电机调速领域的变流装置。
可控硅MTC160A
典型应用： ● ● ● ● 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 ● UPS 电源 ● 电焊机 ● 电机软启动
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO RT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率 通态电流临界上升 率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅模块 thyristor module MTC160 可控硅（晶闸管）模块
IT(AV) 160A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 5.4KA 2 IT 146 103A2S
产品特点： ● ● ● ● ● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 优良的温度特性和功率循环能力 体积小，重量轻 国际标准封装 符合 CE、Rohs 认证
可控硅模块 thyristor module MTC160 0.2 V 0.17 0 0.08 ℃/W ℃/W V 2.0 3.0 -40 210 125 350 N·m N·m ℃ g
门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散） 绝缘电压 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
模块封装图（M234） ：
单位 A A V mA KA 103A 2 S V mΩ V V/μs A/μs mA V mA
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs VA=12V，IA=1A
MTC110A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司 符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小 典型 最大 I T(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 125 110 A I T(RMS) 方均根电流125 173 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM125 12 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 2.40 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 125 29 103A 2SV TO 门槛电压 0.8 V R T 斜率电阻125 2.29 m Ω V TM 通态峰值电压 I TM =330A 25 1.50 1.60 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 I TM =330A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125 100 A/μs I GT 门极触发电流30 40 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流20 100 mA V GD 门极不触发电压 V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.250 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.15 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t质量140g特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关 I T(A V) 110AV DRM /V RRM 600~1800V I TSM 2.4KA I 2T 29 103A 2SOutline M220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
可控硅晶闸管模块MTC160A1600V杭州国晶
160A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
5.4KA
I2T
146 103A2S
符号
参数
测试条件
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散
热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。 郑重声明：目前市场上充斥着各种劣质散热器，请在购买是注意鉴别，如因使用劣质散热器 造成模块损坏或其他严重后果，我公司概不负责。
中国·杭州国晶电子科技有限公司
专业可控硅模块制造商
技术咨询：0571-56862135
≤0.5μs
IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h)
Viso
Fm
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
绝缘电压
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6）
VA=12V，IA=1A
VDM=67%VDRM 180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1Ma(max)
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC160
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
可控硅晶闸管模块MTC90-16杭州国晶
90A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
2.0KA
I2T
20 103A2S
符号
参数
测试条件
结温
Tj（℃）
参数值 最小 典型 最大
单位
IT(AV)
通态平均电流
180 °正 弦半波 ，50HZ 单面散 125
热，Tc=85℃
IT(RMS) 方均根电流
125
VDRM VRRM
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择
用户选配散热器时，必须考虑以下因素：
① 模块工作电流大小，以决定所需散热面积；
② 使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；
③ 装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
IT(AV)
VTO
门槛电压
RT
斜率电阻
125
VTM
通态峰值电压
ITM=270A
25
dv/dt 断态电压临界上升率 VDM=67%VDRM
125
ITM=270A 门 极 触 发 电 流 幅 值 di/dt 通态电流临界上升率 IGM=1.5A，门极电流上升时间tr 125
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
MTC25A1600V 可控硅模块 技术资料
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
25A 600~1800V 0.55 A×103 1.5 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
Tc(max), C
Conduction Angle
IT(AV),A
IT(AV),A
Fig.3
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
360
参数值 典型 最大 25 41 1800 8 0.55 1.50 0.85 9.68 1.69 800 50 30 100 2.5 150 0.950 0.2 2500 4 6 -40 125 100
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
-30 C -10 C
V
V
,VGT
,VGT
25 C 125 C
,IGT
A
,IGT
mA
Fig.9
Fig.10
外形尺寸图
215F3
101F
info@
3/3
PT(AV)(max),W
Tc(max), C
Conduction Angle
Conduction Angle
普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
整流模块MDS75-16
D1
D2
MDC
D1
D2
MDK
－ MDS
3
快 恢 复 二 极 管 (FRD) 模 块
参数
VRRM IF(AV)@TC IF(RMS) IFRM
符号
TC=85 ℃ Tj=150 ℃ f=20KHZ
产品
TC=85 ℃
型 号 (V) (A)
(A)
(A)
IFSM 10ms 45 ℃ (A)
VFM@ trr Rthjc PD
20
40 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.55 2500
20
MTC 55 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.5 2500
20
MTA 70 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.33 2500 风冷 20、 21
1.15
0.16
0.08 TS
MTC200TA160 MFC200TA160 MTK200TA160 MTX200TA160
400 ~ 1800
≤ 40
200 5400 1.65 600 ≤ 150 ≤ 3.0 0.8
1.0
0.15 0.08 TS
MTC250TA160 MFC250TA160 MTK250TA160 MTX250TA160
125
MDA 70 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5
125
MDK 90 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5
125
110 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125
130 400 ～ 1800 ≤ 10
德州整流晶闸管调压模块结构
德州整流晶闸管调压模块结构
德州整流晶闸管调压模块是一种电力电子器件，用于直流电源的调节和控制。
其结构主要包括晶闸管、电感、电容、散热器等组成部分。
1. 晶闸管
晶闸管是整流模块的核心部件，是一种电子器件，能够实现电流的单向导通和双向控制。
晶闸管的主要特点是具有高电压、高电流、高速度、高可靠性等优点，广泛应用于电力电子领域。
2. 电感
电感是整流模块中的重要组成部分，主要用于过滤直流电源中的高频噪声和电磁干扰，保证整流模块的稳定性和可靠性。
电感的结构一般采用铁芯线圈或空心线圈，具有高电感值、低电阻、低漏电感等特点。
3. 电容
电容是整流模块中的另一个重要组成部分，主要用于储存电荷和平滑直流电源的波动。
电容的结构一般采用金属箔、绝缘材料和电解质等组成，具有高电容值、低ESR、低ESL等特点。
4. 散热器
散热器是整流模块中的必要组成部分，主要用于散热和保护晶闸管。
散热器的结
构一般采用铝合金、铜合金等材料制成，具有良好的导热性能和散热效果。
总之，德州整流晶闸管调压模块的结构是由晶闸管、电感、电容、散热器等组成部分构成的，这些部件相互配合，共同实现直流电源的调节和控制。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC160A1600V
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
MTC160 Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& '& ㅵ⏽ᑺTc(max),e C '&
T J=125e C
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current ㅵ⏽ᑺTc(max),e C
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07&
40 1
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
2/3
MTC160A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 18 16 14 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 20 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT A PG2W min. max. PGM =100W (100μ s㛝ᆑ )
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV),(max),W
MTC90A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
VD5普通整流管模块MDC130-16
特性值符号及参数名称单位参数值测试条件正向特性I F(AV)正向平均电流A 130T C =100℃;1800半波;50Hz FRMS正向方均根电流A 204FSM正向不重复浪涌电流KA57T j =T jmax T j =25℃1800正弦半波;50Hz(t p =10ms);单脉冲;V D =V R =0V;8T j =T jmax T j =25℃1800正弦半波;60Hz(t p =8.3ms);单脉冲;V D =V R =0V;2t 电流平方时间积A 2S103125245T j =T jmax T j =25℃1800正弦半波;50Hz(t p =10ms);单脉冲;V D =V R =0V;230T j =T jmax T j =25℃1800正弦半波;60Hz(t p =8.3ms);单脉冲;V D =V R =0V;反向特性V RRM反向重复峰值电压V 800--1800T jmin ＜T j ＜T jmax ;1800正弦半波;50Hz;RSM 反向不重复峰值电压V 900--1900T jmin ＜T j ＜T jmax ；1800正弦半波;50Hz;单脉冲;R反向直流电压V 0.75V RRM T j =T jmax ；热特性及机械特性T stg贮存温度℃–40--150j工作结温℃–40--150符号及参数名称单位参数值测试条件正向特性V FM正向峰值电压V 1.35T j =25℃;I FM =400AFO 门槛电压（Max ）V 0.75T j =T jmax ;0.5ΠI FAV ＜I T ＜1.5ΠI FAV F斜率电阻（Max ）mΩ 1.12反向特性I RRM 反向重复峰值电流mA12T j =T jmax ;V R =V RRM热特性R thjc 结壳热阻每个模块℃/W 0.1601800正弦半波;50Hz;0.310R thch接触热阻每个模块℃/W0.050每个芯片0.100。
可控硅整流管混合模块MFC110A
Thyristor/Diode Module
attribute data：
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application：
■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.Ver:XZ0318第5页A A V
12
mA
2.40
KA
29
103A2S
0.8
V
2.29
mΩ
1.50
1.60
V
800 V/μs
100 A/μs
40
100
mA
1.0
2.5
V
100
mA
0.2
V
第1页
可控硅整流桥混合模块
Thyristor/Diode Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
25
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
VDM=67%VDRM
125
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
最小 600
30 0.8 20
参数值 典型
MTC800A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路电联结形式（右图）中国·杭州国晶电子科技有限公司模块外型图、安装图M1076M1076S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
中国·杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
MFC250A可控硅整流管混合模块
MFC250A
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125
℃
800
g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
第2页
可控硅整流桥混合模块 Thyristor/Diode Module
MFC250A
杭州西整电力电子科技有限公司
MFC250A
IT(AV)
250A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
8.5KA
I2T
361 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso
ITM=750A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=750A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min 2500
第4页
可控硅整流桥混合模块 Thyristor/Diode Module
MFC250A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、模块管芯工作结温：二极管和可控硅为-40℃∽150℃；工作环境温度高于 40℃时，
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主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size 参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M6) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸 外形为301F 210×113×42（6只装） -40 320 At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX) 3600 6 6 125 125 VA=12V, IA=1A 25 ITM=480A VDM=67%VDRM ITM =320A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM 测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ 结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 25 125 125 30 1.0 20 0.2 0.170 0.08 1900 参数值 最小 典型 最大 160 251 3000 25 5.40 146 0.90 1.79 1.90 800 100 150 3.0 150 A A V mA KA A2s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm 单位
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
1/3
MFC160A
性能曲线图
07& ! On-state Current Peak On-state Voltage Vs.Peak 䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V 䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A T J=125e C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e C/W ᯊ䯈 t,S Max. junction To case Thermai Impedance Vs.Time
216F3
MFX(TD)
4 5
301F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
3/3
Surge Current 5.4 Vs.Cycles
Fig.6 ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
5.4 I146 t Vs.Time 160 140 120 100 80 60 40 1
2
਼⊶᭄ n,@50Hz
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S
䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W
Conduction Angle
Conduction Angle
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
2/3
MFC160A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT A 3*: PLQ PD[ 3*0 : V㛝ᆑ 䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
! 07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current ㅵ⏽ᑺTc(max),e C
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
! 07& Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current ! 07&
360
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07&# '& ㅵ⏽ᑺTc(max),e C '&
K1 G1 K1 G1 K1 G1 K2 G2 K2 G2
MFC(TD) MFA(TD) MFK(TD) MFC(DT) MFA(DT) MFK(DT) MFX(DT)
5 4 5 4
4 6 7 6 7
K2 G2 K2 G2
6 7 6 7
214F3
MFX(TD)
K1 G1
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30e C -10e C 25e C 125e C
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
外形尺寸图
MFC(TD) MFA(TD) MFK(TD) MFC(DT) MFA(DT) MFK(DT) MFX(DT)
360
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W
Conduction Angle
Conduction Angle
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
MFC160A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
160A 600~1800V 5.4 A×103 148 A2S*103