可控硅MTC160A
MTC双向可控硅
见图 7
2
1.2 800 60 500 100 0.5 1.5 1.5 1000 100 500 100 0.4 1.5
见图 4 100
MTC-150 150 1200-1600 80 1.5 1500 120 500 100 0.2 1.5
见
MTC-180 180 1200-1600 100 1.5 2000 120 500 100 0.2 1.6 见 图 160
可控硅模块pk55fg160的参数
一、可控硅模块PK55FG160的概述可控硅模块PK55FG160是一种半导体器件，常用于交流电路的控制和调节。
它采用了先进的硅控技术，具有高性能和可靠性，广泛应用于工业电力控制系统中。
二、可控硅模块PK55FG160的外部参数1. 封装形式：TO-240AC2. 额定电压：1600V3. 额定电流：55A4. 最大耐压：2500V5. 控制电压范围：±20V6. 门极触发电流：200mA7. 工作温度范围：-40℃~125℃8. 重量：约200g三、可控硅模块PK55FG160的主要特性1. 高可靠性：采用优质硅材料和先进封装工艺，具有良好的抗电压和温度特性，能够在恶劣环境下稳定运行。
2. 高性能：具有快速响应和精准控制能力，能够快速稳定地调节电路的工作状态。
3. 低功耗：采用低功率设计，能够有效降低能耗和发热，并延长设备的使用寿命。
4. 灵活性强：可以根据实际需求进行多种控制方式的设计，满足不同应用场景的需求。
5. 绝缘性能优秀：具有良好的绝缘性能，能够有效隔离高压电路和低压控制电路，保证电路的安全稳定运行。
四、可控硅模块PK55FG160的应用领域1. 工业电力控制系统：可控硅模块PK55FG160常用于工业电动机的调速控制、照明设备的亮度调节、电炉的加热控制等领域。
2. 汽车电子系统：可控硅模块PK55FG160被广泛应用于车载充电桩、电动车电池管理系统、电动风扇等领域。
3. 动力电子设备：可控硅模块PK55FG160可以作为逆变器、变频器、整流器等动力电子设备的核心元件，并广泛应用于太阳能、风能发电系统中。
4. 家用电器：可控硅模块PK55FG160常用于电磁炉、电热水器、电烤箱等家用电器的电路控制中。
五、可控硅模块PK55FG160的产品优势1. 高稳定性：采用先进的硅控技术和优质材料，具有出色的稳定性和可靠性。
2. 高性价比：性能优越，价格合理，具有很高的性价比。
3. 安全可靠：通过严格的质量控制和检测，确保产品的安全可靠性。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
MTC25A1600V 可控硅模块 技术资料
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
25A 600~1800V 0.55 A×103 1.5 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
Tc(max), C
Conduction Angle
IT(AV),A
IT(AV),A
Fig.3
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
360
参数值 典型 最大 25 41 1800 8 0.55 1.50 0.85 9.68 1.69 800 50 30 100 2.5 150 0.950 0.2 2500 4 6 -40 125 100
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
-30 C -10 C
V
V
,VGT
,VGT
25 C 125 C
,IGT
A
,IGT
mA
Fig.9
Fig.10
外形尺寸图
215F3
101F
info@
3/3
PT(AV)(max),W
Tc(max), C
Conduction Angle
Conduction Angle
固特控制技术MTC MTX MTA MTK MT 300A可控硅模块 说明书
GOLD CONTROL固特控制技术有限公司Thyristors Modules可控硅模块特 性：●国际标准封装●压接结构，优良的温度特性和功率循环能力●低通态压降≤1.58V主要用途：●引线端与底板电气绝缘，2500V 交流电压●直流屏●阻断电压高达1600V ●变频器●高达12倍抗浪涌能力●各种整流电源●安装方便●直流电动机●环保产品（符合ROHS 要求）结温T j (℃）最小典型最大I T(RMS)125471A V DRM V RRM I DRM I RRM I TSM 10ms 底宽，正弦半波，9300AI 2t V R =0.6V RRM 432A 2S *103 V TO 0.8V V TM I TM =900A251.58V dv/dt V DM =67%V DRM 125800V/μs 门极电流上升时间t r ≤0.5μsI GT 30180mA V GT1.02.5V I H20100mA V GD 1250.2V V iso50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max)2500V固特电力半导体模块通过欧盟CE 、ISO9001、符合ROSH 认证企业Page 5of 12007-01通态平均电流I T(AV)125Gold Powerdi/dt 绝缘电压断态电流临界上升率12525门极不触发电压V DM =67%V DRM门极触发电流维持电流V A =12V,I A =1A门极触发电压I TM =330A单位40mA 300A 单面散热，Tc=85℃门极触发电流幅值I GM =1.5A ,通态门槛电压通态不重复浪涌电流反向重复峰值电流V RM =V RRM浪涌电流平方时间积通态峰值电压断态电压临界上升率V 主要技术参数MTC300A MTX300A MTA300A MTK300A MT300AV DRM ＆V RRM tp=10ms通态有效值电流断态重复峰值电压参数符号测试条件参数值125MTC MTX MTA MTK MT180o 正弦半波，50Hz V DSM ＆V RSM =V DRM ＆V RRM +200V12580014002500125反向重复峰值电压100A/μs 断态重复峰值电流V DM =V DRMMTA单位：mmMTPage 5of 22007-01性能曲线图外形图、接线图、安装孔尺寸118mm*53mm*61mm温度性能曲线图Page 5of 32007-01Page 5of 42007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ：453742705●使用说明为了本公司的半导体功率模块能满足您的高可靠使用要求，请注意以下几点事项：1、过电流的保护可采用半导体专用快熔；2、RC吸收（缓冲）建议使用吸收模块（本公司可供应）；3、使用环境条件：a)半导体功率模块工作温度为：-40℃～+125℃（结温）；整流为：-40℃～150℃；b)环境相对湿度≤85%；海拔1000米以下；c）使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质气氛；d）模块采用强制风冷时风速应＞6米/分，环境温度一般应控制在-40℃～60℃，散热器温度一般应控制在80℃以下。
可控硅模块MTC160A
MTC160A
0.170 0.08
℃/W ℃/W
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125
℃
210
350
g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第2页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
100 A/μs
40
100
mA
1.0
2.5
V
100
mA
0.2
V
第1页
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1mA(max) 装在散热器上
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC160A
MTC160A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
36MT160三相整流桥 ASEMI参数说明
36MT160 ASEMI品牌台湾原装三相整流方桥
型号：36MT160
品牌：ASEMI
封装：D-63
特性：三相整流方桥
★电性参数：36A1600V
★芯片材质：GPP
★正向电流(Io)：36A
★芯片个数：5
★正向电压(VF)：1.05V
★芯片尺寸：180
★浪涌电流Ifsm：500A
★是否进口：是
★漏电流(Ir)：500uA
★工作温度：-55℃～+150℃
★恢复时间(Trr)：500ns
★引线数量：5
★编辑人：李绚
ASEMI品牌36MT160三相整流方桥桥参数规格：电流：36A；电压：1600V；盒装：20PCS/盒。
应用于工业中大部分的三
相交流用电设备，马达，电焊机，发电机，变频器，通用电磁炉，工业电源控制柜，数控车床，通讯等大型机电设备。
本产品原装质量保证高稳定性和可靠性。
欢迎咨询取样测试。
100-6可控硅参数
100-6可控硅参数
请问您指的是什么样的可控硅参数？可控硅是指一种半导体器件，根据具体的用途，它可能有不同的参数，以下是一些常见的可控硅参数：
1. 电压容限（Voltage Rating）：可控硅能够承受的最大电压，通常以伏特（V）作为单位。
2. 电流容限（Current Rating）：可控硅能够承受的最大电流，通常以安培（A）作为单位。
3. 门极电流（Gate Current）：用于触发可控硅的门极电流，
通常以毫安（mA）作为单位。
4. 触发电流（Trigger Current）：当电流通过可控硅时，触发
可控硅进入导通状态所需的最小电流，通常以毫安（mA）作
为单位。
5. 温度容限（Temperature Rating）：可控硅能够正常工作的
温度范围，通常以摄氏度（℃）作为单位。
6. 直通电压降（Voltage Drop）：当可控硅处于导通状态时，
两端的电压降，通常以伏特（V）作为单位。
这些参数仅为常见的可控硅参数，具体的参数可能会根据不同的可控硅型号和应用需求而有所不同。
请在具体应用中查阅相
关可控硅型号的datasheet或咨询电子元件供应商以获取更准确的参数信息。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC160A1600V
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
MTC160 Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& '& ㅵ⏽ᑺTc(max),e C '&
T J=125e C
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current ㅵ⏽ᑺTc(max),e C
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07&
40 1
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
2/3
MTC160A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 18 16 14 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 20 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT A PG2W min. max. PGM =100W (100μ s㛝ᆑ )
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV),(max),W
MTC90A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
可控硅模块MTC200A
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
ITM=600A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
200A 600~1800V 7.2 KA 259 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流
参数值 典型
1600
最大 200 314 1800
单位
A A V
30
mA
7.20 KA
259 103A2S
0.80
V
1.27 mΩ
1.65
V
800 V/μs
100 A/μs
50
180 mA
1.0
2.5
V
100 mA
MTC800A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路电联结形式（右图）中国·杭州国晶电子科技有限公司模块外型图、安装图M1076M1076S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
中国·杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
MTC MTX晶闸管模块使用说明书
MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。
温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。
七、开箱及检查八、订货须知品合格证。
用户在订货时，请注明产品的型号、规格。
如有特殊要求，请与制造商协商。
打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。
-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。
检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。
dynex 可控硅 型号参数
dynex 可控硅型号参数1.可控硅型号：DF100AA160DF100AA160是一款额定电流为100A，额定电压为1600V的双向可控硅。
该可控硅采用喇叭形界面技术，具有优异的反向阻止电压和导通电压降。
主要技术参数额定电流：100A封装形式：TO-200AB触发电流范围：50mA-200mA反向阻止电压：1600V导通电压降：1.7V除了以上介绍的几款型号外，Dynex公司还有其他一系列可控硅产品，包括单向可控硅、晶闸管和二极管等各类产品，这些产品广泛应用于电力、通信、工业控制和军事等不同领域。
Dynex可控硅产品采用先进的工艺和设备，其中大部分产品采用高温钎焊（HTW）技术，保证了产品的稳定性和高可靠性；多种封装形式可供选择，包括TO-200AB、TO-208AC、TO-218AB和TO-247AC等多种常规封装以及B-8、DS-8等特殊封装形式。
在电力领域中，Dynex可控硅产品被广泛应用于交直流变流器、电动机驱动、直流斩波器、感应加热器等各类设备中，具有超强的承载能力和耐温性能，能够在恶劣的工作环境下持续运转。
在通信领域中，Dynex可控硅产品作为簇拥滤波器、频率锁定环、多晶硅太阳能电池、电子投影仪和电子储能等领域关键组件被广泛使用。
在军事领域中，Dynex可控硅产品作为弹道导弹的飞行控制和导引系统、雷达和通信设备等各类系统中的关键元件，发挥着重要作用。
Dynex可控硅产品已经成为电子领域不可或缺的重要组成部分。
该公司通过持续推进技术创新和完善制造流程，不断提升产品的性能和可靠性，为广大用户提供高品质、高性能的可控硅产品，并且在全球范围内拥有广泛的客户群体。
Dynex公司在可控硅产品方面还拥有多项专利技术，不断推出新产品，使得公司在该领域中持续保持了技术优势和市场竞争力。
Dynex公司注重产品品质和质量控制，采用严格的测试和检验流程，确保所有产品的性能和可靠性符合严格的国际标准。
目前，Dynex的可控硅产品已经通过了UL认证、CE认证、RoHS认证等多项国际认证，为用户提供了可靠的保障。
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典型应用： ● ● ● ● 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 ● UPS 电源 ● 电焊机 ● 电机软启动
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO RT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率 通态电流临界上升 率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅模块 thyristor module MTC160 可控硅（晶闸管）模块
IT(AV) 160A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 5.4KA 2 IT 146 103A2S
产品特点： ● ● ● ● ● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 优良的温度特性和功率循环能力 体积小，重量轻 国际标准封装 符合 CE、Rohs 认证
可控硅模块 thyristor module MTC160 0.2 V 0.17 0 0.08 ℃/W ℃/W V 2.0 3.0 -40 210 125 350 N·m N·m ℃ g
门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散） 绝缘电压 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
模块封装图（M234） ：
单位 A A V mA KA 103A 2 S V mΩ V V/μs A/μs mA V mA
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs VA=12V，IA=1A
25 125 125
25
0.8 20
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tsbg Wt VDM=67%VDRM 180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1Ma(max) 2500 125
测试条件 180°正弦半波，50HZ 单面 散热，Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
参数值 结温 Tj（℃） 最小 典型 最大 125 125 125 125 125 125 125 600 1600 160 251 1800 20 5.40 146 0.8 1.69 1.40 1.50 800 100 30 40 1.0 100 2.5 100
M234 电路联结图：