可控硅元件的工作原理及基本特性
可控硅温控器的工作原理
可控硅温控器的工作原理1.引言1.1 概述可控硅温控器是一种常用的电子温控设备，它在控制温度方面具有重要的应用。
通过对电流进行调节，可控硅温控器能够实现对电热器等加热装置的温度进行精确控制，从而满足不同实际应用场景中的温度要求。
可控硅温控器采用了可控硅技术，可控硅是一种半导体器件，具有较高的电压和电流承受能力，可以实现电流的可控调节。
其工作原理是通过控制可控硅通导角度，从而控制电路中的电流大小，从而达到对温度的精确调节。
可控硅温控器具有以下特点：一是控制精度高，能够精确控制温度在设定值范围内；二是响应速度快，能够快速调节并稳定温度；三是稳定性好，能够在长时间的运行中保持良好的温度控制效果；四是可靠性高，能够适应恶劣的工作环境并具备较长的使用寿命。
在实际应用中，可控硅温控器广泛应用于各种需要对温度进行精确控制的场景，例如工业生产中的熔炉、烘干设备、空调系统等。
同时，它也可以在家用电器中发挥作用，如家用烤箱、电热水器等。
可控硅温控器的工作原理和优势使得它成为了温控领域不可或缺的重要设备。
在本文中，我们将详细介绍可控硅温控器的工作原理和工作过程，探讨其在不同领域的应用前景。
通过深入了解可控硅温控器，我们可以更好地应用它来满足不同实际需求，并进一步推动其在技术和应用领域的发展。
文章结构主要包括引言、正文和结论三个部分。
引言部分旨在为读者提供对全文的概述，引起读者的兴趣，并明确文章的目的。
正文是全文的核心部分，展开论述主题，阐述可控硅温控器的定义、原理和工作过程。
结论部分对正文进行总结，并展望可控硅温控器的应用前景。
具体来说，文章结构可以按照以下方式进行组织：1. 引言1.1 概述在这一小节中，可以简要介绍可控硅温控器的背景和重要性，引出对其工作原理的探讨。
1.2 文章结构这一小节主要介绍文章的整体结构，包括引言、正文和结论三个部分的内容，并说明每个部分的主要内容。
1.3 目的在这一小节中，应明确本文的目的，即通过对可控硅温控器的工作原理的讲解，使读者了解其工作原理并展望其应用前景。
光耦可控硅的工作原理
光耦可控硅的工作原理
光耦可控硅（Optocoupler）是一种将输入端与输出端通过光传输隔离的电子元件。
其工作原理基于光伏效应和光电效应。
光伏效应是指在某些半导体材料中，当光照射到其表面时，会产生光生电流。
而光电效应是指当光照射到金属或半导体材料表面时，会引起电子的发射。
光耦可控硅通常由发光二极管（LED）和双向晶闸管（TRIAC）组成。
发光二极管作为输入端，当输入端施加电压时，发光二极管会发出红外线光。
而双向晶闸管作为输出端，当接收到发光二极管发出的光后，光能会激发晶闸管内部的可控硅部分产生电流。
当输入端的电压施加到发光二极管时，发光二极管会发出红外线光照射到双向晶闸管的可控硅部分。
可控硅受到光照射后，会产生控制电流，使双向晶闸管导通。
通过控制输入端电压的高低，可控硅的开启和关闭状态可以被控制，进而控制输出端的电流。
光耦可控硅具有隔离性能，可以将输入端和输出端完全隔离开，避免了电气噪声和电流互扰。
它通常用于隔离输入和输出电路，并实现信号的传输和电气隔离。
在一些需要高电气隔离性能的电路和系统中，光耦可控硅被广泛应用。
可控硅元件的工作原理及基本特性
可控硅元件的工作原理及基本特性可控硅元件（SCR）是一种半导体器件，也称为可控硅二极管。
它是一种四层结构的晶体管，由三个PN结与一个NPN结叠加而成。
SCR的工作原理基于控制极施加的电压，通过改变控制极电流来控制电流流过晶体管的能力。
SCR的工作原理如下：1.当控制极处于高电平时，SCR处于断开状态。
此时，控制极封闭了SCR的PNP结，使其无法导电。
2.当控制极处于低电平时，SCR处于导通状态。
此时，进一步控制极电压下降会使控制晶体二极管达到导通的临界电压。
一旦电压超过了临界电压，晶体管将开始导电并保持这种状态，直到通过SCR的电流下降到一个可接受的水平。
1.可控性：SCR可以通过控制极的电压来控制其导通状态。
调节控制极电压可以使SCR在开启和关闭电路的特定条件下工作。
2.可逆性：SCR可以在两个方向上导通电流。
它既可以由正向电压触发，也可以由反向电压触发。
这使得SCR在控制交流电源的整流和直流电源的变流中非常有用。
3.放大效应：一旦SCR导通电流，它将保持导通状态，直到电流下降到一个可接受的水平。
这是因为SCR具有正反馈特性，其中一部分导通电流将进一步加热晶体管并推动更多电流流过。
SCR在电力控制和电力电子应用中具有广泛的用途。
它可以用作整流器、开关、电压稳定器和电压调节器。
此外，SCR还用于电子点火系统、变频器、电动机控制和照明控制等领域。
总之，SCR是一种可通过控制极电压来控制其导通状态的半导体器件。
它具有可逆性、可控性和放大效应的特点，常用于电力控制和电力电子应用。
通过了解SCR的工作原理和基本特性，我们可以更好地理解和应用这种重要的半导体器件。
可控硅
一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
scr可控硅电路原理
scr可控硅电路原理SCR（可控硅）电路是一种常见的半导体电子元件，其原理基于PN 结的特性。
本文将介绍SCR电路的工作原理、特点和应用。
第一段：引言SCR，全称为可控硅（Silicon Controlled Rectifier），是一种具有控制功能的半导体开关元件。
SCR电路具有很多优点，如可靠性高、响应速度快等，因此在电力控制、电动机控制和电子调光等领域得到广泛应用。
第二段：SCR电路的结构和工作原理SCR电路由四层半导体材料组成，其中有三个PN结。
在正向电压作用下，PN结会形成导通通道，电流可以流过。
而在反向电压作用下，PN结会形成隔离层，电流无法通过。
当一定的控制信号加在SCR的控制端上时，SCR将会从关断状态转变为导通状态，电流可以流过。
第三段：SCR电路的特点SCR电路具有以下几个特点：1. 可控性强：SCR可以实现从完全关断到完全导通的控制，可以根据需要进行精确的电流控制。
2. 响应速度快：SCR的开关速度很快，能够在微秒级的时间内完成开关操作。
3. 耐高温：SCR能够在高温环境下正常工作，具有较强的耐受能力。
4. 可靠性高：SCR电路结构简单，工作可靠性高，寿命长。
5. 适应性强：SCR电路可以适应不同的电压和电流需求，广泛应用于各种电子设备中。
第四段：SCR电路的应用SCR电路的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：1. 电力控制：SCR电路可用于电力系统中的电流控制、电压控制和功率因数校正等方面，提高电力系统的稳定性和效率。
2. 电动机控制：SCR电路可用于电动机的启动、制动和调速控制，实现对电动机的精确控制。
3. 电子调光：SCR电路可以通过调节电流大小实现对灯光亮度的控制，广泛应用于照明系统中。
4. 高压直流输电：SCR电路可以用于高压直流输电系统中，实现对电流的稳定控制。
第五段：总结SCR（可控硅）电路是一种重要的半导体电子元件，具有可控性强、响应速度快、耐高温等特点。
SCR电路在电力控制、电动机控制和电子调光等领域有着广泛的应用。
可控硅工作原理及参数详解
上面我们只是把 R2（与 R1）作为象征性的限流电阻，其实 R2 完全可以是负载，如电 灯泡，如下图所示：
所谓人多好办事，这个更大的基极电流 IB2 第二次被三极管 Q2 放大，此时的 IC2 就是（IB2 ×β2×β1×β2），然后又重复被两个三极管交互进行正反馈放大，周而复始。
在这个过程中，三极管 Q2 的集电极‐发射极压降越来越小，阳极电流 IAA 的电流也越来越 大，最终 Q2 饱和了（Q1 也不甘示弱，节奏妥妥地跟上），最后就成为下图所示的：
可控硅完全导通后，流过 A、K 两极的电流即为通态电流 IT（On‐State Current），实际应 用时，VAK 通常是交流电压（如 220VAC），因此常将此参数标记为通态平均电流 IT（RMS），指 可控硅元件可以连续通过的工频正弦半波电流（在一个周期内）的平均值，而此时流过 G、 K 两极的电流即为门极电流 IG（Gate Current），这个门极控制电流不应超过门极最大峰值电 流 IGM（Forward Peak Gate Voltage）
当 Q1 与 Q2 充分导通后（可控硅导通），A、K 两极之间的压降很小，其实就是 Q1 发射
结电压 + VBE2 Q2 集电极‐发射极饱和电压 VCE1，这个电压称为正向通态电压 VTM（Forward
On‐State Voltage）
可以看到，VAK 的电压值最终全部加到电阻 R2 上面，整个过程就是由电压 VGK 引发的“血 案”，原来 R2 电阻上没有任何压降，VGK 电压触发可控硅后，VAK 电压就全部加在电阻 R2 上 面了。
可控硅工作原理
可控硅工作原理1. 引言可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种非常常见且重要的半导体器件，广泛应用于电力控制、电机驱动、电炉加热等领域。
本文将介绍可控硅的工作原理，包括其基本结构、器件特性以及触发控制等方面的内容。
2. 可控硅的基本结构可控硅通常由四层半导体材料构成，其基本结构如图所示：可控硅基本结构可控硅基本结构从图中可看出，可控硅由三个 P-N 接面构成，两个外层为P 型半导体，中间为 N 型半导体。
第二外层 P 型半导体与 N型半导体之间的结部分称为控制极（G），两个外层 P 型半导体分别称为阳极（A）和阴极（K）。
在可控硅的结构中，G极是一个非常重要的部分，它决定了可控硅的触发方式和工作特性。
3. 可控硅的工作原理3.1 静态特性可控硅在正向电压施加时，其工作特性如图所示：可控硅静态特性可控硅静态特性从图中可见，当阳极对可控硅施加正向电压时，只有当阴极 K 极为负电压时，可控硅才能导通。
换句话说，只有当 A 极为正电压，G 极为负电压时，才能使可控硅导通。
这是由于在关闭状态时，G 极没有外界电流流过，能保持该状态的电压称为保持电压 UH。
3.2 动态特性可控硅在触发过程中，其工作特性如图所示：可控硅动态特性可控硅动态特性可控硅的触发是通过在控制极 G 上施加合适的触发信号来实现的。
一旦 G 极接收到触发脉冲，就会使可控硅进入导通状态，称为开通。
在开通状态下，即使去掉控制极上的触发信号，可控硅仍然保持导通状态，因此可控硅被称为双稳态元件。
当阳极 A 对可控硅施加正向电压时，通过给 G 极施加触发信号，可使可控硅导通，即可完成开关动作。
此时，可控硅的两个外层 P 型半导体分别形成了 P-N-P-N 的四层结构，内层 N 型半导体的电流将被大幅增加。
4. 可控硅的触发控制4.1 门电流触发门电流触发是最常见的可控硅触发方式之一，这种触发方式通过控制极 G 上的电流实现。
可控硅原理
可控硅原理硅（Silicon）是最为重要的半导体材料，也是最常见的实现电子元件的材料。
近半个世纪以来，硅的可控性能已经成为半导体行业发展的核心技术，并经历了从简单的可控分布硅（Litho-FET）到新型可控硅（NVMFET），最近到可再编程硅（CPRF）的不断发展。
可控性能是硅电子元件能够实现特定功能的重要基础，它可以使元件具有可控制、可操作和持续可编程等功能。
可控硅结构以及它的工作原理是至关重要的。
可控硅元件结构按照功能可以分为三种：可控分布硅（Litho-FET）、新型可控硅（NVMFET）和可再编程硅（CPRF）。
可控分布硅元件是基于半导体表面形貌拉曼效应（SRM）的反馈环路。
分布硅元件被用于分级硅芯片中控制非常小的电流，并且能够实现微妙的控制效果。
新型可控硅（NVMFET）是最近发展的可控硅，它更加精确地控制电信号，可以用于处理复杂的逻辑和数字信息。
NVMFET的工作原理与分布硅不同，是基于内部配置使用的。
NVMFET的结构包括一个晶体管和一个配置存储器，它利用内部改变晶体管的表面结构，以改变元件的功能，这种可控性能使NVMFET能够处理复杂的信号，并且可以重复编程，使用寿命更长。
最后，可再编程硅（CPRF）是最新型可控硅，它具有可靠性较高，可编程次数较多，耐久性较好以及灵活性较强等优点。
CPRF的工作原理与NVMFET相似，但它不是通过晶体管表面结构来控制信号，而是通过建立内部配置存储器来控制电信号。
CPRF的内部配置存储器有一定的容量，它可以在内部存储更多的信息，从而实现更复杂的控制操作。
综上所述，可控硅是一种结构精密、性能可控且多功能的半导体元件，它的发展极大地推动了电子元件可控性的进步。
可控分布硅（Litho-FET）可以控制非常小的电流，实现微妙的控制效果；新型可控硅（NVMFET）可以处理复杂的逻辑和数字信息；可再编程硅（CPRF）具有可靠性较高，可编程次数较多，耐久性较好以及灵活性较强等特性。
可控硅的作用和工作原理
可控硅的作用和工作原理可控硅，又称为晶闸管（Thyristor），是一种主要用于电力控制和电子开关的半导体器件。
它具有可控性，可以在正向电压下控制电流的通断，具有优异的开关特性和稳定性。
可控硅的工作原理是基于PN结的特性以及正反馈的原理。
可控硅由四层半导体结构构成，中间是P型半导体，两侧是N型半导体。
当可控硅的阳极（A）施加正向电压，而控制极（G）施加一个正脉冲或者电压时，PN结的正向电压大于开启电压（一般为0.6-0.7V），PN结处就会出现导通，电流开始流过可控硅。
当控制极不再施加电压或者电流，PN结会自动保持导通状态，直到阳极电流下降到零或者阳极电压反向。
可控硅的主要作用是用于电力控制。
一般情况下，可控硅用作交流电的控制开关，可以实现对电流的调节和控制。
在交流电路中，可控硅的导通角度可以通过控制极的触发脉冲来调整，从而实现电流的控制。
通过改变控制角，可以实现对负载电流的调整，从而实现对电压的调节。
可控硅还可以用于电磁炉、照明调光、电动机的启动和调速等领域。
可控硅的工作原理是基于PN结的特性和正反馈原理。
正反馈是指当控制极施加正脉冲或电压时，PN结的导通会导致阳极电流的增加，进而使得可控硅的导通状态更稳定。
这种正反馈的作用使得可控硅在导通状态下可以自持续工作，即使控制极不再施加电压或电流。
这种特性使得可控硅成为一种理想的开关元件，可以用于高功率和高电压的电力控制。
可控硅的工作原理还涉及到PN结的特性。
PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构，它具有单向导电性。
在正向电压下，P 型半导体的空穴和N型半导体的自由电子会向PN结扩散，形成少子和多子区域。
当正向电压大于开启电压时，少子和多子区域会发生耗尽和扩散，形成导通状态。
这种导通状态只能在阳极电流下降到零或反向电压下才会消失。
可控硅是一种具有可控性的半导体器件，其工作原理基于PN结的特性和正反馈原理。
可控硅可以用于电力控制和电子开关，具有优异的开关特性和稳定性。
可控硅工作原理
可控硅工作原理
可控硅是一种电子器件，它可以控制和调节电流。
它由可控硅晶体管（SCR）组成，是一种半导体元件，由三极管结构组成。
它能够根据电源控制输入信号大小，从而控制系统中电流的大小和方向。
可控硅的工作原理是：当电源接在可控硅的两个极性之间时，产生的电流可以通过调节电源的大小来控制可控硅的电流。
当可控硅检测到可控电源的电压降低到一定程度时，可控硅会打开，电流就可以通过可控硅。
当可控电源的电压升高到一定程度时，可控硅就会关闭，电流就不能通过可控硅。
此外，可控硅还可以控制和调节电动机的转速，电热器的温度，电灯的亮度，电视节目的音量等等。
它还可以用来控制电源的开关，控制电源的输出功率，控制电源的效率，控制各种电子装置的输出功率，以及保护电子设备不受损害。
总之，可控硅的工作原理是通过调节电源的大小来控制可控硅的电流，从而控制和调节电流，电动机的转速，电热器的温度，电灯的亮度，电视节目的音量，电源的开关，电源的输出功率，电源的效率，以及保护电子设备不受损害。
可控硅是当今电子行业中经常使用的一种重要的半导体元件，它的工作原理对现代电子设备有着重要的意义。
可控硅原理
可控硅原理
可控硅是一种半导体元件，它的特点是具有调整电磁场的能力，
能够检测和控制电信号的中间过程。
它通常由一种含有少量硅的材料
构成，比如陶瓷，可以靠这种特殊材料来改变电子束或脉冲信号。
可
控硅的原理是将硅金属与一个电感器和一个电容器相结合，并将它们
连接到交流电源上。
当电源把电压供给给可控硅时，电感作用于电容器，而这会引起硅金属的电容性阻抗发生变化。
当电压变化时，硅的
电容性系数也会发生变化，可控硅的电容性系数能够改变电子束或脉
冲信号的大小。
可控硅的工作原理取决于硅金属的材料与制作方法。
硅金属通常
是由无机物质或元素构成的，比如陶瓷、碳或铝。
当奥氏体硅（奥氏
体是一种金属，硅是一种半导体）接触到调整电磁场的物质时，就会
发生电容性变化，而这正是可控硅的主要特点，也是它得名的由来。
可控硅的主要作用有两个：一是在计算机和电脑系统中提高性能，可以用它调节信号的幅度和持续时间；二是在电子铃声中用它可以调
节音调音量，使声音更加柔和清脆。
可控硅也可以应用到计算机图像，电视和视频等技术中，使图像显示更加饱满、流畅，令人眼前一亮。
总之，可控硅是一种新型的半导体元件，其工作原理是将硅金属
与电感器和电容器结合起来，通过改变电压和电流，来改变其内部结构，从而影响电子束或脉冲信号的大小，从而达到调整电磁场的效果。
它的应用范围很广，日益普及，有望极大提高计算机和电子设备不同
领域的性能。
可控硅工作原理及参数详解
当 Q1 与 Q2 充分导通后（可控硅导通），A、K 两极之间的压降很小，其实就是 Q1 发射
结电压 + VBE2 Q2 集电极‐发射极饱和电压 VCE1，这个电压称为正向通态电压 VTM（Forward
On‐State Voltage）
可以看到，VAK 的电压值最终全部加到电阻 R2 上面，整个过程就是由电压 VGK 引发的“血 案”，原来 R2 电阻上没有任何压降，VGK 电压触发可控硅后，VAK 电压就全部加在电阻 R2 上 面了。
当 G、K 两极没有加正向电压时，A、K 之间相当于是断开的，灯泡不亮
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Author: Jackie Long
当 G、K 加上正向电压后，A、K 之间相当于短路，所以 VAK 电压全部加在电灯泡上使其 发光。
此时 VAK 电压全部施加到 A、K 两极之间，这个允许施加的最大电压 VAK 即断态重复峰值 电压 VDRM（Peak Repetitive Off‐State Voltage），相应的有断态重复峰值电流 IDRM（Peak Repetitive Off‐State Current）
如下图所示，电压 VGK 施加到 G、K 两极后，Q2 的发射结因正向偏置而使其导通，从而 产生了基极电流 IB2，此时 Q2 尚处于截止状态，可控硅阳极电流 IA 为 0，Q1 的基极电流 IB1 也为 0，电阻 R2 上也没有压降，因此 Q2 的集电极‐发射电压 VCE2 为 VAK，这个电压值通常远 大于 VBE2，即使是在测试数据手册中的参数时，VAK 也至少有 6V，实际应用时 VAK 会有几百 伏，因此，三极管 Q2 的发射结正偏、集电结反偏，开始处于放大状态。
可控硅元件的工作原理及基本特性(精)
可控硅元件的工作原理及基本特性三、可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示图1 可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1表1 可控硅导通和关断条件2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
可控硅工作原理
可控硅工作原理
可控硅（SCR）是一种半导体器件，广泛应用于电力控制和电子调节领域。
它
的工作原理基于PN结的导电特性和触发控制电压的作用，下面我们来详细了解一
下可控硅的工作原理。
首先，可控硅是一种四层三端口的半导体器件，其主要结构由P型半导体和N
型半导体交替组成。
当P型半导体的阳极端加正电压，N型半导体的阴极端接地时，PN结之间会形成一个正向偏置的导通通道，此时可控硅处于导通状态。
而当P型
半导体的阳极端加负电压，N型半导体的阴极端加正电压时，PN结之间会形成一
个反向偏置的截止通道，此时可控硅处于截止状态。
其次，可控硅的工作原理还与触发控制电压密切相关。
当外加在控制端的触发
电压大于一定的触发电压（也称为门极电压）时，可控硅将进入导通状态；反之，当触发电压小于门极电压时，可控硅将进入截止状态。
这种触发控制电压的作用使得可控硅可以实现对电流的控制和调节，从而实现对电力的精准调控。
此外，可控硅还具有一定的双向导电特性。
在导通状态下，可控硅可以承受正
向电压和正向电流；而在截止状态下，可控硅可以承受反向电压，但不能承受反向电流。
这种双向导电特性使得可控硅可以应用于交流电路中，实现对交流电的控制和调节。
总的来说，可控硅的工作原理是基于PN结的导电特性和触发控制电压的作用。
通过对P型半导体和N型半导体之间的电压和电流的控制，可控硅可以实现对电
力的精准调控，具有广泛的应用前景。
希望本文能够帮助大家更好地理解可控硅的工作原理，为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
可控硅和场效应管
可控硅和场效应管可控硅和场效应管是两种常见的电子元器件，它们在电子电路中起着重要的作用。
本文将分别介绍可控硅和场效应管的基本原理、特点和应用。
一、可控硅可控硅是一种具有双向导通特性的半导体器件，也被称为晶闸管。
它由P型和N型半导体材料交替堆叠而成，具有三个电极：阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
可控硅的主要工作原理是通过控制极施加一个脉冲电压来控制其导通与否。
可控硅的特点如下：1. 双向导通性：可控硅可以在正向电压和反向电压下都能导通电流。
2. 触发特性：可控硅需要外部的触发脉冲才能实现导通，触发脉冲的幅值和宽度需要满足一定的条件。
3. 导通电流大：可控硅的导通电流可以达到几百安培甚至更高。
4. 导通损耗小：可控硅导通时的压降很小，能量损耗也较小。
可控硅的应用广泛，常见的应用领域有：1. 电压调节器：可控硅可以用来控制电源电压的大小，实现电压调节功能。
2. 电机控制：可控硅可以用来控制电机的启动、停止和转速调节。
3. 温度控制：可控硅可以用来控制电炉、电热器等加热设备的温度。
4. 光控开关：可控硅可以用来控制灯光的开关，实现光控功能。
二、场效应管场效应管是一种三极管，由金属-绝缘体-半导体结构组成。
它有三个电极：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
场效应管的主要工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动。
场效应管的特点如下：1. 输入电阻高：场效应管的输入电阻非常高，可以达到几十兆欧姆以上。
2. 输出电阻低：场效应管的输出电阻较低，可以达到几百欧姆以下。
3. 压降小：场效应管导通时的压降很小，能量损耗也较小。
4. 响应速度快：场效应管的开关速度很快，可以达到纳秒级别。
场效应管的应用广泛，常见的应用领域有：1. 放大器：场效应管可以用来放大电信号，常用于音频放大器和射频放大器等。
2. 开关：场效应管可以用来控制电路的开关，常用于模拟开关和数字开关等。
3. 驱动器：场效应管可以用来驱动其他器件，常用于电机驱动器和LED驱动器等。
可控硅调光电路工作的原理
可控硅调光电路工作的原理可控硅是一种双向控制的开关元件，具有较低的导通压降和较高的耐电流能力。
在光强度调节电路中，可控硅的主要作用是通过控制其工作状态来改变电路中的电压和电流，从而实现对光强度的调节。
在可控硅调光电路中，通常采用了脉宽调制的方式来实现对光的调节。
该方式通过调节可控硅的导通时间比例，从而实现对光强度的调节。
可控硅通常由门极（G）和主极（K）两个极端组成，其工作原理可以分为两个阶段：导通和截止。
1.导通阶段：当施加在可控硅的门极和主极之间的电压（或电流）超过一定的触发电压（或触发电流），可控硅将开始导通。
在导通状态下，可控硅的主极与门极之间的电压将降低到一个较低的导通压降，而主极与主极之间则会出现一个较低的电流。
导通状态将一直保持，直到可控硅中的电流降低到一个较低的截止电流。
2.截止阶段：当可控硅中的电流降低到截止电流以下时，可控硅将切换至截止状态。
在截止状态下，可控硅的主极与门极之间的电压将恢复到较高的截止电压，从而停止导通。
可控硅调光电路中的关键是如何控制可控硅的导通时间比例，从而实现对光强度的调节。
这一过程通常可以通过改变可控硅的触发电压来实现，而触发电压通常可以通过调节电压源来实现。
当触发电压较高时，可控硅容易导通，光源的亮度增加；当触发电压较低时，可控硅不易导通，光源的亮度减小。
通过调节电压源的输出电压，可以实现对光源亮度的精细调节。
总结来说，可控硅调光电路通过控制可控硅的导通和截止状态，以及精细调节触发电压，从而实现对光强度的调节。
通过改变可控硅导通的时间比例，控制光源的亮度，并实现对光亮度的精确控制。
这种调光方式具有调节范围广、调节精度高、调节速度快等优点，广泛应用于照明等领域。
可控硅器件的工作原理
可控硅器件的工作原理
可控硅器件的工作原理是依靠外加正向电压使pn结正向导通，由于pn结的击穿电场作用在导通后的反向偏压上，使其成为具有两个电极的电子器件。
当外加正向电压超过某一数值时，电流将由一个方向流向另一个方向；反之则电流为零。
可控硅是由两个PN结加正向电压而形成的PNP型半导体器件，其工作过程是将输入的直流电压变为控制信号，然后驱动可控硅导通和关断。
在电流的控制下，使被控制电路中的交流功率开关元件按预定方向动作。
当接通或切断一定数量的电流后，由于PN结正向导通的交替变化而产生热量而使温度升高；同时由于漏源极之间存在一定的电阻值，因此会产生一定的反向电动势将多余的电能消耗掉；最后通过调节触发角的大小就可以达到对负载进行调制的目的。
TG35C60可控硅
TG35C60可控硅可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G 的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
可控硅与晶闸管区别工作原理
可控硅与晶闸管区别工作原理1. 可控硅的基本概念可控硅，听起来像是某种高科技的玩意儿，其实它就是一种可以控制电流的电子元件。
想象一下，它就像个守门员，只有在收到特定信号时才会放行电流。
而一旦放行，它就会一直让电流通过，直到电流降低到一定程度，才会“闭门”。
可控硅广泛应用于调光灯、速度控制等场合，真是家里必备的“好帮手”！1.1 可控硅的工作原理说到工作原理，这里有点小复杂，但别担心，我们慢慢来。
可控硅的内部有四层半导体材料，这些材料分别是P型和N型的组合。
简单说，它就像个三明治，外面是P，里面是N。
要开启可控硅，就需要给它一个小小的触发信号，就像给一辆停着的车打火一样。
这个信号一来，它就会像开闸放水一样，让电流源源不断地流过。
不过，这家伙可挑剔，只有在电流降到零时，它才会停止放行。
1.2 可控硅的应用可控硅的用途可广泛了！在家庭中，调光灯、热水器、风扇调速，都是它在“捣鼓”。
你想调高点亮度，轻轻一按开关，瞬间就能感受到光线的变化，真是科技带来的“魔力”。
在工业上，它还被用来控制电机和加热器，简直就是个全能选手。
2. 晶闸管的基本概念那么，晶闸管又是什么呢？它其实和可控硅有很大的关系，甚至可以说是它的“表兄弟”。
晶闸管也是一种能控制电流的半导体器件，但它更像是个更加成熟的“成年人”。
这家伙不仅能开关电流，还能在更高的电压和电流下工作，真是个能扛事的家伙。
2.1 晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理和可控硅类似，但它的“个性”更加突出。
晶闸管也有四层材料的结构，通电后，晶闸管一开始就会像可控硅那样需要一个触发信号，但一旦它开启，就再也不需要信号来维持了！就像一辆高速行驶的火车，开启之后只要不刹车，它就能一直跑下去。
要是想关掉它，你需要把电流降低到零，才会停止，这可比可控硅稍微麻烦一点。
2.2 晶闸管的应用晶闸管在工业领域表现得尤为抢眼。
比如在电源控制和电机驱动方面，它的表现简直可以用“牛”来形容。
工业中各种重型设备的启停、调速，都少不了它的身影，真是干劲十足的“工作狂”。
可控硅元件的工作原理及基本特性
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似 于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T 。
又由于晶闸管最初应用于 可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅 SCR 。
自从20世纪50年代问世以 来已经发展成为了一个大的家族， 它的主要成员有单向晶闸管、 双向晶闸管、 光控晶闸管、逆 导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管等。
可控硅的优点不少， 例如：以小功率控制大功率， 功率放大倍数高达几十万倍；反应极 快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
单向可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，它有三个PN 结(J1、J2、J3)，从J1结构的 P1层引出阳极A ，从N2层引出阴级K ，从P2层引出控制极G 。
分析原理时，可以把它看做由 一个PNP 管和一个NPN 管所组成，如图1所示。
图1 单向可控硅结构示意图、等效电路及其符号当阳极A 加之正向电压时， BG 和BG 管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G 输入一1 2个正向触发信号， BG 2便有基流I b2流过，经BG2放大，其集电极电流I c2=β2I b2 。
因为BG 2 的集 电极直接与BG 1 的基极相连，所以I b1=I c2 ，于是BG1的发射极电流I e1=(1+β1)I b1 β1β2I b2 。
这个电流又流回到BG 的基极，形成正反馈，使I 不断增大，结果两个管子的电流剧增，可控硅2 b2使饱和导通。
由于BG 和BG 所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G 的电流消1 2失了， 可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以单 向可控硅是不可通过改变控制极G 的电压关断的。
单向可控硅的导通和关断两种工作状态，需要一定的条件才干转化，此条件见表1。
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可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示图1 可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN 结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，见图2中的BC段3、触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
图5 阳极和控制极均加正向电压可控硅元件—可控硅元件的结构一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。
又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
见图1。
它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。
图1、可控硅结构示意图和符号图如何鉴别可控硅的三个极鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。
可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。
另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏可控硅知识的问与答一、可控硅的概念和结构？晶闸管又叫可控硅。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
图2二、晶闸管的主要工作特性为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。
晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。
注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。
晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。
现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。
这个演示实验给了我们什么启发呢?图3这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。
晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
晶闸管的特点：是“一触即发”。
但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。
控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。
那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。
如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。
大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。
测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。
接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。
现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。
在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。
现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。
Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。
通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。
在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。
这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。
很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。
通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。
现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。
六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。
今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。
七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。
我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。
在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。
为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。
值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。
如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD ＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。