可控硅工作原理

可控硅工作原理

一种以硅单晶为基本材料的Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端器件，创制于１９５７年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅Ｔ。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅ＳＣＲ。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称死硅）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

１、可控硅元件的结构

不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由Ｐ型硅和Ｎ型硅组成的四层Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２结构。见图１。它有三个ＰＮ结（Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３），从Ｊ１结构的Ｐ１层引出阳极Ａ，从Ｎ２层引出阴级Ｋ，从Ｐ２层引出控制极Ｇ，所以它是一种四层三端的半导体器件。

２、工作原理

可控硅是Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端结构元件，共有三个ＰＮ结，分析原理时，可以把它看作由一个ＰＮＰ管和一个ＮＰＮ管所组成，其等效图解如图１所示

图１、可控硅结构示意图和符号图

当阳极Ａ加上正向电压时，ＢＧ１和ＢＧ２管均处于放大状态。此时，如果从控制极Ｇ输入一个正向触发信号，ＢＧ２便有基流ｉｂ２流过，经ＢＧ２放大，其集电极电流ｉｃ２＝β２ｉｂ２。因为ＢＧ２的集电极直接与ＢＧ１的基极相连，所以ｉｂ１＝ｉｃ２。此时，电流ｉｃ２再经ＢＧ１放大，于是ＢＧ１的集电极电流ｉｃ１＝β１ｉｂ１＝β１β２ｉｂ２。这个电流又流回到ＢＧ２的基极，表成正反馈，使ｉｂ２不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于ＢＧ１和ＢＧ２所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极Ｇ的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表１

可控硅的基本伏安特性见图２

图２可控硅基本伏安特性

（１）反向特性

当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图３），Ｊ２结正偏，但Ｊ１、Ｊ２结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到Ｊ１结的雪崩击穿电压后，接差Ｊ３结也击穿，电流迅速增加，图３的特性开始弯曲，如特性ＯＲ段所示，弯曲处的电压ＵＲＯ叫反向转折电压。此时，可控硅会发生永久性反向

（２）正向特性

当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图４），Ｊ１、Ｊ３结正偏，但Ｊ２结反偏，这与普通ＰＮ结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图３的特性发生了弯曲，如特性ＯＡ段所示，弯曲处的是ＵＢＯ叫：正向转折电压

图４阳极加正向电压

由于电压升高到Ｊ２结的雪崩击穿电压后，Ｊ２结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入Ｎ１区，空穴时入Ｐ２区。进入Ｎ１区的电子与由Ｐ１区通过Ｊ１结注入Ｎ１区的空穴复合，同样，进入Ｐ２区的空穴与由Ｎ２区通过Ｊ３结注入Ｐ２区的电子复合，雪崩击穿，进入Ｎ１区的电子与进入Ｐ２区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在Ｎ１区就有电子积累，在Ｐ２区就有空穴积累，结果使Ｐ２区的电位升高，Ｎ１区的电位下降，Ｊ２结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图３的虚线ＡＢ段。

这时Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态－－－通态，此时，它的特性与普通的ＰＮ结正向特性相似，见图２中的ＢＣ段

２、触发导通

图５阳极和控制极均加正向电压

３、可控硅在电路中的主要用途是什么？

普通可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图４（ａ）〕。在正弦交流电压Ｕ２的正半周期间，如果ＶＳ的控制极没有输入触发脉冲Ｕｇ，ＶＳ仍然不能导通，只有在Ｕ２处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ｕｇ时，可控硅被触发导通。现在，画出它的波形图〔图４（ｃ）及（ｄ）〕，可以看到，只有在触发脉冲Ｕｇ到来时，负载ＲＬ上才有电压ＵＬ输出（波形图上阴影部分）。Ｕｇ到来得早，可控硅导通的时间就早；Ｕｇ到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ｕｇ到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值ＵＬ（阴影部分的面积大小）。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为１８０，称为电角度。这样，在Ｕ２的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值ＵＬ，实现了可控整流。

４、在桥式整流电路中，把二极管都换成可控硅是不是就成了可控整流电路了呢？

在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成可控硅就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图（图５），就能看明白了

５、可控硅控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢？

可控硅触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小可控硅触发大可控硅的触发电路，等等。

６、什么是单结晶体管？它有什么特殊性能呢？

单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个ＰＮ结和三个电极构成的半导体器件（图６）。我们先画出它的结构示意图〔图７（ａ）〕。在一块Ｎ型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极Ｂ１和第二基极Ｂ２；硅片的另一侧靠近Ｂ２处制作了一个ＰＮ结，相当于一只二极管，在Ｐ区引出的电极叫发射极Ｅ。为了分析方便，可以把Ｂ１、Ｂ２之间的Ｎ型区域等效为一个纯电阻ＲＢＢ，称为基区电阻，并可看作是两个电阻ＲＢ２、ＲＢ１的串联〔图７（ｂ）〕。值得注意的是ＲＢ１的阻值会随发射极电流ＩＥ的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极Ｂ２、Ｂ１之间加上一个直流电压ＵＢＢ，则Ａ点的电压ＵＡ为：若发射极电压ＵＥ＜ＵＡ，二极管ＶＤ截止；当ＵＥ大于单结晶体管的峰点电压ＵＰ（ＵＰ＝ＵＤ＋ＵＡ）时，二极管ＶＤ导通，发射极电流ＩＥ注入ＲＢ１，使ＲＢ１的阻值急剧变小，Ｅ点电位ＵＥ随之下降，出现了ＩＥ增大ＵＥ反而降低的现象，称为负阻效应。发射极电流ＩＥ继续增加，发射极电压ＵＥ不断下降，当ＵＥ下降到谷点电压ＵＶ以下时，单结晶体管就进入截止状态。

７、怎样利用单结晶体管组成可控硅触发电路呢？

我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路（图８）。它是由单结晶体管和ＲＣ充放电电路组成的。合上电源开关Ｓ后，电源ＵＢＢ经电位器ＲＰ向电容器Ｃ充电，电容器上的电压ＵＣ按指数规律上升。当ＵＣ上升到单结晶体管的峰点电压ＵＰ时，单结晶体管突然导通，基区电阻ＲＢ１急剧减小，电容器Ｃ通过ＰＮ结向电阻Ｒ１迅速放电，使Ｒ１两端电压Ｕｇ发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图８（ｂ）〕。随着电容器Ｃ的放电，ＵＥ按指数规律下降，直到低于谷点电压ＵＶ时单结晶体管截止。这样，在Ｒ１两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电