国外集成电路命名方法
国际集成电路的命名方法及定义
国外集成电路命名方法国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明ANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-HA：混合DI：介质隔离产（0-70）℃；密双列封装883B级。
A/D；品；A、B、C：（多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V（-25-85）℃；E：芯片载体；D/A。
的产品。
（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）℃。
G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；N：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。
缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）通用器件型号举例说明模拟器件产品型号举例说明首标器件编号温度范围封装筛选水平H、J、K、L：M：铜焊金属壳封装；Q：高可靠产品；（0-70）℃；P：塑封；/QM：MIL-STD-A、B、C：（-25-85）℃；G：陶瓷。
883产品。
R、S、T、V：（-55-125）℃。
军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC）首标器件编号温度范围封装高可靠性等级V：（-55-125）℃；M：金属的；MIL-STD-883B。
U：（-25-85）℃；L：芯片载体。
W：（-55-125）℃。
DAC的型号举例说明首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示V:(-55-125)℃；CBI：互补二进制V：电压输出；U：（-25-85）℃。
输入；I：电流输出。
COB：互补余码补偿二进制输入；CSB：互补直接二进制输入；CTC：互补的两余码输入。
首标的意义：放大器转换器ADC：A/D转换器；OPA：运算放大器；ADS：有采样/保持的A/D转换器；INA：仪用放大器；DAC：D/A转换器；PGA：可编程控增益放大器；MPC：多路转换器；ISO：隔离放大器。
集成电路的命名
集成电路的命名目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。
下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。
（只写了前缀〕1.NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP.（国家半导体公司〕AD：A/D转换器；DA：D/A转换器；CD：CMOS数字电路；LF：线性场效应；LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕；LP：线性低功耗电路。
2.RCA CORP. (美国无线电公司)CA、LM：线性电路；CD：CMOS数字电路；CDM；CMOS大规模电路。
3.MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS,INC. (摩托罗拉半导体公司)MC：密封集成电路；MMS：存储器电路；MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。
4.NEC ELECTRONICS,INC. (日本电气电子公司)UP: 微型产品。
A：组合元件； B：双极型数字电路；C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。
例：UPC、UPA等。
5.SANYO ELECTRIC CO.,LTD. (三洋电气有限公司)LA：双极型线性电路；LB：双极型数字电路；LC：CMOS电路；STK：厚膜电路。
6.TOSHIBA CORP. (东芝公司)TA：双极型线性电路；TC：CMOS电路；TD：双极型数字电路；TM：MOS电路。
7.HITACHI,LTD. (日立公司)HA：模拟电路；HD：数字电路；HM：RAM电路； HN：ROM电路；8.SGS SEMICONDUCTOR CORP. (SGS半导体公司)TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路；HB、HC：CMOS电路。
例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号。
1.部分集成电路制造公司名称及型号前缀先进微器件公司〔美国〕 AM模拟器件公司〔美国〕AD仙童半导体公司〔美国〕 F、UA富士通公司〔日本〕 MB、MBM日立公司〔日本〕HA、HD、HM、HN英特尔公司〔美国〕 I英特西尔公司〔美国〕 ICL、ICM、IM松下电子公司〔日本〕 AN史普拉格电气公司〔美国〕ULN、UCN、TDA三菱电气公司〔日本〕M摩托罗拉半导体公司〔美国〕 MC、MLM、MMS国家半导体公司〔美国〕LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD日本电气有限公司〔日本〕 UPA、UPB、UPC新日本无线电有限公司〔日本〕NJM冲电气工业公司〔日本〕MSM飞利浦元件公司荷兰〕HEF、TBA、TDA三星半导体公司〔韩国〕KA、KM、KS山肯电气有限公司〔日本〕 STR三洋电气有限公司〔日本〕LA、LB、LC、STKSGS电子元件公司〔意大利〕TDA、H、HB、HC夏普电子公司〔日本〕 LH、LR、IX西门子公司〔德国〕 SO、TBA、TDA西格乃铁克斯公司〔美国〕 NE、SE、ULN索尼公司〔日本〕BX、CX东芝公司〔日本〕TA、TC、TD、TM2一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
部分国际公司TTL集成电路型号命名规则
部分国际公司TTL集成电路型号命名规则(1)(美国)德克萨斯公司(TEXAS)例：SN 74 LS 20 J①②③④⑤说明：①表示德克萨斯公司标准电路②表示工作温度范围54系列：(一55～+125) ℃，74系列：(0～+70)℃③表示系列LS：低功耗肖特基系列ALS：先进的低功耗肖特基系列AS：先进的肖特基系列<空白>：标准系列，H：高速系列，L：低功耗系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。
⑤表示封装形式J：陶瓷双列直插N：塑料双列直插T：金属扁平W：陶瓷扁平(2)(美国)摩托罗拉公司(MOTOROLA)例：MC 74 194 P（注）①②③④说明：①表示摩托罗拉公司封装的集成电路②表示工作温度范围4，20，30，40，72，74，83：(0～+75)℃5，2l，3l，43，82，54，93：(－55～+125)℃③表示品种代号，表征了逻辑功能。
④表示封装形式F：陶瓷扁平L：陶瓷双列直插P：塑料双列直插(注：LS—TTL的型号同德克萨斯公司一致，如：SN74LSl94J)(3)(美国)国家半导体公司(NATIONAL SEMICONDUCTOR)例：DM 74 LS 161 N①②③④⑤说明：①表示国家半导体公司单片数字电路②表示工作温度74，80，8l，82，85，87，88：(0～+70)℃54，70，7l，72，75，77，78，93，96：(－55～+125) ℃83，96：(0～+75) ℃③表示系列<空白>：标准系列，H：高速系列，L：低功耗系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。
⑤表示封装形式D：玻璃——金属双列直插F：玻璃——金属扁平J：低温陶瓷双列直插N：塑料双列直插W：低温陶瓷扁平(4)(日本)日立公司(HITACHI)例：HD 74 LS 191 P①②③④⑤说明：①表示日立公司数字集成电路②表示工作温度范围74：(－20～+75)℃③表示系列<空白>：标准系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。
国外IC芯片命名规则
MAXIM专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀：MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围；P=封装类型；E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能；C=温度范围；P=封装类型；I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55℃至+125℃（军品级）5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封P 塑封双列直插/ W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件， HA 混合集成A/D， HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP比较器REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元 SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插 V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能L 锁定Z + 12V电源工作HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码： CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME 总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体PF 塑料扁平单列直插P 塑料PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围： C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军用（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM）HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件DG 模拟开关DGM 单片模拟开关ICH 混合电路MM 高压开关NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围： A -55℃至125℃，B -20℃至85℃， C 0℃至70℃I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32，K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3，S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳） W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳） Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns， -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示： LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示： -20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ，-16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白 0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXXM7 4HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装： C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白 0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白5V +10%Vcc，X 5V +10%Vcc6．速度： 55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口） L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除： 0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B（128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装： M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列： 24 12C ， 25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C 总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线LV 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K，02 2K，04 4K，08 8K16 16K， 32 32K，64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装： B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用)2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业)E -55℃~125℃XICOR产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXXX X X1 2 7 3 4串行快闪X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公制微型封装Y 新型卡式4．温度范围：空白标准，B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准，B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至 5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至 5.5V，-1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻：Z 1KΩ，Y 2KΩ，W 10KΩ，U50KΩ，T 100KΩ8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz，B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5．温度范围： E -40℃至100℃， M -55℃至125℃， S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。
集成电路型号含义
集成电路型号含义1．国产集成电路第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分国产IC类型系列与序号工作温度范围封装符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义C 中国制造T TTL材料数字与国际同类品种一致C0~70W陶瓷扁平H HTL材料E-40~85B塑料扁平E ECL材料R-55~85F全密封扁平C CMOS材料M-55~125D陶瓷双列直插F放大器P塑料双列直插D音晌、电视器件H玻璃扁平W稳压器件J黑陶瓷双列直插J接口器件K金属菱形B非线性器件T金属圆形M存储器U 微处理器国产IC各厂家会采用不同的前缀作为本厂标志（详情请看IC前缀与厂家介绍），同类产品序号也不一样，有的IC型号、序号与引进的一样。
2．日本松下公司半导体集成电路型号的命名1). 双极型线性集成电路：第1部分第2部分第3 部分第4 部分2个字母2个数字2个数字1个字母例AN 12 34 Sa.第1部分：双极型集成电路有两个标志（包括AN及DN）是按照电路类型而划分的，双极型集成电路、线性集成电路（模拟电路）：AN 、数字集成电路：DN、MOS电路：MN、EP两个字母表示微型计算机或小批量生产b.第2部分：这部分数字与应用领域有关（有一些例外），对于专用集成电路，在数字后面加上1～2个字母作为特性的区分（常规的集成电路不用这些字母。
对于稳压电源，根据其输出电流值使用L、M及N中的一个字母或根本不用字母，例：AN78L04。
对于三极管阵列，根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母，例ANB00。
第2部分的数字与其应用领域有关,例：第2部分数字应用领域10～19 运算放大器、比较电路20～25 摄像机26～29 电视唱片30～39 录像机40～49 运算放大器50～59 电视机60～64 录像机及音响65 运算放大器及它66～68 工业用及家用电器69 比较器及其它70～76 音响方面的用途78～80 稳压器81～83 工业用及家用电器90 三极管阵列c.第3部分：用二位数字，其范围一般为00～99，例如AN4321d.第4部分：一般不用这部分，但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型，这种情况下大致用大致字母S、P、N。
集成电路命名方法
1、日本松下电器公司集成电路命名方法（PANASONIC）AN（电路种类）XXXX（电路序号）电路种类：AN：模拟，DN：数字M．J：研制型号，MN：MOS电路2、日本三洋公司命名方法（SANYO）LA（电路种类）XXXX（电路序号）电路种类：LA：双极线性电路，LB：双极数字电路LD：CMOS电路，STK：厚膜电路3、日本东芝公司集成电路命名方法（TOSHIBA）TA（电路种类）XXXX（电路序号）A（是否改进型）P（封装形式）电路种类：TA：双极线性电路，TC：CMOS电路TD：双极数字电路，TM：MOS电路4、日本电气公司集成电路命名方法（NEC）UP（微型器件）C（电路种类）XXXX（电路序号）C（封装形式）X（改进型）电路种类：A：分立器件B：数字双极器件C：线性电路，D：数字CMOS封装形式：C：塑料封装，陶瓷或陶瓷双列直插5、欧洲电子联盟荷兰飞利浦公司（PHILIPS）TDA（模拟电路）XXXX（电路序号）P（封装形式）6、德克萨斯仪器公司（TEXAS INSTRUMENTS CO）商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：N，NE—塑封DIP AC—先进双极IC NT—塑封DIP，24脚SN—标准IC FN—塑料单层四方芯片载体TAC—CMOS逻辑阵列DJ—小外形封装TL—线性电路TMS—MOS存储器/微处理器TC—CCD图像器7、仙童公司（FAIRCHILD CO.）商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：F—扁平封装F—仙童P—塑封DIPSH—混合T—小型DIPuA—线性D—陶瓷DIP8、RCA公司商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：E—双列直插CA—线性IC EN—窄双列直插CD —CMOS数字IC M—小型外塑封PA—门阵列D—陶瓷双列直插SC—标准单元9、国家半导体公司10、模拟器件公司（）11、摩托罗拉公司（）来自于93年无线电合订本522页。
国外集成电路命名方法(二)
国外集成电路命名方法(二)
国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法)
缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明
缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明
缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明
缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明
缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司
缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）
器件型号举例说明
缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）
缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明。
集成电路型号命名
集成电路型号命名国产IC各厂家会采用不同的前缀作为本厂标志（详情请看IC前缀与厂家介绍），同类产品序号也不一样，有的IC型号、序号与引进的一样。
与国际同类品种一致二、日本松下公司半导体集成电路型号的命名1、双极型线性集成电路：XX XX XX X第4 部分，2个字母第3 部分，2个数字第2部分，2个数字第1部分，1个字母例：AN 12 34 S（1）、第1部分双极型集成电路有两个标志（包括AN及DN）是按照电路类型而划分的。
AN 双极型集成电路、线性集成电路（模拟电路）DN 数字集成电路MN MOS电路EP 两个字母表示微型计算机或小批量生产（2）、第2部分这部分数字与应用领域有关（有一些例外），对于专用集成电路，在数字后面加上1～2个字母作为特性的区分（常规的集成电路不用这些字母。
对于稳压电源，根据其输出电流值使用L、M及N中的一个字母或根本不用字母，例：AN78L04。
对于三极管阵列，根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母，例ANB00。
第2部分的数字与其应用领域有关,例：第2部分数字应用领域10～19 运算放大器、比较电路20～25 摄像机26～29 电视唱片30～39 录像机40～49 运算放大器50～59 电视机60～64 录像机及音响65 运算放大器及它66～68 工业用及家用电器69 比较器及其它70～76 音响方面的用途78～80 稳压器81～83 工业用及家用电器90 三极管阵列（3）、第3部分用二位数字，其范围一般为00～99，例如AN4321（4）、第4部分一般不用这部分，但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型，这种情况下大致用大致字母S、P、N。
AN××××S：字母S是指小型扁平封装；AN××××K：使用收缩双列直插式封装；AN××××P：使用普通塑料封装；AN××××N：字母N表示改进型（5）、其它：OM200：（助听器）是上述线性集成电路标志的例外。
国外集成电路命名方法
国外集成电路命名方法器件型号举例说明( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)器件型号举例说明( 缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）)通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB译名：布尔-布朗公司（美）)器件型号举例说明( 缩写字符：CYSC译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司)缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）80C86系列型号举例说明缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）器件型号举例说明缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明缩写字符：NECJ译名：日本电气公司（日）NECE日本电气公司美国电子公司（美）器件型号举例说明缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）器件型号举例说明缩写字符：RCA译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）器件型号举例说明缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明缩写字符：SGSI译名：意大利国家半导体公司器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德）器件型号举例说明（与欧共体相一致）缩写符号：THEF译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）老产品型号举例说明汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明缩写符号：VTC译名：VTC公司器件型号举例说明缩写字符：TOSJ译名：东芝公司（日）器件型号举例说明缩写符号：MATJ译名：松下电气公司（日）器件型号举例说明缩写符号：HITJ译名：日立公司（日）器件型号举例说明缩写符号：IDT译名：集成器件技术公司器件型号举例说明。
国外IC芯片命名规则
MAXIM专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀：MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围；P=封装类型；E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能；C=温度范围；P=封装类型；I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55℃至+125℃（军品级）5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封P 塑封双列直插/ W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件， HA 混合集成A/D， HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP比较器REF电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元 SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插 V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能L 锁定Z + 12V电源工作HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码： CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME 总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体PF 塑料扁平单列直插P 塑料PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列E自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围： C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军用（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM）HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关ICH 混合电路MM 高压开关NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围： A -55℃至125℃，B -20℃至85℃， C 0℃至70℃I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32，K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3，S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳） W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳） Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns， -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示： LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示： -20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ，-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白 0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXXM7 4HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROMS28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装： C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白 0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白5V +10%Vcc，X 5V +10%Vcc6．速度： 55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口） L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除： 0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装： M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列： 24 12C ， 25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C 总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线LV 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K，02 2K，04 4K，08 8K16 16K， 32 32K，64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装： B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用)2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业)E -55℃~125℃XICOR产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOTX XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公制微型封装Y 新型卡式4．温度范围：空白标准，B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准，B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至 5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至 5.5V，-1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻：Z 1KΩ，Y 2KΩ，W 10KΩ，U 50KΩ，T 100KΩ8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-54.5V至5.5VZILOG产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz，B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5．温度范围： E -40℃至100℃， M -55℃至125℃， S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准（注：专业文档是经验性极强的领域，无法思考和涵盖全面，素材和资料部分来自网络，供参考。
集成电路型号的命名方法
集成电路型号的命名方法概述纵观集成电路的型号，大体上包含这些内容：公司代号、电路系列或种类代号、电路序号、封装形式代号、温度范围代号和其他一些代号。
这些内容均用字母或数字来代表。
一般情况下，世界上很多集成电路制造公司将自己公司名称的缩写字母或者公司的产品代号放在型号的开头，表示该公司的集成电路产品。
例如：日本东芝公司产品型号用字母T开头，如图9-4(a)所示，TA7687AP即为型号。
三菱公司的产品型号开头字母为M，M50560即为型号，如图9-4(b)所示。
美国摩托罗拉公司产品型号的开头字母为MC，如图9-4(c)所示，MC14017BCP为型号。
对于此类集成电路，只要知道了该集成电路是哪个国家、哪个公司的产品，按相应的集成电路手册去查找即可。
图9-4 集成电路型号标注法(一)此外，识别集成电路还可用先找出产品公司商标的办法。
因为有不少厂商或公司的集成电路，其型号的开头字母不表示厂商或公司的缩写、代号，而是表示功能、封装或种类等。
例如，以生产计算机芯片著称于世的美国英特尔公司，其型号的第一个字母表示使用范围，如M表示军用，I表示工业用，不标则为商业用;第二个字母表示封装，如P为塑封，D为密封等。
图9-5(a)所示为塑封8031单片微处理器芯片;图9-5(b)中集成电路为日本松下公司的产品，它的开头字母表示器件类型，AN 表示模拟电路，DN 表示数字电路。
对于此类集成电路，可以先找到芯片上的商标，确定生产厂商或公司后，再查找相应的手册。
图9-5 集成电路型号标注法(二)国产集成电路型号命名方法根据国家标准BG 3430——1989 的规定，集成电路的型号由以下 5部分组成，如图9-6所示。
图9-6 国产集成电路型号命名的组成各部分表示方法的规定见表9-1～表9-4。
▼表9-1 表示器件类型的主要字母表▼表9-2 器件系列品种的表示规定▼表9-3 表示器件工作温度范围的字母表▼表9-4 表示器件封装形式的字母表注：表中括号内字母为国外表示方法。
国内外集成电路的型号命名方法_视频详解集成电路识图入门_[共3页]
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M 存储器
特殊电路（机电仪表电路、传感器、通信电路、 S
消费类电路）
T TTL 电路
W 稳压器
μ 微型计算机电路
表 1-2 集成电路第四部分字母含义
字母 C E R M
第四部分表示的含义（工作温度范围，℃） 0 ～ 70 −40 ～ 85 −55 ～ 85 −55 ～ 125
表 1-3 集成电路第五部分字母含义
第四部 集成电路型号中的第四部分用一个大写字母 分含义 表示工作温度，具体含义如表 1-2 所示。
第五部 分含义
集成电路型号中的第五部分用一个大写字母 表示封装形式，具体含义如表 1-3 所示，共 有 7 种。
表 1-1 集成电路第二部分字母含义
字母
第二部分表示的含义（电路的类型）
AD 模拟 / 数字转换器
字头符号 电路类型 电路型号数 温度范围 封装形式
第一部 集成电路型号中的第一部分用字母 C 表示 分含义 该集成电路符合国家标准。
第二部 分含义
集成电路型号中的第二部分用字母表示电路 的类型，可以是一个大写字母，也可是两个 大写字母，具体含义如表 1-1 所示。
第三部 分含义
集成电路型号中的第三部分用数字或字母表示 产品的代号，与国外同功能集成电路保持一样 的代号，即国产的集成电路与国外的集成电路 第三部分代号一样时，为全仿制集成电路，其 电路结构、引脚分布规律等同国外产品相同， 可以直接与国外集成电路代换使用。
视Hale Waihona Puke 详解系列1.3.1 国 内外集成电路的型号 命名方法
1．国家标准规定的集成电路的型号 命名方法
最新的国家标准规定，我国生产的集成电
路型号由 5 个部分组成，以前各生产厂家的规
集成电路知识
维库小知识：集成电路的命名1 国产集成电路的命名方法我国集成电路的型号命名采用与国际接轨的准则，一般由五部分组成，其各部分组成如图1所示，各部分含义如表1所示。
图1 国产集成电路命名的组成表1 国产集成电路型号命名各组成部分含义例如：2 国外集成电路的命名方法2.1 日本生产的集成电路型号命名方法（1）日本东芝公司生产的集成电路型号由三部分组成，各部分的含义如表2所示。
表2 日本东芝公司生产的集成电路各组成部分的含义2）日本三洋公司生产的集成电路型号由两部分组成，各部分含义如表3所示。
表3 日本三洋公司生产的集成电路各组成部分含义（3）日本日立公司生产的集成电路由四部分组成，各部分的含义如表4所示。
表4 日本日立公司生产的集成电路各组成部分含义（4）日本索尼公司生产的集成电路由三部分组成，各部分的含义如表5所示。
表5 日本索尼公司生产的集成电路各组成部分含义5）日本松下公司生产的集成电路由四部分组成，各部分的含义如表6所示。
表6 日本松下公司生产的集成电路各组成部分含义6）日本三菱公司生产的集成电路由五部分组成，各部分的含义如表7所示。
表7 日本三菱公司生产的集成电路各组成部分含义2.2 美国生产的集成电路型号命名方法美国半导体集成电路型号命名由四部分组成，各部分的含义如表8所示。
表8 美国产集成电路型号命名及含义2.3 集成电路国外部分公司及产品代号集成电路国外部分公司及产品代号如表9所示。
表9 集成电路国外部分公司及产品代号集成稳压器的型号由两部分组成。
第一部分是字母，国标用“CW”表示，其中“C”表示中国，“W”表示稳压器；国外产品有LM、pA、MC、μPC等。
第二部分是数字，表示不同的输出电压。
国内外同类产品的数字意义完全一样。
集成电路的型号一般都在表面印刷（或者激光刻蚀）出来。
集成电路有各种型号，命名有一定规律，一般由前缀、数字编号和后缀组成。
绝大部分国内外厂商生产的同一种集成电路，采用基本相同的数字编号，而以不同的字头代表不同的厂商，例如，NE555、LM555、；μPC555、56555分别是由不同国家和厂商生产的定时器电路，但它们的功能、性能和封装、引脚排列都一致，可以相互替换。
74ls系列命名规则
74ls系列命名规则
74LS系列是一种数字集成电路（Digital Integrated Circuit，简称DIC），由美国德州仪器公司（Texas Instruments，简称TI）生产。
它是一种低功耗、高速度、低成本的逻辑门电路，广泛应用于计算机、通讯、工业控制、仪器仪表等领域。
74LS系列的命名规则如下：
1. 74：代表德州仪器公司生产的数字集成电路系列。
2. L：代表低功耗（Low-power），指该系列电路的功耗较低。
3. S：代表快速（Schottky），指该系列电路采用了肖特基二极管技术，具有高速度和低功耗的特点。
4. 第一个数字：代表电路的功能类型。
例如，74LS00代表四个二输入与门电路，74LS04代表六个反相器电路。
5. 第二个数字：代表电路的具体型号。
例如，74LS00有多种型号，如74LS00N、74LS00D等。
6. 后缀字母：代表电路的封装形式。
例如，N代表塑料双列直插封装，D代表陶瓷双列直插封装。
总之，74LS系列电路的命名规则是由“74”、“L”、“S”和数字、字母组成的，其中数字代表电路的功能类型，字母代表电路的特性和封装形式。
这种命名规则简单明了，易于记忆和识别，方便用户选择和使用。
ti品牌lm系列型号命名规则
ti品牌lm系列型号命名规则
TI（Texas Instruments）的品牌和型号命名规则如下：
1. 品牌命名规则：TI是该公司的品牌缩写，代表Texas Instruments。
2. LM系列命名规则：LM系列是TI公司中一种常见的模拟集
成电路产品系列。
LM代表Linear Monolithic，意为线性单片
集成电路。
LM系列产品主要包括各种运算放大器、电压参考源、功率放大器等。
3. 型号命名规则：LM系列产品的型号主要由字母和数字组成。
型号中的字母代表产品的特性，数字代表产品的性能等级。
- 字母A表示低功耗型号，通常用于移动设备和电池供电应用。
- 字母N表示一般型号，通常用于通用应用。
- 字母M表示高性能型号，通常用于需要更高性能要求的应用。
- 字母V表示其它特殊型号。
型号中的数字用来表示产品的不同性能等级，一般来说，数
字越高代表性能越好。
例如，LM358是一款常见的运算放大器，其中LM代表
Linear Monolithic，3代表一般型号，58是该型号的序号。
常用的进口IC型号命名方法介绍
常用的进口IC型号命名方法介绍半导体集成电路(SIC)的型号一般由三部分组成。
第一部分为前缀，主要反映制造厂家的信息。
第二部分用来表示器件功能分类。
第三部分为后缀，主要反映器件的质量和可靠性等级及封装形式(包括是否为裸芯片)。
这里正芯网将厚膜集成电路(HIC)常用的进口IC型号命名方法介绍如下。
一、54系列此系列为军用集成电路(74系列的为商用)。
TI(得克萨斯公司)，Rochester(罗切斯特公司)，Motorola(摩托罗拉公司)，NSC(美国国家半导体公司)，FC(仙童公司)等公司生产。
TI公司规定其54系列产品型号要在54的前面加上SN(如SN54HC00等)，军标产品加SNJ。
54后接不同的英文字母表示不同的电路功能，也有54后直接跟数字的。
(1)54HC54HC表示高速CMOS逻辑集成电路，现在为SN54HC，仅TI 生产(Rochester作其补充)。
(2)54HCT54HCT也表示高速CMOS逻辑集成电路，现在为SN54HCT，仅TI生产(Rochester作其补充)。
(3)54LS54LS表示低功耗肖特基逻辑集成电路，TI生产的为SN54LS；Rochester，Motorola，NSC和FC公司生产的仍为54LS。
(4)54S54S表示肖特基逻辑集成电路，现在为SN54S，仅TI生产(Rochester作其补充)。
(5)54×××以54121(多谐振荡器)为例。
Rochester公司的为54121，TI公司的为SN54121，Lansdale公司的为54121和SL54121。
上述器件均为军品等级。
二、78／79生产厂家为ST Micro(以前为SGS—Thorn．son)。
原78××，79××电压基准器，现在型号为L78L××，L78L×，如L79L09等。
三、AD为Analog Devices公司产品，主要有ADC(模数转换)，DAC(数模转换)，放大器，电压基准器，湿度传感器等。
集成电路命名方法(国外
国外集成电路命名方法缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）器件型号举例说明()缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）通用器件型号举例说明()模拟器件产品型号举例说明缩写字符：CYSC译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司器件型号举例说明()缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）器件型号举例说明80C86系列型号举例说明缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）器件型号举例说明缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明NECJ译名：日本电气公司（日）NECE日本电气公司美国电子公司（美）器件型号举例说明缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）缩写字符：RCA译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）器件型号举例说明缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明缩写字符：SGSI译名：意大利国家半导体公司器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德）器件型号举例说明（与欧共体相一致）缩写符号：THEF译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）老产品型号举例说明汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明缩写符号：TI 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明缩写符号：VTC译名：VTC公司器件型号举例说明器件型号举例说明缩写符号：MATJ译名：松下电气公司（日）器件型号举例说明缩写符号：HITJ译名：日立公司（日）器件型号举例说明缩写符号：IDT译名：集成器件技术公司器件型号举例说明（注：素材和资料部分来自网络，供参考。
国外集成电路命名方法(三)
DP
XX/XX 附加资料
A：没规定范围； B：（0~70）℃；
进 第一字母表示封装形式： 型 C：圆形； D：双列； E：功率双列； F：扁平（两边引线）； G：扁平（四边引线）； K：TO-3 型； M：多列引线（多于四排） Q：四列引线； R：功率四列引线； S：单列引线； T：三列引线； 第二字母表示封装材料； B：氧化铍-陶瓷； C：陶瓷；
N、NT、NW、NE、NF：塑封双列； MC：芯片； PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN、PZ：塑料薄型四列扁平封装； FH、FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM、FP：芯片载体。 数字电路系列符号 GTL：Gunning Transceiver Logic； CBT：Crossbar Technology； ABTE：先进 BiCMOS 技术/增强收发逻辑； 没标者为标准系列； H：高速系列； S：肖特基二极管箝位系列； AS：先进肖特基系列； ALS：先进低功耗肖特基系列； ABT：先时 BiCMOS 技术。 L：低功耗系列；
3：Si-Ni-Ag。
同时有与欧共体相同的编号。
缩写符号： 译名：得克萨斯公司（ 缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）
器件型号举例说明
TL
0728
E
JG
首标
器件编号
温度范围 LS
封装 183 器件编号 封装 J
首标 首标符号意义
温度范围
系列
AC：改进的双极电路； TIEF：跨导放大器； JANB：军用 B 级 IC； TMS：MOS 存储器/微处理器； SNC：IV 马赫 3 级双极电路； TC：CCD 摄像器件； RSN：抗辐射电路； TIL：光电电路； TAC：CMOS 逻辑阵列； TIBPAL：双极可编程阵列逻辑。 同时采用仿制厂家的首标。 封装符号 J、JT、JW、JG：陶瓷双列； LP：塑料三线； DBB、DGV：薄的超小型封装； RA：陶瓷扁平封装； P：塑料双列；
(整理)集成电路命名方法(国外)
国外集成电路命名方法缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）器件型号举例说明()缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）通用器件型号举例说明()模拟器件产品型号举例说明缩写字符：CYSC译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司器件型号举例说明()缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）器件型号举例说明80C86系列型号举例说明缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）器件型号举例说明缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明NECJ译名：日本电气公司（日）NECE日本电气公司美国电子公司（美）器件型号举例说明缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）缩写字符：RCA译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）器件型号举例说明缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明缩写字符：SGSI译名：意大利国家半导体公司器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德）器件型号举例说明（与欧共体相一致）缩写符号：THEF译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）老产品型号举例说明汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明缩写符号：TI 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明缩写符号：VTC译名：VTC公司器件型号举例说明器件型号举例说明缩写符号：MATJ译名：松下电气公司（日）器件型号举例说明缩写符号：HITJ译名：日立公司（日）器件型号举例说明缩写符号：IDT译名：集成器件技术公司器件型号举例说明精品文档。
集成厂商命名方法
日本三菱电机公司(MITSUBISHI)的集成电路命名方法日本三菱电机公司集成块命名方法由电特性：公司标志、温度范围、仿制系列名称标志、原产品系列、电路功能、封装形式六部分组成。
温度范围：5工业用／商业用9军用原产品系列：0 CMoS1 线性电路3 TTL10～19 线性电路仿制系列名称(厂商)K Mosteek公司MK系列L Inter公司系列T 德克萨斯公司系列G 通用仪器公司系列封装形式：K 玻璃——陶瓷封装P 塑料封装S 金属——陶瓷封装日本富士通有限公司集成电路命名方法日本富士通有限公司(FUJITSU)集成电路命名由电路性能、速度、电路序号、微型组件四部分组成。
电路性能：NEHL低功率封装：(供定货用)c 陶瓷M 标准型(塑料)z 陶瓷双列直插日本电气公司集成块命名方法日本电气公司(NEC)集成块命名一般由五部分组成，第一部分UP表示微型器件，第二部分表示电路种类，第三部分为电路序号，第四部分表示封装形式，第五部分表示是否为改进型。
电路种类：A 分立器件B 数字双极器件C 线性电路D 数字CMoS封装形式：C 塑料封装D 陶瓷或陶瓷双列直插松下电器公司集成电路命名方法日本松下电器公司命名由电路种类+电路序号两部分组成。
电路种类：AN 模拟DN 数字M·J 研制型号MN MoS电路日本三洋公司集成电路命名方法日本三洋公司集成电路命名由电路种类及电路序号两部分组成：电路种类：LA 双极线性电路LB 双极数字电路LD CMOS电路STK 厚膜电路电路序号：用四位数字表示，其中前二位区分电路主要功能，后二位是序号。
其中“12 ××”表示高频头放大器集成电路；“32××”表示前置放大集成电路；“33××”表示FM解调器集成电路；“41 ××～45××”表示功率放大集成电路；“55××”表示直流电机速度控制电路。
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国外集成电路命名方法器件型号举例说明( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)
器件型号举例说明( 缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）)
通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)
模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB译名：布尔-布朗公司（美）)
器件型号举例说明( 缩写字符：CYSC译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司)
缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）
80C86系列型号举例说明
缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）
器件型号举例说明
缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明
缩写字符：NECJ译名：日本电气公司（日）
NECE日本电气公司美国电子公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明
缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明
缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明
缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司
器件型号举例说明
缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：RCA译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）
器件型号举例说明
缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明
缩写字符：SGSI译名：意大利国家半导体公司
器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）
缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）
器件型号举例说明
缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明
缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德）
器件型号举例说明（与欧共体相一致）
缩写符号：THEF译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）
老产品型号举例说明
汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明
缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明
缩写符号：VTC译名：VTC公司器件型号举例说明
缩写字符：TOSJ译名：东芝公司（日）
器件型号举例说明
缩写符号：MATJ译名：松下电气公司（日）
器件型号举例说明
缩写符号：HITJ译名：日立公司（日）器件型号举例说明
缩写符号：IDT译名：集成器件技术公司器件型号举例说明。