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硬件设计快速入门知识点
硬件设计快速入门知识点硬件设计是指通过电子电路和电子元件搭建数字电路、模拟电路、微处理器系统等，以实现特定功能的过程。
对于初学者来说，快速了解硬件设计的基本知识点将有助于他们更好地理解和应用于实际项目中。
本文将介绍一些硬件设计的快速入门知识点，帮助读者对硬件设计有一个基本的了解。
一、数字电路设计基础知识1. 逻辑门逻辑门是数字电路中最基本的组成元件，常见的逻辑门有与门（AND）、或门（OR）、非门（NOT）、异或门（XOR）等。
它们通过接收输入信号并根据特定的逻辑关系输出相应的结果。
2. 布尔代数硬件设计需要借助布尔代数，布尔代数用于描述逻辑关系，通过对逻辑表达式的运算得到最终的逻辑结果。
常用的布尔运算符有与、或、非、异或等。
3. 时序电路时序电路是指根据时钟信号来控制数字电路的工作状态。
常见的时序电路设计包括寄存器、计数器、时钟分频器等。
二、模拟电路设计基础知识1. 基本电路元件模拟电路设计需要了解一些基本的电路元件，如电阻、电容、电感等，以及它们在电路中的作用。
此外，还需要了解电源、信号发生器、示波器等仪器设备的基本知识。
2. 放大电路放大电路是模拟电路设计中常见的一种电路，通过增强输入信号的幅度来实现信号的放大。
常用的放大电路有共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路等。
3. 滤波电路滤波电路用于将输入信号中的某些频率分量滤除或增强，以得到所需的信号。
常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
三、微处理器系统设计基础知识1. 微处理器架构微处理器是硬件设计中常见的一种设备，它是计算机系统的核心部分，负责执行各种指令并进行数据处理。
了解微处理器的基本结构和指令集架构对于设计有效的微处理器系统至关重要。
2. 总线和接口总线和接口用于连接微处理器和其他外部设备，以实现数据和信号的传输。
熟悉常见的总线标准和接口规范，如PCI、USB、RS232等，可以帮助设计出更加稳定和兼容性强的系统。
硬件电路及电子元器件基础知识
硬件电路及电子元器件基础知识1基本概念1.1常用电量1.1.1电流电荷的定向运动成为电流，用I表示，单位是安培（A），也常用mA （1A=1000mA，电子元器件运行时其中电流通常在mA量级）、μA （1mA=1,000μA，电子元器件低功耗待机状态时电流通常在μA，长时间积累可使电池耗尽）等单位。
电流所意味的电荷定向运动为电路的运行提供能量，只有当电流存在时电路中的元器件才能工作，并且电流也是驱动机电系统中机械部件的动力，使电磁原理工作的设备产生磁场，此外照明、加热等电气设备的运行也必须依靠电流提供能量。
电流通常通过电流表（万用表中包含电流表功能）串联在测点两端直接接触测量，也可以通过霍尔器件通过电磁原理进行非接触式测量（示波器所使用的电流钳）。
1.1.2电压河水之所以能够流动，是因为有水位差；电荷之所以能够流动，是因为有电位差。
电场中两点之间的电位差就是电压，电压是形成电流的根源，有电压存在自由电荷才能在电场力作用下运动。
在电路中，电压常用U表示。
电压的单位是伏（V），也常用毫伏（mV）、微伏（μV）做单位。
1V=1000mV，1mV=1000μV。
电压有直流和交流两种形式，交流电压通常使用有效值，即在同样的负载中产生与直流电压同样功率时，对应的直流电压。
电压通常通过电压表（万用表中包含电压表功能）并联在测点两端直接接触测量，测量时需要设定交流档或直流档2无源元件2.1电阻2.1.1简介器件特性为阻碍电流通过并消耗能量，通常以R代表，单位是欧姆（Ω），数学模型：I=V/R，即欧姆定律。
电阻消耗的电能转化为热量，功率P=I2R=V2/R。
电阻是一种耗能器件，无储能作用，其伏安特性与时间无关，是线性变化的，属于线性器件。
电阻按制造方式分有金属膜电阻、绕线电阻、碳膜电阻、水泥电阻等，还有一类电位器，即可调电阻，如滑线变阻器、电位盘等。
2.1.2指标电阻主要指标如下：1)阻值。
通常采用标称值，并非任何数值都用，标称值与精度有关，电阻产品的阻值为“标称值×10N”，N为整数（从0开始）。
硬件电路设计.
1．供电系统干扰与抑制 干扰源：电源及输电线路的内阻、分布电容和电感等。 抗干扰措施： 采用交流稳压器、电源低通滤波器、带屏蔽层 的隔离变压器、独立的（或专业的）直流稳压模块，交流引 线应尽量短，主要集成芯片的电源采用去耦电路，增大输入/ 输出滤波电容等措施 。 2．过程通道的干扰与抑制 干扰源：长线传输。单片机应用系统中，从现场信号输出的 开关信号或从传感器输出的微弱模拟信号，经传输线送入单 片机，信号在传输线上传输时，会产生延时、畸变、衰减及 通道干扰。 抗干扰措施： （ 1 ） 采用隔离技术： 光电隔离、变压器隔离、继电器隔离 和布线隔离等。典型的信号隔离是光电隔离。其优点是能有 效地抑制尖峰脉冲及各种噪声干扰，从而使过程通道上的信 噪比大大提高。
（5）地线设计 地线结构大致有保护地、系统地、机壳地（屏蔽地）、 数字地、模拟地等。
在设计时，数字地和模拟地要分开，分别与电源端地线 相连；屏蔽线根据工作频率可采用单点接地或多点接地；保 护地的接地是指接大地。不能把接地线与动力线的零线混淆。 此外，应提高元器件的可靠性，注意各电路之间的电平 匹配，总线驱动能力要符合要求，单片机的空闲端要接地或 接电源，或者定义成输出。室外使用的单片机系统或从室外 架空引入室内的电源线、信号线，要防止雷击，常用的防雷 击器件有：气体放电管，TVS（瞬态电压抑制器）等。
3．程序设计
（1）建立数学模型：描述出各输入变量和各输出变量之间 的数学关系。
（2）绘制程序流程图：以简明直观的方式对任务进行描述。 （3）程序的编制：选择语数据结构、控制算法、存储空间 分配，系统硬件资源的合理分配与使用，子程序的入/ 出口参 数的设臵与传递。 4．软件装配
各程序模块编辑之后，需进行汇编或编译、调试，当满足 设计要求后，将各程序模块按照软件结构设计的要求连接起来， 即为软件装配。在软件装配时，应注意软件接口。
硬件电路设计基础知识
硬件电路设计基础知识 Document serial number【LGGKGB-LGG98YT-LGGT8CB-LGUT-硬件电子电路基础第一章半导体器件§1-1 半导体基础知识一、什么是半导体半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
（导电能力即电导率）（如：硅Si 锗Ge等＋4价元素以及化合物）二、半导体的导电特性本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。
硅和锗的共价键结构。
（略）1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化掺杂──管子温度──热敏元件光照──光敏元件等2、半导体中的两种载流子──自由电子和空穴自由电子──受束缚的电子（－）空穴──电子跳走以后留下的坑（＋）三、杂质半导体──N型、P型（前讲）掺杂可以显着地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。
N型半导体（自由电子多）掺杂为＋5价元素。
如：磷；砷 P──＋5价使自由电子大大增加原理： Si──＋4价 P与Si形成共价键后多余了一个电子。
载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。
o空穴──少子o自由电子──多子P型半导体（空穴多）掺杂为＋3价元素。
如：硼；铝使空穴大大增加原理： Si──＋4价 B与Si形成共价键后多余了一个空穴。
B──＋3价载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由B提供的空穴──数量多。
o空穴──多子o自由电子──少子结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子；P型半导体中的多数载流子为空穴。
§1-2 PN结一、PN结的基本原理1、什么是PN结将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域。
2、PN结的结构分界面上的情况：P区：空穴多N区：自由电子多扩散运动：多的往少的那去，并被复合掉。
留下了正、负离子。
（正、负离子不能移动）留下了一个正、负离子区──耗尽区。
由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。
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谢谢你的观赏2.1 硬件基础知识 2.1.1 计算机系统的组成，硬件系统、软件系统及层次结构 2.1.2计算机类型和特点 微机、工作站、服务器、大型计算机、巨型计算机 2.1.3 中央处理器 CPU 算器和控制器的组成，常用的寄存器、指令系统、寻址方式、指令执行 控制、处理机性能 2.1.4 主存和辅存 存储器系统 存储介质（半导体、硬盘、光盘、闪存、软盘、磁带等） 主存储器的组成、性能及基本原理Cache 的概念、虚拟存储的概念 辅存设备的类型、 特性、性能和容量计算 2.1.5 I/O 接口、I/O I/O 接口（总线、 I/O 设备的类型和特性（键盘、鼠标、显示器、打印机、扫描仪、摄像 头，以及各种辅存设备） I/O 设备控制方式（中断控制、 DMA ） 通信设备的类型和特性（Modem 集线器、交换机、中继器、路由器、 及其连接方法和连接介质（串行连接、并行连接，传输介质的类型设备和通信设备 DMA 通道、SCSI 、并行口、RS232C USB IEEE1394） 网桥、网关） 和特性） 程序员题型分析科目16百分比计算机硬3%数据结10.6%程序语21.8%6.6%10数据8%操作系6.6%软件工10.6%计算机安4%多媒4%计算机网6.6%计算机英13.3%其他知1所示。
从表1中可看出，计算机硬件基础、软件工程、数据结构、网络基础的比例仍很大, 计算机应用及信息化的题目增加了，程序设计语言持平。
假设在机器中浮点数的表示格式如下:15 14 12 11 10当采用下列四种不同编码方式时(阶码基值为2，尾数以规格化数表示)， 求十进制数-123.625在机器中的表示形式：当尾数用原码表示，阶码用补码表示时为 _A_当尾数用补码表示，阶码用补码表示时为 _B_当尾数用原码表示，阶码用移码表示时为 _C_当尾数 用补码表示，阶码用移码表示时为 __D该机器可表示的最大浮点数为E.0 供选择的答案：A 〜D:① 1111000001000110 ④ 1000000001000110 ⑦ 1111111110111010 E: ① 28 ⑤ 27X (1 -2-10)② 0111111110111010 ⑤ 0111100001000110 ⑧ 1010111001010101② 27X (1 -2-11)③ 0111100001000101⑥ 1111100001000110 ③ 2 7 ④ 2 8 X (1-211)•与十进制数 254 等值的二进制数是 __(47)___ 。
硬件工程师必会知识点
硬件工程师必会知识点一、知识概述《电路基础》①基本定义：电路嘛，简单说就是电流能跑的一个通路。
就像咱住的房子要有路才能进出一样，电也得有个道儿能走。
它由电源、导线、开关和用电器这些东西组成。
电源就像是发电站给电力来源，导线就是电走的路，开关就是控制电走不走的门，用电器就是用电干活儿的东西，像灯能照明。
②重要程度：在硬件工程师这行里，电路基础就像是建房的地基。
要是电路基础不牢，后面啥复杂电路、电路板设计都没法好好搞。
③前置知识：那得先知道基本的数学知识，像代数啊，能计算电阻、电压、电流之间的关系。
还有物理里的电学知识，啥是电，电的基本特性这些。
④应用价值：日常生活到处都是，就说家里头的电路，从电灯、电视到冰箱，哪一个离得开电路基础呢。
在电子设备制造上，设计手机、电脑主板啥的，也都得靠电路基础。
二、知识体系①知识图谱：在硬件这学科里，电路基础是最底层最基本的东西。
就像树根一样，从这上面生出各种分支，像模拟电路、数字电路这些。
②关联知识：和电磁场理论有关系，因为电场磁场和电路里的电有着千丝万缕的联系。
也和电子元器件知识分不开，毕竟元器件是电路的组成部分。
③重难点分析：- 掌握难度：对于初学者来说，理解电路里那些抽象的概念是个难点，像电压降、电势差这些。
就拿我刚学的时候，死活想不明白为啥电流从高电势往低电势跑。
- 关键点：得把电流、电压、电阻间的关系搞明白，特别是欧姆定律。
这个关系理顺了，分析简单电路就很容易。
④考点分析：- 在考试中的重要性：超级重要，大部分硬件工程相关的考试都会考到电路基础。
- 考查方式：选择题可能会出计算电阻值的题，简答题可能让你分析一个简单电路里某些点的电压情况。
三、详细讲解- 理论概念类①概念辨析：- 电流：可以看成是电的水流，就是电子在导线里定向移动。
想象一群小蚂蚁排着队在一根小管道里往前走。
单位是安培。
- 电压：这就像是水管里水的压力，电有个推动电子跑的力量叫电压。
电压单位是伏特。
2019年电路设计基础知识一.doc
电路设计基础知识(一)电路设计基础知识(一)电路设计基础知识（1）——电阻导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。
如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻a1}二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。
2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
三、主要特性参数1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。
2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。
允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。
硬件电路设计基础知识
硬件电子电路基础. .第一章半导体器件§1-1 半导体基础知识一、什么是半导体半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
（导电能力即电导率）（如：硅Si 锗Ge等＋4价元素以及化合物）二、半导体的导电特性本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。
硅和锗的共价键结构。
（略）. .1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化•掺杂──管子•温度──热敏元件•光照──光敏元件等2、半导体中的两种载流子──自由电子和空穴•自由电子──受束缚的电子（－）•空穴──电子跳走以后留下的坑（＋）三、杂质半导体──N型、P型（前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。
•N型半导体（自由电子多）掺杂为＋5价元素。
如：磷；砷P──＋5价使自由电子大大增加原理：Si──＋4价P与Si形成共价键后多余了一个电子。
载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。
o空穴──少子o自由电子──多子•P型半导体（空穴多）掺杂为＋3价元素。
如：硼；铝使空穴大大增加原理：Si──＋4价B与Si形成共价键后多余了一个空穴。
B──＋3价载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由B提供的空穴──数量多。
o空穴──多子o自由电子──少子结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子；. .. . P型半导体中的多数载流子为空穴。
§1-2 PN结一、PN结的基本原理1、什么是PN结将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域。
2、PN结的结构分界面上的情况：P区：空穴多N区：自由电子多扩散运动：多的往少的那去，并被复合掉。
留下了正、负离子。
（正、负离子不能移动）留下了一个正、负离子区──耗尽区。
由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。
方向：N--> P大小：与材料和温度有关。
（很小，约零点几伏）漂移运动：由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。
硬件设计常用知识点总结
硬件设计常用知识点总结一、数字电路设计数字电路设计是硬件设计中最基础的一部分，它包括了组合逻辑电路和时序逻辑电路两方面的内容。
在进行数字电路设计时，需要掌握的知识点包括：1. 逻辑门与逻辑代数逻辑门是数字电路设计中最基础的元件，常见的逻辑门有与门、或门、非门等。
在进行数字电路设计时，需要掌握逻辑代数的基本原理，包括与门、或门、非门的真值表、卡诺图、逻辑代数方程等。
2. 组合逻辑电路设计组合逻辑电路是由逻辑门组成的，它的输出仅依赖于当前输入的状态。
在进行组合逻辑电路设计时，需要掌握的知识点包括逻辑门的串并联、译码器、编码器、多路器、分配器等相关知识。
3. 时序逻辑电路设计时序逻辑电路包括了触发器、寄存器、计数器等元件。
在进行时序逻辑电路设计时，需要掌握触发器的各种类型（RS触发器、D触发器、JK触发器、T触发器）、寄存器的设计原理、计数器的设计原理等。
二、模拟电路设计模拟电路设计是硬件设计中另一个重要的方面，它涉及了电路元件的参数、电路的分析与设计等内容。
在进行模拟电路设计时，需要掌握的知识点包括：1. 电路元件的特性电路元件的特性包括了电阻、电容、电感等参数的相关知识。
在进行模拟电路设计时，需要了解这些元件的特性，以便能够合理地选择与设计电路。
2. 放大器的设计放大器是模拟电路设计中常用的元件，它包括了运算放大器、差分放大器、功率放大器等。
在进行放大器设计时，需要了解放大器的基本原理、工作方式、参数选取等知识。
3. 滤波器的设计滤波器是模拟电路设计中常用的元件，它包括了低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。
在进行滤波器设计时，需要了解滤波器的工作原理、频率响应、设计方法等知识。
三、数字信号处理数字信号处理（DSP）是硬件设计中较为高级的一个方面，它包括了数字滤波、数字信号处理器的应用、离散时间信号的处理等内容。
在进行数字信号处理时，需要掌握的知识点包括：1. 离散时间信号的处理离散时间信号的处理包括了时域分析、频域分析、滤波器设计、功率谱估计等内容。
电路设计基础知识
电路设计基础知识第一篇：电路基础知识电路是电子技术的基础，也是我们生活中最常见的电子产品之一。
电路设计是电子工程师必须掌握的基本技能之一。
本文将介绍一些电路设计的基础知识，包括电路的基础理论、电路元件的基本分类、电路的分析方法和主要的电路设计软件。
第一部分：电路基础理论电路基础理论涉及电流、电压、电阻、电源和信号等基本概念。
下面是这些基本概念的简单解释：电流：电子在电路中的移动叫做电流，并且常用单位是安培（A）。
电压：电路中两点之间的电势差叫做电压，并且常用单位是伏特（V）。
电阻：电路元件对电流的阻碍叫做电阻，并且常用单位是欧姆（Ω）。
电源：电路中提供电能的装置叫做电源，比如电池或者交流电源。
信号：在电路中传递信息的电流或电压称为信号，包括模拟信号和数字信号。
第二部分：电路元件的基本分类电路元件是构成电路的基本建筑材料，按照其功能可以分为三类：能量源、信号源和响应元件。
能量源是提供电能的元件，例如电池和发电机。
信号源产生携带信息的信号，例如声音或光信号的源头和信号发生器。
响应元件转换电流、电压和功率等电量的元件，例如电阻、电容和电感等。
第三部分：电路的分析方法电路的分析方法包括基本电路定律、电路简化和电路分析工具。
基本电路定律：欧姆定律，基尔霍夫电压定律和基尔霍夫电流定律是电路分析的基本定律，可以推导出电路元件和节点之间的关系。
电路简化：通过简化电路元件和电路连接关系的方法，使电路更容易理解和分析。
可以采用串联、并联、三角形和四边形等等哈代的定理和简化电路。
电路分析工具：现代电路分析的工具主要包括模拟计算和数字计算方法。
模拟计算是通过模拟基于物理原理的电路行为预测电路性能。
数字计算是通过数字电路建模和仿真技术模拟数字电路行为，可以实现电路的自动设计和优化。
第四部分：电路设计软件电路设计软件是以计算机为基础的电路设计工具，包括逻辑仿真、PCB布线和电路板布版等工具。
下面是几个常用的电路设计软件：Multisim：适用于模拟电路设计和仿真。
硬件设计基础知识
硬件设计基础知识硬件设计是指通过技术手段将硬件构件和电路进行设计和开发，以实现特定功能或满足特定需求的过程。
本篇文章将向读者介绍硬件设计的基础知识，并详细列出步骤，让读者了解如何进行硬件设计。
一、硬件设计的基础知识1.1 电路理论：了解基本的电子电路理论，包括电流、电压、阻抗等概念。
熟悉各种电子元器件的工作原理和特性，例如二极管、电容器、电感器等。
1.2 数字电路与模拟电路：了解数字电路和模拟电路的区别和应用。
数字电路处理二进制信号，而模拟电路处理连续信号。
1.3 硬件与软件的关系：了解硬件与软件之间的关系，理解硬件设计在软件开发中的作用。
二、硬件设计的步骤2.1 确定需求：明确设计的目的和需求，例如设计一个通信设备还是一个控制系统。
根据需求，确定设计的功能和性能指标。
2.2 初步设计：根据需求，开始进行初步设计。
选择适合的电子元器件、电路并进行初步拓扑布局。
2.3 电路原理图设计：使用电子设计自动化软件（EDA），将电路元器件按照其连接关系进行电路原理图的设计和绘制。
2.4 PCB设计：在电路原理图的基础上，进行PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）设计。
确定元器件的布局和走线方式，进行电路板的布线设计。
2.5 元器件选择和采购：根据设计需求，选择适合的元器件型号，并进行元器件的采购准备工作。
2.6 硬件开发和调试：根据电路原理图和PCB设计，进行硬件开发和组装工作。
将选择好的元器件进行焊接和连接，完成硬件的搭建。
之后进行硬件的调试工作，确保电路的正常工作。
2.7 硬件验证和测试：对设计完成的硬件进行系统验证和测试。
验证硬件是否满足设计需求和性能指标，并进行相关测试，例如温度测试、性能测试等。
2.8 优化和改进：根据测试结果和反馈，对硬件进行优化和改进。
可以通过更换元器件、优化布局、调整参数等手段提升硬件的性能和稳定性。
三、硬件设计的注意事项3.1 电路安全与可靠性：确保硬件设计过程中考虑产品的安全性和可靠性，避免电路发生故障或危险。
电路硬件设计基础
1.1电路硬件设计基础1.1.1电路设计硬件电路设计原理嵌入式系统的硬件设计主要分3个步骤：设计电路原理图、生成网络表、设计印制电路板，如下图所示。
图1-1硬件设计的3个步骤进行硬件设计开发，首先要进行原理图设计，需要将一个个元器件按一定的逻辑关系连接起来。
设计一个原理图的元件来源是“原理图库”，除了元件库外还可以由用户自己增加建立新的元件，用户可以用这些元件来实现所要设计产品的逻辑功能。
例如利用Protel 中的画线、总线等工具，将电路中具有电气意义的导线、符号和标识根据设计要求连接起来，构成一个完整的原理图。
原理图设计完成后要进行网络表输出。
网络表是电路原理设计和印制电路板设计中的一个桥梁，它是设计工具软件自动布线的灵魂，可以从原理图中生成，也可以从印制电路板图中提取。
常见的原理图输入工具都具有Verilog/VHDL网络表生成功能，这些网络表包含所有的元件及元件之间的网络连接关系。
原理图设计完成后就可进行印制电路板设计。
进行印制电路板设计时，可以利用Protel 提供的包括自动布线、各种设计规则的确定、叠层的设计、布线方式的设计、信号完整性设计等强大的布线功能，完成复杂的印制电路板设计，达到系统的准确性、功能性、可靠性设计。
电路设计方法(有效步骤)电路原理图设计不仅是整个电路设计的第一步，也是电路设计的基础。
由于以后的设计工作都是以此为基础，因此电路原理图的好坏直接影响到以后的设计工作。
电路原理图的具体设计步骤，如图所示。
图1-2原理图设计流程图（1）建立元件库中没有的库元件元件库中保存的元件只有常用元件。
设计者在设计时首先碰到的问题往往就是库中没有原理图中的部分元件。
这时设计者只有利用设计软件提供的元件编辑功能建立新的库元件，然后才能进行原理图设计。
当采用片上系统的设计方法时，系统电路是针对封装的引脚关系图，与传统的设计方法中采用逻辑关系的库元件不同。
（2）设置图纸属性设计者根据实际电路的复杂程度设置图纸大小和类型。
硬件设计常用知识点汇总
硬件设计常用知识点汇总硬件设计是指通过电子元器件、电路原理和设计工具等，将硬件系统组织起来，以满足特定功能需求的过程。
在硬件设计中，有一些常用的知识点和方法是设计者必须要掌握的。
本文将对硬件设计常用知识点进行汇总，以帮助读者更好地了解和应用这些知识。
一、数字电路设计数字电路是由逻辑门电路和触发器等组成的电路。
在数字电路设计中，有以下几个常用的知识点：1.逻辑门电路：包括与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门、与或非门等。
设计者需要了解逻辑门的真值表和逻辑运算规则，以及它们之间的互相转换关系。
2.触发器：包括RS触发器、D触发器、JK触发器、T触发器等。
设计者需要了解触发器的功能和特性，以及它们在数字电路中的应用场景。
3.时序逻辑设计：包括有限状态机、计数器等。
设计者需要了解时序逻辑的设计方法和状态转换规则，以实现特定的功能需求。
二、模拟电路设计模拟电路是以电压或电流的连续变化为基础的电路。
在模拟电路设计中，有以下几个常用的知识点：1.基本电路元件：包括电阻、电容、电感等。
设计者需要了解这些基本电路元件的特性和使用方法，以满足电路的要求。
2.放大器设计：包括运放电路、功放电路等。
设计者需要了解放大器的增益、输入输出特性等，以实现信号的放大和处理。
3.滤波器设计：包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
设计者需要了解滤波器的频率特性和滤波效果，以滤除电路中的噪声和干扰。
三、嵌入式系统设计嵌入式系统是指将计算机技术和控制技术应用于各种设备和系统中，以实现特定功能的系统。
在嵌入式系统设计中，有以下几个常用的知识点：1.微处理器/微控制器：包括ARM、AVR、PIC等。
设计者需要了解这些微处理器/微控制器的架构和指令集，以开发和调试系统软件。
2.外设接口设计：包括串口、并口、USB接口等。
设计者需要了解各种外设接口的工作原理和通信规则，以实现与外部设备的数据交互。
3.系统调试和测试：包括调试工具的使用、软件调试方法等。
硬件电路设计基础知识
硬件電子電路基礎1第一章半導體器件§1-1 半導體基礎知識一、什麼是半導體半導體就是導電能力介於導體和絕緣體之間の物質。
（導電能力即電導率）（如：矽Si 鍺Ge等＋4價元素以及化合物）二、半導體の導電特性本征半導體――純淨、晶體結構完整の半導體稱為本征半導體。
矽和鍺の共價鍵結構。
（略）21、半導體の導電率會在外界因素作用下發生變化∙摻雜──管子∙溫度──熱敏元件∙光照──光敏元件等2、半導體中の兩種載流子──自由電子和空穴∙自由電子──受束縛の電子（－）∙空穴──電子跳走以後留下の坑（＋）三、雜質半導體──N型、P型（前講）摻雜可以顯著地改變半導體の導電特性，從而制造出雜質半導體。
∙N型半導體（自由電子多）摻雜為＋5價元素。
如：磷；砷P──＋5價使自由電子大大增加原理：Si──＋4價P與Si形成共價鍵後多餘了一個電子。
載流子組成：o本征激發の空穴和自由電子──數量少。
o摻雜後由P提供の自由電子──數量多。
o空穴──少子o自由電子──多子∙P型半導體（空穴多）摻雜為＋3價元素。
如：硼；鋁使空穴大大增加原理：Si──＋4價B與Si形成共價鍵後多餘了一個空穴。
B──＋3價載流子組成：o本征激發の空穴和自由電子──數量少。
o摻雜後由B提供の空穴──數量多。
o空穴──多子o自由電子──少子結論：N型半導體中の多數載流子為自由電子；3P型半導體中の多數載流子為空穴。
§1-2 PN結一、PN結の基本原理1、什麼是PN結將一塊P型半導體和一塊N型半導體緊密第結合在一起時，交界面兩側の那部分區域。
2、PN結の結構分界面上の情況：P區：空穴多N區：自由電子多擴散運動：多の往少の那去，並被複合掉。
留下了正、負離子。
（正、負離子不能移動）留下了一個正、負離子區──耗盡區。
由正、負離子區形成了一個內建電場（即勢壘高度）。
方向：N--> P大小：與材料和溫度有關。
（很小，約零點幾伏）漂移運動：由於內建電場の吸引，個別少數載流子受電場力の作用與多子運動方向相反作運動。
(1)硬件电路制作常识(1)
硬件电路制作常识
③FET选择：JFET、MOSFET，增强型、耗尽型； 参数：ID、VDS、gm、PDM等。 ④集成运放选择：通用型、低失真、低噪声、 宽带、低功耗、高输入阻抗、大电流输出； 双电源供电、单电源供电； 参数：相应类型的相应参数；普通参数：工 作电源、带宽、单位增益带宽、信噪比、转换速 率（V/μs）等； ⑤数字集成芯片选择：TTL型、CMOS型； 工作电源：TTL：+5V，CMOS：+2~+18V。
单端输入方式的两端线不能调换，双端则可以。
硬件电路制作常识
四、集成运放的供电方式
集成运放的供电方式分为：双电源供电和单电源供电 两种。 根据实际应用情况，具备双电源供电条件时，集成运放 电路的应用简单方便。此时输入若是双极性信号，则输出 亦为双极性信号。 当只具有单组供电电源电压，或者需要将双极性输入信 号转换成单极性信号输出时，则需要对集成运放应用电路 路制作常识
四、集成运放的供电方式
2. 集成运放的同相应用（单电源供电）
vi
R2
1/2VCC
vo
C2 R1
+VCC
A +
vo
0
vi
C1
+VCC
vi
R3 R R
硬件电路制作常识
五、印刷电路板的布线
制作硬件电路时，一般采用单面实验板焊接电路。
当电路比较简单，连线较少时，可以采用单面走线，即 在焊接面走线。 当电路比较复杂且连线较多时，单面走线无法实现，此 时应采取双面走线。双面走线时应该以两面走线分别为横、 竖两个方向，使线路规整、美观。焊接面走线用金属导线 连接，并采用间隔性的焊点固定。元件面走线用带绝缘层 的导线连接。
相对较长距离的信号传输一般选用9芯电缆及9针接插件。
硬件电路设计基础教材
常用电子元器件的识别与选择
主要内容
一、模拟元器件 1.分立元器件 2.集成元器件 二、数字电路常用器件 1.分立数字器件 2.集成数字电路
一、常用模拟元器件
• 什么是模拟？ • 随时间连续变化的量，在电子信息学里表示连续变化的电 压。 • 模拟元器件主要包括：电阻，电容，电感，二极管，三极 管，场效应管等等。。
3.1 固定值电感
• 电感的封装形式有多种。对于线性电感，一般常用类似电 阻的封装形式，但是与电阻在外观上略有区别。相对于电 阻来说，电感短而粗。其标识方法也常用色环法。
• 电感封装一般包括贴片与插件。 • 1.功率电感封装以骨架的尺寸 做封装表示， 贴片用椭柱型表 示方法如5.8（5.2）×4就表示 长径为5.8mm短径为5.2mm高 为4mm的电感。 插件用圆柱 型表示方法如φ6×8就表示直 径为6mm高为8mm的电感。 只是它们的骨架一般要通用， 要不就要定造。 • 2.普通线性电感、色环电感与 电阻电容的封装都有一样的表 示， 贴片用尺寸表示如0603、 0805、0402、1206等。 插件 用功率表示如1/8W、1/4W、 1/2W、1W等。
1.2 可变电阻的识别与选择
• 可变电阻的最大阻值 一般标识在器件表面。 读法与贴片电阻类似。 • 可变电阻的选择要根 据所需电阻范围，选 择尽可能接近范围阻 值的可变电阻。
2. 电容元件
• 电容元件也是电路的重要组成单元，特别在震荡电路，电 源电路中，电容元件的应用极为广泛。 • 类似电阻元件，电容元件也分为固定值电容、可变电容及 微调电容。
• 常见二极管封装形式有以下几种：玻璃封装,金属封装和塑 料封装。
4.1 发光二极管（LED）
• 发光二极管是半导体二极 管的一种，可以把电能转 化成光能；常简写为LED。 发光二极管与普通二极管 一样是由一个PN结组成， 也具有单向导电性。常用 于电路中状态指示或者大 型显示屏。
硬件设计知识点总结
硬件设计知识点总结硬件设计是一种关于电子系统硬件部分的设计过程，涵盖了电路设计、电路仿真、PCB设计、硬件调试等方面的技术知识。
在本文中，将对硬件设计过程中的几个关键知识点进行总结和介绍。
一、电路设计1.1 电路设计基础电路设计基础包括电子元器件的基本参数、电路定律（如欧姆定律、基尔霍夫定律等）、电路保护元器件的选择等内容。
在电路设计过程中，需要根据需要选择合适的元器件，并且合理布局电路板，以确保电路的正常运行和稳定性。
1.2 模拟电路设计模拟电路设计主要涉及信号放大、滤波、放大器设计等内容。
在模拟电路设计中，需要考虑信号的失真、噪声、稳定性等问题，并且根据需要选择适当的放大元件和电路结构。
1.3 数字电路设计数字电路设计主要涉及逻辑门、触发器、计数器等数字元件的设计和组合。
在数字电路设计中，需要注意时序问题、布线问题以及逻辑门电路的设计和调试等。
二、电路仿真电路仿真是通过使用电路仿真软件，对设计的电路进行数值模拟和测试。
通过电路仿真可以提前发现电路中存在的问题，并调整电路参数，以提高电路性能。
常用的电路仿真软件有Multisim、PSPICE等。
三、PCB设计PCB设计是将电路设计图转化为PCB布局图的过程。
在PCB设计中，需要考虑电路板的层次结构、布局规则、功耗分布等因素，并根据需要选择适当的布线方式和元器件安装方式。
四、硬件调试硬件调试是指在电路完成制作之后，对电路进行功能测试和故障排除的过程。
在硬件调试中，需要使用示波器、逻辑分析仪等工具对电路进行信号和电气参数的测试和分析，以确保电路的正常工作。
总结：硬件设计是电子系统设计中重要的一环，它涵盖了电路设计、电路仿真、PCB设计、硬件调试等多个方面的知识点。
在硬件设计过程中，需要掌握电路设计的基础知识，了解模拟电路设计和数字电路设计的方法，熟悉电路仿真软件的使用，掌握PCB设计技术，以及具备硬件调试的能力。
通过不断学习和实践，提高硬件设计水平，可以设计出稳定性强、性能优越的电子系统。
电子硬件设计基础知识
电子硬件设计基础知识将电子产品抽象成一个硬件的模型，大约有一下组成：1）输入2）处理核心3）输出输入基本上有一下的可能：1）键盘2）串行接口（RS232/485/ can bun/以太网/USB）3）开关量（TTL，电流环路，干接点）4）模拟量（4~20mA、0~10mA、0~5V（平衡和非平衡信号））输出基本上有以下组成：1）串行接口（RS232/485/can bus/以太网/USB）2）开关量（TTL、电流环路、干接点、功率驱动）3）模拟量（4~20mA、0~10mA、0~5V（平衡和非平衡信号））4）LED显示器：发光管、八字5）液晶显示器6）蜂鸣器处理核心主要有：1）8位单片机，主要就是51系列2）32位arm单片机，主要有atmel和三星系列51系列单片机现在看来，只能做一些简单的应用，说白了，这个芯片也就是做单一的一件事情，做多了，不如使用arm来做；还可以在arm上加一个操作系统，程序及可靠有容易编写。
最近三星的arm受到追捧，价格便宜，以太网和USB的接口也有，周立功的开发系统也便宜，作为学习ARM的产品来说，应该是最好的；作为工业级的控制，是不是合适，在网友中有不同的看法和争议。
本公司使用atmel ARM91系列开发的一个室外使用的产品，在北京事儿爱使用，没有任何的通风和加热措施，从去年的5月份到现在，运行情况良好。
已经有个成功应用的案例。
但对于初学者来说，应该从51着手，一方面，51还是入门级的芯片，作为初学者练手还是比较好的，可以将以上的概念走一遍；很多特殊的单片机也是在51的核基础上增加了一些I/O和A/D,D/A;也为今后学习更高一级的单片机和ARM 打下基础。
再说了，哪个老板会ARM级别的开发放在连51也没学过的新手中?在51上面去做复杂的并行扩展是没有必要的，比如，扩展I/O和A/D、D/A等等，可以直接买带有A/D D/A的单片机；或者直接使用ARM，他的I/O口线口多。
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硬件电子电路基础关于本课程§ 4—2乙类功率放大电路§ 4—3丙类功率放大电路§ 4—4丙类谐振倍频电路第五章正弦波振荡器§ 5—1反馈型正弦波振荡器的工作原理§ 5— 2 LC正弦波振荡电路§ 5— 3 LC振荡器的频率稳定度§ 5—4石英晶体振荡器§ 5— 5 RC正弦波振荡器第一章半导体器件§1半导体基础知识§1PN 结§-1二极管§1晶体三极管§1场效应管§1半导体基础知识、什么是半导体半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
（导电能力即电导率）（如：硅Si锗Ge等+ 4价元素以及化合物）、半导体的导电特性本征半导体一一纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。
硅和锗的共价键结构。
（略）1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化•掺杂一一管子*温度--- 热敏元件・光照——光敏元件等2、半导体中的两种载流子一一自由电子和空穴・自由电子——受束缚的电子（一）・空穴——电子跳走以后留下的坑（+ ）三、杂质半导体——N型、P型（前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。
*N型半导体（自由电子多）掺杂为+ 5价元素。
女口：磷；砷P—+ 5价使自由电子大大增加原理：Si—+ 4价P与Si形成共价键后多余了一个电子。
载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子——数量少。
o掺杂后由P提供的自由电子——数量多。
o 空穴——少子o 自由电子------ 多子・P型半导体（空穴多）掺杂为+ 3价元素。
女口：硼；铝使空穴大大增加原理：Si—+ 4价B与Si形成共价键后多余了一个空穴。
B——+ 3价载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子数量少。
o掺杂后由B提供的空穴——数量多。
o 空穴——多子o 自由电子——少子结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子;P型半导体中的多数载流子为空穴。
§1 PN 结一、PN结的基本原理1、什么是PN结将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域2、PN结的结构分界面上的情况：P区：空穴多N区：自由电子多扩散运动：多的往少的那去，并被复合掉。
留下了正、负离子。
（正、负离子不能移动）留下了一个正、负离子区一一耗尽区。
由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。
方向：N--> P大小：与材料和温度有关。
（很小，约零点几伏）漂移运动：由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。
结论：在没有外加电压的情况下，扩散电流和漂移电流的大小相等，方向相反。
总电流为零。
、PN结的单向导电特性1、外加正向电压时：（正偏）结论：势垒高度PN结宽度（耗尽区宽度）扩散电流2、外加反向电压时：（反偏）P———+ ÷ ÷N一――÷ + +此时总电流=反向饱和电流（漂移电流）：∣5注：反向饱和电流∣5只与温度有关，与外加电压无关。
【PN结的反向击穿】：*齐纳击穿：势垒区窄，较高的反向电压形成的内建电场将价电子拉出共价键，导致反向电流剧增。
V 4V*雪崩击穿：势垒区宽，载流子穿过PN结时间长，速度高，将价电子从共价键中撞出来, 撞出来的电子再去撞别的价电子，导致反向电流剧增。
>7V当反向电压在4V和7V之间的时候，两种击穿均有。
[PN结的电容效应】：・势垒电容：外加电压变化引起势垒区宽窄的变化引起。
它与平行板电热器在外加电压作用下，电容极板上积累电荷情况相似。
对外等效为非线性微变电容。
（反偏减小，正偏增大）・扩散电容：当PN结外加正向电压时，由于扩散作用，从另一方向本方注入少子，少子注入后，将破坏半导体的电中性。
为了维持电中性，将会有相同数量的异性载流子从外电路进入半导体，在半导体中结论：势垒高度PN结宽度（耗尽区宽度）扩散电流（趋近于0）-形成空穴-电子对储存。
外电压增量引起空穴-电子对存储就象电容充电一样。
PN结等效为：两个扩散电容+—个势垒电容。
（对外等效为三个容性电流相加。
等效对外不对内）反偏：扩散电流=0,以势垒电容为主。
正偏：扩散电流很大，以扩散电容为主。
§1二极管一、构成与符号——L-IO、伏安特性曲线1.正向特性:正向电压较小时，正向电流几乎为0—死区。
当正向电压超过某一门限电压时，二极管导通，电流随电压的增加成指数速增大。
U D :硅管——050.7V锗管——0.1-0.2V2 •反向特性：当外加电压小于反向击穿电压时，反向电流几乎不随电压变化。
当外加电压大于反向击穿电压U B时，反向电流随电压急剧增大（击穿）3 •伏安特性解析式在理想条件下，PN结的伏安（电流与结电压）关系式：一一呈指数关系式中：q ----- 电子电荷量I「’Tl JK—波尔兹曼常数Iv -当电压超过100mV时，公式可以简化为:加反向电压时：I = -I S4.二极管的等效电阻率的关系迅门限电压（导通电压）T—绝对温度0K(-273 C)令: (室温下U T = 26mV )伏安关系式简化为:q从二极管的伏安特性曲线上可以看出：二极管是非线性元件，等效电阻的大小与交流电阻例：用万用表测电阻和二极管换不同档测量电阻，结果一样吗?特殊二极管：稳压二极管；变容二极管；发光二极管;-→^ -→r -4U二极管应用:1.整流：略2.稳压：稳压管稳压电路。
P22 Fig 1-3-163.限幅器：二极管限幅器。
P24-26串联、并联、双向例：P52 1— 2§1晶体三极管-、结构及符号*b区极薄*C结面积＞ e结*e区搀杂浓度最大，b区搀杂浓度最低（不能将两个二极管兑成一个三极管来用）、晶体管的四种工作状态状态发射结电压集电结电压放大正反截止反反饱和Γ正「正「倒置反正Q点有关。
直流电阻（静态电阻）2DTNPN PNP三、放大状态下晶体管中的电流注：交流有效值------ 大写小写；交流值---- 小写小写;瞬时值——小写大写; 静态值——大写大写;*注意：实际电流的流向是与电子流的方向相反的。
用很少量的I B来控制I c。
即三极管实际上是一个电流控制电流源-CCCSN+P一一+ +N+——+ +UEE Ug三个电极电流满足：I E=I B+∣c工作在放大状态下的NPN管一定为：I B、I C流入，I E流出工作在放大区的条件：NPN—— U C > U B > U E;PNP——U C V U B V U E ；发射结正偏，集电结反偏。
例：集成电路中没有三极管，是用三极管的一个结来代替，用哪个结？e结大)四、晶体管工作的三种组态【共射】对电压、电流都有放大倍数。
(C结漏电流五、晶体三极管特性曲线共射组态放大电路的特性曲线: *输入特性曲线（I-U BE ）U CEU BE 为一个正偏的PN 结，所以特性曲线和二极管的正向特性曲线相同 有: '^r "ll--÷.•输出特性曲线r z ⅛⅛■无电流放大倍数，有电压放大倍数无电压放大倍数，有电流放大倍数(I C jE )(U BE ：,； /,.I V )(I C--U CE)I B712因为三极管有三个电极，要想在二维坐标系上表示出三个变量之间的关系 是一族。
特点:截止区： i B = 0 ； i c = 0 ； U CE = U CC ；放大区：i c 受 i B 控制。
砖购2各条曲线近似水平， i c 和UCE的变化基本无关，呈近似恒流特性。
饱和区： i C 不受 i B 控制。
U CE = 0.3V六、晶体三极管的主要参数 1. 电流放大系数2. 极限参数β=β 1+ a*直流电流放大系数*交流短路电流放大系数*共基极接法电流放大系数特性曲线就得«集电极最大允许电流I C O M :-下降至正常值时候的0.707倍所对应的I C值・反向击穿电压BU CEO : 当基极开路时集电极和发射极之间的反向击穿电压 *集电极最大允许功耗P CM O3.三极管的输入电阻*共射电路的输入电阻:26mVBE结电阻:*共基极输入电阻:§1场效应管场效应管的特点：*场效应管只靠多子来导电。
它是单极型晶体管。
它只依靠一种载流子导电。
•三极管是靠多子、少子一起来导电的，又叫双极型晶体管。
它靠两种载流子导电。
・场效应管的导电途径：沟道一一利用外加电场改变半导体体电阻来进行工作。
（电场效应来工作。
）*输入阻抗十分高。
场效应管分类：结型场效应管、绝缘栅型场效应管。
一、结型场效应管1结构:N区为载流子的主要通道•N沟道。
Ξ Cθ G> D3.工作原理:靠U DG 和U SG 使两个PN 结全部反偏，使耗尽层加宽。
依靠反偏电压的强弱来控制耗尽层的宽 窄，（即改变半导体的体电阻）达到控制电流的作用。
VCCS并且应有U D > U S ，才能收集电子。
漏极D 和源极S ,可以互换着使用。
要求栅极G —定要反偏。
工作在放大状态时要求有：4. 输入特性：栅极电流就是PN 结的反向饱和电流。
它几乎不随电压变化。
5. ------------------------------- 输出特性曲线： 以U GS为参变量，描述I D和U DS之间的关系。
乙绝缘栅型场效应管 1 .结构：（以N 沟道为例）漏极2符号:N 沟道 P 沟道栅极 =LTF4fl-0 ⅛⅛⅛Z不饱村区IF ⅛**區增强型耗尽型N 沟道JlJ P 沟道J场效应管特性比较 P47 Tab 1-2 3原理：增强型：原始没有导电沟道，靠外加电压后形成反型层导电沟道要求必须给栅极G 加正向偏压。
耗尽型：原来已经有导电沟道存在（掺杂造成的），靠外加电压使沟道中的载流子耗尽。
所加栅极电压可正、可负。
正： 同增强型; 负： 同结型；第二章基本放大电路§ 2-1 晶体三极管基本放大电路、放大器的组成2.符号:有:U D > U G > U S1放大电路的功能和主要研究问题•什么是放大器：输出信号能量 >输入信号能量的器件。
（增大的能量是由电源提供的。
） ・放大器的要求：1能放大；2、不失真；•主要问题：产生失真的条件和如何减小失真； *主要指标是放大倍数：」Ui2、三种基本放大电路（三种组态） 三种组态：共射;要实现放大作用：必须满足发射结正偏，集电结反偏。
（ —U C > U B > U E ；PNP ——U C V U B V U E ；3、基本共射放大电路放大级的图解分析放大级的图解分析法是利用晶体管的特性曲线通过作图的方法来分析放大电路的基本性 能。
图解分析法的特点是一一直观。
2、 再分析有信号输入时的动态特性。