第四章 真空光电器件

合集下载

《光电子器件》笔记

《光电子器件》笔记

.光电子器件第一章1、光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比,即单位入射光功率作用下探测器输出信号电压或电流称为响应率 .光谱响应率( Rλ):光电器件在单色 (在波长λ附近一个很小的波长范围里 ) 辐射功率作用下产生的信号电压或信号电流。

du s di s R R u R i R( )dP dP R m——其中 Rm 为光谱响应率的最大值——光谱电压响应率和光谱电流响应率合并称为光谱响应率Rλ(单位: A/W )R R(λ )R m 1.0R i1.24光谱响应率及量子效率仅由器件的响应特性所决定,而与光源无关。

2. 器件的光谱响应与光源辐射功率谱密度紧密相关,它们之间的匹配系统α—称为器件与光源的光谱匹配系数,它反映了器件响应的波长范围同光源光谱的吻合程度。

在光源固定的情况下,面积 A1 是不变的 ,如果与曲线重合得愈多,面积 A2 愈大 , α愈大,也就是光谱匹配愈好;反之 ,如果两曲线没有重合之处,α =0,即二者完全失配 ,则该光电器件对光源辐射没有探测能力。

光谱匹配是选择光电子器件,如像管、光电倍增管、红外成像器件的材料的重要依据。

R( )P( )11A2R()P ( )A1A1A23.光电探测器输出的电流或电压在其平均值上下无规则的、随机的起伏,称为噪声。

噪声是物理过程所固有的,人为不可能消除。

它的计算是在足够长时间内求其平方平均或均方根。

.光电探测器的 噪声来源主要 有热噪声、散粒噪声、温度噪声、放大器噪声、频率噪声、复合噪声等。

Pu nPminu s u nR u当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率叫做最小可探测辐射功率,也叫做噪声等效功率 NEP 。

Pmin 越小,器件的探测能力越强。

对 Pmin 取倒数可作为衡量探测器探测能力的参数,称为探测率 。

研究指出 :探测率与器件的面积和工作带宽成反比。

4.光吸收厚度 :设入射光的强度为I0,入射到样品厚度为 x 处的光强度为 I ,则:I Iexα为线吸收系数,单位为( 1/cm )α大时,光吸收主要发生在材料的表层;α小时,光入射得深。

真空光电元件

真空光电元件

4.1光電陰極一、光電陰極的主要參數1.靈敏度(1)光照靈敏度(2)色光靈敏度(3)光譜靈敏度就是局部光譜區域的積分靈敏度。

它表示在某些特定的波長區,通常用特性已知的濾光片(藍色為QB24、紅色為HB11、紅外為HWB3)插入光路,然後測得的光電流與未插入濾光片時陰極所受光照的光通量之比。

根據插入濾光片的光譜透射比的不同(圖4-1),它又分別稱為藍光靈敏度、紅光靈敏度及紅外靈敏度。

2.量子效率量子效率和光譜靈敏度是一個物理量的兩種表示方法。

它們之間的關係如下(4.1):式中λ單位為nm;S(λ)為光譜靈敏度,單位為A/W。

3.光譜響應曲線光電陰極的光譜靈敏度或量子效率與入射輻射波長的關係曲線,稱為光譜響應曲線。

真空光電元件中的長波靈敏度極限,主要由光電陰極材料的截止波長決定。

4.熱電子發射光電陰極中有少數電子的熱能大於光電陰極游離能,因而產生熱電子發射。

室溫下典型陰極每秒每平方厘米發射二個數量級的電子,相當於10∼10Acm的電流密度。

這些熱發射電子會引起雜訊,限制著感測器的靈敏度極限。

二、銀氧銫(Ag-O-Cs)光電陰極銀氧銫陰極是最早出現的實用光電陰極。

目前,除了Ⅲ-Ⅴ族的光電陰極外,它仍然是在近紅外區具有使用價值的唯一陰極。

銀氧銫陰極是以Ag為基底,氧化銀為中間層,上面再有一層帶有過剩Cs原子及Ag原子的氧化銫,而表面由Cs原子組成,可用Ag−CsOAgCs-Cs的符號表示,如圖4-2⒜所示。

有一些光電元件也有不用氧化,而是用硫化,或以鹼金屬代替銫原子,目的都是希望得到高的響應率及合適的光譜響應範圍。

Ag-O-Cs光電陰極的光譜響應曲線如圖4-2⒝所示。

銻銫陰極的典型光譜響應曲線如圖4-3所示。

它在可見光的短波區和近紫外區(0.3∼0.45μm)響應度最高,其量子效率可達25%,截止波長在0.65μm附近;它的典型光照靈敏度達60μA/lm,比銀氧銫陰極高得多。

CsSb陰極的熱電子發射(約10A/cm)和疲勞特性均優於銀氧銫陰極,而且製造技術簡單,目前使用比較普遍。

《 光电检测技术 》教学大纲

《 光电检测技术 》教学大纲

《光电检测技术》教学大纲课程代码:课程中文名:光电检测技术课程英文名:课程类别:专业技术科适用专业:光伏材料应用、光伏发电应用、电子技术等专业课程学时: 48学时课程学分: 3学分一、课程的专业性质、地位和作用(目的)1、性质:必修2、地位:光电检测技术是光学与电子学技术相结合而产生的一门新型检测技术,它是利用电子技术对光学信息进行检测,并进一步传递、存储、控制、计算和显示。

光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法之一。

3、作用:通过本课程的教学,使学生了解和掌握各种光电器件的结构、工作原理、工作过程、工作特性及其基本的应用,培养学生通过了解器件的性能特点来搭建检测系统的能力,培养学生学习的能力和综合运用知识的能力,培养学生理论联系实际的学风和科学态度,提高学生的分析处理实际问题的能力,为以后的工作和学习打下基础。

二、教学内容、学时分配和教学的基本要求第一章光电检测应用中的基础知识6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0 学时1.1 辐射度学和光度学基本概念1.2 半导体基础知识1.3 基本概念1.4 光电探测器的噪声和特性参数重点:辐射度学和光度学基本概念难点:光电探测器的噪声和特性参数教学要求:本章介绍了光电检测应用中的基础知识,要求学生对基本概念有理解,进而掌握光电探测器的噪声及特性参数第二章光电检测中的常用光源3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时2.1 光源的特性参数2.2 热辐射源2.3 气体放电光源2.4 固体发光光源2.5 激光器重点:光源的特性参数难点:气体、固体发光光源和激光器的工作原理教学要求:本章要求学生掌握各种固体发光的工作原理及其应用第三章结型光电器件 6 学时,理论教学6 学时,实践或其他教学0学时3.1 结型光电器件工作原理3.2 硅光电池3.3 硅光电二极管和硅光电三极管3.4 结型光电器件的放大电路3.5 特殊结型光电二极管3.6 结型光电器件的应用举例——光电耦合器件重点:结型光电器件的工作原理;硅光电池的工作原理及特性;硅光电二极管和硅光电三极管的性能比较难点:结型光电器件的放大电路及应用举例——光电耦合器件教学要求:要求学生掌握硅光电池的工作原理;硅光电二极管和硅光电三极管的性能比较及结型光电器件的放大电路及应用——光电耦合器件第四章光电导器件6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时4.1光敏电阻的工作原理4.2 光敏电阻的主要性能参数4.3 光敏电阻的偏置电路和噪声4.4 光敏电阻的特点和应用重点:光敏电阻的工作原理和特性参数难点:光敏电阻的应用教学要求:要求学生掌握光敏电阻的工作原理及性能参数及光敏电阻的应用第五章真空光电器件3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时5.1 光电阴极5.2 光电管与光电倍增管5.3 光电倍增管的主要特性参数5.4 光电倍增管的供电和信号输出电路5.5 微通道板光电倍增管5.6 光电倍增管的应用重点:光电管与光电倍增管的工作原理、特性参数难点:光电倍增管的供电和信号输出电路及应用教学要求:要求学生掌握光电管与光电倍增管的工作原理、特性参数及实际应用第六章真空成像器件3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时6.1像管6.2常见像管6.3摄像管6.4光导靶和存储靶6.5摄像管的特性参数6.6摄像管的发展方向重点:像管与摄像管的工作原理难点:光导靶和存储靶的原理及摄像管的特性参数教学要求:要求学生掌握像管与摄像管的工作原理及特性参数第七章固体成像器6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时7.1 电荷耦合器件7.2 电荷耦合器件的分类7.3 CCD摄像机分类7.4 CCD的特性参数7.5 自扫描光电二极管阵列7.6 固体摄像器件的发展现状和应用重点:电荷耦合器件的工作原理;CCD的特性参数难点:自扫描光电二极管阵列教学要求:要求学生掌握CCD固体成像器件的工作原理第八章红外辐射与红外探测器6学时其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时8.1 红外辐射的基础知识8.2 红外探测器8.3 红外探测器的性能参数及使用中应注意的事项8.4 红外测温8.5 红外成像8.6 红外无损检测8.7 红外探测技术在军事上的应用重点:红外探测器的工作原理、性能参数及使用中应注意的事项难点:红外探测器的具体应用教学要求:要求学生掌握红外辐射的基础知识,并掌握红外探测器的各种具体应用第九章光导纤维与光纤传感器6学时其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时9.1 光导纤维基础知识9.2 光导纤维的应用9.3 光纤传感器的分类及构成9.4 功能型光纤传感器9.5 非功能型光纤传感器重点:光导纤维的基础知识及功能型光纤传感器的工作原理难点:非功能型光纤传感器的工作原理教学要求:要求学生掌握光导纤维的基础知识,并掌握光纤传感器的工作原理第十章太赫兹波的产生与检测3学时其中理论教学 3 学时,实践或其他教学0学时10.1 概述10.2 THz辐射光谱学10.3 THz辐射成像重点:THz辐射成像的原理难点:THz辐射成像的原理教学要求:要求学生掌握THz辐射成像的原理三、各章节教学课时分配表本课程各部分教学内容计划学时数分配如下:四、课程的考核办法和成绩评定:1、考试 2.笔试(闭卷)3.平时成绩比重:平时成绩(包括考勤、作业、答疑、课堂练习、课外实验、等)占30%4.期末成绩比重:卷面考试占70%。

光电检测作业题

光电检测作业题

光电检测考试题第一章光电检测应用中的基础知识1、分别解释光电导效应、光生伏特效应、光电发射效应。

答:(1)光电导效应:当半导体材料受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,导致材料的电导率增大。

(2)光生伏特效应:在PN结光伏器件中,当光投向P区时,在近表面层内激发出电子-空穴对,其中电子将扩散到PN 结区并被结电场拉到N区,同时空穴将进入P区,若P层的厚度小于电子的扩散长度,光子也可能穿透P区到达N区,激发出电子-空穴对,这些光生载流子被结电场分离后,空穴流入P区,电子流入N区,在结区两边参生势垒。

(3)光电发射效应:也称外光电效应,就是在光的作用下,物体内部的电子逸出物体表面向外表发射的现象。

2、光电探测器特性参数有哪些。

答:①响应率②光谱响应率③等效噪声率④探测率与比探测率⑤时间常数⑥线性⑦量子效率3、光电探测系统的噪声有哪几类。

答:可分三类:(1)光子噪声:①信号辐射产生的噪声②背景辐射产生的噪声;(2)探测器噪声:①热噪声②散粒噪声③产生-复合噪声④1/f噪声⑤温度噪声;(3)信号放大及处理电路噪声;4、光辐射探测器的几种噪声,并分别解释。

答:①热噪声:载流子热运动引起的电流起伏或电压起伏;②散粒噪声:随机起伏所形成的噪声;③产生-复合噪声:在外加电压下,电导率的起伏使输出电流中出现产生-复合噪声;④1/f噪声:噪声的功率谱近似与频率成反比;⑤温度噪声:由于器件本身温度变化引起的噪声。

5、如何合理选择光电探测器。

答:①根据待测光信号的大小,确定探测器的动态范围;②探测器和光源的光谱匹配;③须知道探测器的等效噪声功率,所产生电信号的信噪比;④测量调制或脉冲光信号时,要考虑探测器的响应时间或频率响应范围;⑤当测量的光信号幅值变化时,探测输出信号线性程度。

除此之外,还需考虑其稳定性、测量精度、测量方式等因素。

6、光电效应分为哪几种,分别解释。

答:光电效应分为内光电效应和外光电效应,内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

第4章 光电发射器件

第4章 光电发射器件
第4章 光电发射器件
光电发射器件是基于外光电效应的器件,它包括真空光电 光电发射器件是基于外光电效应的器件,它包括真空光电 二极管、光电倍增管、变像管、像增强器和 二极管、光电倍增管、变像管、像增强器和真空电子束摄像管 等器件。 等器件。 真空光电发射器件具有极高的灵敏度、快速响应等特点, 真空光电发射器件具有极高的灵敏度、快速响应等特点,它 极高的灵敏度 等特点 在微弱辐射的探测和快速弱辐射脉冲信息的捕捉等方面仍具有相 微弱辐射的探测和快速弱辐射脉冲信息的捕捉等方面仍具有相 脉冲信息的捕捉 当大的应用领地。 当大的应用领地。
13
36
4.3 光电倍增管的基本特性
1. 灵敏度 (1) 阴极灵敏度 光电倍增管阴极电流I 与入射光谱辐射通量之比, 光电倍增管阴极电流 k与入射光谱辐射通量之比, 称为阴极的光谱灵敏度, 称为阴极的光谱灵敏度,即:
Sk ,λ Ik = Φe,λ
(4-2)
若入射辐射为白光,则以阴极积分灵敏度, 若入射辐射为白光,则以阴极积分灵敏度,Ik与光 谱辐射通量的积分之比,记作S 谱辐射通量的积分之比,记作 k
Sk =


Ik Φ e,λ dλ
(4-3)
14
0
(2) 阳极灵敏度 光电倍增管阳极输出电流Ia与入射光谱辐射通量之 比称为阳极的光谱灵敏度, 比称为阳极的光谱灵敏度,即:
Sa ,λ
Ia = Φe, λ
(4-4)
若入射辐射为白光,则定义为阳极积分灵敏度,记为 若入射辐射为白光,则定义为阳极积分灵敏度,记为Sa
9
(1) 真空型光电管的工作原理 当入射光透过真空型光电管的入射窗照射到光电阴 极面上时,光电子就从阴极发射出去, 极面上时,光电子就从阴极发射出去,在阴极和阳极之 间形成的电场作用下,光电子在极间作加速运动, 间形成的电场作用下,光电子在极间作加速运动,被高 电位的阳极收集, 电位的阳极收集,其光电流的大小主要由阴极灵敏度和 入射辐射的强度决定。 入射辐射的强度决定。 (2) 充气型光电管的工作原理 光照产生的光电子在电场作用下运动, 光照产生的光电子在电场作用下运动,途中与惰性 气体原子碰撞而电离,电离又产生新电子, 气体原子碰撞而电离,电离又产生新电子,它与光电子 一起被阳极收集, 一起被阳极收集,形成数倍于真空型光电管的光电流 .

《真空光电器》课件

《真空光电器》课件

与气体光电器件相比,真空光电器件 具有更高的光电转换效率和能量利用 率,能够实现高效的光电转换和能量 转换。
与液体光电器件相比,真空光电器件 具有更长的使用寿命和更高的稳定性 ,能够在各种环境下稳定工作。
PART 04
真空光电器的制造工艺和 材料
REPORTING
真空光电器制造工艺流程
清洗与切割
如金、银、铜等,用于电极和导线的制作,提供良好的导电性能。
陶瓷材料
如氧化铝、氮化硅等,用于绝缘和支撑结构,提供良好的机械稳定 性。
真空光电器制造中的关键技术
真空技术
在制造过程中维持真空环境,确保光电器件的正常工作。
薄膜技术
通过物理或化学方法在材料表面形成均匀、连续的薄膜,是制造 光电器件的关键步骤。
对未来研究的建议
加强基础研究 深入研究真空光电器件的物理机 制、材料特性、工艺技术等方面 的知识,为器件性能的提升提供 理论支持。
加强国际合作与交流 积极参与国际学术交流与合作, 引进先进技术,提高我国在真空 光电器件领域的国际竞争力。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
创新材料与工艺 探索新型材料和工艺,以提高真 空光电器件的性能和稳定性,降 低制造成本,提高生产效率。
特点
高速度、低噪声、高可靠性、长寿命 等。
真空光电器的重要性
01
02
03
信息传输
真空光电器在高速光纤通 信网络中扮演着关键角色 ,能够实现高速、大容量 的信息传输。
信息处理
真空光电器具有高速并行 处理能力,能够用于高性 能计算、图像处理等领域 。
存储技术
真空光电器可以实现高密 度、快速读写的信息存储 ,对未来信息技术的发展 具有重要意义。
智能化与自动化

第4章真空光电器件

第4章真空光电器件

光电倍增管中的二次电子发射材料要求: ①在低的工作电压下具有大的二发射系数值; ②热电子发射小, ③在较高温度和较大的一次电子密度条件下, 发射系数保持稳定。 常用的倍增极材料有: ①复杂的半导体型②合金型③负电子亲和势型
(2)倍增极结构 根据电子轨迹的型式可分为两大类,即聚 焦型和非聚焦型。 凡是由前一倍增极来的电子被加速和会聚 在下一倍增极上,在两个倍增极之间可能发生 电子束交叉的结构休为聚焦型。 非聚焦型形成的电场只能使电子加速,电 子轨迹都是平行的。
4.阳极 它的作用是接收从末级倍增极发射出的二次 电子,通过引线向外输出电流。对于阳极 的结构要求具有较高的电子收集率,能承 受较大的电流密度,并且在阳极附近的空 间不致产生空间电荷效应。此外,阳极的 输出电容要小,即阳极与末级倍增极及与 其它倍增极间的电容要很小.因此目前阳 极广泛采用栅网状结构。
根据电子倍增极的结构形式,目前光电倍增管 分成六种形式, ①鼠笼式:适宜与光谱仪器的狭缝匹配,特点 是结构紧凑,时间响应快 ②直线聚焦式:是一种聚焦式结构,用于端窗 式光电倍增管,特点是时间响应很快,线性 好。 ③盒栅式:用于端窗式光电倍增管。其主要特 点是均匀性和稳定性较好,但时间响应稍慢 一些。
二次发射过程可以分三步来描述: ①材料吸收一次电子的能量,激发体内电子到 高能态,这些被激电子称为内二次电子。 ②内二次电子中初速指向表面的那一部分向表 面运动,在运动过程中因散射而损失能量; ③如果到达界面的内二次电子仍有足以克服表 面势垒的能量,即逸出表面成为二次电子。
当一次电子能量过大, 电子穿透材料的有效深度 增加;尽管激发的内二次 电子数有所增加,但许多 深层的内二次电子在逸出 过程中,由于碰撞散射面 损失能量,结果不能逸出, 反而使二次发射系数 减 少。

《真空光电器件》课件

《真空光电器件》课件

真空紫外光谱仪
真空紫外光谱仪利用真空光电器 件测量样品的紫外光谱特性,用 于化学和生物领域。
核辐射探测器
真空光电器件可以用于测量和监 测核辐射,保护人类免受辐射危 害。
六、真空光电器件的发展趋势
1
微型化
追求更小、更轻巧的器件,以适应不断缩小的电子设备。
2
多功能化
发展出具备多种功能的器件,实现多种工作模式和应用。
二次发射效应
二次发射效应使器件能够在光源暗时仍能产生电流。
热电发射效应
热电发射效应能够将热能转化为电能,实现电子的发射。
三、主要种类
1 光电倍增管
通过光电效应和二次发射效应实现强电流放 大。
2 光电倍增板
将光能转化为电子,然后通过二次发射效应 实现放大。
3 光电二极管
通过光电效应实现光电转换,产生电流。
《真空光电器件》PPT课 件
探索《真空光电器件》的神秘世界,了解其在现代科技中的应用以及未来的 发展趋势。
一、概述
真空光电器件是一类利用光电效应、二次发射效应和热电发射效应等原理运作的电子器件,在各个领域有着广 泛的应用。
二、真空光电器件的工作原理
光电效应
通过光电效应,光能转换为电能,产生电流。
4 光电导管
利用光电效应和二次发射效应实现光电转换 和放大。
四、真空光电器件的性能特点
灵敏度
真空光电器件具有高灵敏度, 能够在低光强条件下正常工 作。
稳定性
性能稳定,能够长时间稳定 工作。
可靠性
具有较高的可靠性和耐用性, 适用于各种极端环境。
五、应用案例
图像增强
真空光电器件广泛应用于夜视仪 器,提供清晰的图像增强效果。

第四章 光电成像器件

第四章   光电成像器件
固体化摄像器件 很高的空间分辨率 很高的光电灵敏度和大的动态范围 光敏元间距位臵精确,可获得很高的 定位和测量精度 信号与微机接口容易
电荷耦合器件(CCD)
CCD类型: 表面沟道CCD(SCCD):电荷包存储在半导体与 绝缘体之间的界面,并沿界面传输; 体沟道CCD(BCCD):电荷包存储在离半导体表 面一定深度的体内,并在半导体体内沿一定方向传 输——用离子注入方法改变转移沟道的结构,从而 使势能极小值脱离界面而进入衬底内部,形成体内 的转移沟道,避免了表面态的影响,使得该种器件 的转移效率高达99.999%以上,工作频率可高达 100MHz,且能做成大规模器件。 下面以表面沟道CCD为例介绍CCD基本原理

电荷耦合器件(Charge Coupled Device,即CCD) 互补金属氧化物半导体图像传感器(即CMOS) 电荷注入器件(Charge Injection Device,即CID)
4.3 电荷耦合器件
CCD(Charge Coupled Devices)
CCD图像传感器主要特点:
双列两相线阵CCD结构
光敏区:光敏二极管阵列,每个光敏元是一个像素。
转移栅:MOS电容构成,蔽光;控制光生电荷向移位寄存器转移。
移位寄存器:MOS电容构成,蔽光;控制光生电荷扫描移向输出端。
输出端:将光生电荷包转换为视频信号输出。
在Al电极上加驱动信号,MOS阵列使光生电荷包 自扫描输出。
输出端:输出栅OG;
进一步说明:
栅电极G
氧化层
P型半导体
耗尽区 浅势阱
反型层 深势阱
uG=0
uG<uth(MOS晶体管的开启电压)
uG>uth
电荷耦合器件工作在瞬态和深度耗尽状态

4.1真空成像器件

4.1真空成像器件

南京理工大学 何勇
光电成像器件 --真空光电器件
(三)、主要参数

1.光电特性
摄象管输出的光电流与入射的光照度之间的 函数关系常表示为
Ip=kEγ
Ip:光电流 γ:光照指数 E:照度 k:比例系数
由图可见,在光电转换特性中最重要的参量是γ。γ=1表示Ip与E成正比例关系, 这时,电视信号的灰度等级均匀。γ<1,电视信号有均匀的灰度畸变,但此时 在低照度下的灵敏度有相对的增加,高照度下的光电特性呈一定的饱和状态。γ =1有利于提高暗场时的信噪比,γ<l有利于扩展动态范围,γ>1是不适用的。
南京理工大学 何勇
光电成像器件 --真空光电器件

2.各部分的作用:
(1)光学物镜:把景物所反射的光成像到靶面上
(2)光电阴极:光电转换
(3)电子枪:产生热电子,并使它聚焦成很 细的电子射线,按着一定的轨迹扫描靶面。
南京理工大学 何勇

3.几种常见的视象管: (1)硅靶摄象管
光电成像器件 --真空光电器件
南京理工大学 何勇
光电成像器件 --真空光电器件
(二)基本原理
摄象管的工作原理是:先将输入的光学图象转 换成电荷图象,然后通过电荷的 积累和储存构成电 位图象,最后通过电子束扫描把电位图象读出,形成 视频信号输出。
南京理工大学 何勇
光电成像器件 --真空光电器件

摄象管具有三个基本功能:光电变换、光电信息的积累、储存及 扫描输出。当被摄景物的光学图象通过物镜投射到摄象管上时, 由于摄象管受照面的材料具有光导或光电发射作用,在摄象管的 靶面上(或光电阴极面上)就建立起与入射照度分布相对应的电位 起伏,这就完成了光电变换的功能,从电子枪发射出来的电子束 依次沿着靶面扫描,扫描线经过某一点(称为象素)的时间只占扫 描整个光敏面所需周期的极小部分(0.062μs),为了提高检测灵 敏度,每个象素在扫描周期内应不间断地对转换后的电量进行积 累,这时靶又起到了积累存储光电信息的功能,当电子束依次沿 着靶面扫描,将靶面的电位起伏顺序地转变成视频信号输出,就 完成了扫描输出的功能。

光电检测技术知识点

光电检测技术知识点

1、光电效应应按部位不同分为内光电效应和外光电效应,内光电效应包括〔光电导〕和〔光生伏特效应〕。

2、真空光电器件是一种基于〔外光电〕效应的器件,它包括〔光电管〕和〔光电倍增管〕。

结构特点是有一个真空管,其他元件都放在真空管中3、光电导器件是基于半导体材料的〔光电导〕效应制成的,最典型的光电导器件是〔光敏电阻〕。

4、硅光电二极管在反偏置条件下的工作模式为〔光电导〕,在零偏置条件下的工作模式为〔光生伏特模式〕。

5、变象管是一种能把各种〔不可见〕辐射图像转换成为可见光图像的真空光电成像器件。

6、固体成像器件〔CCD〕主要有两大类,一类是电荷耦合器件〔CCD〕,另一类是〔SSPD〕。

CCD电荷转移通道主要有:一是SCCD〔外表沟道电荷耦合器件〕是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面,并沿界面传输;二是BCCD称为体内沟道或埋沟道电荷耦合器件,电荷包存储在离半导体外表一定深度的体内,并沿着半导体内一定方向传输7、光电技术室〔光子技术〕和〔电子技术〕相结合而形成的一门技术。

8、场致发光有〔粉末、薄膜和结型三种形态。

9、常用的光电阴极有正电子亲合势光电阴极〔PEA〕和负电子亲合势光电阴极〔NEA〕,正电子亲和势材料光电阴极有哪些〔Ag-O-Cs,单碱锑化物,多碱锑化物〕。

10、根据衬底材料的不同,硅光电二极管可分为〔2DU〕型和〔2CU〕型两种。

11、像增强器是一种能把微弱图像增强到可以使人眼直接观察的真空光电成像器件,因此也称为〔微光管〕。

12、光导纤维简称光纤,光纤有〔纤芯〕、〔包层〕及〔外套〕组成。

13、光源按光波在时间,空间上的相位特征可分为〔相干〕和〔非相干〕光源。

14、光纤的色散有材料色散、〔波导色散〕和〔多模色散〕。

15、光纤面板按传像性能分为〔普通OFP〕、〔变放大率的锥形OFP〕和〔传递倒像的扭像器〕。

16、光纤的数值孔径表达式为,它是光纤的一个基本参数、它反映了光纤的〔集光〕能力,决定了能被传播的光束的半孔径角17、真空光电器件是基于〔外光电〕效应的光电探测器,他的结构特点是有一个〔真空管〕,其他元件都置于〔真空管〕。

真空光电管

真空光电管

真空光电管真空光电管是一种重要的电子元件,它在现代科技中起着重要的作用。

它是一种利用光电效应产生电流的器件,由于其独特的工作原理和特性,被广泛应用于通信、测量、控制等领域。

我们来了解一下真空光电管的结构和原理。

真空光电管由阴极、阳极和控制网格组成。

阴极是发射电子的地方,而阳极则用来收集电子。

控制网格可以用来调节电子的流动。

当光照射到阴极上时,光子会激发阴极上的电子,使其获得足够的能量,从而跨越能隙,逃离阴极并流向阳极,产生电流。

真空光电管的工作原理基于光电效应。

光电效应是指当光照射到金属或半导体表面时,会使金属或半导体中的电子获得足够的能量,从而跨越能隙,逃离原子束缚,形成自由电子。

这些自由电子可以被收集,并用来产生电流。

真空光电管利用了光电效应的这一特性,将光能转化为电能。

真空光电管具有许多优点。

首先,它具有高速响应和高灵敏度。

由于光电子的速度很快,真空光电管可以在极短的时间内响应光信号,并将其转换为电信号。

其次,它具有宽波长范围。

不同类型的真空光电管可以对不同波长的光进行检测和测量。

此外,真空光电管还具有较低的噪声和较高的信噪比,使其在高精度测量和通信系统中得到广泛应用。

在通信领域,真空光电管常用于光通信系统中的光接收器。

光接收器是将光信号转换为电信号的关键元件。

真空光电管通过将光信号转换为电流信号,实现了光与电的转换,从而实现了光信号的传输和接收。

在光纤通信系统中,真空光电管可以高效地接收光信号,并将其转换为电信号,然后通过电缆传输至目标设备。

在测量和控制领域,真空光电管也有着广泛的应用。

例如,在光谱仪中,真空光电管可以用来测量不同波长的光强度,并通过电信号输出结果。

在光电测量中,真空光电管可以用来测量光的强度、能量和频率等参数。

此外,真空光电管还可以用于光控制系统中,通过光信号控制电路的开关和调节。

尽管真空光电管在现代科技中已经被许多新型器件所取代,但它仍然在一些特殊领域中得到广泛应用。

第四章光电发射器件

第四章光电发射器件

§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极 ②倍增极结构 根据电子倍增极的结构形式,目前光电倍增管的倍增极分为 六种形式:鼠笼式、瓦片静电聚焦型、盒栅式、百叶窗式、近贴 栅式和微通道板式。
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
真空光电器件
光电管→被半导体器件取代 光电倍增管
特点:灵敏度高、稳定性好、响应速度快和噪声小
在探测微弱光信号及快速脉冲光信号方面应用很多。
缺点:结构复杂,工作电压高,体积大
本章内容
4.1 光电阴极 4.2 光电管和光电倍增管结构原理 4.3 光电倍增管的主要特性参数 4.4 光电倍增管的工作电路
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极 ②倍增极结构

A
鼠笼式

K
D8
D7
D6
D1
D2
D5
D4
D3
§4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理
二、光电倍增管(PMT,Photo Multiple Tube)
2、光电倍增管的结构 (3)电子倍增极
§4.1 光电发射阴极
光电发射阴极的主要作用是吸收光子能量发射光 电子,是我们光电效应发生的区域。 常将半导体发射材料涂于玻壳 内壁,构成光电阴极; 而阳极是金属环或者金属网, 在其对面。 光电阴极是完成光电转换的重要部件,其性能
好坏直接影响整个光电发射器件的性能!!!
§4.1 光电发射阴极
一、光电发射阴极的主要特性参数 1、灵敏度 光电发射阴极的灵敏度包括光谱灵敏度与积分灵敏度两类。

第四章 光电导器件wyzh

第四章 光电导器件wyzh

s UA q( P n ) L hvLA 光电导 U 结论:光敏电阻的光电流Ip与L的平方成反比 2 q ( P n ) s L hv
光电流
IP
U A U L
gP
三种量之间的关系-------I U U U A 0 A A I d I P L L L
18.7V U
umax
0.66 (mV)
2.光电导增益M
U A qAU nn pp qNU Ip 2 ( n n + p p ) L L L
n g ' n g为单位时间单位体积内电子空穴对的产生率
M
它表示长度为L的光电导体两端加上电压以后,由光照产生的光 生载流子在电场作用下所形成的外部光电流与光电子形成的 内部电流(qN)之间的比值。 光敏电阻电子增益系数、空穴增益系数 L vt I U U U
光敏电阻实物图
三种结构形式
梳型结构 在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽,在 槽内填入黄金或石墨等导电物质,在表面再敷上一层 光敏材料。即两个梳型电极之间为光敏电阻材料。如 图所示。由于两个梳型电极靠的很近,电极间距很小
三种结构形式 蛇形结构 如图,光敏面(光电导材料)制成蛇形,光电 导两侧为金属导电材料,并在其上设置电极。这种光 敏电阻的电极间距(为蛇形材料的宽度)也很小。
三种结构形式 刻线结构 在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔,将其刻划 成栅状槽,然后在槽内填入光敏电阻材料层后制成。 其结构如下图所示(侧向图)。
4.2 光敏电阻的主要的特性参数
常用“0LX”表示 暗电阻:光敏电阻在室温条件下,在全暗时的电阻值 暗电导:光敏电阻在室温条件下,在全暗时的电导

第四章-光电导器件要点

第四章-光电导器件要点

光生载流子不断的产生也不断的复合
设光生载流子的平均寿命为τ,当光敏电阻接收到的辐射通量为 фs,光敏电阻的体积为V,量子效率为η,
n p 则光生载流子的浓度为:
s
hvV g 载流子产生率
设电场强度为Ex,则光电流密度为:
J Ex ExqP(b1) hsvV
光照增加时,光敏电阻的电导率增大,相应的光电流 了增大
是最常见的一种噪声形式.
1/f 噪声:
----这类噪声的大小与频率成反比,因此 而得名,它的产生与器件的杂质和工艺缺 陷有关,但原因比较复杂.
int2
4KTf
R
inf 2
cI f
f
4.4 光敏电阻的特点和应用
4.4.1 光敏电阻的特点
与结型光电器件相比,光敏电阻具有以下特点:
(1) 产生光电变换的部位不同。光敏电阻是任何部位均 可, 位结型光电器件是结区附近 (2)光敏电阻没极性 (3)光敏电阻时间常数大,频率相应较差 (4)有些结型光电器件可以有放大功能,所以输出较大, 而光敏电阻没有放大功能
4.4.2 使用时的注意事项
①…… ②…… ③…… ④…… ⑤…… ⑥…… ⑦……
4.4.3 常见光敏电阻
1. 硫化镉(CdS)光敏电阻 峰值波长:0.52μm,掺入微量铜或氯可以峰值波长变长 亮暗电导比可达1011,一般为106
2. 硫化铅(PbS)光敏电阻 在近红外波段比较灵敏,响应波长可达3μm,峰值探测率 Dλ*=1.5*1011cm.Hz1/2/W, 但响应时间长,200~300 μs
暗电导: gd
0
A L
暗电流:Id gdU
亮电导: g A
亮电流: I gU
L
光电导:
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
d
d
L

15 i
A RL
0.15lx 0.10lx 0.05lx 0lx 0 100 200 U/V V
10 5
u
GD K V
真空光电管的偏置电路
真空光电管的负载曲线图
充气光电管: 没有饱和区,由图可知,阳极电压很低时,管内的 气体没有电离放大作用,阳极电流很小。 随着阳极电压的升高,管内气体开始电离,阳极电 流迅速增大。
A
K
充气光电管 工作原理
就充气光电管而言需注意的问题: 气体性质:有良好的化学性质 气体压力:零点几至几千兆范围内 放大倍数:用M表示,阳极输出的光电流IA与 阴极光电发射电流IK之比 即
分类
按光电阴极材料分 a、锑铯型 b、银氧铯型 c、锑钾钠铯型 按照光电阴极与阳极位臵不同及形状不同可 分为 a、中心阴极型 b、中心阳极型 c、半圆柱面阴极型 d、平行平板电极型
稳定性
光电管具有良好的短期稳定性 若连续使用光电管,其灵敏度有下降的趋势,特别 是在强光照射下更是如此 1、开始时灵敏度下降快,后来较慢,最后几乎保 持不变,趋于稳定。 2、若把使用过的管子在黑暗环境中放臵一段时间 后,其灵敏度可部分或全部得到恢复,这称为光电 管的疲乏;若不能恢复,称为光电管的衰老。 光电管的时间稳定性取决于光电阴极的疲乏与衰老 程度。即光电管的寿命同光电阴极的寿命一致。它 与光电阴极的种类,照射光的强弱,入射光的波长 有关。
A
K
半圆柱面阴极型
优点:极间电场均匀, 光电子的运动轨迹为直 线型,管子能承受较大 的工作电流,并能保持 良好的的光电线性,收 集率高,接受光通量大
K A
平行平板电极型
主要特性
光照特性 伏安特性 频率特性 稳定性 暗电流与噪声
光照特性
I
曲线1、2、3是对真 空光电管而言的 曲线4、5、6则是充 气光电管情况。 不论那一种情况,光 电流与光通量在一定 范围内呈直线关系, 通常将与直线部分相 对应的光照量范围称 为光电管的动态范围。
各种倍增极的结构形式
a) 百叶窗式 b) 盒栅式 c) 直瓦片式 d) 圆瓦片式
4、电子倍增系统
倍增极结构形式 聚 焦 型 特点
直瓦片式 圆瓦片式
极间电子渡越时间散差小,但绝缘支架可能 积累电荷而影响电子光学系统的稳定性。 结构紧凑,体积小,但灵敏度的均匀性差些。
工作面积大,与大面积光电阴极配合可制成 探测弱光的倍增管,但极间电压高时,有 的电子可能越级穿过,收集率较低,渡越 时间零散较大。 收集率较高(可达95%),结构紧凑,但极 间电子渡越时间零散较大。
I 6 25 20 15 10 5 5
4
3 2 1
P(lm)
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
充气光电管4、5、6: 内阳极电流与光照之间没有严格的线性关 系,因为其阳极电流不仅取决于阴极发射的 光电子,还有气体电离的电子及离子。 只有在一定条件下,一定的光强范围内, 阳极电流与光照之间才有线性关系。
3、暗电流
(1)光电阴极和倍增极的热电子发射。此为 主要暗电流。实际使用时尽量降低光电阴极的 工作温度。 (2)极间漏电流 由于各级绝缘强度不够、极间灰尘放电。 措施:尽量保持各电极间的清洁、干燥。
(3)离子和光的反馈作用 受抽真空技术的限制,残余气体与运动 电子碰撞电离,电离的电子经放大形成电流。 当离子打到管壁上产生荧光反射到阴极造成 光反馈。 措施:采用管外导电层及金属屏蔽罩。 (4)场致发射 电极上的尖端、棱角、粗糙边缘在高压 下产生的电子发射。 措施:选择合适的极间电压。
按照接收光辐射的形式又有反射型和 透射型光电管之分。
工作原理
正离子 电子
A
A
K
K
真空光电管工作原理
充气光电管工作原理
工作原理
当入射光线透过光窗照射到光电 阴极K上时,光电子就从光电阴极 发射到真空中。 在电场的作用下,光电子在极间 做加速运动,最后这些电子被具有 极高电位的阳极所接受。 在阳极电路中可以测出光电流的数 值,光电流的大小主要取决于光照 强度与光电阴极的灵敏度。
K
端窗式
2、光电阴极
把光电发射体镀在金属后透明材料上即可制 成,起着在光照情况下发射光电子的作用 a 、银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极 红外探测,暗电流大,稳定性差,易疲劳及 老化 b、单碱锑化物光电阴极 与a比较而言,暗电流小,疲劳及老化程度 小些
c、多碱锑化物光电阴极 耐高温,暗电流、疲劳及老化都小但 工艺复杂,成本高 d、负电子亲和势光电阴极(NEA) 低反射性,高量子效率,暗电流小, 但工艺复杂,成本高
A
K
真空光电管工 作原理
由于管壳内装有增益气体,光 电阴极发射出来的光电子在电场 作用下向阳极做加速运动,途中 和气体原子发生碰撞,形成电子 和正离子。 电离出来的电子在电场作用下 与光电子一起再次使气体原子电 离,如此反复,使得电子数目增 多,从而有效地增加了电流值, 同时正离子也在同一电场作用下, 向阴极运动,形成离子电流,其 数值与电子电流相当。这样,在 阳极电路内就形成了数倍于真空 光电管的光电流。
A u
GD K V RL
u V iRL
光电管的偏臵电路
真空光电管: 其伏安特性总会出现饱和区,当阳极电压为 50-100伏时,所有的光电子都到达阳极,电压再 增高,光电流不再增大,光电流开始出现饱和现 象。 光电管通常都是工作在饱和区内,也就是说, 偏臵电压要高于50-100伏。
I/μA 15 10 5 0.15lx 0.10lx 0.05lx
第四章 真空光电器件
4.1光电管
4.2光电倍增管
4.1 光电管
一、概述 二、工作原理 三、分类 四、主要特性 五、注意事项
概述
光电管是依据光电发射效应而工作的一种光电 探测器。其结构原理和偏臵电路如图所示,主 要由发射光电子的光阴极K、收集电子的阳极A 和管壳组成。

阳极 A
A u 阴极 K 光 反射型 透射型 GD K V RL
I/μA
0.31lm
10
0.21lm
0.011lm
5
0 U/V 0 100 200 300
不同光通量的伏安特性
频率特性
光电管的频率特性指光电流与入射光频率 之间的关系曲线,频率特性的好坏取决于载 流子渡越时间,极间电容,光子结构,工作 电压及负载电阻。 充气光电管的惰性比真空光电管的大,充气 光电管的频率特性不如真空光电管 原因:气体正离子的质量远大于电子,它 在极间的渡越时间比电子长的多.
暗电流与噪声
暗电流是不可避免的,尤其在室温低照度条件下, 尤其对真空光电管而言,限制了对弱光的正确测量。 因此在弱光检测中应尽量使它工作在温度低的状态。 光电管的暗电流主要是由极间漏电及阴极热发射 所引起的。 充气光电管比真空光电管的噪声大,由于热发射 电流也参与气体电离放大的作用,所以会形成较大 的热发射噪声;组成阳极电流的正离子的散粒噪声 也比较大的缘故。
优点:阳极收集率高 缺点:光电阴极面小,受 光面积有限,接受的光通 量小 适用于低照度下测量光电 子的初速度
K
A
光窗 透明的导电膜 K
不透明的金属层
中心阴极型
优点:受光面积大,电子在 极间的渡越时间一致,极间 电容小,频率特性好 缺点:阳极收集率低
A
中心阳极型
优点:有利于增加极间的 绝缘性,降低漏电 缺点:电子运动轨迹较乱
6 25 20 15 10 5 0 0.2 0.4
5 4 3 2
1
P(lm)
0.6 0.8 1
真空光电管1,2,3: 1、弱光照射下,可保 持光电线性关系,但会受 到暗电流及暗电流的涨落 所引起的噪声的限制; 2、强光照射下,往往 发生线性偏离,这主要是 因为阴极发射过程产生光 电疲乏,层内补充电子困 难,且电流大时层内会产 生较大的电压降,影响阳 极对饱和光电流的接受。
4、噪声
主要有散粒噪声和负载电阻的热噪声。 1、散粒噪声 2 2 inA 2eik fM 1 原因:光电阴极光电发射的随机性;倍增极 二次电子发射的随机性 措施:精心设计,正确使用可以消除 2、负载电阻的热噪声(主要噪声) 4kTf 2 inT 总的噪声电流为: RL
i
2 nA
0lx 0 100 200
U/V
不同光通量的伏安特性
无光照时 当光照功率P=0时,电流i并不为零,称为暗电流。这 说明,光电管并不呈开路状态,而具有暗电阻Rd。 u 1 R 1 i tan g tan 所以光电管的暗电导g为: R 因为g值通常是很小的,所以Rd是很大的值. 通常说光电管是个高内阻元件。 V/R I/μA
3、电子光学系统
概念:光电阴 极至第一倍增 极之间的区域
收集率高 渡越时间一致
从阴极中心和边缘 所发射的光电子到 达第一倍增极时所 经历的时间差
K
1 2带孔膜片 3第一倍增 极
与光电阴极同 电位的金属筒 或镀在玻璃壳 上的金属导电 层
电子光学系统结构图
4、电子倍增系统
聚焦型:不是指使电子束会聚于一点,而是指电子从 前一级倍增极飞向后一级倍增极时,在两电极间的电子 运动轨迹,可能有交叉。 非聚焦:在两电极间的电子运动轨迹是平行的。只对 前一倍增级有加速。
注意事项
光电管不使用时,应存放在黑盒内,使 用时要求均匀照射光阴极,不允许集中照 射光阴极一小部分。 环境温度要求保持在10—45º C之间。
4.2光电倍增管
光电倍增管
一、工作原理 二、结构组成 三、主要性能及参数 四、PMT的光电特性 五、选择PMT考虑的因素
φ
一、PMT的工作原理
D1 D3 A
D2 K
D4
PMT的工作原理图
φ
K D1 D2 D3 Dn
相关文档
最新文档