TI--M4内部EEPROM详解
TI Cortex-M4开发板用户手册
JSW-M4EVB德州仪器(TI) ARM Cortex-M4处理器全系列开发板用户手册VER：01Date：2011/10/20深圳市捷恩斯威科技有限公司地址：深圳市福田区车公庙都市阳光名苑2座20E目录第1章功能简介 (1)1.1概述 (1)1.1.1芯片功能特点 (2)1.2JSW-M4EVB硬件资源 (3)1.3JSW-M4EVB 外围电路 (3)1.3.1LED灯； (4)1.3.2数码管显示； (4)1.3.3独立按键； (4)1.3.4ADC 采样 (4)1.3.5RS-232通信 (4)1.3.6RS-485通信 (4)1.3.7蜂鸣器 (4)1.3.8SD 卡读写（与外部Flash共用SPI总线） (4)1.3.9带电气隔离的CAN 接口 (4)1.3.10USB 接口（支持host/device） (4)1.4JSW-M4EVB软件资源 (5)第2章软件开发 (6)2.1安装TI工具StellarisWare软件包 (6)2.2基于Keil Realview MDK 开发入门 (6)2.2.1安装Keil Realview MDK 工具 (6)2.2.2在Keil中新建工程 (6)第1章功能简介1.1 概述JSW-M4EVB是由深圳市捷恩斯威科技有限公司开发的一款性价比极高的开发工具。
核心MCU 是德州仪器（TI）公司的Stellaris（群星）系列ARM Cortex-M4F芯片。
该芯片采用的是国际上最优秀的MCU内核设计公司ARM 最新推出的先进Cortex™-M4 处理器。
JSW-M4EVB是由外设板（底板）与MCU PACK板组合而成，标准版配套LM4F232H5QD PACK板，用户可根据需要另选择Stellaris系列任何一款其它型号芯片PACK 板。
JSW-M4EVB功能结构模块如下图；图 1.1 功能结构注：深色部分为底板预留接口1.1.1芯片功能特点•32 位处理器―32 位ARM Cortex-M4F内核，业界领先的65nm制作工艺；―兼容Thumb 和Thumb-2 指令集提高代码密度；―80MHz 运行频率，1.25DMIPS/MHz；―内核自带浮点运算单元(FPU)；―快速可嵌套中断，6～12 个时钟周期；―具有MPU 保护设定访问规则；―256KB 单周期Flash，32KB 单周期SRAM，内部2KB EEPROM；―支持非对齐数据访问，有效地压缩数据到内存；―支持位操作，最大限度使用内存，并提供创新的外设控制；―内置24 位系统节拍定时器，方便操作系统移植；―ROM 固化了软件驱动库、启动代码、CRC 和高级加密表等，可实现串行接口加载Flash 程序以及程序加密。
EEPROM简介演示
EEPROM在智能家居中心设备中用于存储场景设置、设备联动规则、语音助手配置等。 这些设置可以实现智能家居设备的智能化、自动化和互联互通。
医疗器械
医疗设备配置
EEPROM在医疗设备中用于存储设备配置参数，如输液泵流速设置、呼吸机潮气量设定、心电监护仪导联配置等。这 些配置参数对于设备的正常运行和治疗效果至关重要。
并行EEPROM使用并行接口 进行数据传输，它提供了更
高的读取和写入速度。
SPI（Serial Peripheral Interface）EEPROM是一种 使用SPI接口进行通信的串行 EEPROM，它具有高速和简
单的特点。
I2C（Inter-Integrated Circuit）EEPROM是一种使 用I2C接口进行通信的串行 EEPROM，它适用于多设备
EEPROM市场发展趋势
技术创新
随着技术的不断发展，EEPROM 在存储容量、读写速度、耐久性 等方面将持续提升，满足更多应
用场景的需求。
环保趋势
环保成为全球电子产业的重要议 题，EEPROM厂商将更加注重产 品的环保性能，推广无铅、低功
耗等环保型EEPROM产品。
市场拓展
随着物联网、智能家居、汽车电 子等新兴市场的崛起，EEPROM 将在更多领域得到应用，市场空
通信和长距离传输。
02
EEPROM的特点和优势
可重复编程
灵活性高
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）可被多次编程和擦除， 使得其在存储器应用中具有很高的灵 活性。
无需外部编程器
与一次性可编程（OTP）存储器相比 ，EEPROM无需外部编程器进行编程 操作，进一步降低了开发和生产成本 。
eeprom读写程序详解
eeprom读写程序详解EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 是一种可编程只读存储器，可以在电信号的作用下进行擦写和改写。
它通常用于存储单片机或其他嵌入式系统中的数据、设置参数、配置文件等。
对于 EEPROM 的读写程序，需要考虑以下几个方面:1. 读操作:读操作通常包括以下步骤:- 等待上次读操作完成。
- 获取要读取的数据的单元地址。
- 将 EEPGD 位和 CFGS 位清零。
- 启动读操作控制位 RD。
- 等待本次读操作完成。
- 将该单元地址中对应的数据返回。
在读取 EEPROM 数据时，为了避免芯片在一瞬间无法获取到数据，需要给芯片一定的时间来稳定获取数据。
因此，在读取操作中需要加入等待步骤。
2. 写操作:写操作通常包括以下步骤:- 等待上次写操作完成。
- 获取要写的数据的单元地址。
- 将要写的数据写入 EEPROM 的单元中。
- 将 EEPGD 位和 CFGS 位清零。
- 启动写操作控制位 WP。
- 等待写操作完成。
在写操作中，为了确保数据的可靠性，需要将要写的数据写入EEPROM 的单元中，并等待写操作完成。
同时，在写操作过程中，需要注意避免对无关的单元进行写操作，以免损坏 EEPROM 芯片。
3. 中断处理:在 EEPROM 的读写操作中，通常需要加入中断处理机制，以便在读写过程中及时响应和处理异常情况。
例如，在读取 EEPROM 数据时，如果 EEPROM 芯片出现故障，可能会导致读取失败。
为了避免这种情况，可以在读取操作中加入中断处理机制，在读取失败时及时报警或采取相应的应对措施。
总之，EEPROM 读写程序的实现需要考虑多个方面的因素，包括读操作、写操作、中断处理等。
同时，需要考虑 EEPROM 芯片的特性和限制，以便实现高效、稳定、可靠的 EEPROM 读写操作。
Cortex-M4的寄存器组
Cortex-M4为32位处理器内核。
该处理器包含以下32位寄存器：●13个通用寄存器（r0-r12）●堆栈指针（SP），别名为“banked”寄存器。
主堆栈指针SP_main和进程堆栈指针SP_process。
●连接寄存器LR（r14）●程序计数寄存器(PC), r15●特殊功能程序状态寄存器（xPSR）下图给出了Cortex-M4处理器的寄存器组：图Cortex-M4处理器的寄存器组1.R0‐R12是最具“通用目的”的32位通用寄存器，用于数据操作。
大部分能够访问通用寄存器的指令都可以访问r0-r12。
其中：✓低组寄存器（r0-r7）能够被所有访问通用寄存器的指令访问。
✓高组寄存器（r8-r12）能够被所有32位通用寄存器指令访问，而不能被所有的16位指令访问。
2.寄存器r13、r14和r15具有以下特殊功能：✓堆栈指针——寄存器r13被用作堆栈指针（SP）。
堆栈指针用于访问堆栈，因为SP忽略写入到[1:0]位（即最低两位永远是0），则堆栈是按照字对齐（4个字节对齐）。
主堆栈指针SP_main是复位后缺省使用的堆栈指针，用于操作系统内核以及异常处理例程（包括中断服务例程）。
“Handler”模式总是使用SP_main主堆栈指针，但是你也可以配置成“Thread”模式来使用SP_main主堆栈指针或者SP_process进程堆栈指针。
✓连接寄存器——寄存器r14为子程序连接寄存器（LR）。
当一个Branch and Link (BL) 或Branch and Link with Exchange (BLX)指令被执行后，LR从PC获取返回地址。
LR也被用于异常返回。
在其他情况下，你可以把r14当做一个通用寄存器。
✓程序计数寄存器——寄存器r15是程序计数寄存器（PC）。
指向当前的程序地址。
如果修改它的值，就能改变程序的执行流（很多高级技巧隐藏其中）。
该寄存器的[0]位永远为0，则指令总是按照字对齐或者半字对齐。
什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解
什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。
不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。
在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPR OM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。
一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。
EEPROM-背景知识在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
RO M是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解
什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。
不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。
在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPR OM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。
一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。
EEPROM-背景知识在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
RO M是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EEPROM原理与应用资料
置数据、单板重要信息等场合，这种场合的要求是：数据存储量比
较少、访问速率要求不高、掉电后数据不丢失。因此EEPROM， 特别是串行EEPROM是最佳选择，它还能节省单板的空间，我们 公司用的都是串行EEPROM。串行EEPROM按照硬件接口的不同
可以分为两种：
1、I2C接口EEPROM； 2、SPI接口EEPROM。 以下对这两种串行EEPROM分开来做介绍。
电电压支持的最高时钟频率也不同，电压越高支持的时钟频率也越高。I2C接
口EEPROM支持的最高时钟频率一般为100KHz～400KHz。 ◆GND为地管脚。
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I2C接口EEPROM操作分析
控制字节格式
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I2C接口EEPROM管脚说明
8PIN的I2C接口EEPROM的管脚图如图所示：
8PIN的I2C接口EEPROM管脚
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I2C接口EEPROM操作分析
I2C接口EEPROM传输控制字节格式见上图。
◆S：开始传输指示。
◆Control Code：所有I2C接口EEPROM统一的控制码，4位组成“1010” 。 ◆Chip Select Bits：EEPROM地址识别位，3位组成A[2:0]，分别对应器 件管脚A[2:0]的输入电平，当Master器件的I2C总线上挂接多片 EEPROM时，可以由此做片选。但是有的EEPROM A[2:0]这3个管脚未 用或者用了1～2个，那么此处地址识别位中，多余的位可以用来做
eeprom擦写原理
eeprom擦写原理引言EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，它允许数据在电源断开后仍能保持。
EEPROM可以被擦写和重新编程，使其在各种应用中都具有广泛的用途。
EEPROM的基本结构和概念EEPROM由一个存储单元阵列组成，每个单元都由一个MOSFET晶体管和一个电介质电容组成。
晶体管用于读取和写入数据，电容则用于存储电荷。
EEPROM存储单元的基本结构类似于一个小的容器，可以存储一个位或一个字节的数据。
每个存储单元都有一个唯一的地址，通过地址可以访问和修改其中的数据。
EEPROM的擦写原理EEPROM的擦写原理是通过对存储单元中的电荷进行改变来实现的。
当需要擦除一个存储单元时，EEPROM会将单元中的电荷重新排列或移除，从而恢复到初始状态。
下面是EEPROM的擦写原理简化步骤：1.首先，将EEPROM上的一行数据选择线和字节选择线设为逻辑高电平，以选择要擦除的存储单元。
2.将擦除线设为逻辑低电平，将所选存储单元中的电荷引到Vcc线，导致存储单元的电容电压上升。
3.经过一段时间，电容中的电荷逐渐消失，达到擦除的目的。
4.最后，将擦除线设为逻辑高电平，停止擦除过程。
EEPROM的写入原理EEPROM的写入原理与擦除原理类似，但是写入操作需要将存储单元中的电荷重新排列或添加。
下面是EEPROM的写入原理简化步骤：1.首先，将EEPROM上的一行数据选择线和字节选择线设为逻辑高电平，以选择要写入数据的存储单元。
2.将写使能线设为逻辑低电平，以激活写入操作。
3.将数据线上的数据引入所选存储单元，改变电容的电荷分布。
4.最后，将写使能线设为逻辑高电平，停止写入操作。
EEPROM的擦写和写入速度EEPROM的擦写和写入速度相对较慢。
这是因为在操作存储单元时，需要对其进行逐个的选择和操作，并且擦写操作需要更长的时间来移除或添加电荷。
ti的eeprom单元结构
ti的eeprom单元结构EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦写可编程只读存储器，它是一种非易失性存储器，可以在电源关闭后保持数据内容。
EEPROM存储器的单元结构是由晶体管和电容器组成的存储单元。
下面将详细介绍EEPROM的单元结构。
EEPROM的存储单元结构通常包含一个晶体管和一个电容器。
晶体管可用于控制电容器的充放电过程，从而实现数据的存储和读取。
具体来说，晶体管的栅极（Gate）连接到控制线（Word Line），源极（Source）连接到电源电压（Vcc），漏极（Drain）连接到电容器的上/下干燥电极。
电容器的两个侧端分别连接到电源或地。
在写入时，控制线上会施加一个较高的电压，这会使控制线和源极之间形成一个电场。
当控制线和源极之间的电压超过晶体管的通道阈值电压时，晶体管会导通，形成一个通道，电容器的上/下干燥电极之间会充电或放电。
当电容器的上干燥电极带电时，代表存储锁仓为“0”，而当下干燥电极带电时，代表存储锁仓为“1”。
在读取时，控制线上施加较低的电压，电容器的上/下干燥电极的电势差不足以产生晶体管导通的电场。
此时，如果电容器上有电荷，则晶体管不会导通，如果电容器上没有电荷，则晶体管将导通。
通过检测晶体管的导通情况，便可读取存储在电容器中的数据。
值得注意的是，EEPROM的擦除操作与其他闪存技术（如Flash存储器）稍有不同。
在EEPROM中，擦除是以单个字节进行的，而不是以块或扇区为单位。
每个字节都有专门的擦除电路，通过将电容器充满电并排空电来清除字节中的数据。
除了基本的EEPROM单元结构，还有一些改进的EEPROM技术，如NOR Flash 和NAND Flash。
NOR Flash使用了更复杂的结构，其中每个存储单元都由一个晶体管和两个电容器组成。
这种结构提高了存储单元的密度，但读写速度相对较慢。
EEPROM原理与应用
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EEPROM原理与应用
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目 录
• EEPROM基本概念与原理 • EEPROM类型及性能参数 • EEPROM在嵌入式系统中的应用 • EEPROM在通信协议中的应用 • EEPROM编程实践指导 • EEPROM市场前景及发展趋势
系统升级与维护
在嵌入式系统中，EEPROM可用于存储固件程序或升级文件。当系统需要升级或维护时 ，微控制器可以从EEPROM中读取相应的文件并执行相应的操作，从而实现对系统的更 新和维护。
PART 05
EEPROM编程实践指导
开发环境搭建与工具准备
硬件准备
01
选择合适的EEPROM芯片，并准备好相应的开发板和连接线。
注意EEPROM的工作电压、工 作温度和封装等参数，确保与 实际应用环境相匹配。
PART 03
EEPROM在嵌入式系统 中的应用
数据存储与读取功能实现
01
02
03
非易失性存储
EEPROM可在断电后保留 数据，适用于需要长期保 存的数据。
读写操作
EEPROM支持按字节或按 页进行读写操作，方便灵 活。
数据保持时间指的是在规定的温度范围内 ，EEPROM中的数据可以保持不丢失的最 长时间。
选型注意事项
根据应用需求选择合适的 EEPROM类型，例如串行或并
行EEPROM。
根据存储容量需求选择合适的 EEPROM芯片，确保足够的存
储空间。
考虑EEPROM的擦写次数和写 入速度等性能参数，以满足应 用要求。
eeprom单元结构
eeprom单元结构EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种主要用于存储数据的电子器件。
它的存储过程是通过电流的方式来擦除和编程，相比于传统的ROM（Read-Only Memory），EEPROM具有可重写的特点，因此被广泛应用于各种电子设备中。
EEPROM的单元结构由位（Bit）和字节（Byte）组成。
在EEPROM 中，位是最小的存储单元，表示二进制的0或1。
而字节则是由8个位组成，可以存储一个字符或者一个整数。
每个EEPROM芯片都由多个单元组成，每个单元都有一个唯一的地址，通过这个地址可以定位到特定的存储单元。
在EEPROM中，单元的地址从0开始递增，可以分别读取和写入每个单元中存储的数据。
在使用EEPROM之前，需要先对其进行擦除操作。
擦除操作会将存储单元中的数据全部清空，使其恢复到初始状态，以便进行后续的编程操作。
在擦除完成后，可以对特定的单元进行编程，将所需的数据存储到相应的位置。
编程操作是通过向EEPROM芯片中写入电流来实现的。
编程时，需要指定一个地址，并将要存储的数据发送给芯片。
芯片会将数据写入到指定地址的存储单元中，从而完成编程操作。
读取操作则是相反的过程，通过指定地址，可以从EEPROM中读取相应的数据。
需要注意的是，EEPROM的写入操作通常比读取操作慢很多。
因为编程操作需要对存储单元进行改变，而读取操作只是简单地读取存储单元中的数据。
因此，在实际应用中，需要根据具体需求来选择合适的读取和编程速度。
总之，EEPROM的单元结构是由位和字节组成的，每个单元具有唯一的地址，可以进行读取和编程操作。
它是一种可重写的存储器，广泛应用于各种电子设备中。
在实际使用过程中，需要注意编程操作的速度和数据的读取。
通过合理使用EEPROM，可以实现数据的存储和读取，为电子设备的功能提供支持。
ti的eeprom单元结构 -回复
ti的eeprom单元结构-回复EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)单元结构是存储数据的关键硬件部分。
在本文中，我将详细介绍EEPROM 单元结构的各个方面，并阐述其工作原理和用途。
假设读者具有一定的电子技术和计算机科学背景知识。
第一部分：EEPROM概述在开始深入了解EEPROM单元结构之前，我们先来了解一下EEPROM的概念和基本工作原理。
EEPROM可以存储数据，而且允许随时擦除和重新编程，这使得它在许多应用中非常有用。
它通常用于存储系统配置数据、固件更新、校准数据等。
第二部分：EEPROM基本结构EEPROM由一系列字节单元组成，每个字节单元包含一个存储位。
每个位可以存储两个不同的电荷状态，分别代表“0”和“1”。
实际上，这是通过在晶体管的栅极上积累或放电电荷来实现的。
单个EEPROM单元通常由一个晶体管和一个栅与源Drain相连的电容器组成。
晶体管充当开关，栅极上的电荷状态决定了通道是否打开或关闭。
第三部分：EEPROM读取数据要从EEPROM中读取数据，首先需要选择要读取的字节单元的地址。
这是通过外部地址线和数据控制线来完成的。
然后，所选地址的字节单元的电荷状态被读取并转换为一个数据位。
这是通过将字节单元的电荷状态转移到一个读取电路来实现的。
读取电路可以将电荷状态转换为一个电压值，然后通过D/A转换器将其转换为一个数字值。
第四部分：EEPROM写入数据要向EEPROM写入数据，需要执行以下步骤：1. 将所需数据转换为二进制格式。
2. 选择要写入的字节单元的地址。
3. 将所需数据按顺序写入每个位。
这将涉及向晶体管的栅极施加适当的电压来存储所需的电荷状态。
在写入期间，EEPROM单元的电荷状态从“0”或“1”改变到所需的值。
这个过程是可逆的，因此EEPROM单元可以被反复擦除和重新编程。
第五部分：EEPROM的使用EEPROM广泛用于各种应用中，包括计算机系统、消费电子产品和工业自动化系统。
EEPROM简介
EEPROM简介EEPROM：EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，带电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，一般用在即插即用。
EEPROM发展过程早期的ROM为固定ROM（掩膜ROM），不同用户所需只读存储器的内容不同。
为便于使用和大批量生产，进一步发展了可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。
ROM工作原理•ROM：只读存储器（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的存储器。
在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改。
•内部结构及工作原理：由存储阵列,地址译码器和输出控制电路三部分组成，其结构如下图所示：由上图可以看出，当ROM为读操作时，如果给定的地址码为A1A0=00时，译码器的Y0~Y3中只有Y0为低电平，则Y0字线与所有位线交叉处的二极管导通，使相应的位线变为低电平，而交叉处没有二极管的位线仍保持高电平。
此时，若输出使能信号OE = 0，则位线电平经反相输出缓冲器，使D3D2D1D0 = 1011。
如下表为ROM存储的内容：输出使能控制OE 地址A1 A0内容D3 D2 D1 D000 0 1 0 1 1 00 1 1 1 0 1 00 00 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1* *高阻•PROM：可编程程序只读存储器（Programmable ROM，PROM）之内部有行列式的熔丝，是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。
PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。
EEPROM原理知识详解
EEPROM原理知识详解EEPROM是Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 的缩写，即可擦除可编程只读存储器。
它是一种非易失性存储设备，可以在电源断开时保持数据内容不变。
EEPROM是一种用于存储数据的半导体存储设备，它可以被多次编程和擦除。
EEPROM原理知识如下：1.存储结构：2.数据读取：在数据读取时，传输栅允许电流通过，并将浮栅电容的电压提取到位线上，然后通过电路解码器将其转换为数字信号。
通过扫描操作从矩阵中读取指定地址的数据。
3.数据编程和擦除：在数据编程时，电子注入或去注入技术被用来改变浮栅电容中的电荷量。
对于电子注入，通过向传输栅施加一个较高的电压，电子将被注入浮栅中，从而改变其电荷量。
对于电子去注入，一个电压较高的信号被施加到传输栅，以将电子从浮栅中取出，从而改变其电荷量。
编程和擦除过程是通过在特定的时序下施加电压来实现的。
4.工作原理：EEPROM工作的时候，电压控制器将传输栅与浮栅电容分离，让传输栅允许电流通过。
在读取数据时，电压控制器连接传输栅和浮栅电容，以便将浮栅电容的电压提取到位线上。
在编程和擦除操作中，浮栅电容与传输栅被分离，电压控制器会将特定的电压序列施加到浮栅上，以改变电荷量。
通过施加适当的电压，数据可以从浮栅移动到传输栅，或者从传输栅移动到浮栅。
5.存储密度和速度：由于EEPROM的存储单元是矩阵结构，其存储密度相对较高，可以容纳大量的数据。
此外，EEPROM具有较快的速度，因为读取和编程擦除操作可以在不更改其他存储单元的情况下独立进行。
6.电源断电保护：总结：EEPROM是一种非易失性存储器，它使用浮栅电容和传输栅来存储和读取数据。
其通过电子注入或去注入技术来实现数据的编程和擦除。
EEPROM具有较高的存储密度和速度，并且具有电源断电保护功能。
单片机EEPROM读写数据流程解析
单片机EEPROM读写数据流程解析EEPROM 写数据流程第一步，首先是I2C 的起始信号，接着跟上首字节，也就是我们前边讲的I2C 的器件地址，并且在读写方向上选择“写”操作。
第二步，发送数据的存储地址。
24C02 一共256 个字节的存储空间，地址从0x00～0xFF，我们想把数据存储在哪个位置，此刻写的就是哪个地址。
第三步，发送要存储的数据第一个字节、第二个字节？？注意在写数据的过程中，EEPROM 每个字节都会回应一个“应答位0”，来告诉我们写EEPROM 数据成功，如果没有回应答位，说明写入不成功。
在写数据的过程中，每成功写入一个字节，EEPROM 存储空间的地址就会自动加1，当加到0xFF 后，再写一个字节，地址会溢出又变成了0x00。
EEPROM 读数据流程第一步，首先是I2C 的起始信号，接着跟上首字节，也就是我们前边讲的I2C 的器件地址，并且在读写方向上选择“写”操作。
这个地方可能有同学会诧异，我们明明是读数据为何方向也要选“写”呢？刚才说过了，24C02 一共有256 个地址，我们选择写操作，是为了把所要读的数据的存储地址先写进去，告诉EEPROM 我们要读取哪个地址的数据。
这就如同我们打电话，先拨总机号码（EEPROM 器件地址），而后还要继续拨分机号码（数据地址），而拨分机号码这个动作，主机仍然是发送方，方向依然是“写”。
第二步，发送要读取的数据的地址，注意是地址而非存在EEPROM 中的数据，通知EEPROM 我要哪个分机的信息。
第三步，重新发送I2C 起始信号和器件地址，并且在方向位选择“读”操作。
这三步当中，每一个字节实际上都是在“写”，所以每一个字节EEPROM 都会回应一个“应答位0”。
第四步，读取从器件发回的数据，读一个字节，如果还想继续读下一个字节，就发送一个“应答位ACK（0）”，如果不想读了，告诉EEPROM，我不想要数据了，别再发数据了，那就发送一个“非应答位NAK（1）”。
EEPROM要点
EEPROM要点EEPROM（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，被广泛用于各种电子设备中。
它具有许多独特的特点和优势，使其成为了现代电子产品的重要组成部分。
下面是关于EEPROM的一些要点。
1. 基本原理：EEPROM的存储单元是由一对互补MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）FET（Field-Effect Transistor）构成的。
通过给这对FET施加电压，可以在其中的“浮栅”区域中储存或擦除电荷。
由于这个电荷是通过电场控制的，所以EEPROM可以电擦写，这使得它区别于只能被紫外线擦除的传统EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）。
2.存储密度：EEPROM拥有较高的存储密度，即相比于其他非易失性存储器而言可以存储更多的数据。
EEPROM的存储密度通常以位/平方厘米或者字节/平方毫米来衡量。
随着技术的发展，EEPROM的存储密度也在不断提高。
3.随机读取性能：EEPROM支持随机读取操作，即可以直接从存储器中读取任意地址的数据，而不需要像序列式存储器那样需要按顺序读取。
EEPROM的读取速度通常在几十纳秒到几百纳秒之间。
4.电擦写性能：与传统的EPROM相比，EEPROM具有电擦写的优势。
擦除EEPROM中的数据只需要施加特定电压，而不需要使用紫外线。
电擦写操作可以在设备内部完成，比起使用紫外线擦除的EPROM，会更加方便快捷。
5.电子可重写次数：每个EEPROM存储单元的擦写操作次数都是有限的。
擦写次数的限制是由于在擦写周期中电荷被注入和排放的过程中，擦写门极其附近的电荷积累和电流流动的局部热效应导致的。
尽管EEPROM 的电子可重写次数有限，但通常这个次数足够满足大多数应用的要求。
6.数据保持性：EEPROM具有良好的数据保持性能，即即使在断电的情况下，存储在EEPROM中的数据仍然可以长时间保持。
EEPROM要点
EEPROM要点EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可以通过电压信号来擦除和写入数据的存储器。
与传统的只读存储器（ROM）不同，EEPROM具有可编程和可擦写的特性，使其具有广泛的应用。
下面将介绍EEPROM的原理、特点、优势和应用。
一、EEPROM的原理：二、EEPROM的特点：1.可擦写性：EEPROM可以通过特定的操作擦除和写入数据，而无需进行物理更换。
2.电子存储：EEPROM使用电子发射现象进行数据存储，不需要机械运动，速度快。
3.非易失性：和闪存一样，EEPROM在断电情况下也能保持数据的存储，不会丢失数据。
4.高密度存储：由于采用电子存储，EEPROM具有较高的存储密度，可容纳大量数据。
5.低功耗：EEPROM在读取和写入数据时的功耗较低，适用于功耗要求较高的应用。
三、EEPROM的优势：1.可电擦写：与传统的ROM相比，EEPROM具有可编程和可擦写的特性，使得数据的更新和更改变得更加灵活和方便。
2.电子存储：EEPROM采用电子存储方式，不需要机械运动，速度更快，读取和写入更加高效。
3.非易失性：EEPROM在断电情况下也能保持数据的存储，不会丢失数据，适用于存储重要数据的应用场景。
4.易于集成：EEPROM可以与其他电子元件集成在一起，减小封装尺寸，方便安装和维护。
四、EEPROM的应用：1.计算机：EEPROM可以用于存储BIOS和CMOS数据，以及标志位和配置信息等。
2.电子设备：EEPROM可以储存设备的固件程序、配置信息和运行参数，如电视机、手机等。
3.汽车电子：EEPROM可用于存储车载控制系统的参数、故障码和车辆配置等信息。
4.工业控制：EEPROM可用于存储控制器的程序和参数，如PLC、机器人等。
5.通信设备：EEPROM可用于存储无线通信设备的配置信息和网络参数。
总结：EEPROM作为一种可编程和可擦写的存储器，具有易于更新、电子存储、非易失性、高密度存储和低功耗的优点，广泛应用于计算机、电子设备、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。
EEPROM原理
EEPROM原理EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）电可擦写可编程只读存储器，是一种非易失性存储器器件。
EEPROM与传统的ROM（只读存储器）和EPROM（可擦写可编程只读存储器）相比，具有更高的灵活性和可编程性。
EEPROM存储器可以通过电信号进行擦写和编程，而不需要特殊的擦除设备。
当写入数据时，较高的电压会施加在控制栅上，导致电荷倾向于累积在浮动栅上。
这种电荷会被保持在浮动栅中，并保持数据的存储状态。
当读取数据时，控制电路读取浮动栅上的电荷状态，并将其转换为数字信号。
在EEPROM中，擦除操作是将整个存储器的电荷状态重置为初始状态。
擦除操作是一个相对缓慢的过程，需要较高的电压施加在整个存储器上。
与擦除相比，编程操作仅在特定区域写入数据，并且速度更快。
1.擦除：将整个存储器的电荷状态重置为初始状态。
这一过程需要较长的时间，并且会涉及到高电压。
2.编程：将所需的数据存储到指定的位置。
通过施加特定的电压来控制电荷在浮动栅中的积累。
3.读取：通过读取电荷状态，将存储的数据转换为数字信号。
EEPROM的主要特点包括非易失性、可擦写和可编程性、低功耗、高可靠性和可擦写次数有限。
EEPROM也有其局限性。
由于EEPROM的存储密度相对较低，因此无法满足大容量存储需求。
此外，EEPROM的擦写和编程速度相对较慢，不适合需要快速存储和读取的应用程序。
总的来说，EEPROM是一种非易失性存储器器件，可通过电信号进行擦写和编程操作。
它具有擦写可编程的能力，在嵌入式系统、计算机和其他电子设备中广泛应用。
EEPROM存储器的工作原理基于特殊的硅材料和电荷约束结构。
通过擦除、编程和读取操作，EEPROM能够实现可靠的数据存储和读取功能。
EEPROM原理知识详解
EEPROM原理知识详解EEPROM是Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 的缩写，即电可擦写可编程只读存储器。
它是一种非易失性存储器，可以在电源断电的情况下保持数据的存储。
EEPROM与EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）相比，省去了使用紫外线擦除整个芯片的步骤，可以通过电信号擦除和编程。
EEPROM的工作原理是利用电子场效应晶体管（FET）中的浮栅效应。
EEPROM芯片由一个栅氧化物层和一个控制栅组成。
浮栅位于控制栅和通道之间，并通过栅氧化物层与通道隔离。
当正电压施加到控制栅时，电解液进入浮栅氧化层，电荷被输入浮栅。
在分组式编程模式下，EEPROM被划分为分组，每个分组有一个控制字节。
要修改一个字节的数据，需要将整个分组的数据读出，将要修改的字节数据进行修改后再写回。
优点是不会出现数据错误的情况，缺点是写操作比较耗时且读取数据时需要将整个分组读出。
在字节式编程模式下，每个字节都可以独立编程。
在修改一个字节的数据时，只需要将要修改的字节数据读出，进行修改后再写回即可。
优点是可以独立地对每个字节进行操作，缺点是可能会出现数据错误的情况。
EEPROM的擦除操作是通过一个特殊的擦除电压来实现的。
擦除操作需要先将要擦除的地址加载到控制寄存器中，然后发送擦除命令，EEPROM 芯片会将指定地址的数据擦除。
擦除操作会将数据置为1，但EEPROM不支持将数据置为0的操作。
为了提高EEPROM的存储密度和速度，厂商采用了一些技术改进。
例如，EEPROM可以采用多级单电荷技术（Multi-Level Single Charge）来存储多个比特的数据。
同时，还可以采用并行操作模式来提高读取和写入速度。
尽管EEPROM在存储密度和存储速度上具有一些限制，但它仍然是一种非常有用的存储器。
它广泛应用于电子产品中，如计算机、电视、手机等。