半导体放电管检测及测试方法1(精)
半导体放电管检测及测试方法1(精)
半导体放电管检测要求及测试方法1 本要求遵循的依据1.1 YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》1.2 YD/T694—2004《总配线架》1.3 GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》 2 测试前准备及测试环境条件2.1 对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。
2.2 在标准大气条件下进行试验2.2.1 温度：15～35℃2.2.2 相对湿度：45％～47％2.2.3 大气压力：86～106Ｋpa所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行：温度：25±5℃相对湿度：45％～47％大气压力：86～106Ｋpa在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。
2.3 按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。
按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。
3 检测要求和测试方法3.1 外形检查3.1.1 要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。
3.1.2 金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。
3.1.3 外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。
3.1.4 产品标志应清晰耐久3.1.5 包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用3.2 直流击穿电压测试3.2.1 用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。
3.2.1 半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。
半导体器件测试原理和方法
通态电流临界上升率 di/dt
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由于通常测试大电流器件时用正弦波，此时R2可忽略，事业部实际也 是按LC振荡电路。
交流电经D1，R1向C充电，充至所需值，触发装置B输出一脉冲触发 DUT，电容C经L放电，输出dI/dt波形。电容、电感可按下式计算：
C 1.91 ITM t1 VDM
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概述
电力半导体器件是由整流二极管（ZP）， 反向阻断三极晶闸管（KP），快速整流 二极管（ZK），快速晶闸管（KK），非 对称晶闸管（KF），逆导（KN），双向 （KS），可关断（GTO/IGCT）等组成。
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应用
1. 整流 —— 把交流电变成直流电 2. 逆变 —— 把直流电变成交流电 3. 变频 —— 把一种频率的交流电变成另一种频
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然后我们用外加热办法加热DUT，此时压机加热单元温 度计指示着元件的壳温和结温。在外加热时我们可近 似认为壳温和结温相等。待温度稳定时，闭合S1使直 流IDC仅仅流通10 ms，S1就断开，此时If流过DUT，记 录此时Vf2，我们总能找出一个Vf2 = Vf1时的壳温Tc2 （由于外加热，P2 = 0）
率的交流电或把一种固定频率的交流电变成可 以连续变化的交流电。例如交流电机用的变频 器。 4. 交流开关 —— 接通或切断交流电路 5. 直流开关 —— 接通或切断直流电路
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测试原理及方法
通态电压测试原理图
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电路原理
• 当K合上，交流220V就加在TB原边，调节TB，变压 器电被试压B付元时边件，二，触极分发管流K1D器，1F，被LR放试1电向元。电件输容，出C电充一容电近C似，经正待K1弦C，充的电至电感一流L，定波 形T值B，，，该从使值FITLM就可恰是测好要得等测于IT的M被，值测从。元被件试所元需件电可流测值得，V记TM录。下调V节TM
半导体基本测试原理
半导体基本测试原理半导体是一种具有特殊电学特性的材料，在电子、光电子和光电子技术等领域具有广泛的应用。
半导体器件的基本测试主要包括单个器件的电学测试、晶体管的参数测试以及集成电路的功能测试等。
本文将从半导体基本测试的原理、测试方法和测试仪器等方面进行详细介绍。
1.电学测试原理：半导体器件的电学测试主要是通过电压和电流的测量，来判断器件的电学性能。
常见的电学测试有阻抗测量、电流-电压特性测试等。
阻抗测量通常使用交流信号来测试器件的电阻、电感和电容等参数，可以通过测试不同频率下的阻抗来分析器件的频率响应特性。
2.晶体管参数测试原理：晶体管是半导体器件中最常见的器件之一，其参数测试主要包括DC参数测试和AC(交流)参数测试。
DC参数测试主要通过测试器件的电流增益、静态工作点等参数来分析和评估器件的直流工作性能。
AC参数测试主要通过测试器件在射频信号下的增益、带宽等参数来分析和评估其射频性能。
3.功能测试原理：集成电路是半导体器件的一种，其测试主要从功能方面进行。
功能测试主要分为逻辑测试和模拟测试两种。
逻辑测试主要测试器件的逻辑功能是否正常，比如输入输出的逻辑电平是否正确，数据传输是否正确等。
模拟测试主要测试器件的模拟电路部分，比如电压、电流、频率等参数是否在规定范围内。
二、半导体基本测试方法1.电学测试方法：常用的电学测试方法包括直流测试和交流测试。
直流测试主要通过对器件的电流和电压进行测量来分析器件的基本电学性能，如电流增益、电压饱和等。
交流测试主要通过在不同频率下测试器件的阻抗来分析器件的频率响应特性，一般使用网络分析仪等仪器进行测试。
2.参数测试方法：晶体管参数测试主要使用数字万用表等测试仪器来测量器件的电流和电压，并通过计算得到相关参数。
AC参数测试一般使用高频测试仪器，如频谱分析仪、示波器等来测试器件在射频信号下的特性。
3.功能测试方法：功能测试一般通过编写测试程序，控制测试仪器进行测试。
逻辑测试的方法主要是通过输入特定的信号序列，对输出结果进行判断，是否与预期的结果相符。
半导体测试方法
半导体测试方法嘿，朋友们！今天咱就来唠唠半导体测试方法这档子事儿。
你说半导体这玩意儿，就像一个神秘的小盒子，里面藏着无数的秘密和惊喜。
而测试方法呢，那就是打开这个小盒子的钥匙呀！要是没有合适的钥匙，咱可就没法好好探索里面的奇妙世界啦。
咱先说说直流参数测试吧。
这就好比给半导体来个全面体检，看看它的各种基本指标正不正常。
电流啦、电压啦，都得好好量一量。
就像咱去医院体检，身高、体重、血压啥的都得查一遍，心里才有底嘛！你想想，如果这些基本参数都不靠谱，那后面还怎么指望它好好工作呀？还有交流参数测试呢，这就有点像听半导体唱歌啦！听听它的频率、相位这些声音好不好听，顺不顺畅。
要是它唱得磕磕绊绊的，那肯定不行呀，咱得让它唱出优美动听的旋律才行呢！然后呢，就是功能测试啦。
这就像是让半导体去表演个节目，看看它能不能把规定的动作都完美完成。
比如能不能准确地处理信号呀，能不能稳定地传输数据呀。
要是在表演的时候掉链子，那可就尴尬啦！再说说可靠性测试吧，这可太重要啦！就像咱交朋友，得找个靠谱的呀，不能今天好得要命，明天就不靠谱了。
半导体也得经得住时间的考验呀，不能用着用着就出毛病了。
测试的时候可得细心再细心，就像给宝贝疙瘩做护理一样。
稍微有一点马虎，可能就会放过一些小毛病，那以后可就麻烦大啦！这可不是闹着玩的呀，朋友们！咱想想看，如果一个半导体没经过好好测试就投入使用，那不就像让一个没经过训练的运动员去参加比赛一样吗？结果肯定好不到哪儿去呀！所以说呀，半导体测试方法可真是太重要啦，这可关系到各种电子设备的质量和性能呢！咱可不能马虎，得认真对待，让半导体发挥出它最大的作用，给我们的生活带来更多的便利和精彩！这就是我对半导体测试方法的看法，你们觉得呢？原创不易，请尊重原创，谢谢!。
半导体发光二极管测试国标(精)
基于LED各个应用领域的实际需求，LED的测试需要包含多方面的内容，包括：电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等。
1、电特性LED是一个由半导体无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN结二极管中的一种，其电压-电流之间的关系称为伏安特性。
由图1可知，LED电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流和反向电压，LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。
通过LED电特性的测试可以获得LED的最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流，此外也可以测定LED的最佳工作电功率。
图 1 LED伏安特性曲线LED电特性的测试一般利用相应的恒流恒压源供电下利用电压电流表进行测试。
2、光特性类似于其它光源，LED光特性的测试主要包括光通量和发光效率、辐射通量和辐射效率、光强和光强分布特性和光谱参数等。
（1）光通量和光效有两种方法可以用于光通量的测试，积分球法和变角光度计法。
变角光度计法是测试光通量的最精确的方法，但是由于其耗时较长，所以一般采用积分球法测试光通量。
如图2所示，现有的积分球法测LED光通量中有两种测试结构，一种是将被测LED放置在球心，另外一种是放在球壁。
_h:^E8(_ d图 2 积分球法测LED光通量此外，由于积分球法测试光通量时光源对光的自吸收会对测试结果造成影响，因此，往往引入辅助灯，如图3所示。
图3 辅助灯法消除自吸收影响在测得光通量之后，配合电参数测试仪可以测得LED的发光效率。
而辐射通量和辐射效率的测试方法类似于光通量和发光效率的测试。
（2）光强和光强分布特性图4 LED光强测试中的问题如图4所示，点光源光强在空间各方向均匀分布，在不同距离处用不同接收孔径的探测器接收得到的测试结果都不会改变，但是LED由于其光强分布的不一致使得测试结果随测试距离和探测器孔径变化。
因此，CIE-127提出了两种推荐测试条件使得各个LED在同一条件下进行光强测试与评价，目前CIE-127条件已经被各LED制造商和检测机构引用。
半导体二极管的识别与检测
半导体二极管的识别与检测半导体二极管的识别与检测一、实验目的1.熟悉半导体二极管的外形及引脚识别方法。
2.熟悉半导体二极管的类别、型号及主要性能参数。
3.学习万用表的使用，掌握万用表判别半导体二极管好坏的方法。
二、实验器材万用表一只，不同规格、类型的半导体二极管若干。
三、实验内容1.学习使用万用表。
2.熟悉各种半导体器件的外形。
3.半导体二极管的识别。
4.用万用表判别普通二极管极性及质量好坏。
四、实验步骤1.万用表使用方法及注意事项（1）机械零位调整：使用前应首先检查指针是否在零位，若不在零位，调整零位调整器，使指针调至零位。
（2）正确连接表笔：红表笔应插入标有“+”的插孔，黑表笔插入“-”的插孔。
测直流电流和直流电压时，红表笔连接被测电压、电流的正极，黑表笔接负极。
用欧姆挡“Ω”判断二极管的极性时，注意“+”插孔是接表内电池的负极，“-”插孔是接表内电池的正极。
（3）测量电压时，万用表应与被测电路并联；测量电流时，要把被测电路断开，将万用表串联接在被测电路中。
注意：测量电流时应估计被测电流的大小，选择正确的量程，MF500型的保险丝为0.3A～0.5A，被测电流不能超过此值。
某些万用表有10A的档位，可以用来测量较大电流。
（4）量程转换：应先断电，绝对不容许带电换量程；根据被测量放在正确的位置，切不可使用电流挡或欧姆挡测电压，否则会损坏万用表。
（5）合理选择量程挡：测量电压、电流时，应使表针偏转至满刻度的1/2或2/3以上；测量电阻时，应使表针偏转至中心刻度附近（电阻挡的设计是以中心刻度为标准的）。
测交流电压、电流时，注意被测量必须是正弦交流电压、电流，而被测信号的频率也不能超过说明书上的规定。
测10V以下的交流电压时，应该用10V专用刻度标识读数，它的刻度是不等距的。
（6）测电阻时，应先进行电表调零。
方法是将两表笔短路，调节“调零”旋钮使指针指在零点（注意欧姆的零刻度在表盘的右侧）。
如调不到零点，说明万用表内电池电压不足，需要更换新电池。
半导体的电学测量
（2-17）
此时，测量电压波形从最大值下降到其1／e所经历的时间，就可得到少数载流子寿命。
B
试验装置
直流光电导衰退法的整个实验装置如下图，主要为：光源、恒流器、前 置放大器及示波器。
a
光源
光源为脉冲光源，它的余辉时间（由光强最大值衰减到10%所需的间）
要求短一些，一般要求余辉时间小于1 ，这时可测量样品有效寿命最短为5
空穴陷阱。
A 实验原理
以光子能量大于禁带宽度的光照射半导体，位于价带的电子受激发跃迁 到导带，产生电子--空穴对，形成非平衡载流子 电导率的变化为： 假设符合下列条件： ① 样品是均匀的，no即 或Po在样品各处是相同的 ② 在样品中没有陷阱存在（即符合 ③非平衡载流子在样品表面复合可以忽略不计 ④ 小注入条件 ） 。光注入时，半导体 （2-1）
很多，最常用的是光电导衰退法(PCD)，其次是表面光电压法。这两种方法 (指直流PCD)已被美国材料测试学会(ASTM)列为少数载流子寿命的标准测试 方法。 PCD有三种：直流PCD、高频PCD和微波PCD。这三种方法的基本原
理和数据处理均相同，只是对式样中非平衡载流子衰退过程所用的检测技术
不同而已。直流PCD测试方便迅速，结果比较可靠，得到广泛应用。但只适 用于硅锗等间接带隙半导体材料。
（2-1）式可简化为：
（2-2）
a) 如果非平衡载流子在样品表面复合掉的部分可以忽略，那么光激发的
非平衡载流子在样品内可以看成是均匀分布。
设 t=0 时停止照射，非平衡电子和空穴将不断复合而逐渐减少 。少数
载流子空穴复合寿命为 为复合率。有： ， 为单位时间内非平衡载流子复合的几率，
（2-3）
小注入时， 为一常数，(2-3) 式解为：
半导体发光二极管LED的测试方法
34技术应用T echnology and application半导体发光二极管（LED,light emitting diode ）是一种新型的发光体，具有电光转换效率高、体积小、寿命长、电压低，节能、环保等优点，是下一代理想的照明器件。
LED 光电测试是检验LED 光电性能的重要手段，相应的测试结果是评价和反映当前我国LED 产业发展水平的依据。
文章结合有关LED 测试方法的国家的相关标准，介绍了LED 光电性能测试的几个主要方面。
半导体发光二极管LED 的测试方法沈光地 北京光电子技术实验室主任半导体发光二极管（L E D）已经被广泛应用于指示灯、信号灯、仪表显示、车载光源、大屏幕显示、背光源等场合，白光L E D技术也不断地发展，L E D在照明领域的应用越来越广泛。
过去，对于L E D的测试没有较全面的国家标准和行业标准，在生产实践中只能以相对参数为依据，不同的厂家、用户、研究机构对此争议很大，导致国内L E D 产业的发展受到很大影响。
结合国内外关于L E D测试方法的各种标准，基于L E D各个应用领域的实际需求，本文从电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等方面进行了介绍。
LED 的发光原理1955年，美国无线电公司（R a d i o Corpor of America Rubin Braunstein）发现了砷化鎵G a A s与及其他半导体合金的红外线放射作用。
而 1962年美国通用电气公司（GE Nick Holonyak Jr）则开发出可见光的L E D。
不过，L E D真正的起飞是 1990 年代白光 LED出现后，才开始渐渐被重视，而应用面越来越广。
L E D具备二极管的特性，是一种可以将电能转化为光能的电子零件，也就是具备一正极一负极，L E D最特别的地方在于只有从正极通电才是会发光，故一般给予直流电时，L E D会稳定地发光，但如果接上交流电，L E D会呈现闪烁的型态，闪亮的频率依据输入交流电的频率而定。
半导体导电类型的测试方法
半导体导电类型的测试方法我折腾了好久半导体导电类型的测试方法，总算找到点门道。
说实话，这事儿一开始我也是瞎摸索，走了不少弯路呢。
我试过一种热探针法。
我当时就想啊，这半导体不是对温度敏感嘛。
我就拿两根探针，一根加热的，一根不加热的，就像两根手指头，一根烫的一根凉的似的。
把这两根探针放在半导体上，然后再通过一些仪器去测电流电压啥的。
但是，这里面坑可多了。
刚开始，我探针放的力度都不一样，这数据就乱得很。
我后来才明白，得把探针放得稳稳当当的，不能一会儿轻一会儿重。
但是这个方法有时候也不是特准确，我就很苦恼。
还有就是霍尔效应测试法。
这个原理我也是琢磨好久才有点明白。
大概就是在半导体上加上磁场，然后有电流通过的时候会产生霍尔电压。
就像河水原本直着流，突然旁边有个很大的力一拉它，它就偏转了一样。
我在操作这个测试的时候，磁场的大小控制可难了。
磁场调得不合适的时候，测出来的数据完全乱套。
我就一点点试，找不同半导体对应的合适磁场范围。
有时候我以为我找到了规律呢，结果一换个不同型号的半导体又不行了。
我就反复调整仪器，像个修理东西一直不对劲儿的工匠似的。
我还试过利用pn结的一些特性来判断导电类型。
那我得先把半导体做出pn结结构呀。
这就像是搭积木，每个小块都得摆对地方。
但是做这个pn结的时候，我常常因为杂质掺杂的比例没控制好，导致最后得到的结果也是错的。
我就不断总结经验，一点点去精确控制杂质的量。
要是你也想做半导体导电类型的测试，我跟你说啊，一定要有耐心。
仪器设备一定要事先检查好了，别像我似的，有时候测不准以为是方法不对，最后才发现是仪器有点小故障。
而且每次做测试的时候啊，环境条件也尽量保持一致，温度呀湿度呀这些可都能影响结果呢。
测试的时候，多做几组平行试验也是很有必要的，避免一次性的偶然结果误导你。
反正这半导体导电类型的测试啊，就是要不断尝试不断总结，可没有一蹴而就的。
有时候很沮丧觉得怎么都做不对，但是突然有那么一下做对了就很有成就感。
电子技术项目化教程-半导体管测试
二极管的好坏 判别,可用如 下方法：
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。但若正向电阻太 大或反相电阻太小，表明二极管的检波与整流效率不高。 若正向电阻无穷大 （表针不动），说明二极管内部断路； 若反相电阻接近零，表明二极管已击穿。内部断开或击穿 的二极管均不能使用。 值得注意的是：数字式万用表的电阻档不宜检查二极管。 为什么？ 因为数字式万用表电阻档所提供的测试电流太小，而二极 管属于非线性元件，正、反向电阻与测试的电流有很大关 系，因此测出来的电阻与正常值相差很大，难以判定。
指针式万用表
注意事项：
红表笔是(表内)负极，黑表笔是(表内)正极。 在 R 1 k 挡进行测量。 测量时手不要接触引脚。
1k
1k
CE B
CE B
数字万用表
1. 可直接用电阻挡的 的好坏。
挡，分别测量判断两个结
2. 插入三极管挡(hFE)，测量 值或判断管型及管脚。
注意事项：
• 红表笔是(表内电源)正极； 黑表笔是(表内电源)负极。
• NPN 和 PNP 管分别按 EBC 排列插入不同的孔。
• 需要准确测 根据电路工作要求选择高、低频管。 2. 根据电路工作要求选择 PCM、 ICM 、 U(BR)CEO，
应保证：
PC > PCm
ICM > ＩCm
U(BR)CEO > VCC
2、硅整流二极管（2CZ52B-H）（2CZ53C-K）
3.硅稳压二极管（2CW52-57，2DW230）
三二：极二极管管的的选用选知用识：技巧：
• 点接触型二极管由于接触面点小，不能通过大电流， 故只适合用于小电流整流，又因为接触点小，所以极间
半导体发光二极管测试方法（全）
半导体发光二极管测试方法（全）半导体发光二极管测试方法(全)LED技术 2008-04-09 15:13 阅读51 评论4 字号：大大中中小小半导体发光二极管测试方法摘要系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。
1 前言半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件.中国光学光电子行业协会光电器件专业分会根据国内及行业内部的实际情况,初步制定了行业标准"发光二极管测试方法",2002年起在行业内部试行.本文叙述了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求,以期收到抛砖引玉之效果.本文涉及的测试方法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行。
2 术语和定义2.1发光二极管 LED除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。
严格地讲，术语LED应该仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,InfraredEmitting Diode）；发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。
2.2光轴 Optical axis最大发光（或辐射）强度方向中心线。
2.3正向电压VF Forward voltage通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。
2.4反向电流IR Reverse current加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。
2.5反向电压VR Reverse voltage被测LED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。
半导体器件的性能测试
分别称为发射区、基区和集电区。
C 集电极
集电极 C
NPN型 N
B
P
基极
N
B
基极
P PNP型 N P
E 发射极
发射极 E
集电区： 面积较大
B
基极
C 集电极
N P N
E
发射极
基区：较薄，掺杂浓 度低
发射区：掺 杂浓度较高
C IC B
IB E
IE
NPN型三极管
C IC B
IB E
IE
PNP型三极管
制成晶体管的材料可以为Si或Ge。
2、三极管的工作模式
输入
输出
(a)
输入
输出 பைடு நூலகம்入
输出
(b)
(c)
图1.16三极管电路的三种组态
（a）共发射极接法;（b）共基极接法;和各极电流（c）共集电极接法
Rc
c b
V
Rb
e
＋
－
UBB
＋
UCC －
(a) 图1.15 （a）NPN型;
•工作的基本条件： •EB结正偏； •CB结反偏。 •VCC>VBB >VEE
利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构
的 C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度、 氧化层中可动电荷面密度和固定电荷面密度等参数。
在集成电路特别是MOS电路的生产和开发研制中，MOS电 容的C-V测试是极为重要的工艺过程监控测试手段，也是器 件、电路参数分析和可靠性研究的有效工具。
第七章 半导体器件测试
一、半导体器件简介
半导体器件（semiconductor device）是利用 半导体材料特殊电特性来完成特定功能的器件。为了 与集成电路相区别，有时也称为分立器件。半导体分 立器件是集成电路的功能基础。
(整理)半导体放电管检测及测试方法1
半导体放电管检测要求及测试方法1 本要求遵循的依据1.1YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》1.2YD/T694—2004《总配线架》1.3GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》2 测试前准备及测试环境条件2.1对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。
2.2在标准大气条件下进行试验2.2.1温度：15～35℃2.2.2相对湿度：45％～47％2.2.3大气压力：86～106Ｋpa所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行：温度：25±5℃相对湿度：45％～47％大气压力：86～106Ｋpa在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。
2.3按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。
按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。
3 检测要求和测试方法3.1外形检查3.1.1要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。
3.1.2金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。
3.1.3外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。
3.1.4产品标志应清晰耐久3.1.5包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用3.2直流击穿电压测试3.2.1用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。
3.2.1半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。
mos管测试方法
mos管测试方法
mos管的测试方法主要包括以下几种：
1. 电阻法：利用金属导体的电阻特性进行测量，包括直流和交流两种方法。
在直流测量中，当mosfet的栅极接一个直流电源时，通过电流的大小与栅-漏之间的电压成正比关系。
在交流测量中，mosfet的漏极接一个交流信号源，通过改变外部的阻抗值来控制输出的高低。
2. 电压法：测量mos管的工作电压。
用万用表的交流电压档测量mos管的工作电压。
3. 电流法：在电流输出端接上指针式电流表，测出该端的实际工作电流值（一般取20ma左右）。
将上述3个数值相加，即得该器件的放大倍数。
4. 外观检查法：观察mos管的外观是否有破损、颜色是否均匀、引脚是否完好等。
5. 仪器测试法：使用专业的电子测试仪器对mos管进行测试，如示波器、频谱分析仪等。
以上就是关于mos管测试方法的介绍，希望对您有所帮助。
培训资料-半导体放电管
냫떼쳥럅뗧맜엠통닄쇏一半导体放电管的应用概述半导体放电管是一种微型化、高频化和高可靠性的特殊新型电力电子半导体器件，它的结构是一种五层双端对称双向晶闸管，导通与关断只由外加电压或dv/dt决定，因此在线路的在线保护方面有着优越的性能而广泛地应用于通信电路系统中作为雷电浪涌保护器。
目前，完全由它代替气体放电管，用来保护程控交换机、电话机等免遭雷电和交流电源线感应的强脉冲干扰，是理想的换代产品。
半导体放电管的基本特性是：外加电压低于其不动作电压时，管子的漏电流极小，相当于断路；当外电压继续加大时，开始发生击穿（类似与二级管）；外电压进一步加大后，管子两端变成通态，相当于短路，可泄放大的电流；当外电压撤去以后，管子可恢复断态，能重复使用且双向结构及电参数一致，可以泄放双向的过电压。
对称的伏安特性曲线如图一：图一半导体放电管的电路符号如图2：半导体吸收雷电浪涌示意如图3：图 2图 6对于低于200伏左右（振铃电路可能产生一百五六十伏的电压，在此正常工作电压下放电管应不动作）的电压，固体放电管不动作（对应参数：不动作电压），相当于断路（对应参数：绝缘电阻）外界引入的过电压经一级保护后，到达B点时最高只有两三百伏（对应固体放电管的最高限制电压），此电压经过二级保护区后到达D点后只有五六十伏，不会对用户接口卡造成损坏。
二级保护可以由低压放电管（标称58伏）构成，也可以由专用的二级保护电路来实现。
主要用于电话机中的线线保护，防雷电感应的高压脉冲对电信终端的损害。
图7为二极管DO－15轴式封装的固体放电管示意图图8为外形图图8 图7二半导体放电管芯片的结构及原理半导体放电管的芯片结构如图8、平面图形如图9图8 图9 (表面金属EB短路)从结构可以分解如图10从上图可以看出，五层双端结构的半导体放电管芯片可以看作是两个无门极的晶闸管的组合，而每个晶闸管又可以看作是两个互相作用的三级管的组合。
在此,简要介绍一下晶闸管的导通条件如图10中的电路图所示：档门极施加触发电流IG时，经晶体管V2放大为电流IC2，又可将IC2视为V1管的基极电流，经V1管放大为电流IC1。
半导体红外发光二极管测试方法
半导体红外发光二极管测试方法.辐射强度空间分布和半强度
角的测试方法
半导体红外发光二极管的测试方法主要包括辐射强度空间分布和半强度角的测试。
一、辐射强度空间分布测试方法：
1. 准备测试仪器和设备，包括光功率计、光电探测器、平台等。
2. 将红外发光二极管安装在测试平台上，并根据需要调整其位置和角度。
3. 将光功率计与光电探测器连接，并将光电探测器放置在红外发光二极管的辐射面前。
4. 将红外发光二极管通电，使其发出光线。
5. 分别在不同位置和角度上测量光电探测器所接收到的光功率。
6. 根据测量结果绘制辐射强度空间分布图。
二、半强度角测试方法：
1. 准备测试仪器和设备，包括光功率计、光电探测器、旋转台等。
2. 将红外发光二极管安装在旋转台上，并根据需要调整其位置和角度。
3. 将光功率计与光电探测器连接，并将光电探测器放置在红外发光二极管的辐射面前。
4. 将红外发光二极管通电，使其发出光线。
5. 开始测试时，将旋转台旋转至初始位置。
6. 旋转台开始旋转，逐渐改变光电探测器所接收到的光功率，记录每个角度上的光功率值。
7. 根据测量结果绘制半强度角曲线图。
需要注意的是，在进行以上测试方法时，应保证测试环境的稳定性，并根据测试要求选择合适的测试参数，如测试距离、测试角度等。
此外，测试结果的准确性也与测试仪器的准确性和校准情况有关，因此在进行测试前应对测试仪器进行校准。
项目5半导体三极管的检测与识别课件
替换原则与方法
替换原则
选择参数相近或更高的三极管进行替 换，以确保电路性能的稳定性和可靠 性。
方法
查阅相关技术换型号；根据原电路设计，确认替 换三极管的引脚排列和极性。
替换注意事项与实例分析
注意事项
避免盲目替换导致电路性能下降或不稳定；在替换前进行必要的测试和验证，确 保替换后的效果符合预期。
开关控制
在电源电路中，三极管可以用作开关 元件，控制电流的通断，实现电源的 开启和关闭。
05
半导体三极管的选型与替换
选型原则与注意事项
选型原则
根据电路需求选择合适的三极管类型（NPN、PNP、达林顿等）， 同时考虑其放大倍数、功耗、击穿电压等参数。
注意事项
避免选择已停产或库存不足的产品，确保供应链的稳定性；考虑 生产成本和采购周期，合理安排预算和采购计划。
100%
电流档测量
利用万用表的电流档测量三极管 的集电极电流、基极电流和发射 极电流。
80%
电压档测量
利用万用表的电压档测量三极管 的集电极电压、基极电压和发射 极电压。
03
半导体三极管的识别
半导体三极管型号的识别
型号识别的重要性
在电子设备中，正确识别半导 体三极管的型号对于确保电路 的正常运行和性能至关重要。
处理。
功率放大
在音频和射频领域，半导体三极管 常被用作功率放大器，将较小的输 入信号放大到足够的功率以驱动扬 声器或无线发射器。
线性放大
在模拟电路中，半导体三极管用于 线性放大，保持输入与输出信号之 间的线性关系，用于信号的线性调 整和校准。
在振荡电路中的应用
产生振荡信号
半导体三极管可以与适当 的反馈网络一起使用，以 产生振荡信号，如正弦波 或方波。
半导体器件测试原理和方法
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概述
电力半导体器件是由整流二极管（ZP）， 反向阻断三极晶闸管（KP），快速整流 二极管（ZK），快速晶闸管（KK），非 对称晶闸管（KF），逆导（KN），双向 （KS），可关断（GTO/IGCT）等组成。
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应用
1. 整流 —— 把交流电变成直流电 2. 逆变 —— 把直流电变成交流电 3. 变频 —— 把一种频率的交流电变成另一种频
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热循环负载试验（热疲劳测试）
• 本测试是确认某些型式晶闸管承受结温变化能力的耐久性 （寿命）测试。
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R1，R2……R6为阻值可调的不锈钢水冷电阻，被试元件DUT1……DUT6用水 冷散热器。
当触点J1……J6闭合时，变压器B1，B2，B3原边接上三相380 V电源，∴付边 a0，b0，c0顺时针相位差120°轮流得电，当A0为正时DUT1导通，当a0为负时 DUT2导通，调R1，R2使各回路电流基本一致。检测壳温上升到某一温度时，断 开J1……J6，变压器B1……B3原边断电，付边电流为零。元件通水冷却，至壳温 降到某一温度时，J1……J6闭合，元件冷却水切断，元件开始通电升温。升温冷 却一次算一次循环，循环次数由循环计数器自动记录。
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然后我们用外加热办法加热DUT，此时压机加热单元温 度计指示着元件的壳温和结温。在外加热时我们可近 似认为壳温和结温相等。待温度稳定时，闭合S1使直 流IDC仅仅流通10 ms，S1就断开，此时If流过DUT，记 录此时Vf2，我们总能找出一个Vf2 = Vf1时的壳温Tc2 （由于外加热，P2 = 0）
经示波器CRO可观察。
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半导体放电管检测要求及测试方法
1 本要求遵循的依据
1.1 YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》
1.2 YD/T694—2004《总配线架》
1.3 GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》 2 测试前准备及测试环境条件
2.1 对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。
2.2 在标准大气条件下进行试验
2.2.1 温度：15～35℃
2.2.2 相对湿度：45％～47％
2.2.3 大气压力：86～106Ｋpa
所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行：温度：25±5℃
相对湿度：45％～47％
大气压力：86～106Ｋpa
在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。
2.3 按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。
按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。
3 检测要求和测试方法
3.1 外形检查
3.1.1 要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。
3.1.2 金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。
3.1.3 外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。
3.1.4 产品标志应清晰耐久
3.1.5 包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用
3.2 直流击穿电压测试
3.2.1 用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。
3.2.1 半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。
3.2.3 试验所用的电压发生器必须保持表1所示的开路电压上升速率，上升速率应在一定的范围之内。
试验电路如图1、图2所示。
图 1 电压上升速率的范围
a) 电压上升速率为
100KV/S
注：为了得到足够的试验电流以使样品击穿，图（a）中的电阻R和图（b）中的电阻R4可能需要进行调整，一般取为50Ω。
图 2 最高限制电压测试电路
表 1 最高限制电压
3.2.4 试验电路如图3所示。
半导体管的不动作电压应不大于表２给出的最大值，用发生器提供100 KV／S的斜角波电压，回路电流通过监测1KΩ电阻上的压降来确定。
图 3 不动作电压测试电路
表 2 不动作电压
3.2.5 直流放电电压应在190—260V之内，
数据区间：U＋3S≤260，U－3S≥99.7%。
3.3 绝缘电阻或漏电流测试
用绝缘电阻测试仪对已经上几项试验并合格的试样测试其两极间的绝缘电阻，与测试无关的端子应悬浮放置，测试时按表３规定的直流测试电压，正负极性各测试一次，绝缘电阻的值应在稳定之后或加电压1min后读取，测试结果应达到国标一等品的要求：极间绝缘电阻值应≥1000MΩ。
表 3 绝缘电阻或漏电流
注：复测是指破坏性试验后进行的测试。
3.4 极间电容测试
极间电容应在半导体管的任意两个端子之间测试，所有与测试无关的端子应连接到测试设备的接地端子上。
测试频率应为１MHZ，测试电压应为0.5V（有效值），半导体管任意两个极之间的电容量应小于200pF。
3.5 冲击恢复时间测试
试验电路如图4所示。
试验使用的冲击电流发生器短路电流波形应为10/100μS或10/700μS，峰值为25A，开路电压应不低于1KV，冲击电流极性应和直流电源相同，正负极性交替试验各进行2次，试验间隔时间为20s，样品应在30ms内恢复到高阻状态。
PS1—恒定电压源 R2—模拟回路电阻的可选电阻器 E1—隔离放电间隙或等效装置 R3—直流限流电阻
C1—模拟应用条件的可选电容器 D1—隔离二极管
R1—冲击限流电阻或波形形成网络
图 4 冲击恢复时间试验电路
3.6 电流变化率效应测试
试验电路如图5所示。
半导体管上施加的冲击电流变化率（di/dt）最大值应落在25A/μs～30A/μs的范围内，正负极性各试验一次，间隔时间应不小于30s，半导体管上的电压应不大于400V，试验后复测绝缘电阻或漏电流应符合表3的要求。
PS—1KV直流电源，满载情况下，负载波纹和输出调整应不大于3.0% R1—
50KΩ充电限流电阻 C—1.0μF充电电容器（非电解） S—放电启动开关 R2—放电限流电阻（20Ω）
L—放电回路总电感，约20μH至20μH
注：为了得到25至30A/μS的电流上升速率，放电回路电感可能需要调
整，在进行试验前先用短路线替代样品进行调整。
图 5 电流变化率试验电路
3.7 耐电流能力测试
试验电路如图6、图7所示。
半导体管的冲击电流和工频电流承受能力应根据表4所列的试验项目、电流等级、试验次数和间隔时间进行试验。
冲击电流试验的开路电压峰值应不低于1KV，试验应按正负极性交替进行。
工频电流实验电流应由有效值为40V的工频电源和限流电阻组成，调整限流电阻使其短路电流分别符合表4的短路电流等级。
表 4 耐电流能力
注：冲击电流的试验次数为正负极性试验的总次数。
3.8 失效模式测试
向半导体管施加短路电流波形为8/20μs、峰值为10A的冲击电流，正负极性各冲击一次，间隔时间1min，试验后半导体管的失效模式应呈短路或低阻状态。
4 合格质量水平AQL及逐批检查计数抽样示例表
批量N：10000只以下按２.３条款执行，10000只以上按下表执行。
Re —不合格判定数
5 执行要求的有关说明
5.1 对各放电管生产厂家印在放电管上的年、月标志，长名标志应存档备查。
5.2 测试室内测试仪器前操作人员站立出必须铺上高压绝缘胶板以保证安全，室内保持清洁，所有人员进行入测试室必须换拖鞋。